【課題】 半導体素子と回路基板との隙間を広いまま維持できる、半導体素子と回路基板とのバンプを介して接合された半導体装置およびその接合方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置（１０１）において、半導体素子（１０１）は電極部（１０２）とバンプ（１０５）を有し、回路基板（１０３）は電極部（１０４）とバンプ（１０６）とを有し、バンプ（１０５、１０６）の融点よりも低い融点を有する導電性フィラー（１０８）はバンプ（１０５、１０６）同士を電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】同一バンプの内部において均一な接合状態を実現して、良好な接合強度を確保することができるバンプ付きの電子部品のボンディング方法を提供する。
【解決手段】バンプ付きの電子部品３０のバンプ３０ａを被圧着面の電極３２ｂに押圧して超音波振動を印加することにより、バンプ３０ａを電極３２ｂにボンディングボンディング動作において、ボンディングヘッドを下降させてバンプ３０ａを電極３２ｂに当接させてバンプ３０ａが所定のバンプ高さｂになるまでボンディングヘッドを更に下降させ、電子部品３０と電極３２ｂとの隙間を予め設定された目標値としてのバンプ高さｂに維持した状態で電子部品３０に超音波振動を所定時間印加する。これにより、超音波振動が印加される時間をバンプ３０ａの下面において電極３２ｂと当接する面積Ａの全範囲について等しくすることができ、均一な接合状態を実現して良好な接合強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】一方の基板に形成された配線が他方の基板に形成された配線以外の導電体と導通することを防止する。
【解決手段】可撓性の基材３２に形成された配線３４の第１部分Ａ１を覆う金属層３６と配線３４の第２部分Ａ２を覆うソルダーレジスト３８とを含むフレキシブルプリント基板と、導電性基材２１の表面に形成される絶縁層２４上に形成される信号線２５を有する表示パネルと、を備え、フレキシブルプリント基板は、金属層３６が信号線２５と対向して当該信号線２５に接続されるとともに、ソルダーレジスト３８が、導電性基材２１の表面のうち絶縁層２４の周縁から張り出した縁領域Ｂと対向するように配置されるという構成を有する電子装置。 （もっと読む）

【課題】より質の高い超音波接合を行うことが可能な、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法を提供する。
【解決手段】超音波振動を伝達するホーン５１と、ホーン５１の一端に設けられ、超音波振動を発生する超音波振動子５２と、ホーン５１の一端とホーン５１の他端との間に設けられ、ヒータ５７が配置されるヒータ配置部５７０と、ホーン５１の一端とホーン５１の他端との間に設けられ、電子部品８を保持し、ヒータ５７によって加熱される接合作用部５３と、ヒータ配置部とホーン５１の一端との間に設けられ、流体が流通する第一冷却部５１５と、ヒータ配置部とホーン５１の他端との間に設けられ、流体が流通する第二冷却部５１６と、を備えた、ボンディングツール５。 （もっと読む）

【課題】回路装置のさらなる低背化を実現する。
【解決手段】回路装置１０は、配線基板２０、第１の回路素子３０および第２の回路素子４０を備える。配線基板２０は、絶縁樹脂層２２、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０を有する。配線層５０は、第１の回路素子３０が接続される第１の接続部５２および配線部５４を含む。第１の接続部５２の膜厚は、配線部５４の膜厚に比べて薄膜化されている。また、配線部５４は、第１の接続部５２を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属５６で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】対向配置された対象物同士の相対的な傾きをを高精度にかつ容易に調整することができる傾き調整の技術を提供することを目的とする。
【解決手段】基板５５には第１検出部である電極が形成され、基板５６には第２検出部である電極が基板５５の電極と対を構成する位置に形成されている。そして、基板５５および基板５６をステージ部１５の保持部２９およびヘッド部３９の保持部４４にそれぞれ保持し、基板５５および基板５６の電極の対の間の静電容量を検出部５０により検出する。そして、検出された静電容量が所定の値になるように、Ｘ−Ｙテーブル制御部５２によってＸ−Ｙステージ機構１１を移動させ、基板５５および基板５６の相対的な傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】工数、およびコストを増大させることなく、はんだの接合強度を高めることのできる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターン１６のパッド１８上に、Ni-Pめっき皮膜２２が形成され、このNi‐Pめっき皮膜２２上にAuめっき皮膜２４が形成された電子部品の製造方法において、パッド１８上に、前記Ni-Pめっき皮膜２２を形成するめっき工程と、該形成されたNi-Pめっき皮膜２２の表層中におけるNi成分を溶解除去して、Pリッチな表層２２ａを形成するエッチング工程と、該Pリッチな表層部２２ａ上に前記Auめっき皮膜２４を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高密度実装が可能で、且つ回路基板に生じる熱応力の影響を半導体素子に生じさせることがない信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子２と回路基板１とが、導電パターンを形成した薄肉フィルム状のインターポーザ３を介して電気的に接合して構成された半導体装置Ａであって、上記回路基板は、外周部を有し、上記半導体素子の厚み以上の深さに形成された凹部１ａを形成しており、上記インターポーザの同一面に第１のバンプＢ１と第２のバンプＢ２を形成し、上記第１のバンプを介して半導体素子と接合されたインターポーザは、該半導体素子を下方に向け、該半導体素子の全体部分が上記凹部に落とし込まれるように吊り下げ保持した状態で、上記凹部の上記外周部に形成された上記第２のバンプで接合支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンプピッチおよびバンプ高さの変更なくアンダーバンプメタルとバンプ電極の接触面積を増加させアンダーバンプメタルとバンプ電極の密着性を向上する配線基板を提供する。
【解決手段】所定ピッチのバンプ電極７を接続する複数のアンダーバンプメタル２５のパターンはパターン本体部とパターン延長部を有し、距離の短い方のパターンの重心Ｃ同士を結んだ第１線Ｋ１の第１パターン長さＬ（Ｗ＋Ｗ）と、距離の長い方のパターンの重心Ｃ同士を結んだ第２線Ｋ２の第２パターン長さＭ（Ｒ＋Ｒ）を有し、Ｌ＜Ｍで、パターン延長部は第２線上にそって形成され、パターン延長部との２つの交点をパターン本体部の輪郭線上に有し、構成する１辺が第１線と直交するパターン本体部の外接矩形の辺上に位置せずパターン延長部は第２線に沿って延長して形成され、パターン延長部の輪郭線がパターン本体部の外接矩形範囲に位置する。 （もっと読む）

【課題】スティフナーとプリント配線板および放熱板と半導体パッケージを一体化した後の反りが、一体化する前よりも少なくなるようにしたスティフナー付きプリント配線板および放熱板付き半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】スティフナー１とプリント配線板４を一体化する前に、事前に、スティフナー１に、スティフナー１とプリント配線板４との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。また、放熱板と半導体パッケージを一体化する前に、事前に、放熱板に、半導体チップとプリント配線板との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプの歩留まり改善方法を提供する。
【解決手段】はんだバンプの歩留まり改善方法は、一実施例中、レーザーヘッド１５０によるレーザー切断により、接続しているはんだバンプ１１４（即ち、はんだブリッジ）を分割する。もう一つの具体例中、レーザーにより、はんだバンプのスキップ印刷位置にリフローを実行する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールにおいて外部からの水分浸入を抑制する。
【解決手段】素子搭載用基板１００の上に形成された絶縁樹脂層３０の上に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。配線層１２０には、半導体素子４０の側に突出する突起電極１２２と突起部１２４とがそれぞれ一体的に形成されている。そして、突起電極１２２は、絶縁樹脂層３０を貫通して半導体素子４０の素子電極４２と電気的に接続されている。突起部１２４は、半導体素子４０の四辺に沿って半導体素子４０を取り囲むように配置され、突起電極１２２と素子電極４２との接合部分よりも上方の位置にまで封止樹脂５０内に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】基板及び半導体チップの設計の自由度が高く、電気的特性に優れた半導体装置を実現することにある。
【解決手段】表面に形成された絶縁膜１３、この絶縁膜１３上の中央部及び外周部にそれぞれ形成された複数の電極パッド１４、及び、これらの電極パッド１４上にそれぞれ形成された複数の保護メタル層１７を有する多層配線構造の半導体チップ１１と、この半導体チップ１１が実装され、表面の電極パッド１４に対応する箇所にそれぞれ形成された複数の基板端子部２２１、２２２を有する有機基板２１と、を具備し、半導体チップは、保護メタル層１７上及び基板端子部２２１、２２２上のいずれか一方に形成されたスタッドバンプ２３が、他方に形成された半田バンプ１８に接続することで、有機基板２１上に実装されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの温度等の使用環境の変化によって半導体チップとテープ基板との間で剥離が起こりやすく、バンプ自体の酸化によって回路抵抗が増加する等、信頼性が低下するおそれがあった。
【解決手段】電極部と前記電極部に固設されたスタッドバンプとを備えた半導体チップを接続バンプが形成されたテープ基板にフリップチップ接合する電子部品の製造方法であって、テープ基板の一方の面に接着層を配置する配置工程と、スタッドバンプと接続バンプを接続するため半導体チップを所定位置に位置決めし、接着層と半導体チップの表面との間に所定の間隔を持つようにスタッドバンプを接着層に固定する固定工程と、減圧下で押圧することによって接着層と半導体チップの表面を接着する接着工程と半導体チップとテープ基板とを加熱しながら厚さ方向に押圧することでフリップチップ接合させる接合工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加熱による絶縁性接着剤の軟化を抑えた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電極部１１２と前記電極部に固設されたスタッドバンプ１１４とを備えた半導体チップ１１０をインターポーザ１２０上に接合して形成される電子部品の製造方法であって、インターポーザ１２０上に絶縁性接着剤１３０ａを配置する工程と、半導体チップ１１０のスタッドバンプ１１４を有する面を前記絶縁性接着剤１３０ａ上に接着する工程と、絶縁性接着剤１３０ａを加熱させ予備硬化反応を行う工程と、半導体チップ１１０と前記インターポーザ１２０とを加熱しながら厚さ方向に押圧することでフリップチップ接合させる工程と、を有する電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】互いに異なるプロセスにより製造された半田バンプ電極品であるコントローラチップ４と、それぞれ金バンプ電極品である３つのメモリチップ（第１ＤＤＲチップ１、第２ＤＤＲチップ及び不揮発性メモリチップ）が混載されるＳＩＰ１３の組み立てにおいて、先に３つのメモリチップを順次配線基板７上に搭載し、後からコントローラチップ４を搭載することで、金−半田接続用の半田材に酸化膜が略形成されていない状態で金−半田接続を行うことができ、３つのメモリチップそれぞれの金−半田接続を良好な接続状態とすることができる。 （もっと読む）

【課題】接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路部材接続用接着剤と、接続された回路板および、その製造方法を提供する。
【解決手段】相対向する回路電極１１、３１間に介在して、相対向する回路電極１１、３１を加圧して電気的に接続する回路部材接続用接着剤であって、接着剤４０と絶縁性の無機質充填材、もしくは、さらに導電粒子４１とを含み、上記接着剤４０を１００重量部に対して上記絶縁性の無機質充填材を１０〜２００重量部含有する。 （もっと読む）

【課題】配線層に設けられた突起電極が半導体素子に設けられた素子電極に接続された構造の半導体モジュールにおいて、突起電極と素子電極との接続信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体モジュール１０は、突起電極１６が一体的に設けられた配線層１４と、突起電極１６に対向する素子電極５２が設けられた半導体素子５０と、絶縁樹脂層１２と、異方性絶縁樹脂層６０とを備える。突起電極１６は絶縁樹脂層１２を貫通し、その先端部分が絶縁樹脂層１２から突出している。突起電極１６と素子電極５２との間の異方性絶縁樹脂層６０では、導電性フィラー同士が接触することより、突起電極１６と素子電極５２との間に導電経路が形成されている。一方、突起電極１６と素子電極５２の間以外の領域における異方性絶縁樹脂層６０では、導電性フィラーが孤立した状態になっているため、絶縁性が保たれている。 （もっと読む）

【課題】高温下に晒すことなく、２つの回路基板が備える導体部同士を接合膜を介して物理的かつ電気的に接続し得る接合膜付き回路基板、この接合膜付き回路基板を回路基板に接続し得る接合膜付き回路基板の接合方法、信頼性に優れた電子デバイスおよび高い信頼性が得られる電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の接合膜付き回路基板は、導体ポスト４２に電気的に接続して設けられた接合膜８０を有している。接合膜８０は、導体ポスト４２に金属錯体を含有する液状材料を供給し、該液状材料を乾燥焼成することにより設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含むものであり、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、接合膜８０の表面付近に存在する脱離基が接合膜８０から脱離することにより、接合膜８０の表面に、端子６００との接着性が発現し、端子６００と導体ポスト４２とを物理的かつ電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高いＩＣチップの実装方法を提供する。
【解決手段】バンプ１３〜１５を有するプリント配線板１０とバンプ２２，２３を有するＩＣチップ２０との間に、バンプ１３〜１５，２２，２３に対応する位置に貫通孔３１を設けた熱可塑性樹脂フィルム３０を配置した後に、加熱・加圧して、プリント配線板１０のバンプ１３〜１５とＩＣチップ２０のバンプ２２，２３を接合するとともにフィルム３０を溶融させてＩＣチップ２０とプリント配線板１０との間を樹脂封止する際に、プリント配線板１０のバンプ１３〜１５の表面に、Ｃ−Ｈ結合解離エネルギーが９５０ｋＪ／ｍｏｌ以下の炭化水素化合物であるジシクロペンタジエン、テトラメチルペンタデカン、ジヒドロアントラセン、シクロオクタンおよびトリフェニルメタンのいずれか１つよりなる膜１６を配置し、この膜１６を両バンプ間に介在させた状態で加熱・加圧してバンプの接合および樹脂封止を行う。 （もっと読む）