【課題】 本発明は、信頼性に優れた実装構造体、配線基板、および配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記の課題を解決するため、本発明の実装構造体１は、絶縁層６と導電層５とが積層されてなり、絶縁層６に設けられ一端側で導電層５と接続されているビア導体９を有する配線基板２と、配線基板２に実装され、ビア導体９の他端側に接続されている半導体素子３と、を備えた実装構造体１であって、ビア導体９は一端側から他端側に向かって幅が小さくなるとともに、ビア導体９の一部は絶縁層６の表面から突出しており、ビア導体９の突出部９ｃは、突出方向の途中に括れ部９ａを有し、半導体素子３と接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通電極の接続状態を、容易に検査し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に開口面積が大、中、小の少なくとも３種類の貫通孔３、４、５ａ、５ｂ、５ｃを形成する工程と、開口面積が異なる少なくとも３種類の貫通孔に導電層を形成し貫通電極４、５ａ、５ｂ、５ｃを作成する工程と、３種類の貫通電極のうち、開口面積が大の貫通孔を有する貫通電極及び小の貫通孔を有する貫通電極の接続抵抗をそれぞれ測定することにより貫通電極の接続状態を判定する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実装密度の向上に伴い微細化され、再配線基板や半導体ウエハなどの半導体実装用基板に設けられる電極に、はんだ合金を高品質にプリコートする方法を提供する。
【解決手段】前記基板上の電極が設けられている領域に、はんだ紛とビヒクル成分とを含有するペースト材料１３を供給し、該領域と隣接する電極が設けられていない領域５には、はんだ紛を含有せず、前記ビヒクル成分からなるペースト材料１４を供給し、しかる後、前記基板を加熱して前記はんだ紛を溶融することにより、前記電極にはんだ合金をプリコートすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをガラスのようなリジット基板にフリップチップ実装する場合でも、電気的接続性が良好で信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子素子１上に形成された複数の金属バンプ２と実装回路用基板６に形成された複数の電極パッド３とが接着剤層５を介して電気的に接続された電子装置であって、前記基板と各電極パッドとの間には柔軟層５が形成されており、該柔軟層の形状が電極パッド１個または数個ごとに分断された島状であることを特徴とする電子装置。 （もっと読む）

【課題】導電部の高さの異なる電子部品を実装する場合であっても、接触抵抗及びインダクタンスを小さくすることができ、かつ導電性に優れ、低コスト化が図れる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】平板状の弾性体からなる基体１、基体１の厚さ方向に所定の間隔で並んで配された複数の貫通孔２、貫通孔２内に本体部３ｃが充填され、一端と他端とにそれぞれ第一突出部３ａと第二突出部３ｂとを有し、第一突出部３ａが基体１の一面１ａに、第二突出部３ｂが基体１の他面１ｂに突出するように配された導電部材３、基体１の一面１ａにあって、第一突出部３ａがそれぞれ貫通するような第一開口部４ｃを設けてなる可撓性の基板４、及び基板４上に複数配され、各々に第一突出部３ａが貫通するような第二開口部５ｄが一端３ａ側の近傍に設けてなる長丸状の電極５、から少なくともなり、電極５は互いに離間部をもって配されていること。 （もっと読む）

【課題】 金スタッドバンプを用い半田バンプとのリフローの際にカーケンダルボイドの発生しないフリップチップ接続用基板を提供する。
【解決手段】 プリント配線板１０では、スズから成る半田バンプ１４の表面に、金スタッドバンプ２４を構成する金よりも拡散速度の遅いパラジューム膜１６が被覆されている。このため、リフローの際に、パラジュームにより金スタッドバンプの金が半田バンプのスズ中に拡散する速度を低下させ、カーケンダルボイドが発生しない。これにより、カーケンダルボイドによる内部クラックの発生を抑え、半導体チップ２０の発熱時における内部クラックの拡大による抵抗値の上昇、内部クラック内の空気の熱膨張による接続信頼性の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ＮＳＭＤ型ランド構造を有するＢＧＡ型パッケージの半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板ＷＢの表面に配置された半導体チップと、配線基板ＷＢの裏面ｓ２に配置された配線ＭＷ、配線ＭＷ端のランド部ＭＬ、ソルダレジストＳＲ、ボール電極ＥＢ、および、保護樹脂ＰＲとを有する半導体装置であって、半導体チップと配線ＭＷとは電気的に接続され、ソルダレジストＳＲは配線基板ＷＢの裏面ｓ２において配線ＭＷを覆うように形成され、ソルダレジストＳＲはランド部ＭＬ上においてＮＳＭＤ型の開口部ＯＦを有し、ボール電極ＥＢはランド部ＭＬに電気的に接続されるようにして形成され、保護樹脂ＰＲはボール電極ＥＢとランド部ＭＬとの接触部を含むソルダレジストＳＲの開口部ＯＦ内を埋め込むようにして形成され、保護樹脂ＰＲは有機酸、溶剤、および、硬化剤を含む熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】室温でも接合面の洗浄することができ、容易に基板同士を接合できる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】接合装置１は、処理室としてのチャンバー２と、チャンバー２内に設けられ基板３を設置するステージ４と、チャンバー２に連通されたガス導入路５及びガス排出路６とを備える。ガス導入路５に紫外光照射部20が設けられており、供給される酸素ガスを紫外光照射部20によって励起して第１の洗浄ガスを生成し得るように構成されている。第１の洗浄ガスがチャンバー２内へ供給されると、第１の接合面10a及び第２の接合面11aに付着した有機物と酸化反応する。これにより、接合装置１は、第１の接合面10a及び第２の接合面11aから有機物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極の間隔が狭くなると、電極上に低融点金属層を安定して形成することが困難になる。
【解決手段】 （ａ）表面にパッドが形成された基板の該表面に、該パッドを覆うように樹脂膜を形成する。（ｂ）樹脂膜をエッチバックすることにより、パッドの上面を露出させる。（ｃ）上面が露出したパッド、及びパッドが形成されていない領域に残っている樹脂膜の上に、金属ペーストを塗布する。（ｄ）基板を加熱することにより、金属ペーストに含有されていた金属をパッドの上面の上に凝集させる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグ等の半導体装置における半導体チップの実装に関して、従来のＡＣＰ実装等に代えて、安価かつ高接続強度の半導体チップの実装を行うことで、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プリント配線基板の基板電極には少なくとも一つの凸部を、半導体チップのバンプ電極には少なくとも一つの凹部を形成し、前記凸部の少なくとも一つと前記凹部の少なくとも一つを嵌合して電気的接続をさせることで、安価かつ高強度にて半導体チップの基板電極への実装を行う。その結果、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイの電極と回路基板の電極との接合を行うボンディング装置において、接合荷重を低減すると共に簡便な方法で効率的に各電極の接合を行う。
【解決手段】金属ナノペーストを用いて半導体ダイ１２の電極と回路基板１９の電極とを接合するボンディング装置１０において、金属ナノペーストの微液滴を電極上に射出してバンプを形成するバンプ形成機構２０と、半導体ダイ１２のバンプを回路基板１９のバンプに押し付けて各電極を非導通状態で１次接合する１次接合機構５０と、１次接合された各バンプを接合方向に向かって加圧及び加熱して各バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて各電極が導通するよう２次接合する２次接合機構８０とを有する。 （もっと読む）

【課題】搭載面に露出して形成された複数本の導体パターンの各露出面の全面が金属ろう材層で覆われた配線基板であって、導体パターンの狭ピッチ化によって、隣接する導体パターン間で金属ろう材のブリッジ等が発生する従来の配線基板の課題を解決する。
【解決手段】電子部品が搭載される搭載面に形成された複数本の導体パターン１６のうち、少なくとも前記電子部品のバンプが当接する当接面及びその両側面から成る露出面の全面がはんだ層３０で覆われており、はんだ層３０が溶融されて、導体パターン１６に対応する電子部品のバンプと当接して電気的に接続される配線基板１０であって、前記当接面が露出して隣接する導体パターン１６，１６の間を充填する樹脂層３２に、導体パターン１６の側面を覆うはんだ層３０が露出する溝３４が、導体パターン１６の両側面の各々に沿って形成され、且つはんだ層３０が溶融されたとき、溶融状態のはんだが隣接する導体パターン１６側に流出することを防止する隔壁が、前記樹脂層３２によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、プラズマ処理によって樹脂層を大きく損傷して除去する従来の表面処理方法の課題を解決する。
【解決手段】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、前記樹脂層を実質的に損傷することなく粗化できるように、前記樹脂異物を含む金属被膜の露出面にプラズマ処理を施した後、前記金属被膜の露出面の全面に、ノズルからエッチング液を噴射するスプレー式エッチングによってエッチングを施しつつ、前記樹脂異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスあるいは光学デバイスの実装において使用される、半田ボール、金ボール、または銅ボールなどの微小粒子をウェハなどのワークに対して所望のパターンに従って精度良く、そして、高い信頼性で配列された導電性ボールを備えたワークを歩留まり良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】マスク４５は、導電性ボール４８をウェハ１０の所定の位置に配置するための開口パターン４６を含む。当該方法は、マスク４５とウェハ１０とを位置合わせし、マスク４５の開口パターン４６に導電性ボール４８を充填し、マスク４５とウェハ１０とを外した後に、マスク４５の裏面側から、マスク４５の開口パターン４６に詰まった状態の導電性ボール４８ｄおよび／またはマスク４５の裏面４５ｂに着いた導電性ボール４８ｃを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】突起構造と半導体素子の電極とを接続する構造において、突起構造への熱応力の集中を緩和する。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層１２と、絶縁樹脂層１２の一方の主表面Ｓ１に設けられた配線層１４と、配線層１４と電気的に接続され、配線層１４から絶縁樹脂層１２側に突出している突起電極１６と、を備える。突起電極１６の側面は、突起電極１６の中心軸１６ｚを含む断面視で中心軸１６ｚ方向に湾曲するとともに、側面の曲率半径が配線層側端部１６ａから先端側端部１６ｂにかけて連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差から生じさせる不良を防止でき、リフロー時ソルダが必要以上に金属ポストの側面に広がることを防止することにより、ソルダの使用量を最小化できるポストバンプ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポストバンプの形成方法は、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階Ｓ２００と、開口部の一部に金属性物質を充填し、金属ポストを形成する段階Ｓ３００と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階Ｓ４００と、ソルダに熱を加えてリフローする段階Ｓ５００と、レジスト層を除去する段階Ｓ６００と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを基板に実装するに際し、はんだ付け時の擬似接触、未はんだ、及びブリッジによるはんだ付け不良を防止することが可能な半導体装置、及びその製造方法、並びにそれに用いるはんだ供給装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体パッケージ１０を基板２０に実装するに際して、はんだ供給装置４０により複数のランド端子２１・２１・・・上に半導体パッケージ１０のバンプ１１・１１・・・の形状に応じてクリームはんだ粒３・３・・・を供給し、当該供給されたクリームはんだ粒３・３・・・により各ランド端子２１・２１・・・上に形成されるクリームはんだ４・４・・・、半導体パッケージ１０及び基板２０をリフロー等して加熱することにより、半導体パッケージ１０のバンプ１１・１１・・・と基板２０のランド端子２１・２１・・・とをはんだ付けして構成する。 （もっと読む）

本発明は導電性の機械的相互接続部材（１２）を作る方法に関する。この方法は、サブミクロン直径を有し、且つ金属から作られた基板（２）の表面から突出する複数の金属ワイヤ（２ａ）を含む構造を、電気化学的に堆積する第１の段階と、前記ワイヤの部分的溶解を制御して、それらワイヤの直径を低減する第２の段階とを含む。本発明はまた、機械的及び／又は電気的相互接続を作る方法にも関する。この方法は、前述された方法に従って２つの相互接続部材を作ることと、相互接続部材を対向させて配置し、これらを相互に対向して押圧して、前記部材の表面から突出するナノメトリックワイヤの貫入及び絡み合いを実行することとの各ステップを含む。本発明はまた、そのような相互接続部材によって機械的及び電気的に相互接続されたマイクロ電子チップのスタックを含む３次元電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】電極上に精度良くはんだバンプが形成されやすい素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁性の樹脂で形成されている絶縁層１２と、絶縁層１２の表面を被覆するガラスクロス１６と、ガラスクロス１６を貫通する貫通部に設けられている電極１４と、を備える。ガラスクロス１６は、はんだとの接触角が樹脂より大きい。これにより、素子搭載用基板１０の電極１４上に精度良くはんだバンプが形成されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】 実装した半導体チップを実装基板に実装するとともに、初期不良が発見された半導体チップを容易に取り外すことが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】 第１の基板(1)の表面上に第１のパッド(2)が形成されている。第１のパッドの表面上に金属膜(3)が配置されている。第１の基板の、第１のパッドが形成された面に対向するように第２の基板(6)が配置されている。第２の基板の、第１のパッドに対向する表面上に第２のパッド(7)が形成されている。導電性のナノチューブ(8)の一端が第２のパッドに接続され、他端が金属膜内に埋め込まれている。金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 （もっと読む）