【課題】回路基板上にＬＳＩ等半導体素子を含む半導体パッケージを、はんだバンプでフリップチップ接続した半導体装置は、半導体素子の機能増大に伴う発熱量増大により、はんだ接続部で疲労破壊やクリープ破壊の発生がますます増加する傾向にあり、半導体装置の信頼性を損ねる結果となる。
【解決手段】フリップチップ接続する半導体パッケージの、半導体素子から回路基板への熱の伝導をより効果的とするため、はんだバンプに代わり、高熱伝導率を有するグラファイトバンプ（グラファイト突起電極）を導入する。そのグラファイトバンプは、半導体パッケージ及び回路基板の両接続点間を導通する複数のグラファイト層を有し、各グラファイト層は導電性接合材料によって互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板本体を薄くした場合にもはんだバンプを均一に平坦化することができる配線基板のはんだバンプ平坦化方法および配線基板のはんだバンプ平坦化装置を提供する。
【解決手段】配線基板４０における基板本体４１の一方の面に複数のはんだバンプ４２が形成されている。配線基板４０に対し上治具３０の下面３０ａを複数のはんだバンプ４２に押し当てて複数のはんだバンプ４２を平坦化する。基板本体４１の厚さは０．５ｍｍ以下であるとともに、はんだバンプ４２は３０００個以上形成されている。はんだバンプ平坦化の際に、複数のはんだバンプ４２を常温で上治具３０により圧力を加えることにより複数のはんだバンプ４２を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置され、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられており、接続パッド２２は長方形状を有し、引き出し配線部２４は接続パッド２２の長手方向の端部全体から屈曲して引き出されており、接続パッド２２と引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０から露出して設けられている。引き出し配線部２４上のはんだが屈曲部Ｂ側に移動して接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続用の長手形状の接続端子の一部に凸形状を設けることにより、高密度化にも対応可能で、かつ接続に必要なボリュームと高さを有するはんだバンプを、接続端子の長手方向の所定の位置に形成可能な半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体素子接続用の長手形状の複数の接続端子を有し、これらの複数の接続端子が短手方向に並んで配置され、前記前記複数の接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記において、凸形状が、短手方向に並んで形成される複数の接続端子の長手方向の所定の位置に形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記の何れかにおいて、接続端子の長手方向における凸形状の長さが、接続端子の長さの１／５〜１／３の大きさであることを特徴とする半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】基板の凹部に対応させて、配列マスクに突出する凸部を設けることで、基板の電極に対して配列マスクの貫通孔による位置決めを可能とし、かつ、不必要な導電性ボールの供給を防ぎ、ボール搭載精度の良い導電性ボールの搭載装置を提供する。
【解決手段】導電性ボールの搭載装置に次の手段を採用する。第１に、電極２２に合わせて貫通孔３１が設けられた配列マスク３と、配列マスク上に導電性ボールを供給するボール搭載手段とを備え、配列マスクの貫通孔を介して導電性ボールを基板２上の電極に搭載する導電性ボールの搭載装置である。第２に、基板は凹部２１が形成されており、凹部の底部に電極が設けられ、かつ、電極上部から基板の上面（凹部以外の表面）までの深さが搭載される導電性ボールの直径よりも大きな凹部を有する。第３に、配列マスクは、基板と対向する面に基板の凹部に対応して突出する凸部３２を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの半田バンプとパッケージ基板ユニットの半田バンプとの接続信頼性の向上及び半田バンプ間での狭ピッチ化を図れるパッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板ユニット１の半導体チップ実装層２０は、絶縁層２１と、絶縁層２１の上面に形成された導電めっきシート層２２ａと、導電めっきシート層２２ａの上面に形成された導電パッド２３と、導電パッド２３の上面のほぼ中央部に形成される金属ポスト２４と、導電パッド２３及び金属ポスト２４とを包囲するように形成されたソルダーレジスト層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】はんだ材を用いることなく、接合界面のクラックの発生の抑制を図ることのできる電子部品の表面実装方法及び電子部品が実装された基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材１０上に、導電性回路２１と、導電性回路２１の表面側に形成される熱可塑性樹脂で構成されるレジスト３０とを設ける工程と、電子部品４０の電極４１の表面に金属層５０を設ける工程と、電子部品４０の金属層５０を、レジスト３０に押し当てながら、金属層５０の表面に略平行な方向に振動する超音波振動による負荷を与えることで、レジスト３０を溶融により部分的に除去させて金属層５０と導電性回路２１とを接合させ、その後、超音波振動による負荷をなくして、溶融した熱可塑性樹脂を冷却により硬化させる工程と、を備える電子部品４０の表面実装方法であって、金属層５０は、そのせん断強度が導電性回路２１を構成する材料のせん断強度よりも低い材料からなる薄い層で構成される。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１０１に接続パッド１０３を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド１０３を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層１０６と、保護層１０６のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層１１０と電解メッキ層１１４からなるポストバンプ１１５とを含んでなる半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】ソルダーペーストのプリント中にペーストのローリング形状を一定に維持し、粘度を長時間一定に維持するために方向転換が可能であり、ソルダーペーストの量によってスクイージーの角度調節が可能なスクイージーモジュールを提供する。
【解決手段】両方向回転が可能な回転部１１０と、回転部１１０の両側にそれぞれ固定されて伸びる支持ロッド１２０と、支持ロッド１２０の一端に固定されるスクイージーホルダー１３０と、スクイージーホルダー１３０に固定されるスクイージーブレード１４０とを含み、回転部１１０の回転によって、スクイージーホルダー１３０が昇降し、スクイージーブレード１４０の角度が調節される。 （もっと読む）

【課題】導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されるとともに、第１の主面側とこの第１の主面と相対する第２の主面側の最表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部から前記導体層が露出してなる配線基板において、導体層と半田バンプ等との密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の最表面のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出した導体層上に、Ｓｎを含む下地層を形成する。次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 （もっと読む）

【課題】共晶点における含有量が低い成分を有する合金を形成することにより電子部品をフリップチップ接合する場合であっても、高い信頼性で電子部品の接合を行い得る方法を提供する。
【解決手段】電子部品１０及び回路基板２０のうちの一方に金属または合金からなるバンプ１１を形成する。電子部品１０及び回路基板２０のうちの他方に、インクジェット法により金属または合金からなる柱状体２１を形成する。柱状体２１とバンプ１１とを合金化させることにより電子部品１０を回路基板２０に接合する。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプの表面状態を改善することにより、はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減することができる、はんだバンプを有する配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線基板は、基板準備工程、ボール搭載工程、リフロー工程、フラックス供給工程及び表面状態改善工程を行うことによって製造される。基板準備工程では、基板主面１２上にパッド２１が配置された基板１１を準備する。ボール搭載工程では、パッド２１上にはんだボールを搭載させる。リフロー工程では、はんだボールを加熱溶融させてはんだバンプ６２,６３を形成する。フラックス供給工程では、はんだバンプ６２,６３の表面にフラックスＦ２を供給する。表面状態改善工程では、フラックス供給済みのはんだバンプ６２,６３を加熱させることにより、はんだバンプ６２,６３の表面状態を改善する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、対向する接続端子間において、良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを基板に実装した後に熱負荷が加えられても位置ずれが生じない半導体デバイス実装体を提供する。
【解決手段】基板２には３つの電極４ａ，４ｂ，４ｃが設けられており、光半導体素子３には、基板２の電極４ａ，４ｂ，４ｃと対向する位置に電極５ａ，５ｂ，５ｃが設けられている。シリコン基板２の電極４ａ，４ｂと光半導体素子３の電極５ａ，５ｂは金製のスタッドバンプ７によって接合されており、シリコン基板２の電極４ｃと光半導体素子３の電極５ｃは、半田６によって接合されている。スタッドバンプ７は予めシリコン基板２の電極４ａ，４ｂに設けられていたものであり、このスタッドバンプ７の先部が、光半導体素子３の金メッキされた電極５ａ，５ｂに固相接合されている。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を用いることなく、高密度な端子であっても高いパターニング精度で端子の表面に半田層を形成することができる半田層の形成方法、かかる半田層の形成方法により形成された半田層を用いた端子間の接続方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半田層の形成方法は、樹脂組成物層１１、１３と金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１を用いて、インターポーザー（基材）３０に設けられた端子４１の表面に半田層８５を形成する方法であり、インターポーザー３０の端子４１が設けられている面側に、導電接続シート１を配置する第１の工程と、導電接続シート１を加熱して、溶融状態の金属層１２を、端子４１の表面に選択的に凝集させた後に冷却することにより、端子４１の表面に半田層８５を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上のはんだバンプを形成するための、マスクを用いない直接ＩＭＳ（射出成形はんだ）法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層とを含むアセンブリが取得される。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される。濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積をはんだで充填する。はんだが固化するのを可能にする。はんだは、濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成する。固化後、基板及びはんだを再加熱してはんだをリフローさせ、はんだレジスト層の外面より上方に延びるほぼ球形のボールにする。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、再加熱するステップの結果として、ほぼ球状のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。代替的な手法においては、はんだの射出及び固化は、窒素環境又はフォーミング・ガス環境において実施され、リフロー・ステップを省略することができる。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を用いたフリップチップ接合において、印刷時とフリップチップ実装時の金属ナノ粒子の過剰な濡れ拡がりを抑制し、隣接電極とのショートを防止する。
【解決手段】第一の電極２を有する配線基板１と、前記第一の電極２と対向する位置に第二の電極６を有し前記配線基板１に実装される半導体素子５と、前記第一の電極２と前記第二の電極６との間に介在して電気的に接合される接合材料４とを備え、前記第一の電極２と前記第二の電極６の側面に撥液層３を形成し、該撥液層３を無電解めっきによるＮｉとＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）からなる複合膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、電極とはんだバンプとの接続信頼性を高めること。
【解決手段】銅を含む第１の電極４が表面に形成された回路基板１と、第１の電極４の表面に形成され、銅と錫との反応を抑制するバリアメタル層１０と、バリアメタル層１０の上に形成された錫層１２と、錫層１２を介して第１の電極４に接合された無鉛はんだバンプ１８と、無鉛はんだバンプ１８と接合された第２の電極２２を備えた半導体パッケージ２０とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成の回路基板に対する球状体の搭載を実現する。
【解決手段】球状体を挿通させる挿通孔が形成された複数の搭載用プレート１１ａ，１１ｂと、搭載用プレート１１ａ，１１ｂの下面と基板４００の被搭載面とが互いに近接または接触して対向する対向状態となるように搭載用プレート１１ａ，１１ｂを基板４００に向けて移動させる移動処理を実行すると共に対向状態において直径が挿通孔の口径に対応する球状体を搭載用プレート１１ａ，１１ｂの上面に供給する供給処理を実行して挿通孔に挿通させた球状体を基板４００に搭載する搭載機構２とを備え、各搭載用プレート１１ａ，１１ｂには、口径が各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に互いに異なる挿通孔が形成され、搭載機構２は、移動処理および供給処理を各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に実行して口径に対応して直径が互いに異なる複数種類の球状体を１つの基板４００に対して搭載する。 （もっと読む）