【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板の接続方法は、第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の上層集積回路の下面と下層集積回路の上面とを接着剤によって接着して形成される半導体装置に比べて、放熱性及び接続信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１Ａは、Ｓｉ基板７Ａの第１の面に設けられたトランジスタ形成層２０と、トランジスタ形成層２０のトランジスタと電気的に接続されてＳｉ基板７Ａを貫通して第２の面から突出して形成された貫通電極２２とを有する上層集積回路２と、半導体基板に形成されたトランジスタ形成層３０と、トランジスタ形成層３０のトランジスタと電気的に接続され第３の面に設けられるパッド３１と、パッド３１と貫通電極２２の先端とを電気的に接続するバンプ３２とを有する下層集積回路３とを備え、上層集積回路２の第２の面と下層集積回路の第３の面は接触せずに構成される。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材の注入によるボイドの発生を防止でき、半導体チップと配線基板との接合強度を維持して、バンプレイアウトの複雑化及びバンプの狭ピッチ化に耐えられるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１０１と対向し、且つ基板側電極パッド１０５が形成された配線基板１０４と、該配線基板の上に形成され、基板側電極パッドを露出する開口部１１５ａを有するソルダーレジスト膜１１５と、チップ側電極パッド１０２と基板側電極パッド１０５との間に配置され、対向する電極パッド同士を電気的に導通するはんだバンプ１０７と、ソルダーレジスト膜と半導体チップとの間に充填されたアンダーフィル材１０８とを有している。ソルダーレジスト膜１１５には、開口部１１５ａと接続された溝部１１５ｂが形成されており、溝部の深さは開口部に向かって深くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる高周波信号接続構造を得ることを目的とする。
【解決手段】接地導体１５の一部を覆う形態で接地バンプ搭載用パッド１４の外周を囲んでいる絶縁コーティング材２１などを設けた上で、信号バンプ３３が信号バンプ搭載用パッド１２と信号バンプ搭載用パッド３１の間を接続し、複数の接地バンプ３４が接地バンプ搭載用パッド１４と接地バンプ搭載用パッド３４の間を接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において、１つの集積回路で複数の機能を実現する集積回路と、その集積回路が表面実装される中継基板とに関し、特性の劣化の原因となる広帯域設計をすることなく、多様に異なる帯域に柔軟に対応可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板上に個別に形成された複数の回路と、前記基板上で前記複数の回路に隔たって形成され、前記複数の回路の何れにも接続され得る特定の回路とを備え、前記特定の回路と前記複数の回路とは、表面実装型の中継基板との突起電極を介する接続に供されるパッドを有する。 （もっと読む）

【課題】容易に電極部間のピッチを狭めたり、容易に電極部上に微小な半田バンプ形成したりすることができる回路基板等の技術を提供すること。
【解決手段】回路基板１０は、電極部２１を有する配線部２０を備える。電極部は、銅層２２と、銅層上の酸化銅層２３と、酸化銅層を貫通する孔２４とを有する。孔により露出された銅層露出部２５上には、フリップチップ実装用の半田バンプ１が形成される。半田バンプ形成時には、電極部上にクリーム半田等が塗布されて加熱される。半田は、銅には接着し易いが、酸化銅には接着にくい性質を有しており、この関係が利用される。つまり、クリーム半田加熱時には、半田バンプは、接着し易い銅層露出部上に形成され、酸化銅層上には形成されない。これにより、孔の大きさを調整することで、容易に微小な半田バンプを形成することができ、また、電極部の構造を複雑化する必要もないので、容易にピッチを狭めることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板に配置された接続パッドに半導体素子の電極がはんだバンプを介して接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が抑制された配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に半導体素子の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａに配置された、半導体素子４の主面の電極５がはんだバンプ６を介して接合される接続パッド２と、絶縁基板１の搭載部１ａから内部にかけて形成され、端部が接続パッド２に接続された貫通導体３とを備え、接続パッド２の上面に、平面視で貫通導体３の端部が接続された領域の外側に、はんだバンプ６よりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部２ａが形成されている配線基板である。貫通導体３からの電流を凸部２ａに分散させて接続パッド２における電流密度を低く抑え、エレクトロマイグレーションによる空隙を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】接続電極を覆うアンダーフィル樹脂が形成されている場合にも、アライメントマークの認識が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１と、半導体素子１１に形成されたパッド電極１２と、半導体素子１１に形成されたアライメントマーク１５と、パッド電極１２上に形成された接続電極と、接続電極を覆うように形成されたアンダーフィル樹脂１８とを備える半導体装置１０を構成する。そして、この半導体装置１０は、半導体素子１１からの高さが接続電極よりも大きいアライメントマーク１５を備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板上にＬＳＩ等半導体素子を含む半導体パッケージを、はんだバンプでフリップチップ接続した半導体装置は、半導体素子の機能増大に伴う発熱量増大により、はんだ接続部で疲労破壊やクリープ破壊の発生がますます増加する傾向にあり、半導体装置の信頼性を損ねる結果となる。
【解決手段】フリップチップ接続する半導体パッケージの、半導体素子から回路基板への熱の伝導をより効果的とするため、はんだバンプに代わり、高熱伝導率を有するグラファイトバンプ（グラファイト突起電極）を導入する。そのグラファイトバンプは、半導体パッケージ及び回路基板の両接続点間を導通する複数のグラファイト層を有し、各グラファイト層は導電性接合材料によって互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層から突出する電極からなるパッドを備えながら、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 最下層の第１導体パターン５８と外部基板接続用のパッド６０Ｐを形成する電極体６０との間に、第１絶縁層５０が介在しているので、第１導体パターン５８とパッド６０Ｐとの間で短絡が発生し難い。また、パッド６０Ｐを構成する電極体６０の露出部分に対して、外部基板への実装の際に応力が加わっても、該電極体６０は露出部分以外は第１絶縁層５０により保護が図られるので、電極体６０にクラック等が生じ難い。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１００は磁気記憶素子１０を有しており、かつ第１面に電極パッドを有している。磁気シールド層４００は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ１００を被覆している。半導体チップ１００は、バンプ３１０を介して配線基板２００に実装されている。半導体チップ１００と配線基板２００は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ３１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第１のチップおよび第２のチップと、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面上の第１の電極端子と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面上の第２の電極端子と、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第１のチップと前記第２のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板絶縁膜とチップ絶縁膜の中で、少なくとも１つがダミー開口部を含み、フリップチップをボンディングするための自己接合ソルダボンディング工程で基板接続端子とチップ接続端子とを連結する内部ソルダボールにならず周辺に残留するソルダ粒子がダミー開口部を満たしてダミーソルダを形成する。このため、残留するソルダ粒子による電気的短絡、漏洩電流等の問題点を解決でき、信頼性ある半導体パッケージを提供できる。また、ダミー開口部が信号伝達経路である回路パターンの所定の部分を露出させるように形成されるので、ダミー金属パターンを任意に形成する必要がなく回路基板の信号配線デザインを変更する必要がない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにＢＧ工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、ＢＧ工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ基板に対する半導体チップの実装時のアンダーフィルの流動性が向上し、アンダーフィルボイドが解消され、半導体チップと半導体パッケージ基板が良好に接続される半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】未硬化ソルダーレジスト７ｅの表面に対向して配置したガラスマスク７ａの遮光部７ｃを、未硬化ソルダーレジスト７ｅのソルダーレジスト開口部７ｄに対応する箇所に配置し、遮光部７ｃよりも遮光度が低いグレートーンもしくはハーフトーン部７ｂを、未硬化ソルダーレジスト７ｅのソルダーレジスト開口部７ｄに対応する箇所の周縁であって、かつ、未硬化ソルダーレジスト７ｅの半田接続端子７ｆを被覆した部分に対応する箇所に配置し、ガラスマスク７ａを介して未硬化ソルダーレジスト７ｅの露光、現像を実施することにより、半導体パッケージ基板Ａを形成している。 （もっと読む）

【課題】より短い接着剤加熱時間で、基板同士の接着強度のばらつきをより小さくすることができる接続構造体を提供する。
【解決手段】２つの基板３を電気接続する接続構造体１に係る。接続構造体１は、接着剤４が充填される接着剤充填溝５であって、接続端子２を挟んで設けられた接着剤充填溝５と、接続端子２を挟む２つの接着剤充填溝５を連通する連通溝６からなり、２つの基板３の接続端子２が対向した状態で接着剤４が流れる複数の流路９と、を備える。流路９の１つは、一方の接着剤充填溝５ａから他方の接着剤充填溝５ｂへ流れる接着剤４の流動抵抗が他方の接着剤充填溝５ｂから一方の接着剤充填溝５ａへ流れる接着剤４の流動抵抗よりも小さく、他の流路９は、他方の接着剤充填溝５ｂから一方の接着剤充填溝５ａへ流れる接着剤４の流動抵抗が一方の接着剤充填溝５ａから他方の接着剤充填溝５ｂへ流れる接着剤４の流動抵抗よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】空気のかみ込みによるボイドの発生を低減して、信頼性の高いバンプ接続を行うことのできる半導体素子の接合方法を提供する。
【解決手段】バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して接合する半導体素子の接合方法であって、バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して前記バンプと前記電極部とが対応するように位置合わせする位置合わせ工程（１）と、加熱により前記接着剤を濡れ広がらせ、前記バンプと前記電極部とを接触させる予備加熱工程（２）と、前記バンプと前記電極部とを溶融接合する電極接続工程（３）とを有し、前記予備加熱工程（２）において、前記接着剤のレオメーターにより測定した周波数１Ｈｚ、歪量１ｒａｄにおける複素粘度η^＊が２〜１０Ｐａ・ｓとなるように前記接着剤を加熱する半導体素子の接合方法。 （もっと読む）

【課題】
複数の配線導体が、互いに隣接する半田接続部間に並設され高密度な配線形成が可能であると共に電気的絶縁信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する事を課題とする。
【解決手段】
半田接続部３をもつ配線導体２が多数並設された絶縁基板１上面に、半田接続部３を露出させる開口部４ａをもつソルダーレジスト層４が形成されるとともに、開口部４ａ内に半田接続部３と接続された半田バンプ５を備える配線基板１０であって、開口部４ａは半田接続部3の幅より大径でソルダーレジスト層４上面から配線導体２より高位置まで開口する上側開口部４ａｄと、上側開口部４ａｄの下側で半田接続部３の間の配線導体２を露出させずに半田接続部３を露出させるように開口する下側開口部４ａｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】共晶点における含有量が低い成分を有する合金を形成することにより電子部品をフリップチップ接合する場合であっても、高い信頼性で電子部品の接合を行い得る方法を提供する。
【解決手段】電子部品１０及び回路基板２０のうちの一方に金属または合金からなるバンプ１１を形成する。電子部品１０及び回路基板２０のうちの他方に、インクジェット法により金属または合金からなる柱状体２１を形成する。柱状体２１とバンプ１１とを合金化させることにより電子部品１０を回路基板２０に接合する。 （もっと読む）