【課題】対向する接続電極同士が確実に接続される。
【解決手段】線状突起物１ｂが形成された上部接続電極１を有する上部回路基板１０と、線状突起物２ｂが形成された下部接続電極２を有する下部回路基板２０と、を有し、線状突起物１ｂと線状突起物２ｂとを介して、上部回路基板１０と下部回路基板２０とが結合されることにより、線状突起物１ｂ，２ｂが接続する箇所には応力が集中され、微小な歪みが生じて、線状突起物１ｂ，２ｂによって、下部接続電極２の表面および上部接続電極１の表面に形成された酸化物または有機物が突き破られる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が実装される接続導体間の間隔を近接させることができる配線基板を提供する。
【解決手段】基材３と、この基材３上に形成された表側導体パターン８と、この表側導体パターン８上に設けられた絶縁膜５とを備え、前記絶縁膜５の不形成部に前記表側導体パターン８と接続されて設けられるとともに、半導体素子１５のパッド１７に当接して接続する転写突起導体１２を有し、前記転写突起導体１２は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填させて基板間の配線を行う場合に、数μｍの微細なスルーホール径に対してスルーホールの高さ方向の長さが長くなってもスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填することができ、よってスルーホール内の断線を防止することができる電気接続体、電気接続体の形成方法及びカートリッジを提供する。
【解決手段】液滴吐出装置１０の直径約５μｍ以下、好ましくは約１μｍ以下のノズル１２から基板２２に向けて液滴２４を噴射させ堆積する。液滴２４を複数堆積して形成された液滴堆積体において、最初の液滴３４ａ上の成長起源液滴層３４ｂの固化した直径をＲｍ１、着弾後の液滴を複数堆積して形成された液滴堆積体の最上層の液滴３４ｄの最大直径をＲｍ２としたときに、Ｒｍ１とＲｍ２との比が２：１〜１：１となる。 （もっと読む）

【解決手段】 ＣＡＤソフト２１では、ワーク１の設計図面から、半田ボール３’を描画したボール画層３４と、チップ４’の中心で交差するピッチ線Ｐを描画したピッチ画層３５を作成する。
作業点作成ソフト２２は、ＣＡＤデータからピッチ画層３５のデータを選択して、上記ピッチ線Ｐの交点のうち、描画されているチップ４’の中心に位置する交点を第１基準点Ｐ’１とし、またボール画層３４のデータを選択して、半田ボール３’の中心点を作業点として認識する。
さらに第１基準点Ｐ’１と上記作業点との相対座標値を算出し、この相対座標値を第１基準点Ｐ’１を原点とする装置座標系における作業点の座標値とする。変換した作業点の座標値に上記ピッチ線Ｐの間隔を加算することで、ＣＡＤソフトで描画していない半田ボール３の座標値を算出する。
【効果】 ＣＡＤデータから制御データを迅速かつ正確に作成することができる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を確保できる基板−電子部品間の接続構造を提供することにある。
【解決手段】セラミックス配線板１０に設けられた基板側パッド１４とＬＳＩパッケージ２０に設けられたバンプパッド２１とが、導電性材料の粒子を含む異方性導電ペーストにより形成されたバンプ１５により接続されている。このような構成によれば、半田バンプと比べて柔らかい異方性導電ペーストが使用されているため、バンプ１５と基板側パッド１４との界面にかかる応力が緩和される。このため、表面凹凸や反りが大きく、バンプ１５と基板側パッド１４との接続部分にストレスが比較的発生しやすいセラミックス配線板１０を用いた場合であっても、接続信頼性を確保できる。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ(CNT)アレイが基板上でパターニングされる。前記基板はマイクロエレクトロニクスダイ、フリップチップ用インターポーザー型構造、マウント用基板、又は回路基板であって良い。化学気相成長によって前記CNTアレイを形成するため、前記CNTアレイは、前記基板上のパターニングされた金属シード層を用いてパターニングされる。成長によって前記CNTアレイを形成するため、パターニングされたCNTアレイはまた、パターニングされたマスクを用いてパターニングされても良い。ダイからの熱輸送のために前記CNTアレイを用いるコンピュータシステムも用いられる。
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【課題】電極パッドに異なる径の半田接続部を良好な信頼性で形成する半田接続部の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の電極パッド１０７に対応する第１の開口部１４０Ａと、第２の電極パッド１１０に対応する当該第１の開口部と大きさの異なる第２の開口部１４０Ｂとを有するベースマスク１４０上に、前記第１の開口部に対応した開口部を有するとともに前記第２の開口部を覆う第１のマスクを設置して、前記第１の電極パッドに半田ボール１０９Ａを載置する第１の工程と、前記ベースマスク上に、前記第２の開口部に対応した開口部１５１Ｂを有するととともに前記第１の開口部を覆う第２のマスク１５１を設置して、前記第２の電極パッドに半田ボール１１２Ａを設置する第２の工程と、前記半田ボールを溶融する第３の工程と、を有することを特徴とする半田接続部の形成方法。 （もっと読む）

【課題】電極同士の電気的な接触性を悪化させることなく、容易にフリップチップ接続させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２および中間基板３の外部引出電極５，８および突起電極６の酸化膜を除去した後、半導体チップ２および中間基板３を大気中に取り出す工程と、大気中で突起電極６と外部引出電極８とを位置合わせしたのち低酸素濃度雰囲気中に入れる工程と、低酸素濃度雰囲気中で半導体チップ２および中間基板３を突起電極６の溶融する温度条件で熱処理を行う工程とを含む。上記の位置合わせ工程では、半導体チップ２および中間基板３は、以下の式を満たす温度ｘ（℃）および曝露期間ｙ（秒）の範囲内でしか大気に曝されないようにしている。
温度ｘが３６℃以下のときには、 ｙ≦１０^-(x-57.45)／^6.031 …（１）
温度ｘが３６℃より大きいときには、ｙ≦１０^-(x-59.67)／^6.656 …（２） （もっと読む）

【課題】狭ピッチで、かつ多ピンの電極端子を有する半導体素子であっても、実装不良が生じ難く、かつ実装時の押圧力を小さくでき、接続信頼性の高い電子部品実装構造体を提供する。
【解決手段】複数の電極端子３を有する電子部品２と、これらの電極端子３に対応する位置に接続端子６を設けた実装基板５と、電極端子３と接続端子６とを接続する突起電極７とを備え、電子部品２の電極端子３と実装基板５の接続端子６とが突起電極７により接続され、突起電極７は可視光に感光する感光性樹脂と導電性フィラーとを含む導電性樹脂からなる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に高精度のマスクパターンのマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングする。
【解決手段】塗布剤４０の融解開始温度よりも低い温度にされた銅箔６０に、ノズル５０から溶融した塗布剤４０を噴射して塗布すると共にその塗布剤４０を凝固させ、銅箔６０上にマスクを形成する。そして、凝固した塗布剤４０で構成されるマスクのマスクパターンに基づいて銅箔６０をエッチングしてパターニングする。この後、マスクである塗布剤４０を加熱して溶融させ、銅箔６０からマスクである塗布剤４０を除去する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号特性に優れ、内部配線パターンの面積を大きく取ることが可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】この半導体パッケージは、多層プリント配線板１２と、その表面上に実装されたＩＣチップと、多層プリント配線板１２の裏面上に実装された複数のバンプ端子１６とを備える。バンプ端子１６は、平面４０を有する絶縁コア４２と、平面４０以外の表面上に形成された導電膜４４とを含む。導電膜４４の端面は絶縁コア４２の周囲に環状に現れ、多層プリント配線板１２の裏面に形成されている環状の接続パッド５２にはんだ付けされる。バンプ端子１６の真上にはビア３６が形成され、内部配線パターン２８，３０にはビア３６が通るクリアランスホール３４が形成される。クリアランスホール３４の径はバンプ端子１６の径よりも小さくされる。 （もっと読む）

【課題】第１樹脂層に形成されたパッドを覆う第２樹脂層に炭酸ガスレーザのレーザビームを照射し、第２樹脂層を部分的に除去してパッド表面を露出する開口部を形成する際に、形成された開口部の底面を形成する第１樹脂層の露出面を平坦面に形成し得る炭酸ガスレーザによるザグリ加工方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板３０の表面に形成された導体パターン３２に電気的に接続されたパッドを覆う樹脂層３４に炭酸ガスレーザのレーザビームを照射し、樹脂層３４を部分的に除去してパッド表面を露出するザグリ加工を施す際に、該樹脂基板３０の炭酸ガスレーザのレーザビームに対する耐久性を樹脂層３４よりも高くなるように、樹脂基板３０中のフィラーの配合比率を樹脂層３４中よりも高くし、且つ樹脂層３４に照射する炭酸ガスレーザのレーザビームのエネルギーを、樹脂基板３０にレーザ加工を施すことができないように調整して行う。 （もっと読む）

【課題】ジェットプリンティングにより形成される接触構造を提供する。
【解決手段】接触構造１００は、接触部位１０１および接触エレメント１０２を含む。接触部位１０１は、導電トレース、接触パッド、もしくはそのほかの、電子デバイスに対する接続を可能にする。接触部位１０１は、基板１０３上に形成する。基板１０３は、ガラス、セラミクス、プリント回路基板、もしくはそのほかの、電子デバイスのマウントに適した基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半田滴が酸化されることを不活性ガスの供給によって防止しつつも、着弾位置の精度を従来よりも向上し得る溶融金属吐出装置を得る。
【解決手段】ノズルプレート４は、平板状のプレート部４２と、プレート部４２の底面の中央部から下方に向けて先細り状に突出した突出部４１とを有している。突出部４１の下端には、半田滴８が滴下される吐出口５が規定されている。供給パイプ２０から供給された窒素ガスは、突出部４１の側面で受け止められた後、半田滴８の吐出方向（即ち下方）に向きを変えて噴出される。ダイアフラムとして機能する薄板部３には、その底面の中央部から下方に向けて先細り状に突出した突出部１０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】所定の配線を終えパッシベーションのパターンエッチングが終了した基板上のレジストマスクを剥離する前に、金属化合物の被膜を形成し、（ａ）該レジストマスク及び金属化合物被膜を剥離除去した後に配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元するか、（ｂ）配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元した後に該レジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去してから、金属化合物の被膜を還元し、得られた金属膜を無電解めっきの活性化触媒膜および中間膜とし、該中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バンプが所定の高さを確保できるバンプ形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のバンプ形成方法は、ランド部２上に形成された電極７が形状形成手段８によって所定の形状に形成されて、バンプ１３が形成されるため、バンプ１３は、所定の高さ（厚み）に形成できて、所定の高さ（厚み）のバンプ１３が得られると共に、高さが均一で、微細ピッチのバンプが得られる。 （もっと読む）

【課題】 形成する金めっき層に関わらず、充分な接合強度で半導体素子と接合することができる回路基板の製造方法および半導体素子と回路基板とが充分な接合強度で接続された半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ステップＡ３の金めっき層形成工程で、基板上の配線表面に形成された下地金属層上に金めっき層を形成することによって、半導体素子を接続させる電極を形成し、ステップＡ４の除去工程で、金めっき層を厚みで２０ｎｍ以上除去する。そうすることによって、半導体素子を接続させる回路基板を製造する。さらに、接合工程で、除去後の金めっき層と、半導体素子の金からなる突起状の接続電極とを接合することによって、半導体素子と回路基板とが接続された半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 電気錫めっきが酸化することのないはんだバンプ形成設備を提供する。
【解決手段】 本発明では、下記の工程を一連の設備内で行う。
（１）真空設備内で、アルゴンプラズマにより電気錫めっき表面の酸化物を除去する。
（２）真空中もしくは、不活性ガス（アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体）中で加熱する。
（３）不活性ガス（アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体）中で接着剤を塗布する。
（４）不活性ガス（アルゴン、窒素、ヘリウムまた、酸化を抑制するため、不活性ガス中に水素を混合させた気体）中で接着剤を半硬化する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続信頼性に優れたはんだバンプの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１表面に被着したソルダーレジスト層１２の開口部１３に露出した複数の電極１４表面にはんだバンプ３０を形成する方法であって、各電極１４の露出した一端側が接合される半導体チップの鉛直投影面積外に位置するように開口部１３を前記投影面積外に延設する工程と、半導体チップのバンプ接合部位２０を除く電極露出部位に樹脂マスク層２１を形成する工程と、バンプ接合部位２０の電極１４表面にはんだペースト組成物を充填し加熱してはんだバンプ３０を形成する工程と、はんだバンプ３０を形成した後に樹脂マスク層２１を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

第一の電子的コンポーネント（１）、特に半導体のダイ、及び第二の電子的コンポーネント（２）、特に基板は、それぞれメイン・サーフェスを備えており、メイン・サーフェスのそれぞれの上に、インジウム・レイヤを有する少なくとも一つの金属レイヤ（３，３’）を貼り付けることにより、互い接合される。その後で、半導体のダイ及び基板は、メイン・サーフェスを互いに向かい合わせて、互いに対して並べられる。ダイ及び基板は、金属のレイヤ（３，３’）を間に挟んで集合体を形成し、この集合体は圧縮手段の中に導入される。その後で、その集合体は、圧縮手段において、１０〜３５ＭＰａの範囲内の圧力で圧縮され、且つ、２３０〜２７５℃の範囲内の温度が集合体に加えられ、この温度及び圧力により、電子的コンポーネント（１，２）が互い接合される。この圧縮プロセスは、圧縮手段の中で、酸素を含むガス雰囲気中で実施可能である（図１）。
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