【課題】長時間接続信頼性に優れ、導電粒子と電極との正確な位置合わせが不要な作業性に優れた、高分解能の接続部材およびをこれを用いた電極の接続構造を得ること。
【解決手段】相対峙する電極列間の少なくとも一方が突出した電極列間の接続構造であって、前記電極列間は接続部材を介して接続されており、前記接続部材は導電材料とバインダとよりなる加圧方向に導電性を有する接着層の少なくとも片面に絶縁性の接着層が形成されてなる多層接続部材であって、バインダ成分の接続時の溶融粘度が、絶縁性接着層に比べ同等以下であり、前記導電材料は導電粒子もしくは導電粒子の表面に絶縁被覆を形成してなる絶縁被覆粒子であって、５０μｍφの前記電極上の接続に寄与している有効粒子数が１０個以上であり、かつ絶縁性接着層が突出電極の少なくとも基板側の周囲を覆ってなることを特徴とする電極の接続構造。 （もっと読む）

【課題】長時間接続信頼性に優れ、導電粒子と電極との正確な位置合わせが不要な作業性に優れた、高分解能の接続部材およびこれを用いた電極の接続構造を得ること。
【解決手段】相対峙する電極列間の少なくとも一方が基板上に形成された複数のチップの有する突出した電極列である電極列間の接続構造であって、前記電極列間は接続部材を介して接続されており、前記接続部材は導電材料とバインダとよりなる加圧方向に導電性を有する接着層の少なくとも片面に絶縁性の接着層が形成されてなる多層接続部材であって、バインダ成分の接続時の溶融粘度が、絶縁性接着層に比べ同等以下であり、絶縁性接着層が突出電極の少なくとも基板側の周囲を覆ってなる、ことを特徴とする電極の接続構造。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装基板への実装信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】パッケージ形態がＢＧＡである半導体装置を形成し、このＢＧＡ（半導体装置）８に対してバーンイン工程およびテスト工程を実施する。その後、バーンイン工程でＢＧＡ８の半田ボール７の表面に形成された半田酸化膜を除去する酸化膜除去工程を実施する。酸化膜除去工程は、ＢＧＡ８の半田ボール７に先端部１５ａが突起形状をしたピン１５を押し当てることにより行なう。 （もっと読む）

【課題】インターポーザー基板をテープキャリアに接続した際、テープキャリア上の配線電極がインターポーザー基板端部に接触したとしても配線電極間の短絡を起こさないＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、インターポーザー基板４ａを介してフィルム基材２と液晶ドライバ３とが接続している。インターポーザー基板４ａのフィルム基材接続用端子１３と、フィルム基材２のフィルム上配線５・６の端子とは、異方性導電接着材を用いて接続されている。インターポーザー基板４ａの端部及びその周辺部には絶縁膜７が形成されており、フィルム上配線５・６がこの絶縁膜７と接触した際、隣接フィルム上配線間での短絡が起こらない。 （もっと読む）

【課題】外部接続用電極と基板との接合強度の低下を防止し、信頼性の高い電気的接続を可能とする電子部品を提供する。
【解決手段】パッド電極１４の一部が露出する開口部が形成されたパッシベーション層２０と、パッド電極１４上及びパッシベーション層２０上に形成された下地金属層２２と、下地金属層に形成され、外部接続用電極に対するバリア金属層２６とを有する電子部品において、下地金属層２２は開口部の外側又は／及び内側のバリア金属層２６の下方に凹部２１ａ又は／及び凸部２１ｂ、２１ｃを有する。この凹部又は／及び凸部は開口部の外周囲又は／及び内周囲の全域に亘って形成されている。パッシベーション層２０は、高密度プラズマ法によって形成されたＳｉＯ₂膜を少なくとも１層含む。 （もっと読む）

本発明は、フリップチップ技術によりキャリア基板に実装された素子チップを有する素子及び同素子の製造方法に関する。素子チップと電気配線を有するキャリア基板との電気的及び機械的結合がバンプにより実現される。その高さがバンプ高さに適合された支持フレームは、キャリア基板と素子チップとの間に配置され、素子の下面と密着するように平坦な又は平坦化された表面を有する。さらなる封止のための種々のカバーも提案されている。 （もっと読む）

【課題】一旦封止された半導体素子を回路基板から容易に取り外すことが可能な半導体素子実装構造体を提供する。
【解決手段】第１接続用電極部を有する半導体素子と、第２接続用電極部を有する回路基板とを有し、第１接続用電極部と第２接続用電極部とを対向させて半導体素子を回路基板に搭載した半導体素子実装構造体であって、半導体素子と回路基板との間に、樹脂組成物の硬化物が充填されており、樹脂組成物は、樹脂成分および絶縁性フィラーを含み、９０〜２５０℃のいずれかの温度において、硬化物の半導体素子側の熱膨張率α_upperと、硬化物の回路基板側の熱膨張率α_lowerとが異なっている、半導体素子実装構造体。 （もっと読む）

【課題】電極ポスト間に配線を多く引き回すことができ、ポスト電極の部分を単純な柱状にすると共に、台座との重ね合わせ精度による形状のばらつきをなくす。
【解決手段】ウエハ上の配線３に設けられる台座４ｂの径をポスト電極５の径より小さく形成して、台座４ｂがポスト電極５の下に埋没して隠れるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子部品チップと多層基板との安定した電気的接続が得られる高密度に小型化してなる電子回路装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子回路装置４０は、第１の電子部品と、第１の電子部品の電極上に形成されたバンプとからなる第１の電子部品チップ１ａと、基板に互いに電気的に接合された表面配線部を有するインターポーザ６と、第２の電子部品と、第２の電子部品の電極上に形成されたバンプとからなる第２の電子部品チップ１ｂとを、第１の電子部品の電極上のバンプとインターポーザの片面側の表面配線部、およびインターポーザの他面側の表面配線部と第２の電子部品の電極上のバンプを、それぞれ直接接合して一体化してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を確保できる基板−電子部品間の接続構造を提供することにある。
【解決手段】セラミックス配線板１０に設けられた基板側パッド１４とＬＳＩパッケージ２０に設けられたバンプパッド２１とが、導電性材料の粒子を含む異方性導電ペーストにより形成されたバンプ１５により接続されている。このような構成によれば、半田バンプと比べて柔らかい異方性導電ペーストが使用されているため、バンプ１５と基板側パッド１４との界面にかかる応力が緩和される。このため、表面凹凸や反りが大きく、バンプ１５と基板側パッド１４との接続部分にストレスが比較的発生しやすいセラミックス配線板１０を用いた場合であっても、接続信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材を予め塗布して突起電極を介した信頼性の高い電気的接続を可能とする電子部品を提供すること。
【解決手段】電子部品は、導電性材料からなる突起電極５と、前記突起電極５よりも大きな高さをもつダミーの突起部６とを基板２上に有する。突起部６は突起電極５が形成された領域の外側に略同じ高さで複数個形成される。突起部６の融点は突起電極５の融点以下の温度範囲にある。突起電極５を外部接続する際に、電子部品の位置情報を突起部６によって検出することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上し、製造コストを低減した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一括フリップ・チップボンディング（ＦＣＢ）において、複数準備したマウントヘッド４０の平坦な保持面４３に接着層４５を形成する工程と、保持面４３の接着層４５上にチップ１０を仮固定する工程と、複数のマウントヘッド４０を順次一枚ずつ供給できるようにフリップ・チップボンダ３０の供給部に設定する工程と有し、ＦＣＢ時は、マウントヘッド４０をフリップ・チップボンダの保持ロッド３４で保持し、配線母基板の各製品形成部の接続パッドにチップ１０の電極を一括して接続する工程と、マウントヘッド４０が配線母基板から遠ざかるように保持ロッド３４を移動してマウントヘッド４０に貼り付けられた接着層４５から各チップ１０を剥がす工程とを有し、マウントヘッド４０へのチップ１０の仮固定はマウントヘッド４０の接着層４５を使用して繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】
新規なはんだ接続による電子機器を提供することにある。特に温度階層接続に
おける高温側のはんだ接続を実現することにある。
【解決手段】
半導体装置と基板の接続部が、Ｃｕ等の金属ボールおよび該金属ボールとＳｎ
の化合物からなり、該金属ボールは該化合物により連結されている。
（もっと読む）

【課題】電極同士の電気的な接触性を悪化させることなく、容易にフリップチップ接続させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２および中間基板３の外部引出電極５，８および突起電極６の酸化膜を除去した後、半導体チップ２および中間基板３を大気中に取り出す工程と、大気中で突起電極６と外部引出電極８とを位置合わせしたのち低酸素濃度雰囲気中に入れる工程と、低酸素濃度雰囲気中で半導体チップ２および中間基板３を突起電極６の溶融する温度条件で熱処理を行う工程とを含む。上記の位置合わせ工程では、半導体チップ２および中間基板３は、以下の式を満たす温度ｘ（℃）および曝露期間ｙ（秒）の範囲内でしか大気に曝されないようにしている。
温度ｘが３６℃以下のときには、 ｙ≦１０^-(x-57.45)／^6.031 …（１）
温度ｘが３６℃より大きいときには、ｙ≦１０^-(x-59.67)／^6.656 …（２） （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板とをアンダーフィル材料を介してフリップチップ接続し、動作確認検査を行なった後に、アンダーフィル材料を熱硬化させる、実装方法を提供する。
【解決手段】バンプ付き半導体チップと基板との間に、熱流動性でかつ熱硬化性のアンダーフィル材料フィルムを配置し、アンダーフィル材料フィルムが流動するのに十分な温度及び圧力で加熱及び加圧することで仮電気接続し、動作確認検査を行なうこと、及び、前記動作確認検査に合格した場合には、さらに加熱を行い、アンダーフィル材料フィルムを熱硬化して最終の電子機器を得ること、又は、前記動作確認検査に合格しなければ、前記アンダーフィル材料フィルムが流動するのに十分な温度で不良なチップもしくはパッケージを取り外し、その後、新たなバンプ付きチップもしくはパッケージを用いて上記の工程を繰り返すこと、を含む、バンプ付き半導体チップもしくはパッケージの実装方法。 （もっと読む）

【課題】 配線基板において、半導体装置（ＩＣチップ）を半田実装させた際の実装パッド部の接続信頼性を向上させること。
【解決手段】絶縁基体２と、絶縁基体２上に形成された電極３と、電極３の表面に形成された第１のＮｉ層４と、第１のＮｉ層４上に形成されたＮｉ酸化物層５と、Ｎｉ酸化物層５上に形成され、Ｓｎを含む半田バンプが接合されるＡｕ層７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高細密になり電極ピッチが狭くなっても十分に低い接続抵抗が得られ、安定した電極の接続ができ、接続信頼性に優れた回路基板Ａおよび回路の電極接続構造体Ｂを提供する。
【解決手段】 回路基板Ａは、電極１１が設けられた回路基板１０の電極面に導電性突起２０が設けられ、この導電性突起２０は合成樹脂を核２１としその表面が融点２５０℃以下の導電性金属薄層２２で覆われてなり且つ上記電極面に溶融金属結合３０されてなる。回路の電極接続構造体Ｂは、上記回路基板Ａの電極１１面と他の回路基板４０の電極４１面とが相対向して配設され、この相対向した電極面の間に合成樹脂を核２１としその表面が融点２５０℃以下の導電性金属薄層２２で覆われてなる導電性突起２０が設けられ、この導電性突起２０はやや扁平に押圧変形された状態で上記電極面に溶融金属結合３０されてなり、各電極間の空間には導電性微粒子が存在していない。 （もっと読む）

【課題】 キャビティ内の結露の発生やリフロー等での実装時におけるパッケージクラックの発生をなくし、かつ圧着をなくしてガラス基板や半導体基板でのクラックの発生をなくすと共に、接合部の信頼性の高い基板の接合方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】 この基板の接合方法は、２枚の基板の間においてこれらの基板を接合する予定部位の箇所に接合部材層を設ける設置ステップと、２枚の基板の少なくとも一方の外側から基板を透過する光線を照射し、光線で接合部材層を加熱する加熱ステップと、加熱した接合部材層で２枚の基板を接合する接合ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】CSP,BGA等のようなはんだバンプを有するLSIパッケージをプリント基板に実装する際、LSIパッケージが熱により反り返っても、良好なはんだ接続部を形成する。
【解決手段】LSIパッケージ1のパッド4には、コア部31及びコーティング部32からなるコア入りはんだバンプ3が配置されている。コア部31及びコーティング部32は組成の異なるはんだ合金から構成され、コーティング部32の方が融点が低くなっている。従って、熱処理を開始すると、先ず、LSIパッケージ1の反り返りが小さな段階で、コーティング部32が溶融し、コア部31及びはんだペースト7に濡れた状態となる。その後、温度が上昇して反り返りが大きくなっても、コア部31とはんだペースト７とは、溶融したコーティング部32によって接続された状態が保たれる。従って、コア部31，はんだペースト7の溶融温度となると、それらが１つに凝集し、良好なはんだ接続部が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと回路基板とのギャップを高精度に制御することができる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップ側バンプと基板側バンプが接触する様に回路基板と半導体チップを配置し、チップ側バンプ及び基板側バンプに加熱処理を施して実装ノズルで荷重を印加してチップ側バンプと基板側バンプを一体化した後に冷却処理を施す半導体チップの実装方法において、加熱処理時または加熱処理前には実装ノズルを上昇し、冷却処理時には実装ノズルを下降する。 （もっと読む）