【課題】特に携帯型の電子機器において、半導体装置と回路基板間をアンダーフィルなどで樹脂封止しなくても、落下などの衝撃に対する耐性を向上させることを目的とする。且つ、この場合には、低背化を妨げずに小型化に寄与でき、低コストで実現できる構造を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板、この回路基板上に搭載された半導体チップを有する半導体装置、この半導体装置を接続したマザーボードを有する電子回路装置などにおいて、これらの電極構造１が、表面からくぼんだくぼみ４と、このくぼみ４の内部に設けられる樹脂の突起５と、このくぼみ４および突起５の表面を覆う配線層６とを有する構造からなる。このような電極構造１にすることにより、接続高さを低減するとともに耐衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】コア基板上、あるいは絶縁樹脂フィルム上に形成する配線パターンの割合を均一にすることで、ビルドアップ基板の厚みを一定にし、フリップチップ接合のバンプ位置ずれを防止する構造を実現する。
【解決手段】厚さが均一のコア基板３１と、このコア基板３１上に形成された配線パターン６１と、前記コア基板３１及び前記配線パターン６１を覆う絶縁樹脂フィルムと、この絶縁樹脂フィルム上に形成されたバンプ接続電極３４とからなるビルドアップ基板６ａを有し、前記バンプ接続電極３４上に形成したバンプ４２を介して前記ビルドアップ基板を６ａ半導体素子４と接続する半導体装置５において、前記コア基板３１上に形成する配線パターン６１の割合を均一にすることによって前記絶縁樹脂フィルム６２の厚さを均一にし、前記ビルドアップ基板６ａの厚さを均一化したことにより、フリップチップ接合のバンプ位置ずれ防止ができる半導体装置５を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を実装基板にメッキバンプ接合する場合において、半導体素子の複数の電極の高さに段差があるときに、メッキバンプの高さを段差に合わせて変えることなく、また、同じ面積および形状のメッキバンプを用いて、段差に合わせた良好なメッキバンプ接合を行う。
【解決手段】 第１のメッキバンプ７（１）、第２のメッキバンプ７（２）は、いずれも同じ面積、同じ形状（例えば、長方形）となっているが、第１のメッキバンプ７（１）は、その横断面の長軸（すなわち、長方形の長軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置され、第２のメッキバンプ７（２）は、その横断面の短軸（すなわち、長方形の短軸）が超音波の振幅の向きに対して平行となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装の際のアンダーフィル樹脂の流れ拡がりの問題を解決する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、前記基板の主面上にフリップチップ状態で搭載された半導体素子と、前記基板の主面に於いて、前記半導体素子の少なくとも一つの縁部に沿って配設された第１の導電パタ―ンと、前記基板の主面上に於いて、前記第１の導電パタ―ンから離間し、かつ前記第１の導電パタ―ンに沿って配設された第２の導電パタ―ンと、前記基板の主面上に於いて、前記第１の導電パタ―ンと第２の導電パタ―ンとの間に橋絡状態をもって配置された受動素子と、前記基板と前記半導体素子との間に充填された樹脂とを有し、前記樹脂は、前記基板の主面に於いて、前記半導体素子と前記第１の導電パタ―ンと間に延在する。 （もっと読む）

【課題】突起電極、電子装置、半導体装置、及び電子装置の製造方法において、歩留まりを向上させること。
【解決手段】頂面２４ｂと、頂面２４ｂに連続する側面２４ｃとを有し、側面２４ｃに窪み２４ａが形成され、該窪み２４ａが頂面２４ｂに表出したことを特徴とする突起電極２４による。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合された能動素子モジュール５とを備えたものであり、センサー２は、可動機能領域２Ａ内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域２Ａの外側に位置する複数のバンプ６を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール５は、複数のコンタクト電極５４を有し、このコンタクト電極５４がバンプ６に接続するようにセンサー２と対向し、センサーとの間隙９には、可動機能領域２Ａを囲む堰部材７が位置し、この堰部材７の外側の間隙９には弾性率が１〜１０ＧＰａの範囲にある封止樹脂８が存在する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体部品と回路基板との位置合わせを容易にすること。
【解決手段】表面に複数の第１の電極２２が形成された第１の回路基材２０と、第１の回路基材２０の上方に設けられ、第１の電極２２の各々の上方に第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂとが形成された第２の回路基材３０と、第２の回路基材３０の上方に設けられた半導体パッケージ５０と、第１の貫通孔３０ａと第２の貫通孔３０ｂ内に設けられ、第１の電極２２と半導体パッケージ５０とを接続する複数の第１のバンプ５１とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】気密性および信頼性が高く、かつ小型化が可能な高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁体からなり、キャビティ１４を有する基板１０と、キャビティ１４内に実装されたチップ部品２０と、キャビティ１４を覆うように基板１０の上面にフリップチップ実装されたＳＡＷデバイスチップ２４と、基板１０の上面に設けられ、ＳＡＷデバイスチップ２４とチップ部品２０とを封止する封止半田２８と、を具備する高周波モジュールである。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成の回路基板に対する球状体の搭載を実現する。
【解決手段】球状体を挿通させる挿通孔が形成された複数の搭載用プレート１１ａ，１１ｂと、搭載用プレート１１ａ，１１ｂの下面と基板４００の被搭載面とが互いに近接または接触して対向する対向状態となるように搭載用プレート１１ａ，１１ｂを基板４００に向けて移動させる移動処理を実行すると共に対向状態において直径が挿通孔の口径に対応する球状体を搭載用プレート１１ａ，１１ｂの上面に供給する供給処理を実行して挿通孔に挿通させた球状体を基板４００に搭載する搭載機構２とを備え、各搭載用プレート１１ａ，１１ｂには、口径が各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に互いに異なる挿通孔が形成され、搭載機構２は、移動処理および供給処理を各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に実行して口径に対応して直径が互いに異なる複数種類の球状体を１つの基板４００に対して搭載する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体チップが実装される基板の電極にはんだ部を形成する工程と、はんだ部の頭頂部分が露出するような厚さで基板上に樹脂層を塗布する工程と、樹脂層を硬化させる工程と、半導体チップの実装領域にわたって熱硬化性のアンダーフィル材を供給する工程と、半導体チップをはんだ部に向かい合わせて搭載する工程と、アンダーフィル材及びはんだ部を加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
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【課題】複雑な構成の回路基板に対する球状体の搭載を実現し得る球状体搭載装置を提供する。
【解決手段】球状体の直径に対応させて口径が規定された開口部が保持面に形成されて開口部の縁部に球状体を保持する複数の保持ヘッド１１ａ，１１ｂと、保持ヘッド１１ａ，１１ｂを基板４００に向けて移動させる移動処理を実行して保持ヘッド１１ａ，１１ｂによって保持されている球状体を基板４００に搭載する搭載機構２とを備え、各保持ヘッド１１ａ，１１ｂは、開口部の口径が各保持ヘッド１１ａ，１１ｂ毎に互いに異なるように構成され、搭載機構２は、各保持ヘッド１１ａ，１１ｂ毎に移動処理を実行して各保持ヘッド１１ａ，１１ｂにおける各開口部の口径に対応して直径が互いに異なる複数種類の球状体を１つの基板４００に対して搭載する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に開口を形成した端子構造およびその作製方法、ならびに電子装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】端子部を構成する凸部１２０を有する導電体を形成する。補強材を有する未硬化のプリプレグ１３０をこの導電体に密着させ、プリプレグ１３０を硬化して、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。プリプレグ１３０を密着させる際に、凸部１２０に密着している領域にプリプレグ１３０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することができる。そして、この絶縁膜全体の厚さを薄くすることで、膜厚が薄い部分に開口１４３を形成することができる。この薄膜化はエッチングで行うことができる。また、この工程で補強材１３１を除去しないことが好ましい。開口１４３に補強材１３１を残すことで端子および電子装置の強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】チップの搭載を短時間で確実に実施できるようにする。
【解決手段】基板１０上にＢステージ化したフィルム接着剤２１を設け、フィルム接着剤２１を介してチップ１を基板１０に仮固定する。さらに、チップ１上に封止フィルム４１を供給してから、プレスヘッド４３で押圧する。プレスヘッド４３の温度を調整して、最初に封止フィルム４１のみを軟化させてチップ１間の空間４０に封止フィルム４１の材料を充填させる。次に、プレスヘッド４３の温度を上昇させ、フィルム接着剤２１を軟化させてバンプ２と電極パッド１３Ａを接続させる。この後、プレスヘッド４３の温度をさらに上昇させてフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をＣステージ化する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続タイプの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】フリップチップ接続タイプのＢＧＡの組立てにおいて、半導体チップ１をフリップチップ接続によって半田接続する時に、配線基板２の下面２ｂ側のランド２ｊの表面に半田プリコート３が形成されていることにより、ランド２ｊと外部端子である半田ボールとの接続が半田接続となるため、ランド２ｊと前記半田ボールとの接続部の耐衝撃性を高めることができ、前記ＢＧＡの信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性及び接着後の耐イオンマイグレーション性に優れ、接着フィルムの脆性改善と良好なタック性を両立させた接着フィルム、多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供する。
【解決手段】接着フィルム２を、（Ａ）１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であるフェノール系ノボラック樹脂と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス活性化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む組成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足する回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する回路部材接続用接着剤シートは、支持基材と、該支持基材上に設けられた接着剤組成物からなる接着剤層と、を備え、前記接着剤組成物が、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）放射線重合性化合物と、（Ｅ）光開始剤と、（Ｆ）硬化促進剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内を排気して減圧雰囲気とした後にカルボン酸ガスを導入する。カルボン酸ガスの導入後の炉内の温度を上昇させつつ、カルボン酸ガスによる酸化膜の還元温度以上で、かつ半田バンプ１、３の溶融温度未満の温度域にて、炉内を排気して減圧雰囲気とする。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させ、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて接合する。 （もっと読む）

ウエハレベルチップスケールパッケージング及びアセンブリにおいて、垂直ピラー上にはんだキャップを形成する。一実施例では、垂直ピラーを半導体基板上に位置させる。少なくとも１種類の微量元素をドーピングしうるはんだペーストをピラー構造体の頂面上に被着する。このはんだペーストの被着後にリフロー処理を行ってはんだキャップを形成する。
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【課題】 半導体素子と回路基板との隙間を広いまま維持できる、半導体素子と回路基板とのバンプを介して接合された半導体装置およびその接合方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置（１０１）において、半導体素子（１０１）は電極部（１０２）とバンプ（１０５）を有し、回路基板（１０３）は電極部（１０４）とバンプ（１０６）とを有し、バンプ（１０５、１０６）の融点よりも低い融点を有する導電性フィラー（１０８）はバンプ（１０５、１０６）同士を電気的に接合する。 （もっと読む）