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Fターム[5F044KK16]の内容

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材料 (235)
製法 (235)

Fターム[5F044KK16]に分類される特許

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【課題】 導電粒子が接続時に電極上から流出し難く電極上に保持可能で、かつ、電極と導電粒子の接触が得やすく、また接続部に気泡を含み難い長時間接続信頼性に優れ、さらに、導電粒子と電極との正確な位置合わせが不要で作業性に優れた、電極同士の接続に有用な高分解能の熱硬化性回路用接続部材およびこれを用いた電極の接続構造、接続方法を提供する。
【解決手段】導電材料と、バインダとしてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とよりなる加圧方向に導電性を有する導電性接着層の少なくとも片面に絶縁性の接着層としてエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂が形成されてなる多層接続部材であって、前記導電性接着層と同等の溶融粘度を有する絶縁性接着層を備える熱硬化性回路用接続部材。 (もっと読む)


【課題】高い生産性を有し、接続抵抗が小さく、接続信頼性の高い基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】突出した接続端子を有する基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する基板と、接続端子同士が向かい合うように重ね、2つの基板を押し付けるとともに、少なくとも一方の基板の面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる基板の接続方法。 (もっと読む)


【課題】 熱的な応力を緩和させる。
【解決手段】

配線基板65としてシリコン基板を用いる事で、基板60と固着したときに両基板60、65が共にシリコン基板であると熱膨張係数αが等しいため外部加熱或いは自己発熱による熱発生が生じた場合でも上下で同一応力が加わり相殺するために基板60、65の歪による悪影響を抑制することができる。よってシリコン基板から成る半導体チップ実装基板を採用し、その上に設けられたチップも含めてモジュール化することにより、高信頼の製品が可能となる。 (もっと読む)


【課題】信頼性及び生産性に優れた半導体装置の製造方法及びその方法により製造される半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供する。
【解決手段】基板12の配線パターン10が形成された面と、半導体素子20の電極22が形成された面との間に、異方性導電材料56を介在させる第1工程と、半導体素子20と基板12との間に圧力を加えて配線パターン10と電極22とを電気的に導通させ、異方性導電材料56を、半導体素子20の側面28を覆うまで回り込ませる第2工程と、異方性導電材料56の側面28を覆った部分を硬化する第3工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 BGAにより回路基板に接続損失を抑制して実装することができる、高周波回路モジュールおよび高周波回路モジュールの実装構造を提供する。
【解決手段】 導波管端子7および複数の電極パッド5に形成されたBGA(Ball・Grid・Array)を有する誘電体の基板を備えた高周波回路モジュール10であって、BGAが、はんだボール3bと、リフロー実装時に高周波回路モジュールの自重で変形しにくいコア部15およびそのコア部15を被覆するはんだ層13とを有する複合はんだボール3aとで構成される。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置99は、配線導体4を有した絶縁基体1の下面に、配線導体4と電気的に接続される電極バンプ2が設けられている配線基板3と、絶縁基板11の上面に穴部11aを有し、穴部11aの底面に、電極バンプ2と電気的に接続される接続パッド12が設けられている回路基板14と、を備え、電極バンプ2の下部領域を穴部11aに挿入するとともに、該挿入部を導電性接続材20を介し接続パッド12に接合して電極バンプ2を接続パッド12に電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】基板のリフローによる信頼度低下を防ぎ、製品の歩留まりとコストの低下を図ったFCパッケージ構造及びその製作方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の接続パッド62が設けられた複数のIC基板ユニット60aを有する基板60を提供し、パターンのある絶縁層64を形成して基板60と接続パッド62を覆わせ、更に各接続パッド62の上表面を一部露出させる孔を形成し、孔に導電材68を充填し、下表面に複数の導電バンプ72が設けられた複数のチップ70を提供し、チップ70をIC基板ユニット60aの表面に接着し、基板60を切断して、表面に少なくとも一枚のチップ70を有する複数のFCパッケージ構造に分けるステップを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体素子をセラミック基板等の表面の粗い基板に接合する場合であっても、信頼性が高く、かつ、良好な接合を低コストで実現する。
【解決手段】セラミック基板40の接続電極43に金バンプ50を超音波併用熱圧着する工程と、金バンプ50を、平坦ツール60で加圧して平坦化する工程と、金バンプ50上にフラックスを供給する工程を備える。LEDの端子にははんだ膜が形成され、LEDをセラミック基板40にマウントする工程と、セラミック基板40を加熱し、はんだ膜を溶融してLEDの端子と接続電極43とを接合する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】電子部品の好適な装着を容易に実現するとともに保持ツールの保持面の摩耗、および、保持面への異物の付着を抑制する。
【解決手段】電子部品装着装置において電子部品を保持する保持ツール331は、略円筒状のツール本体334、および、ツール本体334の下端部から突出する細い略円筒状のツール先端部335を備える。保持ツール331では、ツール先端部335の保持面3351および側面のうちの保持面3351側の部位にのみに硬化層が形成され、ツール本体334とツール先端部335との間の段差部336には硬化層が形成されない。これにより、ツール本体334に付与された超音波振動が適切に減衰することにより、電子部品の高品質な装着を容易に実現することができ、かつ、電子部品の装着による保持面3351の摩耗、剥離、異物の付着を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 フラックスを介在させた突起電極どうしの接合を良好に行うことのできる半導体装置の接合方法及びこれに用いられるフラックス転写ピンを提供すること。
【解決手段】 フラックス転写ピン11の先端部にフラックス8を付与する工程と、その先端部を、接合対象物5に形成された突起電極7に突き当ててその突起電極7にくぼみ7aを形成すると共にそのくぼみ7aにフラックス8を転写する工程と、くぼみ7aが形成され且つフラックス8が転写された接合対象物5の突起電極7と、半導体装置1の突起電極3とを圧接させた状態で加熱溶融させて接合させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に形成されたリード上のバンプと半導体チップの電極パッドを接合し、配線基板と半導体チップの間隙に封止樹脂で封止する場合、封止樹脂の硬化時に、封止樹脂中にボイドが残留し、信頼性の問題が発生する。
【解決手段】本発明の配線基板は、表面上に導体金属からなる複数のリード22と、リード22上に形成されたバンプ25とを備えた配線基板において、リード22はリード22の先端方向に向かってリード幅が先細りで減少し、バンプ25もリード22に対応してバンプ幅が先細りしている。 (もっと読む)


絶縁材料層(1)及びその絶縁材料層の表面上における導電層を含む据付基部を用いる電子モジュール及びその製造方法。導電層は、コンポーネント(6)の据付キャビティも覆う。コンポーネント(6)は、接点領域が導電層に向くように、かつコンポーネント(6)の接点領域と導電層との間に電気的な接点が形成されるようにして、据付キャビティ内に据え付けられる。この後、コンポーネント(6)を取付けた導電層から、導電パターン(14)を形成する。
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【課題】高さ精度に優れた高いハンダバンプを形成するのに適した方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、電極2が設けられた基板10の上に電極2を覆うようにレジスト層12を形成する工程と、レジスト層12において電極2に対応する位置に開口部11を形成する工程と、開口部が形成されたレジスト層上に、追加のレジスト層となるフィルム4を圧着させ、下位のレジスト層の開口部に連通する開口部40をフィルム4に形成することを、2回以上繰り返す工程と、各レジスト層の開口部が連通してなり且つ電極2が露出する凹部に、ハンダ材料5を充填する工程と、ハンダ材料5を溶融させた後に固化させることにより、凹部内の電極2上にハンダバンプを設ける工程とを含む。 (もっと読む)


本発明は、構成要素支持体(270)に構成要素(260)を装着するための方法に関し、この場合に構成要素(260)は装着ヘッドの保持装置(210)によって、該保持装置(210)から構成要素(260)へ生ぜしめられる保持力に基づき受容される。受容された構成要素(260)は、装着ヘッドによって、構成要素支持体(270,470)に設けられた構成要素組み付け箇所の上の所定の放出位置へ移送される。放出位置への到達に際して保持力は遮断され、これによって構成要素(260)は保持装置(210)から分離されて、構成要素支持体(270)に転移される。構成要素移送の精度は、保持装置(210)をできるだけ急速に制動することによって高められ、その結果、構成要素移送は構成要素の慣性力によって助成される。付加的に、保持装置として用いられた吸着ピペット(210)からの構成要素(260)の分離過程は、空気力式の切換え弁によって助成され、切換え弁は、吸着ピペット(210)への構成要素(260)の保持のための負圧を、送風空気によって構成要素(260)の放出の助成のために用いられる過圧に切り換えるようになっている。
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【課題】 テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第一の半導体,第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてテープバンプ3の高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】接続部にかかる応力を緩和し、接続部の信頼性を向上させることができる電子部品実装構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】端子電極2が設けられた電子部品1と、電子部品1の端子電極2上に形成され、端子電極2に接する下面部に対して対向する上面部の面積が小さい形状を有する第1の突起電極7と、配線電極6が設けられた基板5と、上記端子電極2に対応する位置の配線電極6上に形成され、配線電極6に接する下面部に対して対向する上面部の面積が小さい形状を有する第2の突起電極8とを有し、電子部品1と基板5とは、第1の突起電極7および第2の突起電極8の上面部同士を接合してなる一体化突起電極3により実装され、かつ、第1の突起電極7および第2の突起電極8は金属材料からなり、少なくとも一方は粒状樹脂4および気泡の少なくとも1つが分散されている構成からなる。 (もっと読む)


【課題】はんだバンプがPCBから欠落するとPCBが廃棄されるという問題を解決するために、少なくとも一つのはんだバンプをプリント回路基板上に埋め込む方法を提供する。
【解決手段】初めに、少なくとも一つのはんだバンプをその露出したはんだパッドに結合させるために形成するステップを有する。そして、フラックスのレイヤーをPCBの表面上および露出したはんだパッド上にコートするステップを有する。はんだバンプを前記露出したはんだパッド上に埋め込むステップを有する。最後に、はんだバンプをリフローするステップ、フラックスのレイヤーをPCBから取り除くステップを有する。このように、はんだバンプはPCB上に作製される。 (もっと読む)


【課題】 実装領域にインナーリード及びそれに関係する配線パターンを有するフレキシブルな基材に、より低コストで簡便な方法でICを実装する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 フレキシブルな配線基材11の実装領域12は、少なくとも複数のインナーリード121に加えて配線パターン122を配している。配線パターン122は、所定のインナーリード121どうしが接続されるような実装領域12内部の接続形態を有する。実装領域12にベアチップIC14のバンプ電極15側を対向させ、バンプ電極15それぞれと対応するインナーリード121または配線パターン122と金属接合させる。その後、IC14と実装領域12の間に液状の樹脂17が流し込まれ、キュア工程を経て実装領域12におけるIC14の保護形態を作る。 (もっと読む)


【課題】 電子部品のフリップチップ実装後の温度変化による応力を緩和し、接続信頼
性を高める。
【解決手段】 電子部品を基板にフェイスダウン状態で押圧し、電子部品の電極と基板
の電極とをバンプを介して接続するする超音波フリップチップ実装の実装構造であって、
基板1の少なくとも電子部品を超音波フリップチップ実装する面に液晶ポリマ層4を配設
し、この液晶ポリマ層4の上に配線層5を形成し、少なくともこの配線層の一部を最外面
が金からなる電極5Aに形成し、この電極5Aと電子部品8の電極とを金からなるバンプ
7を介して接続することを特徴とする超音波フリップチップ実装構造。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィルの未充填やボイドの発生が防止できる電子回路装置を実現する。
【解決手段】基板の表面に配線電極3が形成され、この配線電極3にフリップチップ2が半田付けされ、この半田付け部を除く前記基板の表面を覆って設けられたソルダーレジスト膜を具備する電子回路装置において、前記フリップチップ2に対向する部分の第1のソルダーレジスト膜11aの厚さがこの第1のソルダーレジスト膜11a以外の第2のソルダーレジスト膜11の厚さより薄く形成されたことを特徴とする電子回路装置である。 (もっと読む)


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