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Fターム[5F044KK19]の内容

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Fターム[5F044KK19]に分類される特許

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【課題】
スタッドバンプに関する接合強度低下の問題を解決する。
【解決手段】
キャピラリ11を、ボールBがチャンファ孔11aから完全に露出しない高さまで上昇させてから、更にキャピラリ11を水平移動させることにより、ボールBをチャンファ孔11aのエッジ11bによって切断して金属ワイヤWから分離する。 (もっと読む)


【課題】 高密度の実装においても配線上にバンプを形成することもできるフレキシブルプリント配線板の製造方法及び高密度の実装を高信頼性で行うことができるフレキシブルプリント配線板を提供する。
【解決手段】 絶縁層12と、この絶縁層12の少なくとも一方面に積層された導体層11をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板の製造方法において、第1のレジストパターン42により、前記導体層11を厚さ方向に貫通するまでエッチングして第1の配線パターン21を得る第1のエッチング工程と、前記第1のレジストパターン42を第2のマスク43を介して露光し、現像して前記第1のレジストパターンの一部のみを残した第2のレジストパターン44により、導体層の厚さ方向の途中までハーフエッチングして薄肉部分として第2の配線パターン31aを得る第2のエッチング工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】めっき用スリットを用いることなくバンプ形成領域にめっきを施すことができ、したがってめっき用スリットの位置ずれによるバンプの形状不良の回避や、テープリードの狭ピッチ化などが可能となる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】テープリード2に酸化膜3を形成し(図1(b1)、(b2))、バンプを形成する領域に対応する位置にスリット孔4aを有するエッチング用スリット4を用いて、そのスリット孔4aに対応する領域に存在する酸化膜3を除去し(図1(c1)、(c2))、テープリード2の一部を露出させ(図1(d1)、(d2))、酸化膜3が除去されて露出したテープリード2上にめっきを施してバンプ6を形成する(図1(e1)、(e2))。 (もっと読む)


【課題】 生産性が良く、ボンディングが確実であると共に、小型の半導体素子の取付構造、及びその取付方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体素子の取付構造は、複数のランド部2aを設けた配線パターン2を有する絶縁基板1と、ランド部2aにボンディングされる複数の電極5を有する半導体素子4とを備え、ランド部2aに設けられた半田スタッドバンプ3が電極5に設けられた金スタッドバンプ6にボンディングされたため、半田スタッドバンプ3は、半田線で形成でき、従来に比して、その形成作業が容易で、生産性が良く、また、半田線で形成できる半田スタッドバンプ3は、高さを大きくでき、絶縁基板1が面積の大きな回路基板で形成され、この回路基板に反りがあっても、半田スタッドバンプ3の全体が溶融することが無く、半田スタッドバンプ3と金スタッドバンプ6間のボンディングを確実にできる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子等の電子部品を回路基板上に実装してなる電子機器の製造において、前記回路基板上に半田バンプを形成する際、少ない工程で短時間に前記半田バンプを形成する方法を提供するものである。
【解決手段】表面に電極パターン32を形成した前記回路基板31の表面上に保護膜33とフィルム34を設け、レーザー光35にて前記回路基板31の前記電極パターン32上のみに開口部34aを形成し、開口部34aに半田ペースト36を充填、溶融、および凝固した後、前記回路基板31上の前記フィルム34を剥離することで前記半田バンプ38を形成するものである。 (もっと読む)


【課題】 複数のパッドが形成された表面及び該表面上のソルダーレジストを有し、パッドがソルダーレジストから露出する回路基板に対して、高さのあるソルダーバンプを形成する方法を開示する。
【解決手段】 回路基板(1)に対して第1の型板印刷および第1のリフロー処理を行うことにより、複数の第1のソルダーバンプをパッド(10)上に形成する。そして、回路基板に第2の型板印刷および第2のリフロー処理を行うことにより、第1のソルダーバンプ上にソルダーペーストを形成し、このソルダーペースト及び第1のソルダーバンプを一体化させて、パッド上に高さのあるソルダーバンプ(30a)を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半田ボールをより確実に転写することができる半田ボールの転写方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る転写装置10において、シート保持ヘッド18に保持された転写シート60は、ステージ14に搭載された基板50に所定の圧力で押し当てられる。さらに、シート保持ヘッド18に保持された転写シート60は、ヒータH2によって加熱される。すなわち、転写シート60を基板50に押し当てて半田ボール64を電極面50aの電極52上に転写する際、転写シート60は、シート保持ヘッド18によって加圧されると共に、ヒータH2によって加熱される。このように半田ボール64の転写を加圧下でおこなうことで、半田ボール64が転写シート60側に残る事態が抑えられる。 (もっと読む)


【課題】 外部接続端子或いは半導体素子載用端子を、鉛の使用量を低減した端子で構成し環境問題の改善を図ると共に、端子の微細ピッチ化を達成することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁樹脂層からなる基板と、基板の最上面に形成された半導体素子搭載用端子18と、最下面上に形成された外部接続用端子12とを有する半導体パッケージにおいて、外部接続用端子12は、パッケージの最下面から下方に突出したバンプとして構成され、バンプの内部は絶縁樹脂14で充填され、表面は金属16で覆われ、この金属と半導体素子搭載用端子18との間を電気的に接続する導体ビア26aを含む配線24、26とを具備する。 (もっと読む)


【課題】高さ精度に優れた高いハンダバンプを形成するのに適した方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、電極2が設けられた基板10の上に電極2を覆うようにレジスト層12を形成する工程と、レジスト層12において電極2に対応する位置に開口部11を形成する工程と、開口部11が形成されたレジスト層12上に、フィルム4を圧着させる工程と、レジスト層12の開口部11に連通する開口部40をフィルム4に形成する工程と、レジスト層12の開口部11とフィルム4の開口部40とからなり且つ電極2が露出する凹部内にフラックスを塗布する工程と、凹部にハンダ粉末を充填する工程と、ハンダ粉末を溶融させた後に固化させることにより、凹部内の電極2上にハンダバンプ5Aを設ける工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 半田バンプの高さのバラツキを最小限に抑制し、包含されるボイドを減少させて、IC等の半導体素子の実装用パッドへの実装歩留まりや、実装信頼性、耐ヒートサイクル性を向上させること。
【手段】 印刷用マスクの開口部をソルダーレジスト層の開口部よりも大きく形成し、印刷用マスクの開口部の中心とソルダーレジスト層の開口部の中心とを所定量だけずらして載置させ、または開口させると共に、これらの開口内のいずれかの位置に、ソルダーレジスト層の大きな露出部が生じるように開口させた状態で、半田ペーストを印刷用マスクの開口部から充填して、実装用パッド上に印刷し、その後、リフロー処理することによって、半田バンプを形成する。 (もっと読む)


【課題】はんだバンプがPCBから欠落するとPCBが廃棄されるという問題を解決するために、少なくとも一つのはんだバンプをプリント回路基板上に埋め込む方法を提供する。
【解決手段】初めに、少なくとも一つのはんだバンプをその露出したはんだパッドに結合させるために形成するステップを有する。そして、フラックスのレイヤーをPCBの表面上および露出したはんだパッド上にコートするステップを有する。はんだバンプを前記露出したはんだパッド上に埋め込むステップを有する。最後に、はんだバンプをリフローするステップ、フラックスのレイヤーをPCBから取り除くステップを有する。このように、はんだバンプはPCB上に作製される。 (もっと読む)


【課題】 配線基板に設けられた複数のピンを支持治具上のピン逃がし穴内に確実に案内し、はんだバンプを精度よく平坦化する。
【解決手段】 配線基板12の表面20側に複数のはんだバンプ22が設けられ、裏面23側に複数のピン25が設けられている。はんだバンプ平坦化装置11は、配線基板12を支持するための下治具14と、複数のはんだバンプ22を押圧して平坦化するための上治具13とを備える。下治具14の支持部31には、複数のピン逃がし穴34が形成されている。下治具14に設けられたピンガイド36が配線基板12の最外周のピン25に接触することで、複数のピン25をピン逃がし穴34内に案内する。 (もっと読む)


本発明は、はんだバンプ(50)の回路基板(1)上への形成方法に関し、この回路基板(1)上にははんだレジスト(11)とパッド(10)とがともに形成され、このパッド(10)は前記はんだレジスト(11)から露出される。本方法のステップは主に、最初にはんだレジスト(11)を紫外線(2)で強化し、続いてはんだレジスト(11)をプラズマ処理(3)で粗削りする。次に、感光性ドライフィルム(4)をはんだレジスト(11)上に載置し、を露出及び現像処理で対応するパッド(10)が露出するように、開口(40)を感光性ドライフィルム(4)上に形成する。最後に、球状のはんだバンプ(50)を開口(40)内のパッド(10)上に形成し、感光性ドライフィルム(4)を取り除く。 (もっと読む)


【課題】基板の一面側に形成された金属部材のバンプ形成箇所のみに、金属微粒子とキャリアガスとを噴射して金属微粒子を堆積するガスデポジション法によって微細バンプを安定して形成し得る微細バンプの形成方法を提供する。
【解決手段】基板10の一面側に形成されたパターン12を覆うマスク層としての樹脂層30に、パターン12のバンプ形成箇所が底面に露出する底面径が樹脂層30の表面に開口する開口径よりも大きい逆テーパ状の凹部34を形成した後、凹部34の底面に露出するパターン12のバンプ形成箇所に、金属を蒸発させて得られる金属微粒子をキャリアガスと共に搬送してノズル25から噴射して堆積するガスデポジション法によって円錐状のバンプ14を形成し、次いで、樹脂層30を剥離することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電子機器や電子部品となる半導体装置の実装構造の薄厚化を可能にし、しかもフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い、半導体装置の実装構造とこれを製造する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】 フレキシブル基板1上に半導体チップ2をフェースダウンで実装する、半導体装置の実装方法である。フレキシブル基板1上に、絶縁性樹脂からなる緩衝層3を形成する工程と、緩衝層3上に配線4を形成する工程と、配線4の接続部4aと半導体チップ2の端子7との少なくとも一方に、液滴吐出法で金属微粒子を分散液に分散させてなる液状体を配する工程と、液状体を介して配線4の接続部4aと半導体チップ2の端子7とを接合する工程と、液状体を焼成して金属微粒子を焼結し、配線4の接続部4aと半導体チップ2の端子7とを接続するとともに電気的に導通させる工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体パッケージや回路部品を回路基板上に実装してなる電子機器の製造において、回路基板上にはんだペーストを充填する際、ばらつきが小さく、かつ短タクトのはんだペーストの充填方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】所望の形状をした貫通孔3を有する高耐熱性材料の板体1の片面に、前記貫通孔3と同一位置に貫通孔4を有する弾性材料からなる膜2を形成してはんだ印刷用マスク5を構成する。 (もっと読む)


実装面(1)に複数の端子(3)が点在し、当該端子(3)上に導体が形成されたフリップチップ実装用電子部品の製造法において、バンプ(7)間距離を小さくし得るフリップチップ実装を実現する。そのためには、前記実装面(1)を所定厚みの導体で被覆する工程と、前記端子(3)部と対応位置となる導体表面をマスクする工程と、当該マスク(6)部以外の導体を除去処理する工程とを有し、これら工程をこの順に実施する。バンプは銅からなることが好ましい。
(もっと読む)


【課題】 電極パッドが縁辺部に均等に形成されていない半導体チップは実装部
材にうまく実装できない。
【解決手段】 縁辺に電極パッドが均等に形成されていない半導体チップの実装
部材への実装において、前記半導体チップの電極パッド上にワイヤボンディング
法にて金バンプを形成すること; この半導体チップを実装する実装部材の金バ
ンプに対向する位置に電極パッドを形成すると共に、この半導体チップの縁辺に
電極パッドを半導体チップの中心をもって上下方向、左右方向から対称の位置に
電極パッドを形成し、この電極パッドに前記金バンプと同じ高さに金バンプを形
成し、位置あわせしてから、半導体チップを実装部材に実装する半導体チップの
実装方法とこの実装部材を用いる。 (もっと読む)


【課題】 寸法精度の高い安価な微細構造体を大量に製造することができる。
【解決手段】 本発明の製造方法は、絶縁性基板に電極を形成してなる回路基板を備え、電極上に金属導体を有する微細構造体の製造方法であって、金属導体の形状に合わせて貫通孔を形成した絶縁性の樹脂型を、金属粉末を含有する導電性接着剤層を介して回路基板上に固定する工程と、導電性接着剤層上で、樹脂型に金属導体を電鋳により形成する工程と、樹脂型を除去する工程と、除去した樹脂型直下の導電性接着剤層を除去する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップがバンプを介して配線基板に電気的接続された半導体装置であって、半導体チップを配線基板に実装する際に、バンプからの反作用により半導体チップおよび配線基板に負荷される荷重が低減された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの電極表面および配線基板に接合された小さなばね定数を有するバンプの接合端面を平坦化および活性化し、高温高圧を負荷する必要のない常温接合技術を用い、バンプを介して半導体チップの電極と配線基板の電極とを電気的接続する。 (もっと読む)


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