【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、半導体チップ４０によって画成される１つの領域の外縁の内側に収まる位置に配置されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、簡便な方法でボンディング中にボンディング状態を精度良く監視する。
【解決手段】カメラ１６を視野に半導体チップ２３の特定領域が入るように移動させ、カメラ１６によって半導体チップ２３画像を取得して半導体チップ２３の各パッドの位置を検出した後、キャピラリ１４を各パッド２４の上に移動させて、各パッドに各イニシャルボールを順次ボンディングするボンディング装置であって、第１の光源と、第２の光源と、を備え、半導体チップ２３の各パッドの位置を検出する場合には、第２の光源３２を消灯して第１の光源３１を点灯させ、ボンディング中は、第１の光源３１を消灯して第２の光源３２を点灯させ、共通のカメラ１６によってパッド２４の位置検出とボンディング中のボンディング状態の各画像を選択的に取得する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、金属細線として金線を用いており、材料コストが低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子９が固着され、半導体素子９の固着領域の周囲のアイランド７には、複数の貫通孔１２が形成される。そして、半導体素子９の電極パッドとリード６とはＣｕ線１１により電気的に接続される。この構造により、Ｃｕ線１１を用いることでＡｕ線の場合と比較して材料コストが低減される。また、電極パッド上にＡｕボール１０を形成することで、スプラッシュの発生を抑え、電極パッド間のショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、金属細線として金線を用いており、材料コストが低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子１０が固着され、半導体素子１０の固着領域の周囲のアイランド７には、複数の貫通孔８が形成される。そして、半導体素子１０の電極パッドとリード４とは銅線１１により電気的に接続される。この構造により、銅線１１を用いることで金線の場合と比較して材料コストが低減される。また、電極パッド上に金ボール１２を形成することで、電極パッド間のショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤと外部端子のような基体との接合強度に優れるとともに、ワイヤの強度にも優れたワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】ワイヤ４の導出口とワイヤ４の押付面とを有し、押付面が、導出口の近傍に設けられた突起部３ａと、突起部３ａを構成する第１テーパー面３ｂと、第１テーパー面３ｂの外周側にあって、第１テーパー面３ｂよりも基端側に後退された第２テーパー面３ｃと、第１テーパー面３ｂと第２テーパー面３ｃとを連結する段部３ｄとから少なくとも構成されたキャピラリ１を用意し、突起部３ａ及び第１テーパー面３ｂをワイヤ４とともに基体１１にめり込ませ、押付面によってワイヤ４を変形させながら被ボンディング面１２に押し付け、押し付けられて変形されたワイヤ４を被ボンディング面１２に接合し、その後、突起部３ａにおいてワイヤ４を切断するワイヤボンディング方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりを向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム８の表面に実装された半導体素子６と、リードフレーム８の裏面８ｄに接着される接着部５ａを一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部１０を有するヒートシンク４と、リードフレーム８及び半導体素子６を一体的にモールドするモールド樹脂９とを備え、突起部５ｃを凹凸部１０の周囲に形成することにより、突起部５ｃの先端面が金型と密着してモールド樹脂９が凹凸部１０に漏れ出ることを防ぐようにする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、金属細線として金線を用いており、材料コストが低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子１０が固着され、半導体素子１０の固着領域の周囲のアイランド７には、複数の貫通孔８が形成される。そして、半導体素子１０の電極パッドとリード４とは銅線１１により電気的に接続される。この構造により、銅線１１を用いることで金線の場合と比較して材料コストが低減される。また、樹脂パッケージ２の一部が貫通孔８内を埋設することで、アイランド７が樹脂パッケージ２内に支持され易い構造となる。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止の工程に於ける金属細線の変形が抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、分離されたアイランド１２Ａおよびアイランド１２Ｂと、アイランド１２Ａ、１２Ｂに一端が接近するリード１４と、アイランド１２Ａに固着されて金属細線２４Ｃを経由してリード１４Ｅと接続される制御素子２０と、アイランド１２Ｂに固着されて金属細線２６を経由してリード１４Ｅと接続されるスイッチング素子１８と、を備える。更に、金属細線２４Ｃと金属細線２６とが交差して配置される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いられた金属細線に、樹脂封止工程で折れ、曲がりが生じて、隣接する金属細線同士が接触してしまうことのない高品質な半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型の半導体装置２において、半導体チップ１４は主面に複数の電極１８を有し、主面における前記電極の位置よりも外周側に絶縁性の金属細線案内部材１５が固定され、金属細線案内部材１５に形成された孔１７ａを通り、溝１７ｂに嵌め込まれた金属細線１６によって電極１８と外部リード１２とが接続された状態で、半導体チップ１４、外部リード１２、金属細線案内部材１５及び金属細線１６が樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲートワイヤおよびドレインワイヤのワイヤ長を延長できる高周波半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】キャビティを有するパッケージと、該キャビティ底面に配置され、上面にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有する半導体チップと、該キャビティ底面に配置されたゲートフレーム、ドレインフレーム、ソースフレームと、該ゲート電極と該ゲートフレームを接続するゲートワイヤと、該ドレイン電極と該ドレインフレームを接続するドレインワイヤと、該ソース電極と該ソースフレームを接続するソースワイヤとを備える。そして、該半導体チップは、該半導体チップが該キャビティ底面の中央部に配置された場合と比較して該ゲートワイヤおよび該ドレインワイヤの長さが長くなるように該中央部から所定のオフセットだけ離間して配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端子配列を容易に変更することが可能な半導体素子および半導体装置を提供する。
【解決手段】リモコン受光装置１は、フォトダイオード３と、外部端子２２（２２１〜２２３）とワイヤＬ_Ｇ１〜Ｌ_Ｇ３を介して導通する接続端子が複数設けられた制御ＩＣ４とを備えている。制御ＩＣ４は、接続端子として、信号入力端子Ｓ_ＩＮの他に、信号出力端子Ｓ_{ＯＵＴ１〜３}と電源端子Ｖ_{ＣＣ１〜３}とデジタルグランド端子Ｇ_Ｄ１〜３とが設けられている。この３種類の接続端子のうち一種類ずつ３つの接続端子を一組の端子群として、３組設けているので、容易に配線の変更が可能である。 （もっと読む）

【課題】はみ出した接合材の量が多くてもフレームのボンディング部に接合材が到達するのを防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】フレーム１０は、接合部１０ａとボンディング部１０ｂを有する。半導体チップ１２は、フレーム１０の接合部１０ａに接合材２０により接合されている。フレーム１０のボンディング部１０ｂと半導体チップ１２は金線１４により接続されている。そして、ボンディング部１０ｂは接合部１０ａよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】大気圧下で高密度のプラズマを得ることができて、プラズマ処理工程をインライン化することができるプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】一面に開口する非貫通の微細孔１２が形成されるカソード１０と、カソード１０の一面と対向するように離隔配置されるアノード２０と、カソード１０とアノード２０に電力を供給する電力供給部３０と、を含むプラズマ発生装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造時における熱応力や温度サイクルによる熱応力によって、リード端子にワイヤボンディングされたワイヤが断線することを阻止可能な半導体装置、およびその製造方法を提供する
【解決手段】一方表面２０上に複数の電極部２１が形成された半導体チップ２と、半導体チップ２側に一方端部４ｂが配置された複数のリード端子４と、各電極部２１と各リード端子４とを電気的に接続する複数のワイヤ５と、少なくとも半導体チップ２、リード端子４の一方端部４ｂおよびワイヤ５を封止する封止樹脂層６とを備えており、ワイヤ５は、リード端子４の一方端部４ｂの表面に接続された第１圧着部５１ａと、リード端子４の一方端部４ｂ表面において、リード端子４の他方端部４ａ側に離間した第２圧着部５１ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディング・パッドに向けてボンディング・キャピラリを降下させる途中において、降下速度の減速を開始した際、ボンディング・ワイヤと半導体チップとの接触の有無を、ループ状回路によりモニタすることにより、ボンディング・キャピラリからのワイヤの不所望な飛び出しを確実に監視することができるワイヤ・ボンディング装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１上のパッド５にキャピラリ３１により、ワイヤ６の先端部のボール部７を接続する際、パッドに向けてキャピラリを降下させる途中において、その降下速度の減速を開始した後であって、ワイヤがパッドと接触する前に、ワイヤ等から構成されるループ状回路を利用して、ワイヤと半導体チップとの不所望な接触の有無をモニタする。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップＣＨの長方形状の主面は、対角線上にある第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２と、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２を繋ぐ第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２とを有する。電極ＩＬと半導体チップＣＨのパッドＰＤとの間にワイヤＷＲが形成される。金型ＭＬのキャビティＣＶ内にワイヤＷＲが収められる。第１の頂点Ａ１から第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２に沿って第２の頂点Ａ２に向かうようにキャビティＣＶ内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤＷＲの形成は、平面視において、パッドＰＤと電極ＩＬとを結んだ直線に対して第１の頂点Ａ１から遠い側を通るようにワイヤＷＲを形成することにより行なわれる。 （もっと読む）

【課題】それぞれのトランジスタに流れる電流の比率が所定の比率からずれることを防止することが可能なカレントミラー回路を含む半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】この半導体装置（１０）は、カレントミラー回路（１１，１２）を含む半導体素子（３０）と、前記カレントミラー回路（１１，１２）に形成された寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）と、ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）を含む導電体により前記カレントミラー回路（１１，１２）の一部と電気的に接続され、半導体装置（１０）の外部と信号の入出力を行う接続端子（２０ａ，２０ｂ）と、を有し、前記ボンディングワイヤ（４０ａ〜４０ｄ）の抵抗値（Ｒｃ〜Ｒｆ）は、前記寄生抵抗（Ｒａ，Ｒｂ）に起因する前記カレントミラー回路（１１，１２）の出力電流（Ｉｏ）のずれを補正する値に調整されていることを要件とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性に優れたボンディング方法を提供する。
【解決手段】銅を含む金属体２２を被接合体１１に対して押圧しつつ金属体２２に振動を印加して金属体２２を被接合体１１に接合させるボンディング方法であって、金属体２２に振動を印加しその振動が印加された状態のまま金属体２２を被接合体１１に接触させるステップと、被接合体１１に対する金属体２２の押圧荷重を徐々に増大させていき第１の押圧荷重Ｗ１にするステップと、押圧荷重を第１の押圧荷重Ｗ１よりも小さい第２の押圧荷重Ｗ２にすると共に、振動の出力パワーを第１の押圧荷重Ｗ１のときに印加されていた第１の出力パワーＰ１より徐々に増大させていき第２の出力パワーＰ２にするステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】搬送する基板に作用する過負荷を検出して基板の破壊を防止する。
【解決手段】搬送方向Ａに移動可能なＸ軸テーブル２０に搭載される搬送装置３０には、搬送装置本体３１と、上爪部４２を備える上爪部材４０と、下爪部５２を備える下爪部材５０と、上爪部材４０及び下爪部材５０を上下動させる駆動装置６０と、ボンディング装置１を統括的に制御する制御部８０とが設けられている。また、上爪部４２及び下爪部５２は搬送方向Ａに付勢されており、上爪用アーム部４１に対して上爪部４２が移動したことを検出する過負荷検出装置７０が設けられている。そして、リードフレームＦがマガジンなどに衝突すると、リードフレームＦをクランプする上爪部４２及び下爪部５２が搬送方向Ａの反対方向に移動するため、過負荷検出装置７０により、リードフレームＦに過負荷が作用していることを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装された半導体チップと配線基板上のワイヤボンドパッドとを接続するボンディングワイヤが半導体チップに干渉することを回避しつつ、半導体チップとワイヤボンドパッドまでの距離が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２上に半導体チップ１が実装され、配線基板２上のワイヤボンドパッド５と半導体チップ１上の電極パッド４とがボンディングワイヤを介して接続された半導体装置８であって、電極パッド４よりも半導体チップ１の端部に近接した位置にワイヤボンドパッドを有する中継基板１０が設けられ、半導体チップ１上の電極パッド４と中継基板１０上のワイヤボンドパッドとが第１のボンディングワイヤ３Ａを介して接続され、中継基板１０上のワイヤボンドパッドと配線基板２上のワイヤボンドパッド５とが第２のボンディングワイヤ３Ｂを介して接続されている。 （もっと読む）