【課題】回路基板上のバンプを半導体チップ上の電極パッドに接続させる構造を有しながら、電極パッド下のクラック発生を防ぐことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板4の配線電極5上にバンプ3を形成する工程と、半導体チップ1の電極パッド2のバンプ対応位置に樹脂突起9を形成する工程と、半導体チップ1と回路基板4のいずれかの電極形成面に熱硬化性の絶縁樹脂シート6′を配置する工程と、半導体チップ1と回路基板4とを互いの電極パッド2と配線電極5とが対向するように位置合わせする工程と、半導体チップ1を回路基板4に向けて押圧してバンプ3を樹脂突起9と電極パッド2とに接触させレベリングしながら、絶縁樹脂シート6′を熱硬化させて絶縁樹脂6とする工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を低い加圧力で接続することができ且つ高い接続信頼性を確保できる簡易な実装構造および電子部品実装体を形成する。
【解決手段】微細配線層と脆弱な低誘電率絶縁膜とから成る多層配線層１ｂを持った半導体素子１の電極端子１ａと、回路基板６の電極端子６ａ（ここではその上に形成した突起電極５）とを導電性接着剤２を介して接続し、半導体素子１と回路基板６との間に封止樹脂４を充填した実装構造において、導電性接着剤２による接続部の周囲に応力緩和層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】第１の部材と第２の部材とを金属バンプを介して超音波接合する場合に、第１の部材または第２の部材に設けた金属バンプの下地にダメージが発生することを防止する。
【解決手段】本発明の超音波接合方法は、第１の部材１１と、嵩高部材３上に固着された第２の部材４とを金属バンプ８を介して超音波接合する方法において、超音波振動ヘッド１０に第１の部材１１を取り付け、超音波接合装置１のステージ２の上面に嵩高部材３を取り付けた場合に、前記嵩高部材３を前記ステージ２の上面で発振開始直後からスライド可能なように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】良好な実装構造体を効率的に製造する。
【解決手段】本発明は、実装基板と電子部品とを備え実装基板に電子部品が樹脂層を介して実装された実装構造体の製造方法である。電子部品の形成用基板１００Ａにおける複数の領域の各々に、バンプ１３０を含んだ電子部品の構成要素を形成する形成工程と、その後に形成用基板１００Ａの複数の領域にわたって樹脂膜２２０を一括して仮接着する仮接着工程と、その後に形成用基板１００Ａを個片化して電子部品を形成するとともに樹脂膜２２０を個片化して樹脂層を形成する個片化工程と、実装基板に樹脂層を介して電子部品を固着する固着工程と、を有する。仮接着工程で、樹脂膜２２０を電子部品の能動面１２０となる面に凹部２４０を向けて配置した後に、樹脂膜２２０を溶融して溶融した樹脂材料を凹部２４０に充填するとともに樹脂膜２２０を能動面１２０に仮接着する。 （もっと読む）

【課題】小型化に適した接合構造を提供する。
【解決手段】接合構造１００は電子部品１１０と中継基板１２０と複数の接合部材１５０とを有している。中継基板１２０はベース部１２２に接合された筒状の周壁部１２４を有している。周壁部１２４は電子部品１１０の周囲に配置された枠部材を構成している。電子部品１１０は接着剤１４０を介してベース部１２２に固定されている。電子部品１１０は複数の接合パッド１１２を有し、中継基板１２０は電子部品１１０の接合パッド１１２と同数の接合パッド１３２を有している。接合パッド１３２は周壁部１２４の上面に配置されている。接合パッド１１２と接合パッド１３２は、それぞれ、互いに隣接して配置されている。接合部材１５０は、それぞれ、接合パッド１１２と接合パッド１３２とを互いに電気的に接合している。 （もっと読む）

【課題】ボール吸着ヘッドによってはんだボールを吸着した際にボールがボール吸着ヘッドの吸着穴に嵌まり込む。ボール吸着時にボール吸着ヘッドの底面が湾曲する。
【解決手段】ボール吸着ヘッド４は、吸着穴１ａの開けられた第１のメタルマスク１と、開口２ａの開けられた第２のメタルマスク２と、断面が概略冂字状の形状を有し、天井中央部に吸気孔３ａの開けられた吸気ブロック３から構成される。開口２ａは、吸着穴１ａと同じピッチで半ピッチずれた位置に形成される。開口２ａと吸着穴１ａとの隙間５を介しての吸気により導電性ボールの吸着が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】実装時、パッケージ基板下のはんだバンプ間へのアンダーフィル樹脂の円滑浸透を助けると共に、パッケージ基板の上面へのアンダーフィル樹脂の濡れ上がりをせき止めることができるようにする。
【解決手段】このＬＳＩパッケージ８ａは、ＬＳＩチップ等の電子部品６、６を搭載するためのパッケージ基板７ａと、このパッケージ基板７ａの下面に格子状に配列された複数のはんだバンプ４、４とを備えている。パッケージ基板７ａの下面の縁端部には、実装時、パッケージ基板７ａの下面とメイン配線基板２との間の隙間のはんだバンプ４、４間へのアンダーフィル樹脂３の円滑浸透を助けると共に、パッケージ基板７ａの上面へのアンダーフィル樹脂３の濡れ上がりをせき止めるための切欠部９（段差部９ａ）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】製造工程においてチッピングが発生しにくい積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】所定分布密度のバンプ７が形成された回路領域９を有する半導体基板８同士が、バンプ７を接合することにより積層されて形成された積層型半導体素子であって、半導体基板１の周辺部１０には、回路領域９のバンプ７の分布密度より高い分布密度で、半導体基板１に密着してダミーバンプ１１が形成され、半導体基板１同士において、ダミーバンプ１１同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電子部品間の接合信頼性を向上させることができる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電子部品１１と第二電子部品１２とを有し、第一電子部品１１の接合部１１１と、第二電子部品１２の接合部１２５とが接合された電子装置を製造するための製造方法であり、第一電子部品１１の金属製の接合部１１１と、第二電子部品１２の金属製の接合部１２５とを当接させ、第一電子部品１１および第二電子部品１２を加圧し、接合部１１１，１２５同士を金属接合した後、第一電子部品１１および第二電子部品１２への加圧を解除する第一の工程と、接合した第一電子部品１１および第二電子部品１２の位置関係を固定部材Ｐにより固定し、第一電子部品１１および第二電子部品１２を所定の温度で加熱保持する第二の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ボンディングを行う際のボンディングヘッド等の動作を適切に制御することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ヒータ１４を内蔵したボンディングヘッド１２と、ステージ１０と、ボンディングヘッド１２の下降量を適切に設定するための設備を備える製造装置が提供される。カメラ２０は、ボンディングヘッド１２が第１のボンディング対象物を保持し且つステージ１０が第２のボンディング対象物を載せた状態であって、第１、２のボンディング対象物を接触させる前の状態で、ボンディングヘッド１２とステージ１０との間の隙間を撮影することができる。制御部２３は、カメラ２０の撮影画像に基づいてボンディングヘッド１２の下降量を算出し、算出した下降量に従ってボンディングヘッド１２を下降させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して正常かつ強固に接続することが可能な半田バンプ付き配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子１０１が搭載される搭載部Ａを有する絶縁基板１の搭載部Ａに半導体素子１０１の電極１０２が電気的に接続される多数の半田接合パッド３が格子状の並びに配列形成されているとともに半田接合パッド３の各々に半導体素子１０１の電極と接続するための半田バンプ４が溶着されて成る半田バンプ付き配線基板であって、絶縁基板１上面の搭載部Ａ周辺にダミーのパッド４が設けられており、かつダミーのパッド４にダミーの半田７Ａが溶着されている。 （もっと読む）

【課題】電極上に簡易な方法ではんだバンプを形成する。
【解決手段】はんだバンプ付素子搭載用基板の製造方法において、絶縁性の樹脂で形成されている絶縁層１２と、絶縁層１２の表面を被覆するガラスクロス１６と、ガラスクロスを貫通する貫通部に設けられている電極１４とを備え、ガラスクロス１６は、はんだとの接触角が樹脂より大きい素子搭載用基板１０を用意する準備工程と、ガラスクロス１６の表面に溶融したはんだ３６を供給し電極１４にはんだバンプを形成するバンプ形成工程と、はんだバンプの形成に寄与していないはんだを基板の表面から除去する除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】端子に高さバラツキがある場合でも、これら複数の端子と複数のバンプ電極とによる複数の接点が、全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２と端子１１とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極１２と端子１１とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数の端子１１は、バンプ電極１２に接合する上面の高さが異なる少なくとも二つの端子１１ａ、１１ｂを含む。バンプ電極１２は、内部樹脂１３をコアとしてその表面が導電膜１４で覆われた構造を有している。バンプ電極１２は、接合する端子１１の高さに対応してそれぞれの内部樹脂１３が弾性変形することにより、端子１１の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合している。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極に高さバラツキがある場合でも、複数のバンプ電極と複数の端子とによる複数の接点が全て良好な導電接続状態となる、電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品の実装構造１０である。バンプ電極１２と端子１１とはそれぞれ複数設けられ、かつ、バンプ電極１２と端子１１とは互いに対応するものどうしが接合されてなる。複数のバンプ電極１２は、内部樹脂１３をコアとしてその表面が導電膜１４で覆われた構造を有し、かつ、端子１１に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極１２ａ、１２ｂを含む。複数のバンプ電極１２は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの内部樹脂１３が弾性変形することにより、接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合している。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 熱加圧システム（７０）は、少なくとも２つの物体（Ｗ）を加熱し且つ加圧し一体物に加工する加熱加圧システムである。そして加熱加圧システムは、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、物体を加熱するヒーター部（ＨＴ）と、物体からヒーター部に至る構成部材同士の接触部分及び構成部材と物体との接触部分に存在する接触熱抵抗及び入力された条件に基づいて、ヒーター部の制御を行う温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子搭載用基板に半導体素子を搭載したときの接続信頼性を高める。
【解決手段】半導体モジュール１０は、素子搭載用基板２０およびこれに搭載された半導体素子５０を備える。樹脂基板２２の一方の主表面Ｓ１には、半導体素子５０に設けられた外部電極５２の位置に対応して複数箇所に基板電極２８が設けられている。基板電極２８には樹脂基板２２を貫通する貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、基板電極２８の中央部分に開口部を有する。はんだボール４０の一部は、貫通孔２４に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】実装基板構造物のファインピッチ化とアンダーフィリング・プロセスの品質向上に適用可能とし、かつ、不均一なはんだバンプにより発生する接続不良を解決し、製品の信頼性を向上させ、経済的なコストで製造可能な実装基板構造物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、実装基板およびその製造方法に関する。実装基板は、その表面に複数の回路と複数の導電パッドを備える回路層を有し、導電パッドは回路よりも高い位置にある基板本体と；絶縁保護層は複数の開口を有して導電パッドを露出させ、開口の寸法は、導電パッドよりも大きいかまたは同等である、基板本体の表面上に配された絶縁保護層を含む。これによって、本発明の実装基板構造物は、ファインピッチのフリップ・チップ実装構造に用いることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高密度に集積化して高機能な電子装置を製造するにあたり、ＩＣチップやパッケージ設計上の制約が少なく生産性を向上し、汎用化が容易な電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ電極すなわちＡｕスタッドバンプ１を有する第１の電子装置すなわち親チップ２に搭載されると共に親チップ２のＡｕスタッドバンプ１に接続される電極を備える第２の電子装置すなわち子チップ３の前記電極形成面のほぼ全面を被覆する様に子チップ３に接着材層５を形成する工程と、親チップ２に子チップ３を搭載する工程とより成り、親チップ２に子チップ３を搭載する工程で親チップ２のＡｕスタッドバンプ１が接着材層５を貫通して子チップ３上の電極と電気的に接続すると共に親チップ２と子チップ３間が接着材層５により封止される。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する際の基板破壊を防止し、かつ、電気的に確実に接続可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】導電性を有する軟質部材からなる緩衝用のバンプ電極により双方の基板の電極同士を電気的に接続する半導体パッケージにおいて、一方の基板のセンサ基板２上に、他方の基板の蓋基板１との接続用の接続電極としてセンサ基板電極５を形成し、蓋基板１の接合面上に接合時にセンサ基板電極５と当接する位置に接続用キャビティ７を穿設し、さらに接続用キャビティ７内に配置された電極である蓋基板貫通配線８の先端部に、導電性を有する軟質部材の緩衝用のバンプ電極４を備える。蓋基板１とセンサ基板２との接合時にバンプ電極４は変形して、センサ基板電極５、蓋基板貫通配線８、接続用キャビティ７の内壁に密着する。また、接続用キャビティ７の形状を、接合時の応力を緩和する応力緩和形状（例えば円錐台形状、釣鐘状、すり鉢状）とする。 （もっと読む）