【課題】リードフレームを用いて電子部品を内蔵した半導体装置を製作する場合、半導体素子の端子数の増大にも良く対応でき、且つ、部品配置の自由度が高い、部品内蔵のリードフレーム型基板とその製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板の第１面に配線、第２面に接続用ポスト、それら以外の領域に電子部品が埋設されたプリモールド用樹脂層が有り、好ましくは電子部品実装状態では電子部品の高さが接続用ポストを越えないリードフレーム型基板、及び、その基板に半導体素子が実装され、基板と半導体素子がワイヤーボンディングされた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高速で均一なループを形成させる。
【解決手段】ボンディング装置１は、キャピラリ５をボンディング位置まで下降させて、オーバーハングダイ１００のパッド１０４にイニシャルボール１０をボンディングするが、その際、所定時間ごとに、キャピラリ５のＺ軸方向の位置を検出するとともに、荷重センサ７で検出した荷重を検出して蓄積しておく。そして、蓄積したキャピラリ５に作用する荷重とキャピラリ５の位置とを参照して、荷重変化点を検出して、この荷重変化点におけるキャピラリ５の荷重変化位置からボンディング位置を減算することで、荷重変化位置からボンディング位置に至るキャピラリ５の移動量Ｚを算出する。そして、この算出した移動量Ｚ分、キャピラリ５を上昇させた後、パッド１０４とリード１０５との間にワイヤループを形成させる。
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【課題】ワイヤボンディング装置において、簡便な方法でキャピラリの振幅測定精度を向上させる。
【解決手段】静止中のキャピラリの画像の輪郭を取得する第１の輪郭取得手段と、キャピラリを無負荷状態で発振させ、発振中のキャピラリの画像を撮像素子で取得し、取得した画像の各ピクセルのグレーレベルを検出し、互いに隣接する予め設定された閾値よりも小さいグレーレベルの第１のピクセルと閾値よりも大きいグレーレベルの第２のピクセルとを選択し、第１のピクセルと第２のピクセルとのグレーレベルを補間してグレーレベルの閾値に対応する画像上の点の座標位置をサブピクセル単位で算出し、発振中のキャピラリの画像の輪郭を取得する第２の輪郭取得手段と、静止中のキャピラリの画像の輪郭と発振中のキャピラリの画像の輪郭との差からキャピラリの振幅を算出する振幅算出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子チップの面積縮小に有利であり、優れたコスト効率で量産することのできる素子チップを備える窒化物半導体装置を提供すること。
【解決手段】 窒化物半導体装置１において、素子チップ５の一表面５１に形成されたソースパッド８およびゲートパッド９を、サブマウント４に接合することにより、サブマウント４と電気的に接続する。一方、素子チップ５の他表面５２に形成されたドレイン電極１０には、アルミワイヤ１４を接合する。そして、アルミワイヤ１４の接合されるドレイン電極１０の幅Ｗ（第１方向に関する幅）を、アルミワイヤ１４のワイヤ径Ｄの２倍以下にする。また、ドレイン電極１０の長さＬ（第２方向に関する幅）を、アルミワイヤ１４のワイヤ径Ｄの３．５倍以下にする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の積層技術等を用いることなく、狭ピッチの半導体素子を搭載した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板電極２４を有する素子搭載部材１２と、素子搭載部材１２の上に搭載され、素子電極２３を有する半導体素子１３と、素子搭載部材１１の上に、第１の辺を半導体素子１３の一の辺と対向させて搭載された中継素子１４とを備えている。中継素子１４は、平面三角形状又は平面台形状であり、第２の電極２３と第１のワイヤ４１を介して電気的に接続された第１の中継電極２１と、基板電極２４と電気的に接続された第２の中継電極２２と、第１の中継電極２１と第２の中継電極２２とを電気的に接続する内部配線３１とを有している。 （もっと読む）

【課題】誤配線を防止しつつ、かつ、インナリードの認識不良を抑制する。
【解決手段】半導体チップの主面に形成された複数のパッドと、半導体チップの周囲に配置された複数のインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａとを、ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程において、複数のインナリード５ａを含む領域の画像データ９を画像処理手段が取得する工程と、画像処理手段が取得した画像データ９において、隣り合う複数のインナリード５ａを含む認識範囲９ａ内のインナリード５ａの位置を認識する工程と、位置が認識されたインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａにワイヤを接合する工程とが含まれる。ここで、複数のインナリード５ａは、ワイヤボンディング領域５ａａの隣に配置される第１領域５ａｂを有し、第１領域５ａｂは、隣り合うインナリード５ａが有する第１領域５ａｂの光反射率が交互に異なるように配置する。 （もっと読む）

【課題】小型化しつつ歩留まりの低下を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ１００と、配線基板４００と、半導体チップ１００と配線基板４００を接続する複数の第１ワイヤ５００とを備える。半導体チップ１００は、複数の第１パッド１１０、複数の第２パッド１１２、第１回路１２２、及び第２回路１２４を備える。複数の第１パッド１１０は、半導体チップ１００の一辺に沿って配置され、第１のパッド列を形成している。複数の第２パッド１１２は、複数の第１パッド１１０より半導体チップ１００の中心側に配置され、第２のパッド列を形成している。第１回路１２２は複数の第１パッド１１０に接続している。第２回路１２４は、複数の第２パッド１１２に接続しており、第１回路１２２とは異なる機能を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ等超音波ボンディング接合性を向上させることができるリードフレーム及びそれを用いた信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】アウターリード３１から段差形成されたステッチ部３２を有し、ステッチ部３２の一部がアウターリード３１側へ延在した、ステッチ部延在部３２ａを有するリードフレーム３０及びそれを用いた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド工程における半導体チップサイズの縮小に対する弊害を防止して、半導体チップサイズの縮小を実現する。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１７上に搭載され、周縁部に複数の電極パッド２２を有する半導体チップ１３と、外部端子２１に電気的に接続する複数のインナリード１８と、複数の電極パッド２２と、複数のインナリード１８とを接続する複数のワイヤ１５とを備える。半導体チップ１３のチップ辺における少なくとも一辺において、複数のワイヤ１５が、複数の電極パッド２２の各々にワイヤボンドされて形成された圧着ボール２６は、半導体チップ１３の一辺から中心に向かう向きに伸びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤ流れによる不具合の発生を防止することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１０は、半導体チップ１１に設けられた回路ブロック１２と、回路ブロック１２上に設けられた接続パッド１５（１ｂｒ）と、接続パッド１５（１ｂｒ）と電気的に接続され、ボンディングされるボンディングパッド１７（１）とを備え、回路ブロック１２は、接続パッド１５（１ｂｒ）を介してボンディングパッド１７（１）と接続される。 （もっと読む）

【課題】幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】第１面とその反対側の第２面とを有するリードフレーム７０を両方向へ移送するインデックス・レール１２０、インデックス・レール１２０の一端部に連結されてインデックス・レール１２０にリードフレーム７０を供給するローダ部１１０、インデックス・レール１２０の一端部の反対側端部に連結されてリードフレーム７０を第１面に対する垂線を中心に回転させるフレーム駆動部１４０、及びインデックス・レール１２０に供給されたリードフレーム７０に付着された半導体チップとリードフレームをワイヤボンドによって電気的に連結させるためのワイヤボンディング部１３０を備える半導体パッケージ製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの配線高さを低減できる回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置１Ａは、基体４０と、リード部１０と、ダイ部２０と、上記リード部１０と上記ダイ部２０とを電気的に接続するワイヤ３０とを有する。上記ワイヤ３０の一端部３０ａは、上記リード部１０にボールボンド部３１にて接合されている。上記ワイヤ３０の中途部３０ｂは、上記リード部１０にボールボンド部３１にて接合されている。上記ワイヤ３０の他端部３０ｃは、上記ダイ部２０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】ユーザの要求に出来る限り対応しつつも、チップサイズを増大させないようにすることが重要となる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上の外周に沿って配置される第１乃至第４内部端子と、第１内部端子に接続される回路と、第２内部端子と接続される第１外部端子と、第３内部端子と接続される第２外部端子と、第４内部端子と接続される第３外部端子と、を備え、回路は、第１内部端子と第１外部端子との接続状態に応じた信号を出力し、第１及び第２内部端子は、第１外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第１及び第２内部端子の中心間の距離がＬ１となるように配置され、第３及び第４内部端子は、第２及び第３外部端子が対応する基板の１辺に平行な方向における第３及び第４内部端子の中心間の距離がＬ２となるように配置され、距離Ｌ１は、距離Ｌ２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイズやボンディングパッド位置の異なるチップを実装する共用に適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、互いにＶ字型に曲折接続する第一、第二フィンガー部２１２、２１３を含むジグザグ形フィンガー２１１を有するリードフレームの複数の第一リード２１０、および複数のボンディングパッド２２２を有するチップ２２０を設ける。ボンディングワイヤ２３１、２３２は、一端がチップ２２０のボンディングパッド２２２群と接続し、他端が第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれかの組と任意に接続する。このワイヤーボンディングの方向は、第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれか接続される組の延びる方向との間に第一角度を形成し、いずれか接続されない組の延びる方向との間に第二角度を形成し、第一角度は第二角度よりも小さくなるようにボンディングワイヤ２３１、２３２によってなされる。 （もっと読む）

【課題】ホールボンディングにおいて、ボール圧着厚さを正確に測定することは、接合強度を所望の値に設定する上で重要である。しかし、ボールの微細化により圧着されたボール周辺部の比較的平坦な部分が狭小化しており、従来のように、ボール周辺部の比較的平坦な部分の画像を見て、ボール圧着厚さを測定することが、ますます困難となってきている。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造工程において、ボール圧着厚を計測するに当たり、あらかじめキャピラリ先端の内部面取り部外周の径をデータとして格納して置き、そのデータを参照して、キャピラリ先端の内部面取り部外周に対応するボール部分の高さを測定するものである。 （もっと読む）

【課題】モールド時のワイヤショート不良を防止する。
【解決手段】タブ１ｆと、タブ１ｆの周囲に配置された複数のリード１ａと、タブ１ｆ上に搭載された半導体チップ２と、半導体チップ２の電極パッド２ｅとリード１ａとを電気的に接続する複数のワイヤ４と、半導体チップ２を樹脂封止する封止体とを有している。さらに半導体チップ２の主面の第１辺の中央部から端部に向かうにつれてリード１ａのチップ側の先端部を段階的に短くするとともに、主面の第１辺の中央部の第１リード１ｂと端部側の第２リード１ｃとにおいて、第２リード１ｃに隣接する第１リード１ｂの先端部を短くしたことで、第２リード１ｃに接続される第２ワイヤ４ｂとこの第２リード１ｃに隣接する第１リード１ｂの先端部との距離を広げることができ、その結果、モールド樹脂の流動抵抗によりワイヤ流れが発生してもワイヤショート不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコーン系熱硬化接着剤を介して半導体素子搭載基板をリードフレームのアイランド部上に接着する半導体装置の製造方法であって、シリコーン系熱硬化接着剤のアウトガス成分のリード部への付着を低コストで安定的に抑制することができ、後のワイヤボンディング工程で高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系熱硬化接着剤３を介して、半導体素子搭載基板２をリードフレーム１のアイランド部１ｉ上に接着するに際して、リードフレーム１におけるリード部１ａ，１ｂの設定温度Ｔ２ａ，Ｔ２ｂを、アイランド部１ｉの設定温度Ｔ２ｉに較べて高くする。 （もっと読む）

【課題】セカンドボンディングの接続強度を維持しつつ、更なる小型化が可能なワイヤボンディング接続構造およびワイヤボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子４のｐ電極にファーストボンディングされ、リードフレーム３にセカンドボンディングされた第１ワイヤ１１と、セカンドボンディングの接合部分より上流側にボールボンディングされた第２ボール部１２１と、第２ボール部１２１から第１ワイヤ１１の配線方向にワイヤループが形成された第２ワイヤ１２と、第２ワイヤ１２がウェッジボンディングされた第２ウェッジボンド部１２２とを備え、第２ウェッジボンド部１２２は、セカンドボンディングの接合部分である第１ウェッジボンド部１１２に形成したものである。 （もっと読む）