【課題】半導体素子を搭載する配線基板において、絶縁基板の上面に配設された複数の短冊状の半導体素子接続パッドの幅を部分的に広げることなく短冊状の半導体素子接続パッドの上面に半田バンプを形成することにより、半導体素子接続パッドのファインピッチを実現する配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の上面に短冊状の半導体素子接続パッド４を有するとともに半導体素子接続パッド４上に半田を溶融および凝集させて半田バンプ５を形成して成る配線基板１０であって、半導体素子接続パッド４は、半田バンプ５が形成された位置の上面に凹部４ａが形成されているとともに、凹部４ａを中心に凝集させた半田により半田バンプ５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】熱溶融する接合金属を介して電子部品と基板とを接合する電子部品実装装置において、ボンディング品質を向上させる。
【解決手段】基板４２と接離方向に駆動され、電子部品３１を基板４２に熱圧着するボンディングツール２８と、ボンディングツール２８の基板４２との接離方向の位置を検出するリニアスケール６１、リニアスケールヘッド６２と、制御部５０と、を備え、制御部５０は、電子部品３１を加熱しながらボンディングツール２８が基準位置から所定の距離だけ基板４２に近づいた場合、電子部品３１の電極と基板４２の電極との間のはんだ皮膜４４が熱溶融したと判断し、その際のボンディングツール２８の基板４２に対する接離方向の位置を保持するボンディングツール位置保持プログラム５５を有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとの接続を良好に保ち、半導体素子との電気的接続信頼性が高い配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に形成された配線導体層２と、絶縁基板１および配線導体層２の上に形成されており、配線導体層２の一部を半導体素子接続パッド３として露出させる開口部４ａを有するとともに半導体素子接続パッド３周辺の配線導体層２を被覆するソルダーレジスト層４と、半導体素子接続パッド３表面を覆うめっき金属層６とを備えた配線基板１０であって、めっき金属層６は、半導体素子接続パッド３の外周部から開口部４ａの側壁の途中まで延在する突起部６ａを開口部４ａの側壁に密着して有している。 （もっと読む）

【課題】
先供給方式のための半導体封止充てん用樹脂組成物として用いた場合に、優れた接続信頼性が奏され、かつ接続の際の樹脂中のボイドの発生を充分に抑制することが可能な半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
複数のバンプが形成された半導体チップと、複数の電極を有する基板と（ただし、前記バンプ及び前記電極の少なくとも一方の表面にすず又ははんだが存在する）、を電気的に接続するために用いられる、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、フラックス剤を必須成分とし、上記接続は、所定の方法により実施される半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 基板上にＡＣＦを用いて液晶駆動用ＩＣのような半導体素子を熱圧着する際に、隣接するバンプ電極間における導電性粒子による電気的な短絡を防止することを目的とする。
【解決手段】 液晶駆動用ＩＣ６のバンプ電極７の側面に凹凸部３１を設けることにより、ＡＣＦ９中の熱硬化性樹脂にとっては流動する際の物理的な抵抗となるため、バンプ電極７近傍の樹脂の流動性が妨げられ、凹凸部３１がない場合に比べて、バンプ電極７の側面近傍の圧力が高くなり、バンプ電極７の側面近傍の導電性粒子１０はバンプ間中央のスペースに追いやられ、隣接バンプ間での電気的短絡を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工数を削減し、シールリングと突起電極の高さが同等な弾性波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１０上に弾性波素子１２を形成する工程と、前記弾性波素子１２に電気的に接続する突起電極３０と前記突起電極３０を囲む環状シールリング３２とをめっき法を用いて前記第１基板１０上に同時に形成する工程と、実装基板６０上のパッド電極６４及び環状シールリング６２に前記突起電極３０及び突起電極３０を囲む環状シールリング３２を接合させる工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾力性を有するバンプを安価に効率よく形成することにより、バンプを用いた実装に際して、あるいは製品としての使用に際して負荷される熱応力を軽減することができ、しかも狭ピッチ化に対応することができるバンプ形成方法、及び、そのバンプを使用することで信頼性に優れたフリップチップ実装が容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の金属電極上にノズルから液滴を吐出してバンプを形成するバンプ形成方法であって、樹脂を含む第１の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の一部に樹脂突起部を設ける工程と、分散剤と金属ナノ粒子とを含む第２の液滴をノズルから吐出して、前記金属電極の残部と前記樹脂突起部とを前記金属ナノ粒子で覆う工程と、を含むことを特徴とするバンプ形成方法である。 （もっと読む）

【課題】半田バンプのオープン不良を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】配線基板上に配線を形成し、配線基板上をソルダレジストで覆い、配線を露出させるようにソルダレジストに開口を形成する。配線基板の配線と半導体チップの電極とを半田バンプを介して接続させることで、配線基板上に半導体チップをフリップチップ接続させる。半田バンプの半田の量を、ソルダレジストの開口の角と電極に内接する球の体積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする粘接着剤組成物、回路部材接続用粘接着剤シート及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）グリシジル基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、（Ｅ）光開始剤とを含む粘接着剤組成物、及び光透過性の支持基材３と、該支持基材上に設けられ、該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層２とを備える回路部材接続用粘接着剤シート１０、並びに該粘接着剤シートを使用した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い接続の信頼性を確保しうる実装基板や電子部品およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配線１１（導体部材）が形成されたセラミック基板１０（基材）上に、Ａｇペーストをスクリーン印刷することにより、山状のバンプ本体部１５ａを形成する。バンプ本体部１５ａは、配線１１およびセラミック基板１０に跨っていることが好ましい。バンプ本体部１５ａの表面に無電解めっきを施して、バンプ皮膜１５ｂを形成する。これにより、実装基板Ｂを形成する。その後、固着部材を用いて半導体チップなどの被実装部材を実装基板Ｂ上に実装して、バンプ１５により、配線１１と外部導体部材とを電気的に接続する。印刷法を用いて、厚いバンプ１５による高い接続の信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】クリーニング工程後の実装工程で、圧電振動片の実装強度を確保できる圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】実装工程Ｓ５０の前に、接合ヘッド７０の汚れを落とすクリーニング工程Ｓ４０と、クリーニング工程Ｓ４０の後に、擬似バンプＢ２が形成された擬似基板７４に接合ヘッド７０を用いて擬似圧電振動片７６を実装する擬似実装工程Ｓ４５と、を有しており、擬似実装工程Ｓ４５は、擬似圧電振動片７６の擬似バンプＢ２に対する潜り込み量Ｙ３が所定値以上になるまで繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ破壊の可能性を減少させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型半導体装置（１０）と半導体装置実装用基板（２０）と、を複数のはんだボール接続部を介して接続した半導体装置接続構造であって、該複数のはんだボール接続部のうち、一部のはんだボール（７）接続部のボール接続面積が他のはんだボール（６）接続部よりも広く、かつ該一部のはんだボール（７）接続部に対応する該半導体装置実装用基板（２０）の部分に窪み部（２１）が形成されている、半導体装置接続構造。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、安価に接着剤接続構造を実現しうる接続方法および電子機器を提供する。
【解決手段】母基板２０は、リジッド基板２１と、リジッド基板２１上に設けられた接着剤接続用電極２２および半田接続用電極２６とを有している。各電極２２、２６の表面は、いずれも、ＯＳＰ処理によって形成された酸化防止膜である有機膜２５によって被覆されている。先に接着剤３０による接続を行って、接着剤接続構造Ｃを形成し、次に、半田リフロー処理を行って、半田接続構造Ｄを形成する。その際、半田リフロー処理の前後における、電極１２、２２間の接続抵抗の増大が所定範囲内に収まるように接続を行う。各電極２２、２６の導通を確保しつつ、半田リフロー処理の後における接続抵抗の増大を抑制することができ、半田接続構造と接着剤接続構造とを円滑に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足するフィルム状接着剤の形成を可能とする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が２万以上１０万以下の熱可塑性樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、（Ｅ）マイクロカプセル型の硬化促進剤と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い実装体を製造する。
【解決手段】基板の電極および電子部品の電極の少なくとも一方の表面に半田が設けられており、基板、絶縁性接着層、および電子部品をこの順で積層させる積層段階と、基板に対して電子部品を押圧することにより、絶縁性接着層を貫通させて電子部品の電極と基板の電極とを接触させる押圧段階と、絶縁性接着層を第１の温度に加熱することにより、絶縁性接着層を熱硬化させる熱硬化段階と、半田を第２の温度に加熱することにより、基板の電極と電子部品の電極との間に、半田を含む金属結合層を形成する金属結合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温環境下にさらされても劣化せず、高い接続／接合信頼性を有するフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】Ａｌ電極２２を有するＩＣチップ２１とＡｕ電極４３を有する基板４１とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ＩＣチップ２１のＡｌ電極２２上にＡｌもしくはＡｌ合金よりなるバンプ５２を形成し、そのバンプ５２を介してＩＣチップ２１のＡｌ電極２２と基板４１のＡｕ電極４３とを接合する。 （もっと読む）

【課題】層間接着材料による悪影響のない半導体チップを内蔵するプリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体チップを内蔵するプリント配線板１０は、複数の接続パッドが形成される第１基板１００と、前記第１基板１００の前記複数の接続パッド１６０上に接続される半導体チップ４００と、前記第１基板１００と共同して前記半導体チップを覆う金属ケース５００と、前記第１基板１００に積層された状態では前記金属ケース５００の露出面と同じ高さを有し、かつ前記金属ケース５００が位置する箇所に切り欠き部が形成される第２基板２００，３００と有する。そして、前記金属ケース５００の露出面を露出して前記第１基板１００に第２基板２００，３００を積層する。 （もっと読む）