【課題】更なる高周波モールドパッケージの対応化を図ることができる半導体モールドパッケージを得る。
【解決手段】図１２は、意図的にリードフレームを短くして、ワイヤ長を伸ばしたリードフレーム形状を示す配置図である。図１２において、１はリードフレーム、３はＬＳＩ、５はＬＳＩ３とインナーリードフレームを接続するワイヤ、６はＬＳＩ３の近傍まで伸ばしたインナーリードフレーム、１０は意図的にインナーリードを短くしたインナーリードフレームである。ワイヤ５のインダクタ成分を利用したい端子とワイヤ長を少しでも短くしたい端子が入り混じっているときに用いるインナーリードフレーム１０を図１２に示す。図９のようにインナーリードフレーム８を伸ばした上で所望の端子のみインナーリードフレーム７を短くしておき、ワイヤ長を伸ばすことも可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程における情報管理を効率化すること。
【解決手段】複数のボンディングパッドが設けられる表面上に、複数の升目状パターンを、該ボンディングパッドが配置される周辺領域に取り囲まれた領域に、良品、半良品、不良品の情報に応じて第１の方向と該第１の方向と垂直な第２の方向に配列して構成された二次元パターンが付加された半導体チップを準備する工程と、前記二次元パターンを認識する工程と、認識された前記二次元パターンの前記半良品の情報に基づいて、前記半導体チップ内の冗長回路を使用するように、前記半導体チップの周辺に配置された複数のリードと前記複数のボンディングパッドとを複数のワイヤによって接続する工程と、を有する、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで適切にワイヤを被接合用パッドに接合できるワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】ボール形成工程の後、ツール１００の先端部から引き出されているボール形状の引き出し部４０ａを、表面が粗化された粗化部材２００に押し付けて、引き出し部４０ａが粗化部材２００に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、引き出し部４０ａの表面のうち粗化部材２００に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、その後、引き出し部４０ａの表面のうち粗化された部位を、被接合用パッド２１に押し当ててボンディング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のコストの低減化を図る。
【解決手段】半導体チップ３の電極パッド３ｃとこれに対応するインナリード２ａとが複数のボンディングワイヤ６によって電気的に接続された半導体パッケージにおいて、センシングワイヤＡ，Ｂ（第２ボンディングワイヤ６ｂ，第４ボンディングワイヤ６ｄ）を、同一のインナリード２ａに接続された他のボンディングワイヤ６（第１ボンディングワイヤ６ａ，第３ボンディングワイヤ６ｃ）より細くすることで、金ワイヤに掛かるコストを減らして前記半導体パッケージの原価低減を図る。 （もっと読む）

【課題】生産性がよく、信頼性の高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】成形された複数本のワイヤを一括して保持したボンディングツールを、第１の接合対象物及び第２の接合対象物に向けて相対的に移動させて、複数本のワイヤの各々の一端部を第１の接合対象物及び前記第２の接合対象物のいずれか一方に接触させ、ワイヤの一端部と、第１の接合対象物及び第２の接合対象物のいずれか一方との接触部に対して振動と圧力を加えて、複数本のワイヤの一端部を第１の接合対象物及び第２の接合対象物のいずれか一方に対して一括して接合させ、ワイヤの他端部を、第１の接合対象物及び第２の接合対象物の他方に対して導電性接合材によって接合させる。 （もっと読む）

ダイの接地又は他の外部コンタクトへのワイヤボンディングの信頼性を改善する、種々の半導体パッケージ配置及び方法を説明する。１つの側面において、ダイ上の選択された接地パッドが、リードフレームのタイバー部上に位置するボンディング領域にワイヤボンディングされる。タイバーは、タイバーのボンディング領域からダウンセットされる露出されたダイ取り付けパッドに接続される。幾つかの実施例において、ボンディング領域及びリードは、ダイ及びダイ取り付けパッドより上で、実質的に同一の高さである。ダイと、ボンディングワイヤと、リードフレームの少なくとも一部とがプラスチック封止材材料で封止される一方で、ダイ取り付けパッドのコンタクト面を露出させておき、ダイ取り付けパッドの外部デバイスへの電気的結合を円滑化することができる。
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【課題】回路の誤動作を回避し高速処理に適した半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】表面に電極パッド１１ａを有する半導体チップ１１と、半導体チップ１１が搭載されるグランドパターン１２ａを有するとともに、グランドパターン１２ａと離間したリード電極１２ｂを有するリードフレーム１２と、電極パッド１１ａとリード電極１２ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤ１５ａと、を備え、グランドパターン１２ａには、半導体チップ１１が搭載された領域よりも外周にはみ出した部分のボンディングワイヤ１５ａ側の面にて、グランドパターン１２ａに接続された導体よりなる突起部材１３が配設されており、突起部材１３の頂面には、所定膜厚の絶縁物１４が設けられており、ボンディングワイヤ１５ａは、絶縁物１４上にて絶縁物１４と直接接触して配線されている。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂の流し込みの際に生じるワイヤ間の接触を防止することにより、ワイヤ間の電気的短絡を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップＣＨの長方形状の主面は、対角線上にある第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２と、第１および第２の頂点Ａ１、Ａ２を繋ぐ第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２とを有する。電極ＩＬと半導体チップＣＨのパッドＰＤとの間にワイヤＷＲが形成される。金型ＭＬのキャビティＣＶ内にワイヤＷＲが収められる。第１の頂点Ａ１から第１および第２の辺Ｌ１、Ｌ２に沿って第２の頂点Ａ２に向かうようにキャビティＣＶ内に液状樹脂が流し込まれる。液状樹脂を硬化することによって樹脂部が形成される。ワイヤＷＲの形成は、平面視において、パッドＰＤと電極ＩＬとを結んだ直線に対して第１の頂点Ａ１から遠い側を通るようにワイヤＷＲを形成することにより行なわれる。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ＩＣチップ１３の電極パッド１４ａに金球１５によってワイヤの一端をボンディングし、イン−リードにワイヤの他端をボンディングして、電極パッド１４ａからイン−リードまでのワイヤループ１６を形成する工程と、金球１５よりイン−リード側の半導体ＩＣチップ１３上の所定位置で、ワイヤループ１６を半導体ＩＣチップ１３側に押し下げるように、バンプ金球１７によってワイヤループ１６をボンディングする工程とを有し、前記所定位置は、少なくともバンプ金球１７よりイン−リード側のワイヤループ１６の最上部の高さをバンプ金球１７の頂部１７ａの高さＨ１７よりも低くする位置に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、アイランド１２を囲むように複数のリード１６Ａ−１６Ｈを配置し、隅部に配置されたリード１６Ａ、１６Ｄ、１６Ｅ、１６Ｈの内側の一端を、中間部に配置された他のリード１６Ｂ等の一端よりも内部に位置させている。この様にすることで、隅部に配置されたリード１６Ａ等と半導体素子とを接続する金属細線２２Ａ等の線長が短縮化され、その分材料コストを安くすることができる。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタと制御用集積回路とを一つの半導体チップに形成した半導体装置において、パワートランジスタのオン抵抗を低減できる技術を提供することにある。また、半導体チップのサイズを縮小化できる技術を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ２０には、パワートランジスタが形成されたパワートランジスタ形成領域２１、ロジック回路が形成されたロジック回路形成領域２２およびアナログ回路が形成されたアナログ回路形成領域２３が形成されている。そして、パワートランジスタ形成領域２１には、パッド２５が形成されており、このパッド２５とリード２７ａとはワイヤ２９よりも断面積の大きいクリップ２８で接続されている。一方、ボンディングパッド２４は、ワイヤ２９によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リード１６Ａ−１６Ｄの先端部をＣＣＤカメラで撮影することにより画像を取得し、この画像に映し出されるリード１６Ａ−１６Ｄの先端部に、レクチル５４Ａ−５４Ｄを重畳している。その後に、レクチル５４Ａ−５４Ｄの中央部と重なり合うリード１６Ａ−１６Ｄの上面に、金属細線２２の端部をワイヤボンディングしている。この様にすることで、各リード１６Ａ−１６Ｄと金属細線２２とが重畳する長さが短縮化されるので、金属細線２２に係る材料コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】 半導体パッケージで発生する電磁ノイズを当該パッケージ内部で減衰させることができるリードフレーム及びインターポーザを提供すること。
【解決手段】 ＬＳＩチップ１０と外部の電気回路とを接続するものであり、複数のリード６を備えている。この複数のリード６の１本であるリード６ａの一端はＬＳＩチップ１０と導線７ａにより接続され他端がプリント基板に接続され、リード６ａは一端において隣接するリード６ｂに導線７ｂにより接続され、リード６ｂの他端はリード６ｂに隣接するリード６ｃの一端に導線７ｃにより接続され、リード６ｃの他端はオープンとなっている。これにより、リード６ａに接続されたリード６ｂ、６ｃがオープンのスタブ線路として機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】ＳＩＰの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ３を表面非接触型のコレットでピックアップして第１のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるＡＳＩＣチップ４を表面接触型のコレットでピックアップして第２のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、２種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったＡＳＩＣチップ４の高い位置精度を実現するとともに、前記ＳＩＰの品質の安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】パラジウムめっきされたリードフレームであっても良好なウェッジ接合性を確保でき、耐酸化性に優れた、銅又は銅合金を芯線とする半導体用ボンディングワイヤーを提供する。
【解決手段】銅又は銅合金から成る芯線と、該芯線の表面に、10〜200nmの厚さで形成されたパラジウムを含む被覆層と、該被覆層の表面に、3〜30nmの厚さで形成された銀とパラジウムとの合金層と、を有し、前記銀とパラジウムとの合金層中の銀の濃度が10体積%以上70体積%以下であることを特徴とする半導体用ボンディングワイヤー。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をプリント基板に実装する時の熱によって半導体チップと内部リードとを電気的に導通しているワイヤが切断されてしまうことを回避すること。
【解決手段】半導体チップ１０と、この半導体チップ１０に一端部が圧着されたワイヤ１２と、このワイヤ１２の他端部が圧着されて上記半導体チップ１０と電気的に導通させられている複数本の内部リード１３と、上記半導体チップ１０ないし上記各内部リード１３を包み込む樹脂パッケージ１４と、を備えた樹脂パッケージ型半導体装置１において、上記ワイヤ１２が上記内部リード１３との圧着部１２ｂの基端から延出する角度βを上記圧着部１２ｂの基端から少なくとも上記ワイヤ１２の直径の２倍に相当する長さまでは上記内部リード１３に対して１５度以下とした。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を同一基板に搭載することによって小型パッケージに収納される半導体装置であって、ワイヤ結線のループ高さ、およびループ形状をコントロールし、かつ安定させた半導体装置の製造方法を提供するのに収納される半導体装置であって、半導体素子どうしの接着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のボンディング工程の後、第２のボンディング工程に進む前に、金属細線９をクランプ機構３４によってクランプしながら一定のワイヤ長で結線するようにした。第１のボンディング工程が終了した後のワイヤ引き出し時に、結線用ワイヤのループ形状を安定化させるために、ウェッジボンダー３０の付加機能であるアクティブクランプ機能を活用して、金属細線９の引き出し量を安定化させている。また、金属細線９が形成するループ形状の安定性を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ボール形成時の雰囲気ガスを１００％窒素ガスとした場合でも銅ボールが酸化しにくく、アルミニウム電極と銅ボールとの接合信頼性を損なわず、銅ワイヤ表面も酸化し難くスティッチボンディング性が非常に良好な銅ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Ｃｌの含有量が２質量ｐｐｍ以下である、２質量％以上７．５質量％以下のＡｕを含み、残部Ｃｕと不可避不純物からなることを特徴とするＣｕボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】多ピンのＢＧＡ９において、半導体チップ１と配線基板２とを電気的に接続する複数のワイヤ７が、短くかつ細くて内側に配置される複数の第１のワイヤ７ａと、第１のワイヤ７ａより長くかつ太い複数の第２のワイヤ７ｂとを有することで、樹脂モールディング時のレジンが細い第１のワイヤ７ａ間から流れ込むため、レジンによって空気が押し出されてボイドの形成を抑えることができ、多ピンのＢＧＡ９の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）