【課題】半導体集積装置内で発生したノイズを他ブロックへの回り込みを低減し、かつ静電破壊防止効果の両立を実現するための半導体集積装置の製造方法を提供する。
【解決手段】端子に接続されるパッドを分離してパッド間はワイヤーで接続され、他の同一機能端子のパッドと接続する事で、分離によりノイズの回り込み低減と、パッド間接続によって静電破壊防止効果を両立させた半導体集積装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ２００の外形の厚さを薄くし、かつエジェクタピン跡２２が存在しても、電流破壊耐量を向上させたり、オン電圧を低減させる態様でボンディングワイヤ４による結線を可能とする。
【解決手段】トランジスタ２００は樹脂パッケージ２０内に半導体チップ１を備える。樹脂パッケージ２０の第１の側面２３には外部ドレイン電極として機能する外部リード４１〜４４が配列される。リードフレーム５は外部リード４１〜４４と面状部５１とを有する。面状部５１は半導体チップ１のドレイン電極が設けられる第１面１ａに接続される。樹脂パッケージ２０の第２の側面２４には外部ソース電極として機能する外部リード４５〜４８が配列される。外部リード４５〜４８はワイヤ４によって、半導体チップ１のソース電極が設けられる第２面１ｂに接続される。樹脂パッケージ２０の上面２１上に残されるエジェクタピン跡２２は、第１の側面２３側に位置する。 （もっと読む）

本発明は、信頼性及び電気的特性が劣化されなくて優秀な特性を維持しながら高分子膜でコーティングされた銅又は銅合金ワイヤーを有する半導体パッケージに関するものであり、半導体チップパッドと、端子及びコーティングされたワイヤーとを含み、コーティングされたワイヤーは半導体チップパッド及び端子と連結され、表面に高分子膜がコーティングされた銅又は銅合金ワイヤーであることを特徴とする。銅ワイヤーが高分子膜でコーティングされて信頼性及び電気的特性が低下しない銅又は銅合金ワイヤーとこれの製造方法及びこれを用いた半導体パッケージ製品に関するものである。
本発明によると、 高分子膜でコーティングされた銅又は銅合金ワイヤーは高分子物質でコーティングされていて従来の銅ワイヤーより長期保管後にも接続時信頼性が増加して電気的特性が低下しなくて優秀な通電特性及び酸化防止特性を現す。
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【課題】複数の金属によりリード端子の接続面を形成せずに、単一のリード端子に異なる材質の複数のリード部材を高い接続強度で接続する。
【解決手段】リード部材(7,8)は、電子部品(5)の第１の電極(15a)とリード端子(3a)の接続面(14)とを接続する金属ストラップ(7)と、電子部品(6)の第２の電極(16a)と金属ストラップ(7)の上面(7a)とを接続する金属細線(8)とを有する。リード端子(3a)の接続面(14)に金属ストラップ(7)を接続し、金属ストラップ(7)の上面(7a)に金属細線(8)を接続するため、リード端子(3a)の接続面(14)を金属ストラップ(7)との接続強度の高い金属により形成するだけで、リード端子(3a)に金属ストラップ(7)及び金属細線(8)を高い接続強度で接続できる。 （もっと読む）

【課題】酸化防止ガスの使用量を少なくしてもボンディングエリアの酸化を十分に抑制することができるワーククランプ及びワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るワーククランプは、酸化防止ガスの雰囲気にする内部中空部１０と、前記内部中空部の下に設けられ、前記内部中空部に前記ボンディングエリアを入れるための下部開口部１１ａと、前記内部中空部の上に設けられ、前記ボンディングエリアを露出させる上部開口部１１と、前記内部中空部を覆い、且つ前記上部開口部の開口面積より広い面積を有するキャビティ１３と、前記キャビティに設けられ、前記キャビティに前記酸化防止ガスが導入されるガス導入口１４ａ，１４ｂと、前記キャビティの下方に繋げられ、前記ガス導入口から導入された前記酸化防止ガスを前記ワークのボンディングエリア以外の部分に吹き付ける孔２１と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時に発生する熱応力を緩和することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ９０が載置されたアイランド１０と、アイランド１０に連結されて当該アイランド１０を保持するとともに、一部が屈曲した吊ピン２０と、吊ピン２０の屈曲した部分である屈曲部２２上に設けられた樹脂３０（第１の樹脂）と、半導体チップ９０を封止する樹脂４０（第２の樹脂）と、を備えている。ここで、樹脂３０は、樹脂４０よりも高いガラス転移点温度を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージに対するチップの実装位置ずれが生じた場合に、ボンディングワイヤ間のショートを回避するワイヤボンディング最適化方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１のパッド２とパッケージ基板のボンディングポイントＢＰとを接続するワイヤボンディングにおいて、半導体チップ辺上のいずれかのパッドに対してボンディングポイントが複数個設定されるように、複数個のボンディングポイントのインスタンス名、座標、接続情報および半導体チップのパッド座標をワイヤボンディング装置に入力する第１の工程Ｓ１と、半導体チップのパッケージ基板に対する位置ずれ量を検出する第２の工程Ｓ２と、検出した位置ずれ量に基づいて、複数のボンディングポイントの中から最適ボンディングポイントを検出する第３の工程Ｓ３と、最適ボンディングポイントのインスタンス情報をワイヤボンディング装置に伝達する第４の工程Ｓ４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の薄型化を図る。組立工程における作業性を向上する。
【解決手段】 半導体基板の主面の第一辺に沿って複数のパッドが配列された第１及び第２の２つの半導体チップを準備し、第１及び第２の各チップを、第１チップの第１辺と第２チップの第１辺とが反対側になるように主面と反対側の面（裏面）同志を向い合せ、かつ電極の配列方向と直交する方向に位置をずらした積層状態で接着固定し、接着固定された第１及び第２のチップの積層体の第１チップの主面に支持リードを接着固定し、第１チップの各パッドとリードフレームの表側識別記号を有するリードのインナー部とを導電性のワイヤを介して電気的に接続し、第２チップの各パッドとリードフレームの裏側識別記号を有するリードのインナー部とを導電性のワイヤを介して電気的に接続し、第１及び第２のチップ、ワイヤならびにリードのインナー部を樹脂により封止する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、パッケージ化された半導体デバイスを提供する。接合ワイヤがアルミニウムバンプ接合部によりリードに接合される。半導体デバイスは、リードを有するリードフレームに取り付けられ、当該リードはニッケルメッキ部を有している。５０μｍ（２ミル）のような細いアルミニウムワイヤとリードとの間にバンプ接合部を形成するために、アルミニウムバンプがニッケルメッキ部に接合され、ワイヤがバンプに接合される。バンプはニッケルをドープされたアルミニウムであり、１５０μｍ（６ミル）の直径のワイヤのような大きな直径のワイヤから形成される。
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【課題】半導体チップへのダメージを最小限に抑えたマルチチップ構造の半導体装置；製造工程における作業性の高いマルチチップ構造の半導体装置；半導体チップ単位での特性試験を容易に行い得るマルチチップ構造の半導体装置を提供すること。
【解決手段】リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第１のマルチチップ構造部と；ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第２のマルチチップ構造部とを備える。そして、ベースフレームのインナーリードが、第１のマルチチップ構造部の端子領域と、第２のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続される。 （もっと読む）

【課題】キャピラリ交換時の時間短縮を図り、メンテナンスの省力化を図る。
【解決手段】ワイヤボンディング装置１０のキャピラリ交換における、固有の接地位置に設定されたキャピラリ１６の接地位置データ設定方法であって、キャピラリ交換前後に測定した各キャピラリ１６と基準部材２５との間の高さ方向のクリアランスの差ΔＺと、交換前キャピラリの接地位置データに基づいて、交換後のキャピラリ接地位置データを設定する。クリアランスの測定は、キャピラリ先端１６ｃと基準部材２５との立面画像を撮像する撮像手段と、撮像手段によって取得された、キャピラリ先端１６ｃと基準部材２５とを含む立面画像を処理してキャピラリ先端１６ｃと基準部材２５との間の高さ方向の距離を測定するクリアランス測定手段によって行う。 （もっと読む）

バッテリ保護回路に使用するのに適したマルチ・チップ・モジュール。マルチ・チップ・モジュールは、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、集積回路チップを第１のパワー・トランジスタに電気的に接続する第１の接続構造、集積回路チップを第２のパワー・トランジスタに電気的に接続する第２の接続構造と、第１のリード、第２のリード、第３のリードおよび第４のリードを含むリードフレーム構造とを含み、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタおよび第２のパワー・トランジスタがリードフレーム構造に搭載されている。モールディング材料は、集積回路チップ、第１のパワー・トランジスタ、第２のパワー・トランジスタ、第１の接続構造および第２の接続構造の少なくとも一部分を覆う。
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【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には、中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの配置変換を簡易的確に行う。
【解決手段】ダイパッド３１上には、複数個のボンディングパッド４１を有する半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０上には、これよりもサイズの小さな中継チップ５０が固着されている。中継チップ５０は、複数個のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、多層配線構造の配線パターン５２によって相互に接続され、半導体チップ４０側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。ボンディングパッド４１は、ワイヤ６１によってボンディングパッド５１に接続され、このボンディングパッド５１が、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続されている。 （もっと読む）

超小型電子回路のための電気的相互接続のためのデバイス及び方法が開示される。電気的相互接続の１つの方法（９０）は、少なくとも２つのマイクロフィラメントがそれらの長さに沿って延びる導電性部分を含む、マイクロフィラメントの束を形成するステップ（９２）を含む。方法はまた、マイクロフィラメントを超小型電子回路の基板の対応するボンドパッドに接合して、導電性部分とそれに対応するボンドパッドとの間に電気的接続を形成するステップ（９４）を含むことができる。１つの超小型電子回路（１０）は、対応するボンドパッド（１４）に接合されて、対応するボンドパッドとマイクロフィラメントの導電性部分との間に電気的接続を形成するマイクロフィラメント（１８）の束（１６）を含むことができる。
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【課題】ワイヤのコストダウンを図り、ボンディング状況が良好でループの形状・保形力を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１１に一次ボンドＡによりワイヤ１３を接続し、ループＲを形成しながら半導体素子１２のボンドパッド１６に、二次ボンドＢによりワイヤ１３を接続してなる半導体装置１０において、上記ワイヤ１３として銅または銅合金線を採用し、半導体素子１２のボンドパッド１６に金または金合金バンプ１７を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高いコントラストで認識対象物の画像を得るためには、同軸照明および斜光照明の光源の光の波長について考慮する必要がある。
【解決手段】本発明の半導体装置の組立装置１は、第１のＬＥＤを光源として有し、半導体ペレットを半導体ペレットに対して略垂直な方向から照明する同軸照明１０と、第２のＬＥＤを光源として有し、インナーリードをインナーリードに対して斜め方向から照明する斜光照明２０と、前記同軸照明および前記斜光照明によりそれぞれ照明された前記半導体ペレットおよび前記インナーリードの画像を認識するＣＣＤカメラ３０と、を備え、第２のＬＥＤは、青色ＬＥＤであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】小型で、複数の素子を高精度に実装可能で、複数の素子間の特性がほぼ均一で、配線の引き回しが容易な、電子部品を提供する。
【解決手段】基板上に成膜された半導体薄膜の結晶が異方性の場合、もしくは、入力抵抗と出力抵抗が異なる場合など、ホールセンサの一方の端子対方向と他方の端子対方向の特性が異なる場合は、第１のホールセンサ５７と第２のホールセンサ５８を時計回りに４５度回転しリードフレームのダイパッド５２に搭載し、ワイヤーボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタのベース及びエミッタ用ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスを低減して、発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な数ギガヘルツ帯の発振回路を提供する。
【解決手段】 発振トランジスタのベースとベース端子１２とを接続する第１のボンディングワイヤ１５と、エミッタとエミッタ端子１３とを接続する第２のボンディングワイヤ１６とを備え、ベース端子とエミッタ端子の配線方向が直角であり、且つ第１及び第２のボンディングワイヤの配線方向が直角であるようにする。ボンディングワイヤ間もしくはベース端子とエミッタ端子との間に磁気シールド材を挿入しても良い。ボンディングワイヤ間の相互インダクタンスが低減され発振周波数近傍における位相雑音特性の良好な発振回路が得られる。 （もっと読む）

【課題】 一次ボンディングにおけるボンディングパッドとボールとの接続信頼性および二次ボンディングにおけるリードとワイヤとの接続信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】 タブ１４上に半導体チップ１５を配置し、タブ１４の周囲にインナーリード１３を形成する。そして、インナーリード１３の先端部（タブ１４に近い側の先端部）１３ａに傾斜を設ける。半導体チップ１５に形成されたボンディングパッド１６とインナーリード１３とをボール１７およびワイヤ１８を介して接続する。インナーリード１３とワイヤ１８とは、インナーリード１３に設けられた傾斜した部分で圧着するようにする。インナーリード１３に設けられた傾斜の角度は、例えば３度以上１５度以下の範囲にする。 （もっと読む）