加工品の製造方法
【課題】被加工物に高精度のマスクパターンのマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングする。
【解決手段】塗布剤４０の融解開始温度よりも低い温度にされた銅箔６０に、ノズル５０から溶融した塗布剤４０を噴射して塗布すると共にその塗布剤４０を凝固させ、銅箔６０上にマスクを形成する。そして、凝固した塗布剤４０で構成されるマスクのマスクパターンに基づいて銅箔６０をエッチングしてパターニングする。この後、マスクである塗布剤４０を加熱して溶融させ、銅箔６０からマスクである塗布剤４０を除去する。
【解決手段】塗布剤４０の融解開始温度よりも低い温度にされた銅箔６０に、ノズル５０から溶融した塗布剤４０を噴射して塗布すると共にその塗布剤４０を凝固させ、銅箔６０上にマスクを形成する。そして、凝固した塗布剤４０で構成されるマスクのマスクパターンに基づいて銅箔６０をエッチングしてパターニングする。この後、マスクである塗布剤４０を加熱して溶融させ、銅箔６０からマスクである塗布剤４０を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度に応じて融解・凝固する塗布剤で被加工物にマスクを形成し、このマスクのマスクパターンに基づいてパターニングする加工品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板にインキパターンを形成する方法が例えば特許文献１で提案されている。この特許文献１にも示されるように、一般に露光によって形成したいパターンを形成する方法が実施されている。以下に、一般的な露光の方法によって、プリント基板に配線パターンを形成する方法について説明する。
【０００３】
まず、プリント基板上に銅箔が設置されたものを用意し、銅箔上に光感光膜（フォトレジスト膜）を均一に塗布する。この後、露光機で露光することでフォトレジスト膜をパターニングする。具体的に、銅箔のうち不要な部分のフォトレジスト膜を脆くする、もしくは銅箔のうち配線となる部分のフォトレジスト膜を硬化することでフォトレジスト膜をパターニングする。
【０００４】
続いて、有機溶剤を用いて、フォトレジスト膜のうち脆い部分もしくは非硬化部分を溶解・分解する。これにより、銅箔のうちエッチングされる部分が露出する。そして、例えば塩化第二鉄溶液にて、フォトレジスト膜が開口した部分の銅箔をエッチングし、フォトレジスト膜を除去することにより、プリント基板上に配線パターンを形成する。
【０００５】
以上のような工程により、一層の配線層を有するプリント基板を形成することができる。また、上記工程を繰り返すことによって、積層プリント基板を形成することができる。
【特許文献１】特開平８−３４１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、露光によってフォトレジスト膜をパターニングした後、有機溶剤にてフォトレジスト膜のうち不要な部分を除去すると、フォトレジスト膜が除去された部分に銅箔上に残されたフォトレジスト膜が有機溶剤によって滲んでしまう（もしくは染み出してしまう）可能性がある。これにより、パターニングによって形成したフォトレジスト膜の線幅が広がってしまい、この状態で銅箔がエッチングされると、フォトレジスト膜から滲んだ（もしくは染み出した）分だけ線幅が広くなった配線が形成されてしまうこととなる。
【０００７】
近年では、プリント基板における配線の幅は細くなる傾向にあり、現在では線幅が約５０μｍになりつつある。今後、線幅はさらに小さくなると予想される。しかしながら、上記のように、フォトレジスト膜をパターニングした際、フォトレジスト膜が滲んで線幅を広げてしまうと、プリント基板上に精度良い線幅の配線を形成することができない。
【０００８】
なお、フォトレジスト膜を電子ビームで描画することによりパターニングする方法も実施されているが、有機溶剤で不要なフォトレジスト膜を除去するため、上記と同様に、精度良い線幅の配線を形成することはできない。
【０００９】
本発明は、上記点に鑑み、被加工物に高精度のマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングすることができる加工品の製造方法を提供することを第１の目的とする。また、マスクを用いずに、被加工物に所望のパターンを直接描画することができる加工品の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴では、塗布剤（４０）の融解開始温度よりも低い温度にされた被加工物（１０、６０、９０、９５）に、ノズル（５０）から溶融した塗布剤を噴射して塗布すると共にその塗布剤を凝固させ、被加工物にマスクパターン状のマスクを形成する。そして、このマスクに基づいて被加工物をパターニングし、この後、マスクを加熱して溶融させて被加工物からマスクを除去する。
【００１１】
このような製造方法では、溶融した塗布剤を被加工物に塗布したと同時に凝固させることができるので、塗布剤の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、塗布剤は、溶融して凝固する温度幅が５℃以下になっている。このため、加熱して溶融させた塗布剤は、溶融した塗布剤の温度からわずか５℃低い被加工物上に塗布されることで、塗布されると同時に凝固する。これにより、被加工物に高精度のマスクを形成することができ、このマスクに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００１２】
本発明の第２の特徴では、被加工物（１０、６０）の表面に粉末状の塗布剤（４０）を敷き、被加工物の表面に敷かれた粉末状の塗布剤のうち、マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融する。このとき、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクを形成する。そして、被加工物上に残された粉末状の塗布剤を除去し、マスクのマスクパターンに基づいて被加工物をパターニングした後、マスクを加熱して溶融させ、被加工物からマスクを除去する。
【００１３】
このような製造方法では、マスクとなる部分の粉末状の塗布剤のみを加熱して溶融・凝固させているので、局所的に加熱された塗布剤の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、局所的に加熱された場所の粉末状の塗布剤が加熱されなくなると同時に凝固する。これにより、被加工物に高精度のマスクを形成することができ、このマスクに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００１４】
上記製造工程で用いられる塗布剤として、融解開始温度と融解終了温度との温度差が５℃以下のものを用いることができる。小さい温度差で塗布剤を融解・凝固させることが好ましく、温度差は２℃であることが好ましい。
【００１５】
上記のような場合、塗布剤にはんだが添加されたはんだ剤を被加工物上にドット状に凝固させ、いわゆるリフローすることにより、被加工物上にはんだバンプ（３０）を設けることができる。これにより、被加工物に対して他の電子部品やワイヤ等ではんだを介した電気的接続を行うようにすることができる。
【００１６】
また、上記のような場合において、被加工物（１０、６０）としてプリント基板（１０）を用いる場合であって、このプリント基板に貫通孔（１１）が設けられている場合、溶融した塗布剤を貫通孔の開口部分に噴射して凝固することにより、貫通孔の開口部分を塞ぐことができるので、貫通孔に異物などを入り込ませないようにすることができる。また、塗布剤は、わずか５℃以下の温度差で融解・凝固するため、蓋部が不要になった場合、温度を加えるだけで蓋部を容易に取り外すことができる。
【００１７】
さらに、上記のような場合において、溶融した塗布剤を貫通孔内に噴射して凝固することにより、貫通孔に塗布剤を埋めて貫通孔を塞ぐことができるので、貫通孔に異物を侵入させないようにすることができる。また、加熱するだけで、貫通孔内の凝固した塗布物を容易に取り除くことができる。
【００１８】
本発明の第３の特徴では、シート部材（２００）に塗布剤（４０）が塗布された描画シート（１００）を用意し、被加工物（６０）と塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。次に、描画シートのうちシート部材のみを除去する。そして、被加工物上の塗布剤のうち、マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融し、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する。この後、マスクに基づいて被加工物をパターニングし、マスクを加熱して溶融させて被加工物から除去することを特徴としている。
【００１９】
これにより、塗布剤のうちマスクとなる部分のみを加熱して溶融・凝固させているので、局所的に加熱された塗布剤の滲みや染み出しを防止することができ、高精度のマスクを形成することができる。これにより、精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００２０】
また、本発明の第４の特徴では、シート部材（２００）にはんだ材料が含まれた塗布剤（４２）が塗布された描画シート（１１０）を用意し、被加工物（２０、６０）と上記塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。そして、描画シートのうちシート部材のみを除去する。続いて、塗布剤のうち、はんだバンプ（３０）の形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、被加工物にはんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する。この後、被加工物上の塗布剤を熱処理することで、塗布剤に含まれたはんだ材料を被加工物に固定し、はんだバンプを形成することを特徴としている。
【００２１】
このように、はんだ材料が含まれた塗布剤を直接加熱することにより、被加工物上にはんだバンプを直接描画することができる。すなわち、はんだバンプを形成するためのマスクを用いずに、高精度にはんだバンプを形成することができる。
【００２２】
この場合、はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する際には、はんだ材料が含まれた塗布剤のうち局所的に加熱されなかった部分を除去することができる。これにより、被加工物上から不要なものを無くし、加熱処理を行うようにすることができる。
【００２３】
さらに、被加工物上にはんだバンプを形成した後、はんだ材料が含まれていない塗布剤（４０）がシート部材（２００）に塗布された描画シート（１００）を用意し、被加工物とはんだ材料が含まれていない塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置して、描画シートのうちシート部材のみを除去する。そして、塗布剤のうちマスクとなる場所をはんだバンプが包み込まれるように局所的に直接加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する。この後、マスクに基づいて被加工物を配線パターンにパターニングし、マスクを加熱して溶融させて被加工物から除去することができる。
【００２４】
このように、被加工物上にはんだバンプを形成した後、はんだバンプを包み込むように塗布剤を仮固定して被加工物上にマスクを形成することができ、当該マスクによって被加工物をパターニングすることができる。このような方法により、はんだバンプが形成されたパターン（配線パターン等）を少ない工程数で形成することができる。
【００２５】
本発明の第５の特徴では、シート部材（２００）にはんだ材料が含まれた塗布剤（４２）が塗布された描画シート（１１０）を用意し、被加工物（２０、６０）と塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。続いて、シート部材において塗布剤の反対側から、塗布剤のうちはんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、被加工物にはんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する。そして、塗布剤を熱処理することで、塗布剤に含まれたはんだ材料を被加工物に固定してはんだバンプを形成することが特徴となっている。このような方法によっても、はんだバンプを被加工物上に直接描画することができる。
【００２６】
また、本発明の第６の特徴では、上記本発明の第６の特徴において、描画シートのうち、シート部材のみを除去し、はんだバンプを形成することが特徴となっている。このようにシート部材を除去して塗布剤を直接加熱することで、塗布剤を高精度に加熱することができる。
【００２７】
このような場合、シート部材を移動させることで、塗布剤のうち加熱されていない部分をはんだバンプの形成予定場所に移動させ、当該はんだバンプの形成予定場所に塗布剤を仮固定することができる。これにより、シート部材に設けられた塗布剤を有効利用することができる。
【００２８】
そして、塗布剤を加熱する場合、半導体レーザ（８０、８２、８４、８６、８８）から照射したレーザ光を集光レンズ（８１、８３、８５、８７、８９）で塗布剤に集光することにより当該塗布剤を局所的に加熱することができる。
【００２９】
この場合、塗布剤の融解開始温度と融解終了温度を、１８℃〜１００℃の範囲内にすることができる。
【００３０】
このような温度範囲を設けることにより、加工したい被加工物の材質等に合わせて被加工物にマスクを形成することができる。このような融解開始温度または融解終了温度の範囲を実現するため、パラフィンもしくはポリエチレングリコールに、例えばアルミナ、カーボン、鉄、ＳＵＳ、ＳｉＣ、Ｓｉ、窒化珪素などの粉末材料を混入することが好ましい。
【００３１】
また、塗布剤を、パラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたもので構成できる。
【００３２】
このように、塗布剤としてパラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたものを用いると共に、パラフィンもしくはポリエチレングリコールの純度を上げることにより、融解開始温度と融解終了温度との温度差を小さくすることができ、上記のように５℃以下を実現できる。なお、小さい温度差で融解・凝固を起こさせるようにするため、融解開始温度と融解終了温度との温度差は２℃であることが好ましい。
【００３３】
さらに、パラフィンとしては、以下（１）〜（５）に示すノルマルパラフィンと非ノルマルパラフィンとを組み合わせたパラフィンも使用できる。なお、組成割合の%はすべて重量%である。また、パラフィンの融解開始温度と融解終了温度との温度差は後述するように５℃以下であることが好ましいが、さらに小さい温度差であることが好ましい。以下では、その温度差が小さいものについて示す。
【００３４】
（１）ノルマルパラフィンの成分合計８８．９９%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１８のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．４１%
炭素数２０のノルマルパラフィン：１．７６%
炭素数２１のノルマルパラフィン：５．６１%
炭素数２２のノルマルパラフィン：１０．６６%
炭素数２３のノルマルパラフィン：１４．７６%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１４．５０%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．４２%
炭素数２６のノルマルパラフィン：９．０８%
炭素数２７のノルマルパラフィン：６．５８%
炭素数２８のノルマルパラフィン：４．０４%
炭素数２９のノルマルパラフィン：２．８８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：２．０９%
炭素数３１のノルマルパラフィン：１．５０%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．０２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：０．７２%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．３７%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．２４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．１４%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数３８のノルマルパラフィン：０．０５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は８８．９９%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００３５】
このような組成（１）からなるパラフィンの平均炭素数は２４．７４であり、分子量分布の標準偏差は２．８６であり、この標準偏差が小さいほどシャープな分子量分布を示す。また、この組成（１）のパラフィンの最大分子量は５３４、最小分子量は２５４である。従って、分子量分布幅は２８０となる。
【００３６】
このような組成（１）のパラフィンの融解開始温度：５０．４℃、融解終了温度：５１．７℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．３℃と僅少値に設定できる。
【００３７】
（２）ノルマルパラフィンの成分合計８８．６４%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１８のノルマルパラフィン：０．０７%
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．２８%
炭素数２０のノルマルパラフィン：１．１０%
炭素数２１のノルマルパラフィン：３．３８%
炭素数２２のノルマルパラフィン：６．９２%
炭素数２３のノルマルパラフィン：１０．８６%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１２．６７%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．７４%
炭素数２６のノルマルパラフィン：１１．１７%
炭素数２７のノルマルパラフィン：９．１８%
炭素数２８のノルマルパラフィン：６．４３%
炭素数２９のノルマルパラフィン：４．７３%
炭素数３０のノルマルパラフィン：３．０１%
炭素数３１のノルマルパラフィン：２．１６%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．４２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：０．９８%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．５５%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．３６%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．２２%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．１５%
炭素数３８のノルマルパラフィン：０．１１%
炭素数３９のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数４０のノルマルパラフィン：０．０６%
以上ノルマルパラフィン成分合計は８８．６４%、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００３８】
このような組成（２）からなるパラフィンの平均炭素数は２５．６１、分子量分布の標準偏差は３．０５、最大分子量は５６２、最小分子量は２５４である。従って、分子量分布幅３６６となる。この組成（２）のパラフィンの融解開始温度：５２．５℃、融解終了温度：５３．７℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．２℃と僅少値に設定できる。
【００３９】
（３）ノルマルパラフィンの成分合計８９．５７%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数２０のノルマルパラフィン：０．３４%
炭素数２１のノルマルパラフィン：１．３１%
炭素数２２のノルマルパラフィン：３．５０%
炭素数２３のノルマルパラフィン：７．０９%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１０．３６%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．５７%
炭素数２６のノルマルパラフィン：１２．６８%
炭素数２７のノルマルパラフィン：１１．７５%
炭素数２８のノルマルパラフィン：８．８０%
炭素数２９のノルマルパラフィン：６．９９%
炭素数３０のノルマルパラフィン：４．７４%
炭素数３１のノルマルパラフィン：３．４１%
炭素数３２のノルマルパラフィン：２．４２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：１．７０%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．９３%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．５４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．２５%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．１０%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は８９．５７%、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４０】
このような組成（３）からなるパラフィンの平均炭素数は２６．５６、分子量分布の標準偏差は２．９４、最大分子量は５２０、最小分子量は２６８である。従って、分子量分布幅は２５２となる。この組成（３）のパラフィンの融解開始温度：５４．６℃、融解終了温度：５５．６ ℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．０℃と僅少値に設定できる。
【００４１】
（４）ノルマルパラフィンの成分合計７１．１１%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数２３のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数２４のノルマルパラフィン：０．１６%
炭素数２５のノルマルパラフィン：０．３９%
炭素数２６のノルマルパラフィン：０．８７%
炭素数２７のノルマルパラフィン：１．５２%
炭素数２８のノルマルパラフィン：１．９９%
炭素数２９のノルマルパラフィン：２．６８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：３．１４%
炭素数３１のノルマルパラフィン：３．７１%
炭素数３２のノルマルパラフィン：３．９４%
炭素数３３のノルマルパラフィン：４．０７%
炭素数３４のノルマルパラフィン：４．３７%
炭素数３５のノルマルパラフィン：４．９４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：５．４９%
炭素数３７のノルマルパラフィン：６．００%
炭素数３８のノルマルパラフィン：５．４４%
炭素数３９のノルマルパラフィン：４．５０%
炭素数４０のノルマルパラフィン：３．７１%
炭素数４１のノルマルパラフィン：３．０１%
炭素数４２のノルマルパラフィン：２．５３%
炭素数４３のノルマルパラフィン：１．９４%
炭素数４４のノルマルパラフィン：１．５５%
炭素数４５のノルマルパラフィン：１．０６%
炭素数４６のノルマルパラフィン：０．８４%
炭素数４７のノルマルパラフィン：０．５８%
炭素数４８のノルマルパラフィン：０．４５%
炭素数４９のノルマルパラフィン：０．３３%
炭素数５０のノルマルパラフィン：０．３２%
炭素数５１のノルマルパラフィン：０．２６%
炭素数５２のノルマルパラフィン：０．２１%
炭素数５３のノルマルパラフィン：０．１９%
炭素数５４のノルマルパラフィン：０．１７%
炭素数５５のノルマルパラフィン：０．１５%
炭素数５６のノルマルパラフィン：０．１３%
炭素数５７のノルマルパラフィン：０．１１%
炭素数５８のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数５９のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数６０のノルマルパラフィン：０．０６%
炭素数６１のノルマルパラフィン：０．０５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は７１．１１%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４２】
このような組成（４）からなるパラフィンの平均炭素数は３６．３４、分子量分布の標準偏差は５．７０、最大分子量は８５６、最小分子量は３２４である。従って、分子量分布幅は５３２となる。この組成（４）のパラフィンの融解開始温度：７２．１℃、融解終了温度：７３．４℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．３℃と僅少値に設定できる。
【００４３】
（５）ノルマルパラフィンの成分合計７５．７８%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数２９のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：０．２３%
炭素数３１のノルマルパラフィン：０．６９%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．３６%
炭素数３３のノルマルパラフィン：１．７７%
炭素数３４のノルマルパラフィン：２．０２%
炭素数３５のノルマルパラフィン：２．２１%
炭素数３６のノルマルパラフィン：２．４１%
炭素数３７のノルマルパラフィン：３．０２%
炭素数３８のノルマルパラフィン：３．５８%
炭素数３９のノルマルパラフィン：３．５２%
炭素数４０のノルマルパラフィン：３．９４%
炭素数４１のノルマルパラフィン：４．１３%
炭素数４２のノルマルパラフィン：５．１５%
炭素数４３のノルマルパラフィン：４．９５%
炭素数４４のノルマルパラフィン：５．５４%
炭素数４５のノルマルパラフィン：４．５５%
炭素数４６のノルマルパラフィン：４．７１%
炭素数４７のノルマルパラフィン：３．５３%
炭素数４８のノルマルパラフィン：３．０８%
炭素数４９のノルマルパラフィン：２．３８%
炭素数５０のノルマルパラフィン：２．１６%
炭素数５１のノルマルパラフィン：１．６８%
炭素数５２のノルマルパラフィン：１．３５%
炭素数５３のノルマルパラフィン：１．２１%
炭素数５４のノルマルパラフィン：１．００%
炭素数５５のノルマルパラフィン：０．８５%
炭素数５６のノルマルパラフィン：０．８０%
炭素数５７のノルマルパラフィン：０．６３%
炭素数５８のノルマルパラフィン：０．５９%
炭素数５９のノルマルパラフィン：０．４９%
炭素数６０のノルマルパラフィン：０．４１%
炭素数６１のノルマルパラフィン：０．３４%
炭素数６２のノルマルパラフィン：０．３８%
炭素数６３のノルマルパラフィン：０．３６%
炭素数６４のノルマルパラフィン：０．３０%
炭素数６５のノルマルパラフィン：０．２３%
炭素数６６のノルマルパラフィン：０．１５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は７５．７８%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４４】
このような組成（５）からなるパラフィンの平均炭素数は４３．６９、分子量分布の標準偏差は６．８１、最大分子量は９２６、最小分子量は４０８である。従って、分子量分布幅は５１８となる。この組成（５）のパラフィンの融解開始温度：８６．２℃、 融解終了温度：８７．９℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．７℃と僅少値に設定できる。
【００４５】
また、ポリエチレングリコールとしては次のようなものを使用できる。例えば、平均分子量：１５４０のポリエチレングリコールは、融解開始温度：４６℃、融解終了温度：４７．２℃である。したがって、この融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．２℃という僅少値に設定できる。
【００４６】
また、平均分子量４０００のポリエチレングリコールは、その分子量の最大値は５４６４、最小値は１６８９、数平均分子量Ｍｎ：２８６６、重量平均分子量Ｍｗ：２９３５、Ｚ平均分子量Ｍｚ：３００４、分子量分布分散度（１に近いほどシャープな分布を示す）Ｍｗ／Ｍｎ：１．０２３８、Ｍｚ／Ｍｗ：１．０２３７である。この平均分子量４０００のポリエチレングリコールの融解開始温度：５５．１℃、融解終了温度：５６．４℃である。したがって、融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．３℃という僅少値に設定できる。
【００４７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００４９】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。
【００５０】
図１は、本発明に係る製造方法によって形成されたプリント基板の断面図である。この図に示されるように、プリント基板１０上に配線２０が形成されており、この配線２０上にはんだバンプ３０が設けられている。本実施形態では、プリント基板１０のサイズは例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ（大きなものでは、１０００ｍｍ×１０００ｍｍのものもある）である。また、配線２０は、例えば銅箔で形成されたものであり、配線２０の幅は例えば３０μｍ〜５０μｍ、厚さは例えば数μｍである。さらに、はんだバンプ３０は、プリント基板１０に搭載される電子部品、外部と接続するためのワイヤやリード等と配線とを電気的に接続するために用いられるものである。
【００５１】
次に、図１に示される配線２０を有するプリント基板１０の製造方法について、図を参照して説明する。図２は、印刷装置を用いて印刷する方法によって上記配線２０のパターンを形成する製造工程を示した図である。
【００５２】
本実施形態では、印刷装置を用いた方法によって配線パターンを形成するため、まず、印刷装置について説明する。本実施形態に係る印刷装置は、プリント基板１０上に溶融した塗布剤４０を噴射するノズル５０と、ノズル５０の周辺を冷たいエア等で冷却する冷却エア吹き出し口５５と、ノズル５０を駆動する図示しない駆動装置と、駆動装置にノズル５０を駆動するデータを出力する図示しない制御装置と、を備えて構成されている。なお、図２において、図２（ａ）のみにノズル５０の概略断面図を示してある。
【００５３】
上記印刷装置では、塗布剤４０としてパラフィンを主成分とするものを用いる。この塗布剤４０の融解開始温度（融点）は例えば５３℃であり、融解終了温度は５５℃〜５８℃である。すなわち、塗布剤４０は、温度幅が２℃〜５℃で溶融または凝固の状態変化が完了するものになっている。このため、塗布剤４０の温度をわずか２〜５℃変化させるだけで塗布剤４０を容易に融解・凝固させることができる。なお、わずかな温度差で塗布剤４０を融解・凝固するようにするため、塗布剤４０の溶融開始温度と溶融終了温度との温度差は２℃であることが好ましい。また、パラフィンを主成分とするものとは、パラフィン単体のものも含んでいる。
【００５４】
塗布剤４０においては、パラフィンにアルミナ、カーボン、鉄、ＳＵＳ、ＳｉＣ、Ｓｉ、窒化珪素などの粉末材料を混入することもできる。また、塗布剤４０の融点を例えば１８〜１００℃の範囲で設定することができる。このようにパラフィンに添加する材料は、パターニングの対象となるものの材質に応じて設定することができる。
【００５５】
例えば、（１）パラフィン材料１００重量％、（２）パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末の（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）１０〜６０重量％、更に、松ヤニが０〜２０重量％、）、（３）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（４）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ＳｉＣ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（５）パラフィンの含有量が０〜１００重量％、銅（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（６）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなどがある。また、（７）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、カーボン・グラファイト（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（８）パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでシルク印刷材料の含有量が５〜１００％のもの、（９）パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでグリーンマスク印刷材料の含有量が５〜１００％のもの等を使うことができる。
【００５６】
上記パラフィン材料はＣｎＨｍの分子式（ｎ、ｍは任意の整数）で記述され、ｎが小さくなると融解温度が低くなり、ｎが大きくなると融解温度が高くなる。したがって、ｎが大きいものや小さいものが混ざると、融解温度に幅ができてしまう。そこで、上記のように融解温度の幅が２℃〜５℃になるようにするため、パラフィンの純度を向上させる。具体的に、パラフィンの分子量分布幅が狭いほどパラフィンの純度は高くなる。すなわち、例えば室温付近で２℃の温度差で融解したい場合、分子量分布幅が約５０〜３０００のものを用いる。また、５０℃付近で融解するパラフィン材料においては、分子量分布幅が１００〜１００００のものを用いる。さらに、９０℃付近で融解するパラフィン材料においては、分子量分布幅が５００〜１０００００の幅のものが好ましい。
【００５７】
分子量分布幅を狭める方法は、パラフィン材料の精製による。したがって、精製を精度良く行うと、分子量分布幅は小さくなる。そして、分子量分布幅が狭いと純度が高くなると共に、融解温度の幅が小さくなり、狭い温度範囲で融解・凝固を起こすことができるのである。また、この材料は、融解・凝固を何度も繰り返しても使えるので、ノズル５０のつまりなどを心配することがなくなる。作業の途中で中断しても、材料（塗布剤４０）の加熱ができれば、品質が安定したものを作ることができる。
【００５８】
このような塗布剤４０が溶融した際の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）〜３ｍＰａ・ｓである。この粘度は、水とほぼ同じ粘度であり、溶融した塗布剤４０の流れ性は著しく良好であると言える。以上のような特性を有する塗布剤４０として、カタメルチャック（商品名、登録商標、Ｔｈｅｒｍｏｆｉｘ、米国登録商標）を用いることができる。
【００５９】
上記のような塗布剤４０を噴射するノズル５０は、セラミック材料（例えばアルミナの焼結品）で構成され、ノズル５０のノズル穴５０ａの口径（噴射口の径）は約３０μｍ〜５０μｍになっている。本実施形態では、ノズル５０の口径が配線２０の線幅と同じになるように設計されている。さらに、このノズル５０は、上記塗布剤４０を溶融する温度に設定されている。すなわち、ノズル５０からは、溶融した塗布剤４０が噴射される。なお、例えば５３℃で溶融を開始し、５５℃で融解が完全に完了する塗布剤４０を用いる場合、ノズル５０およびその周辺は例えば５６℃〜５８℃（最大でも融点より＋２０℃〜＋７３℃以内に保つ）に加熱されていることが好ましい。
【００６０】
このノズル５０の内部（より詳しくはノズル穴５０ａの周囲）には、ノズル５０を加熱するヒータ５０ｂが備えられている。そして、ノズル５０はこのヒータ５０ｂによって塗布剤４０の融点よりも約１０〜２０℃高い温度で一定に加熱されるようになっている。
【００６１】
駆動装置は、ノズル５０からの塗布剤５０の供給（例えばエア圧力や加熱ポンプでの加圧でノズル５０から押し出す）、ノズル５０の移動や塗布剤４０の噴射を行うものであり、例えば噴射タイミングはＰＺＴ（ピエゾ）（電磁弁も用いることができる）を用いてノズル５０を駆動する。このような駆動装置は、例えば数十ナノ秒〜数千ナノ秒でノズル５０を駆動する能力を有しており、制御装置から入力されるデータに基づいてノズル５０を駆動する。すなわち、直線を描画する場合、駆動装置はＰＺＴ（または電磁弁）を開放状態として描画し、点を描画する場合、駆動装置は必要なときのみＰＺＴを開放して描画するようにノズル５０を駆動する。
【００６２】
制御装置は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク等からなる周知のパーソナルコンピュータで構成されるものである。この制御装置には、配線パターンのデータやはんだバンプ３０を形成する位置等のデータと共に、プリント基板１０上に配線パターンを描画する配線パターン描画プログラムや、配線２０上にはんだバンプ３０を描画するはんだバンプ描画プログラムが記憶されている。さらに、制御装置には、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１（図３参照）の開口部を塞ぐ閉塞描画プログラムも記憶されている。
【００６３】
この場合、駆動装置は微細な線・点を描画できる図示しない微細ノズルと、面を描画できる幅が広い図示しないノズルと、貫通孔１１を塞ぐ高粘度の塗布剤４０（パラフィンに添加材を混合した材料であり、後述するはんだ剤７０に相当）を供給する図示しないノズルと、を併用している。このような多種類のノズルの動きは、制御装置にて、微細な線・点、広い面など、幅広い異種類形状に応じて同時駆動され、お互いが補間され、協力的に作動され、論理的に素早く完成する様にプログラムされる。
【００６４】
また、他種類のノズルからは、従来のグリーンの絶縁材料も、また、製品の名称を示す、印刷（一般的なシルク印刷）も同時駆動にて、作動させることができる。
【００６５】
よって、従来は、グリーンマスク工程、シルク印刷工程など、多工程に亘って、それぞれが独立した工程であったものを、これらの工程の多くの部分を同時に並行的に行うことが可能になるので、大幅な工程の短縮が可能になる。なお、グリーンマスク工程、シルク印刷工程等は塗布される材料の変化があり、材料の寿命管理は注意を要する。
【００６６】
以上が、印刷装置の構成である。このような印刷装置を用いて、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成される配線パターン（すなわちマスクパターン）やはんだバンプ３０や、ビアの孔部の開放部を塞ぐ、あるいは、孔全体を埋める機能で描画する。
【００６７】
図２（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に銅箔６０が貼り付けられたものを用意し、印刷装置に設置する。なお、これらプリント基板１０や銅箔６０は、本発明の被加工物に相当するものである。
【００６８】
そして、制御装置において配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５０を駆動し、銅箔６０上に例えば数μｍの厚さの塗布剤４０（例えばパラフィン材料１００重量％）を噴射して配線パターンを描画する。
【００６９】
このように、ノズル５０にて塗布剤４０を銅箔６０上に塗布して配線パターンを描画する際、ノズル５０からは溶融した塗布剤４０を噴射する。また、銅箔６０の温度を、塗布剤４０の融点よりも例えば１℃〜５℃低い４８℃〜５２℃にしておく。
【００７０】
そして、塗布剤４０は、わずか２℃〜５℃の温度差で融解・凝固がシャープに変化するため、ノズル５０から約５５℃〜５６℃の温度の塗布剤４０を銅箔６０上に噴射すると、銅箔６０の熱伝導効果で、溶融した塗布剤４０は瞬時に融点以下になって凝固する。すなわち、ノズル５０にて描画される塗布剤４０のパターンがそのまま配線パターン（マスクパターン）となる。このように、溶融した塗布剤４０が銅箔６０に塗布されたと同時に凝固するため、銅箔６０上に塗布された塗布剤４０の滲みや染み出しが起こらず、ノズル５０の口径とほぼ同じ幅の配線パターンを描画することができる。さらに、ノズル５０の周囲に設置した冷却エア吹き出し口５５から冷却したエアを噴出して、冷却を早めることができ、滲みなどを防止することもできるのでシャープなエッジを形成することができる。
【００７１】
上述のように、ノズル５０の噴射口の径は３０μｍ〜５０μｍであるので、この径に対して例えば±５μｍの精度で塗布剤４０を塗布することができる。なお、パラフィン材料は、銅箔６０との密着性がきわめて良好であるので、塗布剤４０が凝固すると銅箔６０に強固に固定される。
【００７２】
このように、ノズル５０から溶融した塗布剤４０を噴射すると共に、ノズル５０を配線パターンの通りに駆動することで、銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを形成する。そして、この塗布剤４０の配線パターンが銅箔６０に対するマスクとなるのである。
【００７３】
なお、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍのサイズのプリント基板１０に配線パターンを描画する場合、５０μｍのドットとして塗布剤４０を塗布すると、ノズル５０の駆動回数は約１００万回〜５００万回になる。ノズル５０の移動時間や塗布時間を含め、配線パターンにもよるが、例えば約１時間で配線パターンを描画することができる。
【００７４】
続いて、図２（ｂ）に示す工程では、銅箔６０をエッチングし、銅箔６０のうち不要な部分を除去する。具体的には、塩化第二鉄の溶液に図２（ａ）に示されるプリント基板１０を浸す。これにより、銅箔６０のうち、塗布剤４０が塗布されていない部分を塩化第二鉄によって溶解する。
【００７５】
なお、パラフィン材料は、銅箔６０をエッチングする塩化第二鉄の溶液に対し、耐酸化性が著しく良好である。したがって、塗布剤４０に数μｍの膜厚さがあれば、十分な耐酸化性を有する。
【００７６】
図２（ｃ）に示す工程では、銅箔６０上の塗布剤４０を除去する。具体的には、塗布剤４０は温度によって融解・凝固が起こるので、塗布剤４０の溶融終了温度（５５℃〜５８℃）よりも高い温度のお湯をプリント基板１０に注ぐことにより、銅箔６０上の塗布剤４０を剥離することができる。こうして、銅箔６０を配線パターンにパターニングすることができる。
【００７７】
なお、お湯の中にプリント基板１０を浸漬させても良い。この場合、お湯の中に界面活性剤を導入しておくと塗布剤４０を水溶液中に溶解することができる。塗布剤４０の比重（例えば０．８〜０．９）は水よりも小さいため、塗布剤４０が温水に浮くので、プリント基板１０を容易に洗浄することができる。より洗浄効果を促進する方法として、超音波洗浄や超微細気泡洗浄の他、上記のように洗浄剤を導入する方法等がある。また、お湯の中に分散剤を入れると、パラフィンを液中に分散させることができるが、お湯の中に分散剤を入れないと、お湯が融解温度以下になったとき、塗布剤４０がお湯の液面に浮遊して固化し、膜を張る（再付着がおきる）ので注意を要する。
【００７８】
上記のようにしてプリント基板１０から剥離した塗布剤４０を回収し、リサイクルまたはリユースすることにより、塗布剤４０を何度でも利用することができる。
【００７９】
図２（ｄ）に示す工程では、はんだバンプ３０を形成する。本工程では、はんだバンプ３０を形成するためのはんだ剤７０を用いる。このはんだ剤７０は、パラフィン、粒子状（サブミクロン〜数十μｍ）のはんだ、そして松ヤニが混合したものであり、ボリューム比は、例えばパラフィンが３０％〜４０％、はんだが６０％〜７０％である。そして、このボリューム比でパラフィンおよびはんだが混合されたものに松ヤニが含まれた構成となっている。このようなはんだ剤７０は、塗布剤４０よりも高い粘度になっている。
【００８０】
また、本工程では、配線パターンを形成したノズル５０の口径よりも小さい口径を有するノズル５１を用いる。これは、配線２０上に噴射したはんだ剤７０が配線２０から流れ落ちてしまうことを防止するためである。したがって、ノズル５１の噴射口の径は配線２０の幅よりも小さくされたものを用いる。このようなノズル５１の噴射口の径は、例えば２０μｍである。
【００８１】
そして、制御装置においてはんだバンプ描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５１を駆動し、配線２０上に例えばサイズが２０μｍのドット状のはんだ剤７０（パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の含有量が１０〜６０重量％、更に、松ヤニが０〜２０重量％）を塗布する。
【００８２】
また、同時にパラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでシルク印刷材料の含有量が５〜１００重量％のもの、パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでグリーンマスク印刷材料の含有量が５〜１００重量％のものも塗布することができる。
【００８３】
すなわち、図２（ａ）に示す工程と同様に、ノズル５１をはんだ剤７０の融点以上に加熱しておき、プリント基板１０をはんだ剤７０の融点以下の温度にしておく。このような状態でノズル５１から溶融したはんだ剤７０を、はんだバンプ３０を形成したい配線２０上に噴射すると、溶融したはんだ剤７０が瞬時に融点以下になり、ドット状に凝固する。
【００８４】
この後、プリント基板１０を加熱してリフロー工程を行う。具体的に、配線２０上に凝固したドット状のはんだ剤７０において、パラフィンおよび松ヤニを溶融したり、気化したり、洗浄にて流し落とし、配線２０上にはんだのみを残すことにより、ドット状のはんだバンプ３０を形成する。このようにして、図１に示すプリント基板１０が完成する。
【００８５】
さらにこの後、図１に示されるプリント基板１０に設けられた図示しない貫通穴を塗布剤４０（例えば、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものや、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなど）で塞ぐ。具体的に、図３に示す工程を参照して説明する。図３は、図２に続く製造工程を示した図である。
【００８６】
図３に示す工程では、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１を塗布剤４０で塞ぐ。すなわち、プリント基板１０に配線２０を形成した後、例えばグリーンシート加工を行うような場合、プリント基板１０の貫通孔１１に異物等が入り込んでしまうことを防止するために貫通孔１１の開口部を塞ぐのである。
【００８７】
そして、制御装置において閉塞描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５２を駆動し、貫通孔１１の開口部上に塗布剤４０を塗布する。すなわち、図２（ａ）に示す工程と同様に、ノズル５２から溶融した塗布剤４０を貫通孔１１の開口部に噴射し、貫通孔１１の開口部付近を融点以下の温度にしておくことで塗布剤４０を凝固する。これにより、図３に示される蓋部４１を形成する。
【００８８】
また、パラフィンの含有量が０〜１００重量％、銅（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものを用い、貫通孔１１を全部埋め、導電性を持たせることも可能である。
【００８９】
なお、本工程では、貫通孔１１の開口部に溶融した塗布剤４０（例えば、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものや、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなど）を噴射するため、配線パターンを形成する際の塗布剤４０の粘度よりも大きい粘度のものを用いることが好ましい。また、本工程で用いるノズル５２は、配線パターンを描画したものを用いても良いし、新たに用意しても構わない。すなわち、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１のサイズに適した噴射口を有するノズルを用いるようにすれば良い。
【００９０】
上記のようにして形成した蓋部４１が不要になった場合は、プリント基板１０に蓋部４１の融点以上の温度のお湯を注ぐだけで、蓋部４１を溶融して剥離することができる。
【００９１】
以上、説明したように、本実施形態では、溶融した塗布剤４０を銅箔６０に塗布したと同時に凝固させることができるので、塗布剤４０の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、塗布剤４０は、溶融して凝固する温度幅が２℃〜５℃になっているので、銅箔６０の温度を溶融した塗布剤の温度からわずか２〜５℃低くしておくことで、塗布剤４０を素早く凝固することができる。これにより、銅箔６０上に高精度のマスクを形成することができ、このマスクのマスクパターンに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００９２】
また、従来のように有機溶剤を用いないため、有機溶剤の廃棄等の煩雑な工程や、有機溶剤を用いる工程を削減できる。同様に、マスク材を用いてフォトレジストを露光することはないため、露光装置やそれを用いた工程を削減できる。
【００９３】
本実施形態では、配線２０上にはんだバンプ３０を形成している。従来では印刷によってはんだを印刷していたため位置ずれが起こっていた。しかしながら、本実施形態では、制御装置および駆動装置にてはんだバンプ３０を形成する場所にノズル５１を移動させることができる。このため、配線２０上に正確にはんだバンプ３０を形成することができる。このようなはんだバンプ３０によって、配線２０に対して他の電子部品やワイヤ等との電気的接続を行うようにすることができる。
【００９４】
さらに、塗布剤４０がわずかな温度で凝固する性質を用いることで、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１の開口部に蓋部４１を形成することや、貫通孔１１の内部に塗布剤４０を凝固させて貫通孔１１を埋めるようにすることもできる。これにより、貫通孔に異物などを入り込ませないようにすることができる。塗布剤４０は、わずか２℃〜５℃の温度差で融解・凝固するため、蓋部４１等が不要になった場合、温度を加えるだけで容易に除去できる。
【００９５】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、溶融した塗布剤４０（例えば、パラフィン材料１００重量％の箔形状または微粉末であり、粒子径はナノ粒子〜数ｍｍ）を銅箔６０上に配線パターンとして塗布するのではなく、粉末状の塗布剤４０を銅箔６０上で局所的に加熱して融解・凝固させることで配線パターンのマスクを形成することが特徴である。
【００９６】
図４は、本発明の第２実施形態に係る製造方法によって銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。本実施形態では、レーザ光を用いた方法によって配線パターンを形成するため、まず、レーザ光照射装置について説明する。このレーザ光照射装置は、レーザ光を照射する半導体レーザ８０と、半導体レーザ８０から照射されるレーザ光を集光する集光レンズ８１と、半導体レーザ８０を駆動する図示しない駆動装置と、駆動装置に半導体レーザ８０を駆動するデータを出力する図示しない制御装置と、を備えて構成されている。
【００９７】
上記半導体レーザ８０からは、一定周期のパルスレーザ光が照射される。また、レーザ光は集光レンズ８１にて例えば３０μｍ〜５０μｍのスポットに集光されるようになっている。すなわち、レーザ光の集光スポットが銅箔６０にて形成される配線２０の線幅に相当する。
【００９８】
駆動装置や制御装置は、第１実施形態と同じ構成のものが採用される。本実施形態では、駆動装置は、半導体レーザ８０の移動やレーザ光照射を駆動するものとして用いられる。また、制御装置には、配線パターンのデータやこのデータを用いた配線パターン描画プログラムが記憶されている。
【００９９】
以上が、レーザ光照射装置の構成である。このようなレーザ光照射装置を用いて、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成される配線パターンのマスクを形成する。
【０１００】
すなわち、図４（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に銅箔６０が貼り付けられたものを用意し、レーザ光照射装置に設置する。そして、銅箔６０上に粉末状の塗布剤４０を均一に分布させる。
【０１０１】
本実施形態では、塗布剤４０として第１実施形態と同じ特性のものを用いるが、本工程においては塗布剤４０が固化して粉末状になったものを用いる。このような粉末状の塗布剤４０のサイズは、例えば数μｍ〜１０μｍであり、この粉末状の塗布剤４０を例えば５０μｍ〜１００μｍの厚さで銅箔６０上に均一に敷き詰める。なお、粉末状の塗布剤４０を均一に敷き詰める際、ヘラやスキージを用いると良い。また、粉末状の塗布剤４０は、パラフィンが凝固して固化したものであり、粉末状の塗布剤４０に粘着性はない。したがって、塗布剤４０が銅箔６０上に敷き詰められても、塗布剤４０が銅箔６０に密着することはない。
【０１０２】
この後の工程で、粉末状の塗布剤４０をレーザ光の熱によって融解するため、粉末状の塗布剤４０としてパラフィンにレーザ光を吸収しやすいカーボン材料（数重量％〜５０重量％）を添加したものを用いると良い。これにより、半導体レーザ８０の加熱効率を向上でき、粉末状の塗布剤４０を均一に、かつ、素早く融解することができる。
【０１０３】
なお、粉末状の塗布剤４０としてパラフィンに絶縁性のアルミナ粒子（数重量％〜５０重量％）を添加したものを用いても良い。このような塗布剤４０を用いても、レーザの加熱効率を向上させ、粉末状の塗布剤４０を均一に融解させることができる。
【０１０４】
また、パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の含有量が１０〜６０重量％、さらに松ヤニが０〜２０重量％、の粉末をプリント基板１０上にへらなどで敷き詰める。はんだを溶解させたい部分にレーザ光を照射し、粉末状の塗布剤４０を溶融する。その他の部分は粉末のままであるので、簡単に取り除くことができる。この様にすると、プリント基板１０上にはんだ接合部を簡単に作成することができる。
【０１０５】
そして、図４（ｂ）に示す工程では、銅箔６０のうち配線２０となる部分の塗布剤４０を溶融する。具体的に、制御装置にて配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、銅箔６０上にレーザ光を照射して粉末状の塗布剤４０を加熱する。これにより、レーザ光が集光レンズ８１で集光されたスポット径で粉末状の塗布剤４０が融点以上に加熱されて融解する。レーザ光源の集光レンズ８１の集光精度は高く、スポット径が３０μｍ〜５０μｍの狙いに対し約±５μｍの精度でレーザ光を照射することができる。
【０１０６】
上記のようにして、レーザ光によって粉末状の塗布剤４０を融解した後、駆動装置によって半導体レーザ８０を配線パターンに合わせて移動させる。これにより、レーザ光が照射されなくなった塗布剤４０の温度は融点以下に下がり、塗布剤４０は凝固する。すなわち、半導体レーザ８０でレーザ光を照射しつつ、半導体レーザ８０を移動させることで、銅箔６０上のうちレーザ光を照射した部分の粉末状の塗布剤４０を次々と溶融・凝固して配線パターンを描画することができる。
【０１０７】
なお、上記駆動装置にて銅箔６０上で半導体レーザ８０を移動させているが、半導体レーザ８０を一カ所に固定しておき、半導体レーザ８０から照射されるレーザ光を例えば反射ミラーで銅箔６０上に走査させるようにしても構わない。これにより、反射ミラーの角度（姿勢）を変えるだけでよいので、配線パターンの描画時間を短縮できる。また、反射ミラーとプリント基板１０との動きを同期させれば、さらに描画時間を短縮できる。
【０１０８】
図４（ｃ）に示す工程では、図４（ｂ）の工程で溶融されなかった粉末状の塗布剤４０を銅箔６０上から取り除く。粉末状の塗布剤４０は銅箔６０に密着していないので、プリント基板１０を裏返したり風をかけたりすること等によって、銅箔６０上から粉末状の塗布剤４０を除去することができる。これにより、図４（ｃ）に示されるように、銅箔６０上に塗布剤４０によって構成される配線パターンのマスクを形成することができる。
【０１０９】
この後、図２（ｂ）、（ｃ）に示す工程を行うことで、プリント基板１０上に配線２０を形成する。また、図２（ｄ）に示す工程を行うことで、配線２０上にはんだバンプ３０を形成する。こうして、図１に示されるプリント基板１０が完成する。さらに、図３に示す工程を行うことで、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１の開口部を塞ぐことができる。
【０１１０】
以上、説明したように、本実施形態では、銅箔６０上に敷かれた粉末状の塗布剤４０のうち、マスクとなる部分の塗布剤４０のみをレーザ光で加熱して溶融・凝固させている。すなわち、局所的に加熱された場所の粉末状の塗布剤４０が加熱されなくなると同時に凝固する。これにより、局所的に加熱された塗布剤４０の滲みや染み出しを防止することができ、銅箔６０上に高精度のマスクパターンのマスクを形成することができる。
【０１１１】
また、本実施形態では、レーザ光で塗布剤４０を溶融しているため、第１実施形態のように溶融した塗布剤４０を噴射させるノズル５０やノズル５０を加熱する加熱手段が不要になる。
【０１１２】
（第３実施形態）
本実施形態では、上記第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、例えば３次元ブロックのような立体的なものに塗布剤４０でマスクすることが特徴である。
【０１１３】
図５は、金属ブロックに塗布剤４０をマスクして加工する様子を示した図である。この図に示されるように、被加工物である金属ブロック９０を用意し（図５（ａ））、この金属ブロック９０の表面に第１実施形態と同様の方法で溶融した塗布剤４０をノズルから噴射して塗布し、金属ブロックの表面で凝固させる（図５（ｂ））。これにより、金属ブロック９０の側面を塗布剤４０でマスクする。なお、金属ブロック９０は立体的なものであるので、ノズルが金属ブロック９０の周囲を移動することにより、金属ブロック９０の側面に溶融した塗布剤４０を塗布することができる。
【０１１４】
この後、金属ブロック９０をエッチング溶液に浸すことで、金属ブロック９０に塗布された塗布剤４０のうち開口した部分をエッチングする（図５（ｃ））。これにより、金属ブロック９０に溝９１を形成する。そして、エッチング後、金属ブロック９０にお湯を注ぐことにより、金属ブロック９０に塗布された塗布剤４０を剥離する（図５（ｄ））。このようにして、立体物である金属ブロック９０を加工することができる。
【０１１５】
以上のように、平面的なものだけでなく、立体的なものに対しても塗布剤４０でマスクキングすることができると共に、立体的なものをパターニングすることができる。
【０１１６】
（第４実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、プリント基板１０に回路パターンを形成するため、銅箔６０が貼り付けられたプリント基板１０上にノズル５０を介して塗布剤４０を噴射して配線パターンを描画することにより、当該塗布剤４０をマスクとしていた。しかし、本実施形態では、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成されるシートを設置し、当該シートにレーザを照射することによって、配線パターンを直接描画することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る配線パターンの描画方法について説明する。
【０１１７】
したがって、本実施形態では、配線パターンを描画するための描画シートを用いる（後述する図８（ａ）参照）。具体的に、描画シートは、母体としてのＰＥＴシート（本発明のシート部材に相当）と、当該ＰＥＴシートの片面に塗布された離形材と、当該離形材上に塗布された塗布剤４０と、を備えて構成されている。
【０１１８】
ＰＥＴシートは、例えばポリエステル等の樹脂で形成されたシート状のものである。また、耐熱性を有するイミドのシート（例えばカプトンシート）や、その他、高耐熱性シートも用いることができる。本実施形態では、ＰＥＴシートはプリント基板１０に対応した形状をなしている。また、ＰＥＴシートの厚さは例えば１００μｍである。なお、ＰＥＴシートは、塗布剤４０を融解する温度に耐えられるものであることが好ましい。離形材は、ＰＥＴシートから塗布剤４０を剥がしやすくする周知のものである。
【０１１９】
また、塗布剤４０は、上記各実施形態で用いられたものと同様のものであり、配線パターンを描画するために用いられる。すなわち、配線パターンを描画する前では、塗布剤４０は、離形材を介してＰＥＴシート上に均一にシート状に塗布されて固化した状態になっている。このような塗布剤４０の厚さは自由に設計可能であり、例えば数μｍ〜３ｍｍである。
【０１２０】
次に、上記描画シートを用いた配線パターンのマスクの形成について説明する。本実施形態では、上記第２実施形態で用いられたレーザ光照射装置を用いて、配線パターンのマスクを形成する。図８は、本実施形態に係る製造方法によってプリント基板１０の銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【０１２１】
図８（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に描画シート１００を設置する。具体的には、銅箔６０が設けられたプリント基板１０と、離形材を介して塗布された塗布剤４０が設けられた描画シート１００を用意する。そして、銅箔６０と塗布剤４０とが向き合うように銅箔６０上に描画シート１００を置く。
【０１２２】
図８（ｂ）に示す工程では、描画シート１００のうちＰＥＴシート２００を剥離する。上述のように、描画シート１００においてＰＥＴシート２００と塗布剤４０とは離形材を介しているため、塗布剤４０を銅箔６０上に置かれた状態でＰＥＴシート２００から塗布剤４０を剥がす。これにより、銅箔６０上に塗布剤４０が設置された状態となる。
【０１２３】
図８（ｃ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて、配線パターンを描画する。すなわち、図４（ｂ）に示される工程と同様に、レーザ光照射装置にて配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、銅箔６０側にレーザ光を照射し、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が集光レンズ８１で集光された部分を加熱する。これにより、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が照射された部分の塗布剤４０のみを融点以上に加熱して融解する。
【０１２４】
そして、駆動装置によって半導体レーザ８０を配線パターンに合わせて移動することで、レーザ光が照射されなくなった部分の塗布剤４０の温度が融点以下に下がる。こうして、塗布剤４０は銅箔６０に融合し、銅箔６０に強固に接合される。したがって、半導体レーザ８０でレーザ光を照射しながら当該半導体レーザ８０を駆動装置にて配線パターンに従って移動させることで、シート状の塗布剤４０のうち配線パターン部分を銅箔６０に強固に接合する。
【０１２５】
図８（ｄ）に示す工程では、上記図８（ｃ）に示される工程で、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が照射されなかった部分を除去する。例えば、吸引、振動、重力等を利用して、物理的な方法で塗布剤４０のうち未接合部を剥がし、銅箔６０上に配線パターン状に描画された塗布剤４０のみを残す。
【０１２６】
図８（ｅ）に示す工程では、銅箔６０をエッチングし、配線２０を形成する。すなわち、銅箔６０上に残された配線パターン状の塗布剤４０をマスクとしてエッチングすることにより、配線２０を形成する。こうして、希望とする回路パターンを有するプリント基板１０が完成する。
【０１２７】
以上説明したように、一定の膜厚で形成されたシート状の塗布剤４０のうち、配線パターン部分を半導体レーザ８０で局所的に精度良く融解し、銅箔６０に密着させているので、微細な形状を精度良く形成することができる。また、上記方法は、従来の印刷工程と比較して単純であるので、大幅に工程が短縮できるし、かつ精度良くマスク等の所望のパターンを形成することができる。
【０１２８】
（第５実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、上記描画シート１００を用いて、プリント基板１０上の銅箔６０を配線パターンにパターニングすると共に、配線パターンのうち所望の場所にはんだバンプ３０を形成することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る配線パターンの描画方法について説明する。
【０１２９】
図９は、本実施形態に係る製造方法によって、プリント基板１０の銅箔６０上にはんだバンプ３０および塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。また、図１０は、図９に続く製造工程を示した図である。
【０１３０】
図９（ａ）に示す工程では、描画シート１１０を用意し、プリント基板１０の銅箔６０上に設置する。本工程では、はんだ材料として鉛フリーはんだが混入された塗布剤４２が設けられた描画シート１１０を用いる。当該はんだ材料入りの塗布剤４２は、上記と同様に、離形材を介してＰＥＴシート２００に塗布されている。そして、上記図８（ｂ）に示される工程と同様に、描画シート１１０のうちＰＥＴシート２００のみを剥がし、銅箔６０上に塗布剤４２を載せた状態とする。
【０１３１】
図９（ｂ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて、はんだバンプ３０のパターンを描画する。本工程では、図８（ｃ）に示される工程と同様に、レーザ光照射装置にてはんだバンプ３０の描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、シート状の塗布剤４２のうちはんだバンプ３０に該当する部分の塗布剤４２のみを融解して銅箔６０に融合し、銅箔６０に仮固定する。
【０１３２】
図９（ｃ）に示す工程では、上記図８（ｃ）に示される工程と同様に、シート状の塗布剤４２のうち銅箔６０に接合されなかった未接合部を剥がし、プリント基板１０を加熱して仮固定されたはんだバンプ３０を銅箔６０上に強固に接合する。
【０１３３】
図９（ｄ）に示す工程では、はんだバンプ３０が設けられた銅箔６０上に描画シート１００を置き、レーザ光照射装置を用いて配線パターンを描画する。本工程では、はんだ材料が混入されていない塗布剤４０で構成された描画シート１００を銅箔６０上に載せ、描画シート１００のうちＰＥＴシートのみを剥がし、図８（ｃ）に示される工程と同様に配線パターンを描画する。このとき、配線パターンの配線の幅がはんだバンプ３０よりも広くなるように配線パターンを描画する。配線２０上に、確実にはんだバンプ３０を載せた状態のものを形成するためである。なお、念のため、はんだバンプ３０の周辺部に、レーザ光を２度照射する方法が有効である。
【０１３４】
図１０（ａ）に示す工程では、上記図８（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４０のうち配線パターン以外の部分を除去する。また、図１０（ｂ）に示す工程では、図８（ｅ）に示される工程と同様に、銅箔６０をエッチングして配線２０を形成する。
【０１３５】
図１０（ｃ）に示す工程では、図２（ｃ）に示される工程と同様に、配線パターン状の銅箔６０上の塗布剤４０や、銅箔６０上に設けられたはんだバンプ３０を包み込むように設けられた塗布剤４０を除去する。これにより、図１に示されるものと同様のものが完成する。
【０１３６】
このような方法によっても、プリント基板１０に回路パターンを形成することができ、さらに配線２０上にはんだバンプ３０を形成することもできる。当該方法は、あらかじめはんだバンプ３０を形成し、その後に配線パターンを形成するようにしているため、製造工程を大幅に短縮できる。
【０１３７】
（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、プリント基板１０に形成された配線パターンのうち所望の場所に描画シート１１０を用いてはんだバンプ３０を形成することが特徴となっている。
【０１３８】
図１１は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。本実施形態では、上記第２実施形態で用いられたレーザ光照射装置を用いて、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する。
【０１３９】
図１１（ａ）に示す工程では、配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。これを行うため、まず、はんだ材料が混入された塗布剤４２を備えて構成される描画シート１１０を用意し、当該塗布剤４２と配線パターンとが向き合うようにプリント基板１０上に描画シート１１０を置く。続いて、レーザ光照射装置を用いて配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。このとき、半導体レーザ８０からレーザ光をＰＥＴシートに向けて直接照射し、ＰＥＴシート２００を通過させたレーザ光を塗布剤４２に照射する。これにより、塗布剤４２のうちレーザ光を照射した部分を配線パターン上に仮固定する。
【０１４０】
図１１（ｂ）に示す工程では、例えば図８（ｂ）に示される工程と同様に、塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離する。なお、上述のように、離形材によって塗布剤４２をＰＥＴシート２００から容易に剥がすことができる。また、図１１（ｃ）に示す工程では、塗布剤４２のうち、仮固定以外の場所を除去する。本工程では、例えば図２（ｃ）に示される工程と同様にお湯を用いて塗布剤４２を除去する。
【０１４１】
図１１（ｄ）に示す工程では、塗布剤４２を加熱することで、はんだ材料を配線２０に固定し、はんだバンプ３０を形成する。すなわち、図１１（ｃ）の工程を終えた段階では、配線パターン上に形成された塗布剤４２は仮固定された状態であり、配線パターンを構成する銅箔６０と強固に接合していない状態になっている。したがって、本工程において加熱処理を行うことにより、塗布剤４２のうちはんだ材料を銅箔６０に強固に接合する。こうして、配線２０上にはんだバンプ３０が形成されたものが完成する。
【０１４２】
以上説明したように、描画シート１１０を用いてはんだバンプ３０のパターンを配線パターン上に直接描画することもできる。このような方法を採用しても、はんだバンプ３０のパターンを形成することができる。
【０１４３】
（第７実施形態）
本実施形態では、上記第６実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、描画シート１１０からＰＥＴシート２００を剥がした後、塗布剤４２をはんだバンプ３０のパターンにパターニングすることが特徴となっている。
【０１４４】
図１２は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。図１２（ａ）に示す工程では、描画シート１１０を用意し、当該描画シート１１０に塗布された塗布剤４２と配線パターンとが向き合うようにプリント基板１０上に描画シート１１０を載せる。また、図１２（ｂ）に示す工程では、図８（ｂ）に示される工程と同様に、シート状の塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離する。
【０１４５】
図１２（ｃ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。これにより、塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を配線パターン上に仮固定する。
【０１４６】
この後、上記図１１（ｃ）に示される工程と同様に、塗布剤４２のうち仮固定以外の場所を除去し、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４２を加熱処理してはんだ材料を配線２０に強固に接合して、はんだバンプ３０を形成する。
【０１４７】
以上説明したように、塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離した後、塗布剤４２にはんだバンプ３０のパターンをパターニングすることもできる。このような方法により、レーザ光を照射するに際し、ＰＥＴシート２００を介在させずにレーザ光を塗布剤４２に直接照射することで、レーザ光の焦点位置をより高精度にすることができ、精度の良いはんだ付けを行うことができる。
【０１４８】
（第８実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、配線パターン上の所望の場所にはんだバンプ３０を形成する場合、プリント基板１０上に置いた描画シート１１０を移動させることで、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２を有効利用することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る製造方法について説明する。
【０１４９】
図１３は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。図１３（ａ）に示す工程では、配線パターンのうち１カ所にはんだバンプ３０を仮固定する。このため、まず、描画シート１１０を用意し、描画シート１１０をプリント基板１０上で移動させることができる図示しない移動装置に設置する。当該移動装置には、あらかじめ描画シート１１０の塗布剤４２のサイズや座標等の位置を示すパラメータを入力しておく。
【０１５０】
そして、描画シート１１０に塗布された塗布剤４２と配線パターンとが向き合うように、詳しくはＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が配線パターンのうちはんだバンプ３０の形成予定場所に位置するようにプリント基板１０上に描画シート１１０を載せる。この後、半導体レーザ８０からレーザ光を照射して、塗布剤４２を配線パターン上に仮固定する。
【０１５１】
図１３（ｂ）に示す工程では、配線パターンのうち、図１３（ａ）に示される工程で塗布剤４２が仮固定された場所とは異なる場所に塗布剤４２を仮固定する。具体的には、移動装置により、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が配線パターンのうち次のはんだバンプ３０の形成予定場所に位置するように描画シート１１０を移動させる。そして、半導体レーザ８０からレーザ光を照射し、配線パターン上に塗布剤４２を仮固定する。
【０１５２】
図１３（ｃ）に示す工程では、移動装置によって描画シート１１０を移動させ、図１３（ｂ）に示される工程と同様に配線パターン上に塗布剤４２を仮固定する。
【０１５３】
以後、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する場所に、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が位置するように移動装置によって描画シート１１０を移動させ、上記図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に示される工程を繰り返すことにより、配線パターン上にはんだバンプ３０となる塗布剤４２をパターニングする。
【０１５４】
この後、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４２に対する加熱処理を行うことにより、塗布剤４２のうちはんだ材料を銅箔６０に強固に接合する。このようにして、はんだバンプ３０を形成することもできる。
【０１５５】
以上説明したように、本実施形態では、描画シート１１０を移動させて塗布剤４２の端にレーザ光を照射し、配線パターン上にはんだバンプ３０となる塗布剤４２を仮固定することが特徴となっている。これにより、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２を有効利用することができる。
【０１５６】
（第９実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記のように、配線２０に対するはんだ付けは、シート状の塗布剤４２にレーザ光を照射し、塗布剤４２を仮固定した後、熱処理することで行っている。しかしながら、プリント基板１０には微細回路や大きな電流を流す配線など、様々な配線パターンが形成される。このため、各配線のタイプに応じたはんだバンプ３０を形成することが好ましい。
【０１５７】
そこで、本実施形態では、塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を配線パターン上に仮固定するに際し、形成するはんだバンプ３０のサイズに応じて出力が異なる半導体レーザを用いることが特徴となっている。用いる電流量が異なる回路を複数備えた混在型のプリント基板１０に対して適用することができる。
【０１５８】
図１４は、異なる半導体レーザを用いて塗布剤４２を仮固定する様子を示した図である。このうち、図１４（ａ）は、微細な配線パターンに塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。
【０１５９】
この図に示されるように、微細な配線パターンに対しては、当該微細な配線パターンに応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さの塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意し、さらに出力パワーが小さい半導体レーザ８２を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。また、微細なはんだバンプ３０をパターニングするため、上記半導体レーザ８２に対応した微細な集光レンズ８３を用いることが好ましい。
【０１６０】
また、微細ではないが、バスバー２１ほど大きな電流を流さない配線に対しては、上記半導体レーザ８２よりも出力が大きい半導体レーザ８４を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。この場合、半導体レーザ８４に対応した集光レンズ８５を用いることが好ましい。
【０１６１】
このように、微細回路や中程度の回路の配線パターンに対しては、上記の半導体レーザ８２、８４を組み合わせて用いることで塗布剤４２を配線パターン上に仮固定し、その後熱処理することで、はんだバンプ３０を形成することができる。
【０１６２】
図１４（ｂ）は、バスバー２１に塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。バスバー２１は、例えば上記微細な回路の配線パターンよりも厚い銅箔により形成されたものである。
【０１６３】
図１４（ｂ）に示されるように、バスバー２１に対しては、当該バスバー２１に応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さ、すなわち図１４（ａ）に示された塗布剤４２よりも厚い塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意し、さらに上記半導体レーザ８２、８４よりも出力パワーが大きい半導体レーザ８６を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。この場合においても、半導体レーザ８６に対応した集光レンズ８７を用いることが好ましい。
【０１６４】
このように、配線パターンの種類に応じたはんだバンプ３０を形成する場合においては、形成したいはんだバンプ３０のサイズに応じたシート状の塗布剤４２にそれぞれ対応した半導体レーザ８２、８４、８６からレーザ光を照射する。
【０１６５】
また、図１４（ｃ）は、バスバー２１の広範囲に塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。この場合、レーザ光照射装置の駆動装置によって半導体レーザ８６を移動させることで、バスバー２１上の広範囲に塗布剤４２を仮固定することができる。
【０１６６】
以上説明したように、プリント基板１０上の回路のタイプに応じた配線パターンに対応させて厚みの異なる塗布剤４２を用いると共に、配線パターンに対応した半導体レーザ８２、８４、８６を用いることで、配線パターン上に精度良くはんだバンプ３０を形成することができる。
【０１６７】
（第１０実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第９実施形態では、バスバー２１等のサイズが大きい配線に対しては、半導体レーザ８６を移動させて塗布剤４２をバスバー２１上に仮固定していたが、本実施形態では、大型の半導体レーザを用いると共に、当該大型の半導体レーザを移動させずに塗布剤４２を仮固定することが特徴となっている。
【０１６８】
図１５は、本実施形態において、大型の半導体レーザを用いてはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。図１５（ａ）に示す工程では、バスバー２１上に塗布剤４２を仮固定する。具体的には、まず、バスバー２１のサイズに応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さの塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意する。また、バスバー２１を移動しなくてもレーザ光を照射するのみでバスバー２１上に塗布剤４２を仮固定できる大型の半導体レーザ８８を備えたレーザ光照射装置を用意する。
【０１６９】
そして、半導体レーザ８８をプリント基板１０のバスバー２１上に配置し、半導体レーザ８８からレーザ光を照射して集光レンズ８９で集光して塗布剤４２に照射する。これにより、塗布剤４２をバスバー２１上に仮固定する。バスバー２１において図１５（ａ）に示される場所以外の場所についても同様に塗布剤４２を仮固定する。
【０１７０】
この後、図１５（ｂ）に示す工程では、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、バスバー２１上の仮固定された塗布剤４２を加熱処理することで、バスバー２１上にはんだバンプ３０を形成する。
【０１７１】
以上説明したように、はんだバンプ３０を形成したい場所に応じて、大型の半導体レーザ８８を用いることにより、レーザ光を照射しながら半導体レーザ８８を移動させなくても塗布剤４２を仮固定することができる。
【０１７２】
（他の実施形態）
上記塗布剤４０もしくははんだ剤７０は、パラフィンを主成分とするもので構成されているが、ポリエチレングリコールを主成分とするもので構成されていても構わない。
【０１７３】
第１、第２実施形態では、プリント基板１０の貫通孔１１を塞ぐ工程までを行っているが、配線パターンの描画によって配線２０を形成する工程までを行うようにしても構わない。同様に、はんだバンプ３０を形成する工程までを行うようにしても構わない。また、はんだバンプ３０を形成せずに蓋部４１を形成する工程を行っても良い。
【０１７４】
第１、第２実施形態では、プリント基板１０上に１層の配線２０の層のみを形成しているが、上記方法によって多層の配線層を形成するようにしても構わない。
【０１７５】
上記第１実施形態では、プリント基板１０の貫通孔１１の開口部に蓋部４１を形成しているが、この貫通孔１１に塗布剤４０を埋めるようにしても構わない。図６は、プリント基板１０の貫通孔１１に塗布剤４０を埋める工程を示した図である。この図に示されるように、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１に溶融した塗布剤４０をノズル５２から噴射する。プリント基板１０は融点以下にされているので、貫通孔１１に塗布された塗布剤４０は貫通孔１１の内部で凝固する。こうして塗布剤４０で貫通孔１１を埋めることができる。
【０１７６】
上記各実施形態では、制御装置にプリント基板やパターニングするもの（被加工物）のサイズや位置情報をあらかじめデータとして記憶しておくことの他に、プリント基板１０や被加工物をカメラで撮影し、画像処理することによって配線２０や貫通孔１１の位置を正確に検出するようにしても良い。
【０１７７】
上記第１、第２実施形態では、銅箔６０上に塗布剤４０を描画してエッチングすることにより、配線２０を形成する実施例について説明しているが、加工品をパターニングする場合、加工品にドットを形成する場合、加工品に絵を描画する場合等に上記各実施形態の方法を適用することができる。また、加工品として、紙、布、金属箔、金属シート等などを用いることができる。
【０１７８】
第３実施形態では、ブロック状のものにマスクを形成していたが、図７に示されるように、球体の球面に塗布剤４０を形成し、例えばエッチングする等の加工を行うようにしても良い。図７は、球体に塗布剤４０をマスキングして加工する様子を示した図である。この図に示されるように、被加工物として球体９５を用意し（図７（ａ））、球体９５の球面を塗布剤４０でマスキングする（図７（ｂ））。そして、球体９５をエッチング溶液に浸してエッチングし、溝９６を形成する（図７（ｃ））。この後、球体９５にお湯を注ぎ、球体９５の側面に凝固した塗布剤４０を溶融して除去する（図７（ｄ））。このように、球体９５の球面に塗布剤４０をマスクしてパターニングするようにしても良い。
【０１７９】
第８実施形態では、ＰＥＴシート２００に塗布された塗布剤４２のうち端の部分にレーザ光照射を照射しているが、移動装置によって描画シート１１０を移動させることで、塗布剤４２のうちレーザ光が照射されていない場所をはんだバンプ３０の形成予定場所に移動させ、レーザ光を照射して塗布剤４２を仮固定するようにしても構わない。
【０１８０】
第９実施形態では、第８実施形態と同様に、描画シート１１０を移動させることで塗布剤４２を有効利用するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】本発明に係る製造方法によって形成されたプリント基板の断面図である。
【図２】印刷装置を用いて印刷する方法によって上記配線のパターンを形成する製造工程を示した図である。
【図３】図２に続く製造工程を示した図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る製造方法によって銅箔上に塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図５】金属ブロックに塗布剤をマスクして加工する様子を示した図である。
【図６】プリント基板の貫通孔に塗布剤を埋める様子を示した図である。
【図７】球体に塗布剤をマスクして加工する様子を示した図である。
【図８】第４実施形態に係る製造方法によってプリント基板の銅箔上に塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図９】第５実施形態に係る製造方法によってプリント基板の銅箔上にはんだバンプおよび塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図１０】図９に続く製造工程を示した図である。
【図１１】第６実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１２】第７実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１３】第８実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１４】第９実施形態において、異なる半導体レーザを用いて塗布剤４２を仮固定する様子を示した図であり、（ａ）は微細な配線パターンに対して、（ｂ）はバスバーに対して、（ｃ）はバスバーの広範囲に対して塗布剤のうちはんだバンプとなる部分を仮固定する様子をそれぞれ示した図である。
【図１５】第１０実施形態において、大型の半導体レーザを用いてはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【符号の説明】
【０１８２】
１０…プリント基板、２０…配線、３０…はんだバンプ、４０、４１…塗布剤、５０…ノズル、６０…銅箔、７０…はんだ剤、８０、８２、８４、８６、８８…半導体レーザ、８１、８３、８５、８７、８９…集光レンズ、１００、１１０…描画シート、２００…ＰＥＴシート。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度に応じて融解・凝固する塗布剤で被加工物にマスクを形成し、このマスクのマスクパターンに基づいてパターニングする加工品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板にインキパターンを形成する方法が例えば特許文献１で提案されている。この特許文献１にも示されるように、一般に露光によって形成したいパターンを形成する方法が実施されている。以下に、一般的な露光の方法によって、プリント基板に配線パターンを形成する方法について説明する。
【０００３】
まず、プリント基板上に銅箔が設置されたものを用意し、銅箔上に光感光膜（フォトレジスト膜）を均一に塗布する。この後、露光機で露光することでフォトレジスト膜をパターニングする。具体的に、銅箔のうち不要な部分のフォトレジスト膜を脆くする、もしくは銅箔のうち配線となる部分のフォトレジスト膜を硬化することでフォトレジスト膜をパターニングする。
【０００４】
続いて、有機溶剤を用いて、フォトレジスト膜のうち脆い部分もしくは非硬化部分を溶解・分解する。これにより、銅箔のうちエッチングされる部分が露出する。そして、例えば塩化第二鉄溶液にて、フォトレジスト膜が開口した部分の銅箔をエッチングし、フォトレジスト膜を除去することにより、プリント基板上に配線パターンを形成する。
【０００５】
以上のような工程により、一層の配線層を有するプリント基板を形成することができる。また、上記工程を繰り返すことによって、積層プリント基板を形成することができる。
【特許文献１】特開平８−３４１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、露光によってフォトレジスト膜をパターニングした後、有機溶剤にてフォトレジスト膜のうち不要な部分を除去すると、フォトレジスト膜が除去された部分に銅箔上に残されたフォトレジスト膜が有機溶剤によって滲んでしまう（もしくは染み出してしまう）可能性がある。これにより、パターニングによって形成したフォトレジスト膜の線幅が広がってしまい、この状態で銅箔がエッチングされると、フォトレジスト膜から滲んだ（もしくは染み出した）分だけ線幅が広くなった配線が形成されてしまうこととなる。
【０００７】
近年では、プリント基板における配線の幅は細くなる傾向にあり、現在では線幅が約５０μｍになりつつある。今後、線幅はさらに小さくなると予想される。しかしながら、上記のように、フォトレジスト膜をパターニングした際、フォトレジスト膜が滲んで線幅を広げてしまうと、プリント基板上に精度良い線幅の配線を形成することができない。
【０００８】
なお、フォトレジスト膜を電子ビームで描画することによりパターニングする方法も実施されているが、有機溶剤で不要なフォトレジスト膜を除去するため、上記と同様に、精度良い線幅の配線を形成することはできない。
【０００９】
本発明は、上記点に鑑み、被加工物に高精度のマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングすることができる加工品の製造方法を提供することを第１の目的とする。また、マスクを用いずに、被加工物に所望のパターンを直接描画することができる加工品の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴では、塗布剤（４０）の融解開始温度よりも低い温度にされた被加工物（１０、６０、９０、９５）に、ノズル（５０）から溶融した塗布剤を噴射して塗布すると共にその塗布剤を凝固させ、被加工物にマスクパターン状のマスクを形成する。そして、このマスクに基づいて被加工物をパターニングし、この後、マスクを加熱して溶融させて被加工物からマスクを除去する。
【００１１】
このような製造方法では、溶融した塗布剤を被加工物に塗布したと同時に凝固させることができるので、塗布剤の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、塗布剤は、溶融して凝固する温度幅が５℃以下になっている。このため、加熱して溶融させた塗布剤は、溶融した塗布剤の温度からわずか５℃低い被加工物上に塗布されることで、塗布されると同時に凝固する。これにより、被加工物に高精度のマスクを形成することができ、このマスクに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００１２】
本発明の第２の特徴では、被加工物（１０、６０）の表面に粉末状の塗布剤（４０）を敷き、被加工物の表面に敷かれた粉末状の塗布剤のうち、マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融する。このとき、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクを形成する。そして、被加工物上に残された粉末状の塗布剤を除去し、マスクのマスクパターンに基づいて被加工物をパターニングした後、マスクを加熱して溶融させ、被加工物からマスクを除去する。
【００１３】
このような製造方法では、マスクとなる部分の粉末状の塗布剤のみを加熱して溶融・凝固させているので、局所的に加熱された塗布剤の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、局所的に加熱された場所の粉末状の塗布剤が加熱されなくなると同時に凝固する。これにより、被加工物に高精度のマスクを形成することができ、このマスクに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００１４】
上記製造工程で用いられる塗布剤として、融解開始温度と融解終了温度との温度差が５℃以下のものを用いることができる。小さい温度差で塗布剤を融解・凝固させることが好ましく、温度差は２℃であることが好ましい。
【００１５】
上記のような場合、塗布剤にはんだが添加されたはんだ剤を被加工物上にドット状に凝固させ、いわゆるリフローすることにより、被加工物上にはんだバンプ（３０）を設けることができる。これにより、被加工物に対して他の電子部品やワイヤ等ではんだを介した電気的接続を行うようにすることができる。
【００１６】
また、上記のような場合において、被加工物（１０、６０）としてプリント基板（１０）を用いる場合であって、このプリント基板に貫通孔（１１）が設けられている場合、溶融した塗布剤を貫通孔の開口部分に噴射して凝固することにより、貫通孔の開口部分を塞ぐことができるので、貫通孔に異物などを入り込ませないようにすることができる。また、塗布剤は、わずか５℃以下の温度差で融解・凝固するため、蓋部が不要になった場合、温度を加えるだけで蓋部を容易に取り外すことができる。
【００１７】
さらに、上記のような場合において、溶融した塗布剤を貫通孔内に噴射して凝固することにより、貫通孔に塗布剤を埋めて貫通孔を塞ぐことができるので、貫通孔に異物を侵入させないようにすることができる。また、加熱するだけで、貫通孔内の凝固した塗布物を容易に取り除くことができる。
【００１８】
本発明の第３の特徴では、シート部材（２００）に塗布剤（４０）が塗布された描画シート（１００）を用意し、被加工物（６０）と塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。次に、描画シートのうちシート部材のみを除去する。そして、被加工物上の塗布剤のうち、マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融し、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する。この後、マスクに基づいて被加工物をパターニングし、マスクを加熱して溶融させて被加工物から除去することを特徴としている。
【００１９】
これにより、塗布剤のうちマスクとなる部分のみを加熱して溶融・凝固させているので、局所的に加熱された塗布剤の滲みや染み出しを防止することができ、高精度のマスクを形成することができる。これにより、精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００２０】
また、本発明の第４の特徴では、シート部材（２００）にはんだ材料が含まれた塗布剤（４２）が塗布された描画シート（１１０）を用意し、被加工物（２０、６０）と上記塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。そして、描画シートのうちシート部材のみを除去する。続いて、塗布剤のうち、はんだバンプ（３０）の形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、被加工物にはんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する。この後、被加工物上の塗布剤を熱処理することで、塗布剤に含まれたはんだ材料を被加工物に固定し、はんだバンプを形成することを特徴としている。
【００２１】
このように、はんだ材料が含まれた塗布剤を直接加熱することにより、被加工物上にはんだバンプを直接描画することができる。すなわち、はんだバンプを形成するためのマスクを用いずに、高精度にはんだバンプを形成することができる。
【００２２】
この場合、はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する際には、はんだ材料が含まれた塗布剤のうち局所的に加熱されなかった部分を除去することができる。これにより、被加工物上から不要なものを無くし、加熱処理を行うようにすることができる。
【００２３】
さらに、被加工物上にはんだバンプを形成した後、はんだ材料が含まれていない塗布剤（４０）がシート部材（２００）に塗布された描画シート（１００）を用意し、被加工物とはんだ材料が含まれていない塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置して、描画シートのうちシート部材のみを除去する。そして、塗布剤のうちマスクとなる場所をはんだバンプが包み込まれるように局所的に直接加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する。この後、マスクに基づいて被加工物を配線パターンにパターニングし、マスクを加熱して溶融させて被加工物から除去することができる。
【００２４】
このように、被加工物上にはんだバンプを形成した後、はんだバンプを包み込むように塗布剤を仮固定して被加工物上にマスクを形成することができ、当該マスクによって被加工物をパターニングすることができる。このような方法により、はんだバンプが形成されたパターン（配線パターン等）を少ない工程数で形成することができる。
【００２５】
本発明の第５の特徴では、シート部材（２００）にはんだ材料が含まれた塗布剤（４２）が塗布された描画シート（１１０）を用意し、被加工物（２０、６０）と塗布剤とが向き合うように被加工物上に描画シートを設置する。続いて、シート部材において塗布剤の反対側から、塗布剤のうちはんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、被加工物にはんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する。そして、塗布剤を熱処理することで、塗布剤に含まれたはんだ材料を被加工物に固定してはんだバンプを形成することが特徴となっている。このような方法によっても、はんだバンプを被加工物上に直接描画することができる。
【００２６】
また、本発明の第６の特徴では、上記本発明の第６の特徴において、描画シートのうち、シート部材のみを除去し、はんだバンプを形成することが特徴となっている。このようにシート部材を除去して塗布剤を直接加熱することで、塗布剤を高精度に加熱することができる。
【００２７】
このような場合、シート部材を移動させることで、塗布剤のうち加熱されていない部分をはんだバンプの形成予定場所に移動させ、当該はんだバンプの形成予定場所に塗布剤を仮固定することができる。これにより、シート部材に設けられた塗布剤を有効利用することができる。
【００２８】
そして、塗布剤を加熱する場合、半導体レーザ（８０、８２、８４、８６、８８）から照射したレーザ光を集光レンズ（８１、８３、８５、８７、８９）で塗布剤に集光することにより当該塗布剤を局所的に加熱することができる。
【００２９】
この場合、塗布剤の融解開始温度と融解終了温度を、１８℃〜１００℃の範囲内にすることができる。
【００３０】
このような温度範囲を設けることにより、加工したい被加工物の材質等に合わせて被加工物にマスクを形成することができる。このような融解開始温度または融解終了温度の範囲を実現するため、パラフィンもしくはポリエチレングリコールに、例えばアルミナ、カーボン、鉄、ＳＵＳ、ＳｉＣ、Ｓｉ、窒化珪素などの粉末材料を混入することが好ましい。
【００３１】
また、塗布剤を、パラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたもので構成できる。
【００３２】
このように、塗布剤としてパラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたものを用いると共に、パラフィンもしくはポリエチレングリコールの純度を上げることにより、融解開始温度と融解終了温度との温度差を小さくすることができ、上記のように５℃以下を実現できる。なお、小さい温度差で融解・凝固を起こさせるようにするため、融解開始温度と融解終了温度との温度差は２℃であることが好ましい。
【００３３】
さらに、パラフィンとしては、以下（１）〜（５）に示すノルマルパラフィンと非ノルマルパラフィンとを組み合わせたパラフィンも使用できる。なお、組成割合の%はすべて重量%である。また、パラフィンの融解開始温度と融解終了温度との温度差は後述するように５℃以下であることが好ましいが、さらに小さい温度差であることが好ましい。以下では、その温度差が小さいものについて示す。
【００３４】
（１）ノルマルパラフィンの成分合計８８．９９%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１８のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．４１%
炭素数２０のノルマルパラフィン：１．７６%
炭素数２１のノルマルパラフィン：５．６１%
炭素数２２のノルマルパラフィン：１０．６６%
炭素数２３のノルマルパラフィン：１４．７６%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１４．５０%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．４２%
炭素数２６のノルマルパラフィン：９．０８%
炭素数２７のノルマルパラフィン：６．５８%
炭素数２８のノルマルパラフィン：４．０４%
炭素数２９のノルマルパラフィン：２．８８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：２．０９%
炭素数３１のノルマルパラフィン：１．５０%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．０２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：０．７２%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．３７%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．２４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．１４%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数３８のノルマルパラフィン：０．０５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は８８．９９%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００３５】
このような組成（１）からなるパラフィンの平均炭素数は２４．７４であり、分子量分布の標準偏差は２．８６であり、この標準偏差が小さいほどシャープな分子量分布を示す。また、この組成（１）のパラフィンの最大分子量は５３４、最小分子量は２５４である。従って、分子量分布幅は２８０となる。
【００３６】
このような組成（１）のパラフィンの融解開始温度：５０．４℃、融解終了温度：５１．７℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．３℃と僅少値に設定できる。
【００３７】
（２）ノルマルパラフィンの成分合計８８．６４%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１８のノルマルパラフィン：０．０７%
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．２８%
炭素数２０のノルマルパラフィン：１．１０%
炭素数２１のノルマルパラフィン：３．３８%
炭素数２２のノルマルパラフィン：６．９２%
炭素数２３のノルマルパラフィン：１０．８６%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１２．６７%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．７４%
炭素数２６のノルマルパラフィン：１１．１７%
炭素数２７のノルマルパラフィン：９．１８%
炭素数２８のノルマルパラフィン：６．４３%
炭素数２９のノルマルパラフィン：４．７３%
炭素数３０のノルマルパラフィン：３．０１%
炭素数３１のノルマルパラフィン：２．１６%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．４２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：０．９８%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．５５%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．３６%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．２２%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．１５%
炭素数３８のノルマルパラフィン：０．１１%
炭素数３９のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数４０のノルマルパラフィン：０．０６%
以上ノルマルパラフィン成分合計は８８．６４%、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００３８】
このような組成（２）からなるパラフィンの平均炭素数は２５．６１、分子量分布の標準偏差は３．０５、最大分子量は５６２、最小分子量は２５４である。従って、分子量分布幅３６６となる。この組成（２）のパラフィンの融解開始温度：５２．５℃、融解終了温度：５３．７℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．２℃と僅少値に設定できる。
【００３９】
（３）ノルマルパラフィンの成分合計８９．５７%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数１９のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数２０のノルマルパラフィン：０．３４%
炭素数２１のノルマルパラフィン：１．３１%
炭素数２２のノルマルパラフィン：３．５０%
炭素数２３のノルマルパラフィン：７．０９%
炭素数２４のノルマルパラフィン：１０．３６%
炭素数２５のノルマルパラフィン：１２．５７%
炭素数２６のノルマルパラフィン：１２．６８%
炭素数２７のノルマルパラフィン：１１．７５%
炭素数２８のノルマルパラフィン：８．８０%
炭素数２９のノルマルパラフィン：６．９９%
炭素数３０のノルマルパラフィン：４．７４%
炭素数３１のノルマルパラフィン：３．４１%
炭素数３２のノルマルパラフィン：２．４２%
炭素数３３のノルマルパラフィン：１．７０%
炭素数３４のノルマルパラフィン：０．９３%
炭素数３５のノルマルパラフィン：０．５４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：０．２５%
炭素数３７のノルマルパラフィン：０．１０%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は８９．５７%、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４０】
このような組成（３）からなるパラフィンの平均炭素数は２６．５６、分子量分布の標準偏差は２．９４、最大分子量は５２０、最小分子量は２６８である。従って、分子量分布幅は２５２となる。この組成（３）のパラフィンの融解開始温度：５４．６℃、融解終了温度：５５．６ ℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．０℃と僅少値に設定できる。
【００４１】
（４）ノルマルパラフィンの成分合計７１．１１%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数２３のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数２４のノルマルパラフィン：０．１６%
炭素数２５のノルマルパラフィン：０．３９%
炭素数２６のノルマルパラフィン：０．８７%
炭素数２７のノルマルパラフィン：１．５２%
炭素数２８のノルマルパラフィン：１．９９%
炭素数２９のノルマルパラフィン：２．６８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：３．１４%
炭素数３１のノルマルパラフィン：３．７１%
炭素数３２のノルマルパラフィン：３．９４%
炭素数３３のノルマルパラフィン：４．０７%
炭素数３４のノルマルパラフィン：４．３７%
炭素数３５のノルマルパラフィン：４．９４%
炭素数３６のノルマルパラフィン：５．４９%
炭素数３７のノルマルパラフィン：６．００%
炭素数３８のノルマルパラフィン：５．４４%
炭素数３９のノルマルパラフィン：４．５０%
炭素数４０のノルマルパラフィン：３．７１%
炭素数４１のノルマルパラフィン：３．０１%
炭素数４２のノルマルパラフィン：２．５３%
炭素数４３のノルマルパラフィン：１．９４%
炭素数４４のノルマルパラフィン：１．５５%
炭素数４５のノルマルパラフィン：１．０６%
炭素数４６のノルマルパラフィン：０．８４%
炭素数４７のノルマルパラフィン：０．５８%
炭素数４８のノルマルパラフィン：０．４５%
炭素数４９のノルマルパラフィン：０．３３%
炭素数５０のノルマルパラフィン：０．３２%
炭素数５１のノルマルパラフィン：０．２６%
炭素数５２のノルマルパラフィン：０．２１%
炭素数５３のノルマルパラフィン：０．１９%
炭素数５４のノルマルパラフィン：０．１７%
炭素数５５のノルマルパラフィン：０．１５%
炭素数５６のノルマルパラフィン：０．１３%
炭素数５７のノルマルパラフィン：０．１１%
炭素数５８のノルマルパラフィン：０．０９%
炭素数５９のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数６０のノルマルパラフィン：０．０６%
炭素数６１のノルマルパラフィン：０．０５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は７１．１１%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４２】
このような組成（４）からなるパラフィンの平均炭素数は３６．３４、分子量分布の標準偏差は５．７０、最大分子量は８５６、最小分子量は３２４である。従って、分子量分布幅は５３２となる。この組成（４）のパラフィンの融解開始温度：７２．１℃、融解終了温度：７３．４℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．３℃と僅少値に設定できる。
【００４３】
（５）ノルマルパラフィンの成分合計７５．７８%、残部非ノルマルパラフィンからなるパラフィン
『ノルマルパラフィンの組成』
炭素数２９のノルマルパラフィン：０．０８%
炭素数３０のノルマルパラフィン：０．２３%
炭素数３１のノルマルパラフィン：０．６９%
炭素数３２のノルマルパラフィン：１．３６%
炭素数３３のノルマルパラフィン：１．７７%
炭素数３４のノルマルパラフィン：２．０２%
炭素数３５のノルマルパラフィン：２．２１%
炭素数３６のノルマルパラフィン：２．４１%
炭素数３７のノルマルパラフィン：３．０２%
炭素数３８のノルマルパラフィン：３．５８%
炭素数３９のノルマルパラフィン：３．５２%
炭素数４０のノルマルパラフィン：３．９４%
炭素数４１のノルマルパラフィン：４．１３%
炭素数４２のノルマルパラフィン：５．１５%
炭素数４３のノルマルパラフィン：４．９５%
炭素数４４のノルマルパラフィン：５．５４%
炭素数４５のノルマルパラフィン：４．５５%
炭素数４６のノルマルパラフィン：４．７１%
炭素数４７のノルマルパラフィン：３．５３%
炭素数４８のノルマルパラフィン：３．０８%
炭素数４９のノルマルパラフィン：２．３８%
炭素数５０のノルマルパラフィン：２．１６%
炭素数５１のノルマルパラフィン：１．６８%
炭素数５２のノルマルパラフィン：１．３５%
炭素数５３のノルマルパラフィン：１．２１%
炭素数５４のノルマルパラフィン：１．００%
炭素数５５のノルマルパラフィン：０．８５%
炭素数５６のノルマルパラフィン：０．８０%
炭素数５７のノルマルパラフィン：０．６３%
炭素数５８のノルマルパラフィン：０．５９%
炭素数５９のノルマルパラフィン：０．４９%
炭素数６０のノルマルパラフィン：０．４１%
炭素数６１のノルマルパラフィン：０．３４%
炭素数６２のノルマルパラフィン：０．３８%
炭素数６３のノルマルパラフィン：０．３６%
炭素数６４のノルマルパラフィン：０．３０%
炭素数６５のノルマルパラフィン：０．２３%
炭素数６６のノルマルパラフィン：０．１５%
以上ノルマルパラフィンの成分合計は７５．７８%であり、残部が非ノルマルパラフィンである。
【００４４】
このような組成（５）からなるパラフィンの平均炭素数は４３．６９、分子量分布の標準偏差は６．８１、最大分子量は９２６、最小分子量は４０８である。従って、分子量分布幅は５１８となる。この組成（５）のパラフィンの融解開始温度：８６．２℃、 融解終了温度：８７．９℃である。従って、融解開始温度と融解終了温度の温度差は1．７℃と僅少値に設定できる。
【００４５】
また、ポリエチレングリコールとしては次のようなものを使用できる。例えば、平均分子量：１５４０のポリエチレングリコールは、融解開始温度：４６℃、融解終了温度：４７．２℃である。したがって、この融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．２℃という僅少値に設定できる。
【００４６】
また、平均分子量４０００のポリエチレングリコールは、その分子量の最大値は５４６４、最小値は１６８９、数平均分子量Ｍｎ：２８６６、重量平均分子量Ｍｗ：２９３５、Ｚ平均分子量Ｍｚ：３００４、分子量分布分散度（１に近いほどシャープな分布を示す）Ｍｗ／Ｍｎ：１．０２３８、Ｍｚ／Ｍｗ：１．０２３７である。この平均分子量４０００のポリエチレングリコールの融解開始温度：５５．１℃、融解終了温度：５６．４℃である。したがって、融解開始温度と融解終了温度の温度差は１．３℃という僅少値に設定できる。
【００４７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００４９】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。
【００５０】
図１は、本発明に係る製造方法によって形成されたプリント基板の断面図である。この図に示されるように、プリント基板１０上に配線２０が形成されており、この配線２０上にはんだバンプ３０が設けられている。本実施形態では、プリント基板１０のサイズは例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ（大きなものでは、１０００ｍｍ×１０００ｍｍのものもある）である。また、配線２０は、例えば銅箔で形成されたものであり、配線２０の幅は例えば３０μｍ〜５０μｍ、厚さは例えば数μｍである。さらに、はんだバンプ３０は、プリント基板１０に搭載される電子部品、外部と接続するためのワイヤやリード等と配線とを電気的に接続するために用いられるものである。
【００５１】
次に、図１に示される配線２０を有するプリント基板１０の製造方法について、図を参照して説明する。図２は、印刷装置を用いて印刷する方法によって上記配線２０のパターンを形成する製造工程を示した図である。
【００５２】
本実施形態では、印刷装置を用いた方法によって配線パターンを形成するため、まず、印刷装置について説明する。本実施形態に係る印刷装置は、プリント基板１０上に溶融した塗布剤４０を噴射するノズル５０と、ノズル５０の周辺を冷たいエア等で冷却する冷却エア吹き出し口５５と、ノズル５０を駆動する図示しない駆動装置と、駆動装置にノズル５０を駆動するデータを出力する図示しない制御装置と、を備えて構成されている。なお、図２において、図２（ａ）のみにノズル５０の概略断面図を示してある。
【００５３】
上記印刷装置では、塗布剤４０としてパラフィンを主成分とするものを用いる。この塗布剤４０の融解開始温度（融点）は例えば５３℃であり、融解終了温度は５５℃〜５８℃である。すなわち、塗布剤４０は、温度幅が２℃〜５℃で溶融または凝固の状態変化が完了するものになっている。このため、塗布剤４０の温度をわずか２〜５℃変化させるだけで塗布剤４０を容易に融解・凝固させることができる。なお、わずかな温度差で塗布剤４０を融解・凝固するようにするため、塗布剤４０の溶融開始温度と溶融終了温度との温度差は２℃であることが好ましい。また、パラフィンを主成分とするものとは、パラフィン単体のものも含んでいる。
【００５４】
塗布剤４０においては、パラフィンにアルミナ、カーボン、鉄、ＳＵＳ、ＳｉＣ、Ｓｉ、窒化珪素などの粉末材料を混入することもできる。また、塗布剤４０の融点を例えば１８〜１００℃の範囲で設定することができる。このようにパラフィンに添加する材料は、パターニングの対象となるものの材質に応じて設定することができる。
【００５５】
例えば、（１）パラフィン材料１００重量％、（２）パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末の（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）１０〜６０重量％、更に、松ヤニが０〜２０重量％、）、（３）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（４）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ＳｉＣ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（５）パラフィンの含有量が０〜１００重量％、銅（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（６）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなどがある。また、（７）パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、カーボン・グラファイト（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のもの、（８）パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでシルク印刷材料の含有量が５〜１００％のもの、（９）パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでグリーンマスク印刷材料の含有量が５〜１００％のもの等を使うことができる。
【００５６】
上記パラフィン材料はＣｎＨｍの分子式（ｎ、ｍは任意の整数）で記述され、ｎが小さくなると融解温度が低くなり、ｎが大きくなると融解温度が高くなる。したがって、ｎが大きいものや小さいものが混ざると、融解温度に幅ができてしまう。そこで、上記のように融解温度の幅が２℃〜５℃になるようにするため、パラフィンの純度を向上させる。具体的に、パラフィンの分子量分布幅が狭いほどパラフィンの純度は高くなる。すなわち、例えば室温付近で２℃の温度差で融解したい場合、分子量分布幅が約５０〜３０００のものを用いる。また、５０℃付近で融解するパラフィン材料においては、分子量分布幅が１００〜１００００のものを用いる。さらに、９０℃付近で融解するパラフィン材料においては、分子量分布幅が５００〜１０００００の幅のものが好ましい。
【００５７】
分子量分布幅を狭める方法は、パラフィン材料の精製による。したがって、精製を精度良く行うと、分子量分布幅は小さくなる。そして、分子量分布幅が狭いと純度が高くなると共に、融解温度の幅が小さくなり、狭い温度範囲で融解・凝固を起こすことができるのである。また、この材料は、融解・凝固を何度も繰り返しても使えるので、ノズル５０のつまりなどを心配することがなくなる。作業の途中で中断しても、材料（塗布剤４０）の加熱ができれば、品質が安定したものを作ることができる。
【００５８】
このような塗布剤４０が溶融した際の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）〜３ｍＰａ・ｓである。この粘度は、水とほぼ同じ粘度であり、溶融した塗布剤４０の流れ性は著しく良好であると言える。以上のような特性を有する塗布剤４０として、カタメルチャック（商品名、登録商標、Ｔｈｅｒｍｏｆｉｘ、米国登録商標）を用いることができる。
【００５９】
上記のような塗布剤４０を噴射するノズル５０は、セラミック材料（例えばアルミナの焼結品）で構成され、ノズル５０のノズル穴５０ａの口径（噴射口の径）は約３０μｍ〜５０μｍになっている。本実施形態では、ノズル５０の口径が配線２０の線幅と同じになるように設計されている。さらに、このノズル５０は、上記塗布剤４０を溶融する温度に設定されている。すなわち、ノズル５０からは、溶融した塗布剤４０が噴射される。なお、例えば５３℃で溶融を開始し、５５℃で融解が完全に完了する塗布剤４０を用いる場合、ノズル５０およびその周辺は例えば５６℃〜５８℃（最大でも融点より＋２０℃〜＋７３℃以内に保つ）に加熱されていることが好ましい。
【００６０】
このノズル５０の内部（より詳しくはノズル穴５０ａの周囲）には、ノズル５０を加熱するヒータ５０ｂが備えられている。そして、ノズル５０はこのヒータ５０ｂによって塗布剤４０の融点よりも約１０〜２０℃高い温度で一定に加熱されるようになっている。
【００６１】
駆動装置は、ノズル５０からの塗布剤５０の供給（例えばエア圧力や加熱ポンプでの加圧でノズル５０から押し出す）、ノズル５０の移動や塗布剤４０の噴射を行うものであり、例えば噴射タイミングはＰＺＴ（ピエゾ）（電磁弁も用いることができる）を用いてノズル５０を駆動する。このような駆動装置は、例えば数十ナノ秒〜数千ナノ秒でノズル５０を駆動する能力を有しており、制御装置から入力されるデータに基づいてノズル５０を駆動する。すなわち、直線を描画する場合、駆動装置はＰＺＴ（または電磁弁）を開放状態として描画し、点を描画する場合、駆動装置は必要なときのみＰＺＴを開放して描画するようにノズル５０を駆動する。
【００６２】
制御装置は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク等からなる周知のパーソナルコンピュータで構成されるものである。この制御装置には、配線パターンのデータやはんだバンプ３０を形成する位置等のデータと共に、プリント基板１０上に配線パターンを描画する配線パターン描画プログラムや、配線２０上にはんだバンプ３０を描画するはんだバンプ描画プログラムが記憶されている。さらに、制御装置には、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１（図３参照）の開口部を塞ぐ閉塞描画プログラムも記憶されている。
【００６３】
この場合、駆動装置は微細な線・点を描画できる図示しない微細ノズルと、面を描画できる幅が広い図示しないノズルと、貫通孔１１を塞ぐ高粘度の塗布剤４０（パラフィンに添加材を混合した材料であり、後述するはんだ剤７０に相当）を供給する図示しないノズルと、を併用している。このような多種類のノズルの動きは、制御装置にて、微細な線・点、広い面など、幅広い異種類形状に応じて同時駆動され、お互いが補間され、協力的に作動され、論理的に素早く完成する様にプログラムされる。
【００６４】
また、他種類のノズルからは、従来のグリーンの絶縁材料も、また、製品の名称を示す、印刷（一般的なシルク印刷）も同時駆動にて、作動させることができる。
【００６５】
よって、従来は、グリーンマスク工程、シルク印刷工程など、多工程に亘って、それぞれが独立した工程であったものを、これらの工程の多くの部分を同時に並行的に行うことが可能になるので、大幅な工程の短縮が可能になる。なお、グリーンマスク工程、シルク印刷工程等は塗布される材料の変化があり、材料の寿命管理は注意を要する。
【００６６】
以上が、印刷装置の構成である。このような印刷装置を用いて、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成される配線パターン（すなわちマスクパターン）やはんだバンプ３０や、ビアの孔部の開放部を塞ぐ、あるいは、孔全体を埋める機能で描画する。
【００６７】
図２（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に銅箔６０が貼り付けられたものを用意し、印刷装置に設置する。なお、これらプリント基板１０や銅箔６０は、本発明の被加工物に相当するものである。
【００６８】
そして、制御装置において配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５０を駆動し、銅箔６０上に例えば数μｍの厚さの塗布剤４０（例えばパラフィン材料１００重量％）を噴射して配線パターンを描画する。
【００６９】
このように、ノズル５０にて塗布剤４０を銅箔６０上に塗布して配線パターンを描画する際、ノズル５０からは溶融した塗布剤４０を噴射する。また、銅箔６０の温度を、塗布剤４０の融点よりも例えば１℃〜５℃低い４８℃〜５２℃にしておく。
【００７０】
そして、塗布剤４０は、わずか２℃〜５℃の温度差で融解・凝固がシャープに変化するため、ノズル５０から約５５℃〜５６℃の温度の塗布剤４０を銅箔６０上に噴射すると、銅箔６０の熱伝導効果で、溶融した塗布剤４０は瞬時に融点以下になって凝固する。すなわち、ノズル５０にて描画される塗布剤４０のパターンがそのまま配線パターン（マスクパターン）となる。このように、溶融した塗布剤４０が銅箔６０に塗布されたと同時に凝固するため、銅箔６０上に塗布された塗布剤４０の滲みや染み出しが起こらず、ノズル５０の口径とほぼ同じ幅の配線パターンを描画することができる。さらに、ノズル５０の周囲に設置した冷却エア吹き出し口５５から冷却したエアを噴出して、冷却を早めることができ、滲みなどを防止することもできるのでシャープなエッジを形成することができる。
【００７１】
上述のように、ノズル５０の噴射口の径は３０μｍ〜５０μｍであるので、この径に対して例えば±５μｍの精度で塗布剤４０を塗布することができる。なお、パラフィン材料は、銅箔６０との密着性がきわめて良好であるので、塗布剤４０が凝固すると銅箔６０に強固に固定される。
【００７２】
このように、ノズル５０から溶融した塗布剤４０を噴射すると共に、ノズル５０を配線パターンの通りに駆動することで、銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを形成する。そして、この塗布剤４０の配線パターンが銅箔６０に対するマスクとなるのである。
【００７３】
なお、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍのサイズのプリント基板１０に配線パターンを描画する場合、５０μｍのドットとして塗布剤４０を塗布すると、ノズル５０の駆動回数は約１００万回〜５００万回になる。ノズル５０の移動時間や塗布時間を含め、配線パターンにもよるが、例えば約１時間で配線パターンを描画することができる。
【００７４】
続いて、図２（ｂ）に示す工程では、銅箔６０をエッチングし、銅箔６０のうち不要な部分を除去する。具体的には、塩化第二鉄の溶液に図２（ａ）に示されるプリント基板１０を浸す。これにより、銅箔６０のうち、塗布剤４０が塗布されていない部分を塩化第二鉄によって溶解する。
【００７５】
なお、パラフィン材料は、銅箔６０をエッチングする塩化第二鉄の溶液に対し、耐酸化性が著しく良好である。したがって、塗布剤４０に数μｍの膜厚さがあれば、十分な耐酸化性を有する。
【００７６】
図２（ｃ）に示す工程では、銅箔６０上の塗布剤４０を除去する。具体的には、塗布剤４０は温度によって融解・凝固が起こるので、塗布剤４０の溶融終了温度（５５℃〜５８℃）よりも高い温度のお湯をプリント基板１０に注ぐことにより、銅箔６０上の塗布剤４０を剥離することができる。こうして、銅箔６０を配線パターンにパターニングすることができる。
【００７７】
なお、お湯の中にプリント基板１０を浸漬させても良い。この場合、お湯の中に界面活性剤を導入しておくと塗布剤４０を水溶液中に溶解することができる。塗布剤４０の比重（例えば０．８〜０．９）は水よりも小さいため、塗布剤４０が温水に浮くので、プリント基板１０を容易に洗浄することができる。より洗浄効果を促進する方法として、超音波洗浄や超微細気泡洗浄の他、上記のように洗浄剤を導入する方法等がある。また、お湯の中に分散剤を入れると、パラフィンを液中に分散させることができるが、お湯の中に分散剤を入れないと、お湯が融解温度以下になったとき、塗布剤４０がお湯の液面に浮遊して固化し、膜を張る（再付着がおきる）ので注意を要する。
【００７８】
上記のようにしてプリント基板１０から剥離した塗布剤４０を回収し、リサイクルまたはリユースすることにより、塗布剤４０を何度でも利用することができる。
【００７９】
図２（ｄ）に示す工程では、はんだバンプ３０を形成する。本工程では、はんだバンプ３０を形成するためのはんだ剤７０を用いる。このはんだ剤７０は、パラフィン、粒子状（サブミクロン〜数十μｍ）のはんだ、そして松ヤニが混合したものであり、ボリューム比は、例えばパラフィンが３０％〜４０％、はんだが６０％〜７０％である。そして、このボリューム比でパラフィンおよびはんだが混合されたものに松ヤニが含まれた構成となっている。このようなはんだ剤７０は、塗布剤４０よりも高い粘度になっている。
【００８０】
また、本工程では、配線パターンを形成したノズル５０の口径よりも小さい口径を有するノズル５１を用いる。これは、配線２０上に噴射したはんだ剤７０が配線２０から流れ落ちてしまうことを防止するためである。したがって、ノズル５１の噴射口の径は配線２０の幅よりも小さくされたものを用いる。このようなノズル５１の噴射口の径は、例えば２０μｍである。
【００８１】
そして、制御装置においてはんだバンプ描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５１を駆動し、配線２０上に例えばサイズが２０μｍのドット状のはんだ剤７０（パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の含有量が１０〜６０重量％、更に、松ヤニが０〜２０重量％）を塗布する。
【００８２】
また、同時にパラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでシルク印刷材料の含有量が５〜１００重量％のもの、パラフィンの含有量が０〜９５重量％のものでグリーンマスク印刷材料の含有量が５〜１００重量％のものも塗布することができる。
【００８３】
すなわち、図２（ａ）に示す工程と同様に、ノズル５１をはんだ剤７０の融点以上に加熱しておき、プリント基板１０をはんだ剤７０の融点以下の温度にしておく。このような状態でノズル５１から溶融したはんだ剤７０を、はんだバンプ３０を形成したい配線２０上に噴射すると、溶融したはんだ剤７０が瞬時に融点以下になり、ドット状に凝固する。
【００８４】
この後、プリント基板１０を加熱してリフロー工程を行う。具体的に、配線２０上に凝固したドット状のはんだ剤７０において、パラフィンおよび松ヤニを溶融したり、気化したり、洗浄にて流し落とし、配線２０上にはんだのみを残すことにより、ドット状のはんだバンプ３０を形成する。このようにして、図１に示すプリント基板１０が完成する。
【００８５】
さらにこの後、図１に示されるプリント基板１０に設けられた図示しない貫通穴を塗布剤４０（例えば、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものや、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなど）で塞ぐ。具体的に、図３に示す工程を参照して説明する。図３は、図２に続く製造工程を示した図である。
【００８６】
図３に示す工程では、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１を塗布剤４０で塞ぐ。すなわち、プリント基板１０に配線２０を形成した後、例えばグリーンシート加工を行うような場合、プリント基板１０の貫通孔１１に異物等が入り込んでしまうことを防止するために貫通孔１１の開口部を塞ぐのである。
【００８７】
そして、制御装置において閉塞描画プログラムを実行することにより、駆動装置にてノズル５２を駆動し、貫通孔１１の開口部上に塗布剤４０を塗布する。すなわち、図２（ａ）に示す工程と同様に、ノズル５２から溶融した塗布剤４０を貫通孔１１の開口部に噴射し、貫通孔１１の開口部付近を融点以下の温度にしておくことで塗布剤４０を凝固する。これにより、図３に示される蓋部４１を形成する。
【００８８】
また、パラフィンの含有量が０〜１００重量％、銅（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものを用い、貫通孔１１を全部埋め、導電性を持たせることも可能である。
【００８９】
なお、本工程では、貫通孔１１の開口部に溶融した塗布剤４０（例えば、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％でアルミナ（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものや、パラフィンの含有量が４０〜１００重量％、ガラス（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の粉末の含有量が０〜６０重量％のものなど）を噴射するため、配線パターンを形成する際の塗布剤４０の粘度よりも大きい粘度のものを用いることが好ましい。また、本工程で用いるノズル５２は、配線パターンを描画したものを用いても良いし、新たに用意しても構わない。すなわち、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１のサイズに適した噴射口を有するノズルを用いるようにすれば良い。
【００９０】
上記のようにして形成した蓋部４１が不要になった場合は、プリント基板１０に蓋部４１の融点以上の温度のお湯を注ぐだけで、蓋部４１を溶融して剥離することができる。
【００９１】
以上、説明したように、本実施形態では、溶融した塗布剤４０を銅箔６０に塗布したと同時に凝固させることができるので、塗布剤４０の滲みや染み出しを防止することができる。すなわち、塗布剤４０は、溶融して凝固する温度幅が２℃〜５℃になっているので、銅箔６０の温度を溶融した塗布剤の温度からわずか２〜５℃低くしておくことで、塗布剤４０を素早く凝固することができる。これにより、銅箔６０上に高精度のマスクを形成することができ、このマスクのマスクパターンに基づいて精度良く被加工物をパターニングすることができる。
【００９２】
また、従来のように有機溶剤を用いないため、有機溶剤の廃棄等の煩雑な工程や、有機溶剤を用いる工程を削減できる。同様に、マスク材を用いてフォトレジストを露光することはないため、露光装置やそれを用いた工程を削減できる。
【００９３】
本実施形態では、配線２０上にはんだバンプ３０を形成している。従来では印刷によってはんだを印刷していたため位置ずれが起こっていた。しかしながら、本実施形態では、制御装置および駆動装置にてはんだバンプ３０を形成する場所にノズル５１を移動させることができる。このため、配線２０上に正確にはんだバンプ３０を形成することができる。このようなはんだバンプ３０によって、配線２０に対して他の電子部品やワイヤ等との電気的接続を行うようにすることができる。
【００９４】
さらに、塗布剤４０がわずかな温度で凝固する性質を用いることで、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１の開口部に蓋部４１を形成することや、貫通孔１１の内部に塗布剤４０を凝固させて貫通孔１１を埋めるようにすることもできる。これにより、貫通孔に異物などを入り込ませないようにすることができる。塗布剤４０は、わずか２℃〜５℃の温度差で融解・凝固するため、蓋部４１等が不要になった場合、温度を加えるだけで容易に除去できる。
【００９５】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、溶融した塗布剤４０（例えば、パラフィン材料１００重量％の箔形状または微粉末であり、粒子径はナノ粒子〜数ｍｍ）を銅箔６０上に配線パターンとして塗布するのではなく、粉末状の塗布剤４０を銅箔６０上で局所的に加熱して融解・凝固させることで配線パターンのマスクを形成することが特徴である。
【００９６】
図４は、本発明の第２実施形態に係る製造方法によって銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。本実施形態では、レーザ光を用いた方法によって配線パターンを形成するため、まず、レーザ光照射装置について説明する。このレーザ光照射装置は、レーザ光を照射する半導体レーザ８０と、半導体レーザ８０から照射されるレーザ光を集光する集光レンズ８１と、半導体レーザ８０を駆動する図示しない駆動装置と、駆動装置に半導体レーザ８０を駆動するデータを出力する図示しない制御装置と、を備えて構成されている。
【００９７】
上記半導体レーザ８０からは、一定周期のパルスレーザ光が照射される。また、レーザ光は集光レンズ８１にて例えば３０μｍ〜５０μｍのスポットに集光されるようになっている。すなわち、レーザ光の集光スポットが銅箔６０にて形成される配線２０の線幅に相当する。
【００９８】
駆動装置や制御装置は、第１実施形態と同じ構成のものが採用される。本実施形態では、駆動装置は、半導体レーザ８０の移動やレーザ光照射を駆動するものとして用いられる。また、制御装置には、配線パターンのデータやこのデータを用いた配線パターン描画プログラムが記憶されている。
【００９９】
以上が、レーザ光照射装置の構成である。このようなレーザ光照射装置を用いて、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成される配線パターンのマスクを形成する。
【０１００】
すなわち、図４（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に銅箔６０が貼り付けられたものを用意し、レーザ光照射装置に設置する。そして、銅箔６０上に粉末状の塗布剤４０を均一に分布させる。
【０１０１】
本実施形態では、塗布剤４０として第１実施形態と同じ特性のものを用いるが、本工程においては塗布剤４０が固化して粉末状になったものを用いる。このような粉末状の塗布剤４０のサイズは、例えば数μｍ〜１０μｍであり、この粉末状の塗布剤４０を例えば５０μｍ〜１００μｍの厚さで銅箔６０上に均一に敷き詰める。なお、粉末状の塗布剤４０を均一に敷き詰める際、ヘラやスキージを用いると良い。また、粉末状の塗布剤４０は、パラフィンが凝固して固化したものであり、粉末状の塗布剤４０に粘着性はない。したがって、塗布剤４０が銅箔６０上に敷き詰められても、塗布剤４０が銅箔６０に密着することはない。
【０１０２】
この後の工程で、粉末状の塗布剤４０をレーザ光の熱によって融解するため、粉末状の塗布剤４０としてパラフィンにレーザ光を吸収しやすいカーボン材料（数重量％〜５０重量％）を添加したものを用いると良い。これにより、半導体レーザ８０の加熱効率を向上でき、粉末状の塗布剤４０を均一に、かつ、素早く融解することができる。
【０１０３】
なお、粉末状の塗布剤４０としてパラフィンに絶縁性のアルミナ粒子（数重量％〜５０重量％）を添加したものを用いても良い。このような塗布剤４０を用いても、レーザの加熱効率を向上させ、粉末状の塗布剤４０を均一に融解させることができる。
【０１０４】
また、パラフィンの含有量が４０〜９０重量％、はんだ材料粉末（粒子径：ナノ粒子〜数ｍｍ）の含有量が１０〜６０重量％、さらに松ヤニが０〜２０重量％、の粉末をプリント基板１０上にへらなどで敷き詰める。はんだを溶解させたい部分にレーザ光を照射し、粉末状の塗布剤４０を溶融する。その他の部分は粉末のままであるので、簡単に取り除くことができる。この様にすると、プリント基板１０上にはんだ接合部を簡単に作成することができる。
【０１０５】
そして、図４（ｂ）に示す工程では、銅箔６０のうち配線２０となる部分の塗布剤４０を溶融する。具体的に、制御装置にて配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、銅箔６０上にレーザ光を照射して粉末状の塗布剤４０を加熱する。これにより、レーザ光が集光レンズ８１で集光されたスポット径で粉末状の塗布剤４０が融点以上に加熱されて融解する。レーザ光源の集光レンズ８１の集光精度は高く、スポット径が３０μｍ〜５０μｍの狙いに対し約±５μｍの精度でレーザ光を照射することができる。
【０１０６】
上記のようにして、レーザ光によって粉末状の塗布剤４０を融解した後、駆動装置によって半導体レーザ８０を配線パターンに合わせて移動させる。これにより、レーザ光が照射されなくなった塗布剤４０の温度は融点以下に下がり、塗布剤４０は凝固する。すなわち、半導体レーザ８０でレーザ光を照射しつつ、半導体レーザ８０を移動させることで、銅箔６０上のうちレーザ光を照射した部分の粉末状の塗布剤４０を次々と溶融・凝固して配線パターンを描画することができる。
【０１０７】
なお、上記駆動装置にて銅箔６０上で半導体レーザ８０を移動させているが、半導体レーザ８０を一カ所に固定しておき、半導体レーザ８０から照射されるレーザ光を例えば反射ミラーで銅箔６０上に走査させるようにしても構わない。これにより、反射ミラーの角度（姿勢）を変えるだけでよいので、配線パターンの描画時間を短縮できる。また、反射ミラーとプリント基板１０との動きを同期させれば、さらに描画時間を短縮できる。
【０１０８】
図４（ｃ）に示す工程では、図４（ｂ）の工程で溶融されなかった粉末状の塗布剤４０を銅箔６０上から取り除く。粉末状の塗布剤４０は銅箔６０に密着していないので、プリント基板１０を裏返したり風をかけたりすること等によって、銅箔６０上から粉末状の塗布剤４０を除去することができる。これにより、図４（ｃ）に示されるように、銅箔６０上に塗布剤４０によって構成される配線パターンのマスクを形成することができる。
【０１０９】
この後、図２（ｂ）、（ｃ）に示す工程を行うことで、プリント基板１０上に配線２０を形成する。また、図２（ｄ）に示す工程を行うことで、配線２０上にはんだバンプ３０を形成する。こうして、図１に示されるプリント基板１０が完成する。さらに、図３に示す工程を行うことで、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１の開口部を塞ぐことができる。
【０１１０】
以上、説明したように、本実施形態では、銅箔６０上に敷かれた粉末状の塗布剤４０のうち、マスクとなる部分の塗布剤４０のみをレーザ光で加熱して溶融・凝固させている。すなわち、局所的に加熱された場所の粉末状の塗布剤４０が加熱されなくなると同時に凝固する。これにより、局所的に加熱された塗布剤４０の滲みや染み出しを防止することができ、銅箔６０上に高精度のマスクパターンのマスクを形成することができる。
【０１１１】
また、本実施形態では、レーザ光で塗布剤４０を溶融しているため、第１実施形態のように溶融した塗布剤４０を噴射させるノズル５０やノズル５０を加熱する加熱手段が不要になる。
【０１１２】
（第３実施形態）
本実施形態では、上記第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、例えば３次元ブロックのような立体的なものに塗布剤４０でマスクすることが特徴である。
【０１１３】
図５は、金属ブロックに塗布剤４０をマスクして加工する様子を示した図である。この図に示されるように、被加工物である金属ブロック９０を用意し（図５（ａ））、この金属ブロック９０の表面に第１実施形態と同様の方法で溶融した塗布剤４０をノズルから噴射して塗布し、金属ブロックの表面で凝固させる（図５（ｂ））。これにより、金属ブロック９０の側面を塗布剤４０でマスクする。なお、金属ブロック９０は立体的なものであるので、ノズルが金属ブロック９０の周囲を移動することにより、金属ブロック９０の側面に溶融した塗布剤４０を塗布することができる。
【０１１４】
この後、金属ブロック９０をエッチング溶液に浸すことで、金属ブロック９０に塗布された塗布剤４０のうち開口した部分をエッチングする（図５（ｃ））。これにより、金属ブロック９０に溝９１を形成する。そして、エッチング後、金属ブロック９０にお湯を注ぐことにより、金属ブロック９０に塗布された塗布剤４０を剥離する（図５（ｄ））。このようにして、立体物である金属ブロック９０を加工することができる。
【０１１５】
以上のように、平面的なものだけでなく、立体的なものに対しても塗布剤４０でマスクキングすることができると共に、立体的なものをパターニングすることができる。
【０１１６】
（第４実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、プリント基板１０に回路パターンを形成するため、銅箔６０が貼り付けられたプリント基板１０上にノズル５０を介して塗布剤４０を噴射して配線パターンを描画することにより、当該塗布剤４０をマスクとしていた。しかし、本実施形態では、プリント基板１０上に塗布剤４０で構成されるシートを設置し、当該シートにレーザを照射することによって、配線パターンを直接描画することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る配線パターンの描画方法について説明する。
【０１１７】
したがって、本実施形態では、配線パターンを描画するための描画シートを用いる（後述する図８（ａ）参照）。具体的に、描画シートは、母体としてのＰＥＴシート（本発明のシート部材に相当）と、当該ＰＥＴシートの片面に塗布された離形材と、当該離形材上に塗布された塗布剤４０と、を備えて構成されている。
【０１１８】
ＰＥＴシートは、例えばポリエステル等の樹脂で形成されたシート状のものである。また、耐熱性を有するイミドのシート（例えばカプトンシート）や、その他、高耐熱性シートも用いることができる。本実施形態では、ＰＥＴシートはプリント基板１０に対応した形状をなしている。また、ＰＥＴシートの厚さは例えば１００μｍである。なお、ＰＥＴシートは、塗布剤４０を融解する温度に耐えられるものであることが好ましい。離形材は、ＰＥＴシートから塗布剤４０を剥がしやすくする周知のものである。
【０１１９】
また、塗布剤４０は、上記各実施形態で用いられたものと同様のものであり、配線パターンを描画するために用いられる。すなわち、配線パターンを描画する前では、塗布剤４０は、離形材を介してＰＥＴシート上に均一にシート状に塗布されて固化した状態になっている。このような塗布剤４０の厚さは自由に設計可能であり、例えば数μｍ〜３ｍｍである。
【０１２０】
次に、上記描画シートを用いた配線パターンのマスクの形成について説明する。本実施形態では、上記第２実施形態で用いられたレーザ光照射装置を用いて、配線パターンのマスクを形成する。図８は、本実施形態に係る製造方法によってプリント基板１０の銅箔６０上に塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【０１２１】
図８（ａ）に示す工程では、プリント基板１０上に描画シート１００を設置する。具体的には、銅箔６０が設けられたプリント基板１０と、離形材を介して塗布された塗布剤４０が設けられた描画シート１００を用意する。そして、銅箔６０と塗布剤４０とが向き合うように銅箔６０上に描画シート１００を置く。
【０１２２】
図８（ｂ）に示す工程では、描画シート１００のうちＰＥＴシート２００を剥離する。上述のように、描画シート１００においてＰＥＴシート２００と塗布剤４０とは離形材を介しているため、塗布剤４０を銅箔６０上に置かれた状態でＰＥＴシート２００から塗布剤４０を剥がす。これにより、銅箔６０上に塗布剤４０が設置された状態となる。
【０１２３】
図８（ｃ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて、配線パターンを描画する。すなわち、図４（ｂ）に示される工程と同様に、レーザ光照射装置にて配線パターン描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、銅箔６０側にレーザ光を照射し、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が集光レンズ８１で集光された部分を加熱する。これにより、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が照射された部分の塗布剤４０のみを融点以上に加熱して融解する。
【０１２４】
そして、駆動装置によって半導体レーザ８０を配線パターンに合わせて移動することで、レーザ光が照射されなくなった部分の塗布剤４０の温度が融点以下に下がる。こうして、塗布剤４０は銅箔６０に融合し、銅箔６０に強固に接合される。したがって、半導体レーザ８０でレーザ光を照射しながら当該半導体レーザ８０を駆動装置にて配線パターンに従って移動させることで、シート状の塗布剤４０のうち配線パターン部分を銅箔６０に強固に接合する。
【０１２５】
図８（ｄ）に示す工程では、上記図８（ｃ）に示される工程で、シート状の塗布剤４０のうちレーザ光が照射されなかった部分を除去する。例えば、吸引、振動、重力等を利用して、物理的な方法で塗布剤４０のうち未接合部を剥がし、銅箔６０上に配線パターン状に描画された塗布剤４０のみを残す。
【０１２６】
図８（ｅ）に示す工程では、銅箔６０をエッチングし、配線２０を形成する。すなわち、銅箔６０上に残された配線パターン状の塗布剤４０をマスクとしてエッチングすることにより、配線２０を形成する。こうして、希望とする回路パターンを有するプリント基板１０が完成する。
【０１２７】
以上説明したように、一定の膜厚で形成されたシート状の塗布剤４０のうち、配線パターン部分を半導体レーザ８０で局所的に精度良く融解し、銅箔６０に密着させているので、微細な形状を精度良く形成することができる。また、上記方法は、従来の印刷工程と比較して単純であるので、大幅に工程が短縮できるし、かつ精度良くマスク等の所望のパターンを形成することができる。
【０１２８】
（第５実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、上記描画シート１００を用いて、プリント基板１０上の銅箔６０を配線パターンにパターニングすると共に、配線パターンのうち所望の場所にはんだバンプ３０を形成することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る配線パターンの描画方法について説明する。
【０１２９】
図９は、本実施形態に係る製造方法によって、プリント基板１０の銅箔６０上にはんだバンプ３０および塗布剤４０の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。また、図１０は、図９に続く製造工程を示した図である。
【０１３０】
図９（ａ）に示す工程では、描画シート１１０を用意し、プリント基板１０の銅箔６０上に設置する。本工程では、はんだ材料として鉛フリーはんだが混入された塗布剤４２が設けられた描画シート１１０を用いる。当該はんだ材料入りの塗布剤４２は、上記と同様に、離形材を介してＰＥＴシート２００に塗布されている。そして、上記図８（ｂ）に示される工程と同様に、描画シート１１０のうちＰＥＴシート２００のみを剥がし、銅箔６０上に塗布剤４２を載せた状態とする。
【０１３１】
図９（ｂ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて、はんだバンプ３０のパターンを描画する。本工程では、図８（ｃ）に示される工程と同様に、レーザ光照射装置にてはんだバンプ３０の描画プログラムを実行することにより、駆動装置で半導体レーザ８０を駆動し、シート状の塗布剤４２のうちはんだバンプ３０に該当する部分の塗布剤４２のみを融解して銅箔６０に融合し、銅箔６０に仮固定する。
【０１３２】
図９（ｃ）に示す工程では、上記図８（ｃ）に示される工程と同様に、シート状の塗布剤４２のうち銅箔６０に接合されなかった未接合部を剥がし、プリント基板１０を加熱して仮固定されたはんだバンプ３０を銅箔６０上に強固に接合する。
【０１３３】
図９（ｄ）に示す工程では、はんだバンプ３０が設けられた銅箔６０上に描画シート１００を置き、レーザ光照射装置を用いて配線パターンを描画する。本工程では、はんだ材料が混入されていない塗布剤４０で構成された描画シート１００を銅箔６０上に載せ、描画シート１００のうちＰＥＴシートのみを剥がし、図８（ｃ）に示される工程と同様に配線パターンを描画する。このとき、配線パターンの配線の幅がはんだバンプ３０よりも広くなるように配線パターンを描画する。配線２０上に、確実にはんだバンプ３０を載せた状態のものを形成するためである。なお、念のため、はんだバンプ３０の周辺部に、レーザ光を２度照射する方法が有効である。
【０１３４】
図１０（ａ）に示す工程では、上記図８（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４０のうち配線パターン以外の部分を除去する。また、図１０（ｂ）に示す工程では、図８（ｅ）に示される工程と同様に、銅箔６０をエッチングして配線２０を形成する。
【０１３５】
図１０（ｃ）に示す工程では、図２（ｃ）に示される工程と同様に、配線パターン状の銅箔６０上の塗布剤４０や、銅箔６０上に設けられたはんだバンプ３０を包み込むように設けられた塗布剤４０を除去する。これにより、図１に示されるものと同様のものが完成する。
【０１３６】
このような方法によっても、プリント基板１０に回路パターンを形成することができ、さらに配線２０上にはんだバンプ３０を形成することもできる。当該方法は、あらかじめはんだバンプ３０を形成し、その後に配線パターンを形成するようにしているため、製造工程を大幅に短縮できる。
【０１３７】
（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、プリント基板１０に形成された配線パターンのうち所望の場所に描画シート１１０を用いてはんだバンプ３０を形成することが特徴となっている。
【０１３８】
図１１は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。本実施形態では、上記第２実施形態で用いられたレーザ光照射装置を用いて、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する。
【０１３９】
図１１（ａ）に示す工程では、配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。これを行うため、まず、はんだ材料が混入された塗布剤４２を備えて構成される描画シート１１０を用意し、当該塗布剤４２と配線パターンとが向き合うようにプリント基板１０上に描画シート１１０を置く。続いて、レーザ光照射装置を用いて配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。このとき、半導体レーザ８０からレーザ光をＰＥＴシートに向けて直接照射し、ＰＥＴシート２００を通過させたレーザ光を塗布剤４２に照射する。これにより、塗布剤４２のうちレーザ光を照射した部分を配線パターン上に仮固定する。
【０１４０】
図１１（ｂ）に示す工程では、例えば図８（ｂ）に示される工程と同様に、塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離する。なお、上述のように、離形材によって塗布剤４２をＰＥＴシート２００から容易に剥がすことができる。また、図１１（ｃ）に示す工程では、塗布剤４２のうち、仮固定以外の場所を除去する。本工程では、例えば図２（ｃ）に示される工程と同様にお湯を用いて塗布剤４２を除去する。
【０１４１】
図１１（ｄ）に示す工程では、塗布剤４２を加熱することで、はんだ材料を配線２０に固定し、はんだバンプ３０を形成する。すなわち、図１１（ｃ）の工程を終えた段階では、配線パターン上に形成された塗布剤４２は仮固定された状態であり、配線パターンを構成する銅箔６０と強固に接合していない状態になっている。したがって、本工程において加熱処理を行うことにより、塗布剤４２のうちはんだ材料を銅箔６０に強固に接合する。こうして、配線２０上にはんだバンプ３０が形成されたものが完成する。
【０１４２】
以上説明したように、描画シート１１０を用いてはんだバンプ３０のパターンを配線パターン上に直接描画することもできる。このような方法を採用しても、はんだバンプ３０のパターンを形成することができる。
【０１４３】
（第７実施形態）
本実施形態では、上記第６実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、描画シート１１０からＰＥＴシート２００を剥がした後、塗布剤４２をはんだバンプ３０のパターンにパターニングすることが特徴となっている。
【０１４４】
図１２は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。図１２（ａ）に示す工程では、描画シート１１０を用意し、当該描画シート１１０に塗布された塗布剤４２と配線パターンとが向き合うようにプリント基板１０上に描画シート１１０を載せる。また、図１２（ｂ）に示す工程では、図８（ｂ）に示される工程と同様に、シート状の塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離する。
【０１４５】
図１２（ｃ）に示す工程では、レーザ光照射装置を用いて配線パターン上にはんだバンプ３０のパターンを描画する。これにより、塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を配線パターン上に仮固定する。
【０１４６】
この後、上記図１１（ｃ）に示される工程と同様に、塗布剤４２のうち仮固定以外の場所を除去し、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４２を加熱処理してはんだ材料を配線２０に強固に接合して、はんだバンプ３０を形成する。
【０１４７】
以上説明したように、塗布剤４２からＰＥＴシート２００を剥離した後、塗布剤４２にはんだバンプ３０のパターンをパターニングすることもできる。このような方法により、レーザ光を照射するに際し、ＰＥＴシート２００を介在させずにレーザ光を塗布剤４２に直接照射することで、レーザ光の焦点位置をより高精度にすることができ、精度の良いはんだ付けを行うことができる。
【０１４８】
（第８実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、配線パターン上の所望の場所にはんだバンプ３０を形成する場合、プリント基板１０上に置いた描画シート１１０を移動させることで、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２を有効利用することが特徴となっている。以下、本実施形態に係る製造方法について説明する。
【０１４９】
図１３は、本実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。図１３（ａ）に示す工程では、配線パターンのうち１カ所にはんだバンプ３０を仮固定する。このため、まず、描画シート１１０を用意し、描画シート１１０をプリント基板１０上で移動させることができる図示しない移動装置に設置する。当該移動装置には、あらかじめ描画シート１１０の塗布剤４２のサイズや座標等の位置を示すパラメータを入力しておく。
【０１５０】
そして、描画シート１１０に塗布された塗布剤４２と配線パターンとが向き合うように、詳しくはＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が配線パターンのうちはんだバンプ３０の形成予定場所に位置するようにプリント基板１０上に描画シート１１０を載せる。この後、半導体レーザ８０からレーザ光を照射して、塗布剤４２を配線パターン上に仮固定する。
【０１５１】
図１３（ｂ）に示す工程では、配線パターンのうち、図１３（ａ）に示される工程で塗布剤４２が仮固定された場所とは異なる場所に塗布剤４２を仮固定する。具体的には、移動装置により、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が配線パターンのうち次のはんだバンプ３０の形成予定場所に位置するように描画シート１１０を移動させる。そして、半導体レーザ８０からレーザ光を照射し、配線パターン上に塗布剤４２を仮固定する。
【０１５２】
図１３（ｃ）に示す工程では、移動装置によって描画シート１１０を移動させ、図１３（ｂ）に示される工程と同様に配線パターン上に塗布剤４２を仮固定する。
【０１５３】
以後、配線パターン上にはんだバンプ３０を形成する場所に、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２の端が位置するように移動装置によって描画シート１１０を移動させ、上記図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に示される工程を繰り返すことにより、配線パターン上にはんだバンプ３０となる塗布剤４２をパターニングする。
【０１５４】
この後、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、塗布剤４２に対する加熱処理を行うことにより、塗布剤４２のうちはんだ材料を銅箔６０に強固に接合する。このようにして、はんだバンプ３０を形成することもできる。
【０１５５】
以上説明したように、本実施形態では、描画シート１１０を移動させて塗布剤４２の端にレーザ光を照射し、配線パターン上にはんだバンプ３０となる塗布剤４２を仮固定することが特徴となっている。これにより、ＰＥＴシート２００上の塗布剤４２を有効利用することができる。
【０１５６】
（第９実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記のように、配線２０に対するはんだ付けは、シート状の塗布剤４２にレーザ光を照射し、塗布剤４２を仮固定した後、熱処理することで行っている。しかしながら、プリント基板１０には微細回路や大きな電流を流す配線など、様々な配線パターンが形成される。このため、各配線のタイプに応じたはんだバンプ３０を形成することが好ましい。
【０１５７】
そこで、本実施形態では、塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を配線パターン上に仮固定するに際し、形成するはんだバンプ３０のサイズに応じて出力が異なる半導体レーザを用いることが特徴となっている。用いる電流量が異なる回路を複数備えた混在型のプリント基板１０に対して適用することができる。
【０１５８】
図１４は、異なる半導体レーザを用いて塗布剤４２を仮固定する様子を示した図である。このうち、図１４（ａ）は、微細な配線パターンに塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。
【０１５９】
この図に示されるように、微細な配線パターンに対しては、当該微細な配線パターンに応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さの塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意し、さらに出力パワーが小さい半導体レーザ８２を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。また、微細なはんだバンプ３０をパターニングするため、上記半導体レーザ８２に対応した微細な集光レンズ８３を用いることが好ましい。
【０１６０】
また、微細ではないが、バスバー２１ほど大きな電流を流さない配線に対しては、上記半導体レーザ８２よりも出力が大きい半導体レーザ８４を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。この場合、半導体レーザ８４に対応した集光レンズ８５を用いることが好ましい。
【０１６１】
このように、微細回路や中程度の回路の配線パターンに対しては、上記の半導体レーザ８２、８４を組み合わせて用いることで塗布剤４２を配線パターン上に仮固定し、その後熱処理することで、はんだバンプ３０を形成することができる。
【０１６２】
図１４（ｂ）は、バスバー２１に塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。バスバー２１は、例えば上記微細な回路の配線パターンよりも厚い銅箔により形成されたものである。
【０１６３】
図１４（ｂ）に示されるように、バスバー２１に対しては、当該バスバー２１に応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さ、すなわち図１４（ａ）に示された塗布剤４２よりも厚い塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意し、さらに上記半導体レーザ８２、８４よりも出力パワーが大きい半導体レーザ８６を用いて塗布剤４２にレーザ光を照射する。この場合においても、半導体レーザ８６に対応した集光レンズ８７を用いることが好ましい。
【０１６４】
このように、配線パターンの種類に応じたはんだバンプ３０を形成する場合においては、形成したいはんだバンプ３０のサイズに応じたシート状の塗布剤４２にそれぞれ対応した半導体レーザ８２、８４、８６からレーザ光を照射する。
【０１６５】
また、図１４（ｃ）は、バスバー２１の広範囲に塗布剤４２のうちはんだバンプ３０となる部分を仮固定する様子を示した図である。この場合、レーザ光照射装置の駆動装置によって半導体レーザ８６を移動させることで、バスバー２１上の広範囲に塗布剤４２を仮固定することができる。
【０１６６】
以上説明したように、プリント基板１０上の回路のタイプに応じた配線パターンに対応させて厚みの異なる塗布剤４２を用いると共に、配線パターンに対応した半導体レーザ８２、８４、８６を用いることで、配線パターン上に精度良くはんだバンプ３０を形成することができる。
【０１６７】
（第１０実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第９実施形態では、バスバー２１等のサイズが大きい配線に対しては、半導体レーザ８６を移動させて塗布剤４２をバスバー２１上に仮固定していたが、本実施形態では、大型の半導体レーザを用いると共に、当該大型の半導体レーザを移動させずに塗布剤４２を仮固定することが特徴となっている。
【０１６８】
図１５は、本実施形態において、大型の半導体レーザを用いてはんだバンプ３０を形成する製造工程を示した図である。図１５（ａ）に示す工程では、バスバー２１上に塗布剤４２を仮固定する。具体的には、まず、バスバー２１のサイズに応じたはんだバンプ３０を形成できる厚さの塗布剤４２を備えた描画シート１１０を用意する。また、バスバー２１を移動しなくてもレーザ光を照射するのみでバスバー２１上に塗布剤４２を仮固定できる大型の半導体レーザ８８を備えたレーザ光照射装置を用意する。
【０１６９】
そして、半導体レーザ８８をプリント基板１０のバスバー２１上に配置し、半導体レーザ８８からレーザ光を照射して集光レンズ８９で集光して塗布剤４２に照射する。これにより、塗布剤４２をバスバー２１上に仮固定する。バスバー２１において図１５（ａ）に示される場所以外の場所についても同様に塗布剤４２を仮固定する。
【０１７０】
この後、図１５（ｂ）に示す工程では、図１１（ｄ）に示される工程と同様に、バスバー２１上の仮固定された塗布剤４２を加熱処理することで、バスバー２１上にはんだバンプ３０を形成する。
【０１７１】
以上説明したように、はんだバンプ３０を形成したい場所に応じて、大型の半導体レーザ８８を用いることにより、レーザ光を照射しながら半導体レーザ８８を移動させなくても塗布剤４２を仮固定することができる。
【０１７２】
（他の実施形態）
上記塗布剤４０もしくははんだ剤７０は、パラフィンを主成分とするもので構成されているが、ポリエチレングリコールを主成分とするもので構成されていても構わない。
【０１７３】
第１、第２実施形態では、プリント基板１０の貫通孔１１を塞ぐ工程までを行っているが、配線パターンの描画によって配線２０を形成する工程までを行うようにしても構わない。同様に、はんだバンプ３０を形成する工程までを行うようにしても構わない。また、はんだバンプ３０を形成せずに蓋部４１を形成する工程を行っても良い。
【０１７４】
第１、第２実施形態では、プリント基板１０上に１層の配線２０の層のみを形成しているが、上記方法によって多層の配線層を形成するようにしても構わない。
【０１７５】
上記第１実施形態では、プリント基板１０の貫通孔１１の開口部に蓋部４１を形成しているが、この貫通孔１１に塗布剤４０を埋めるようにしても構わない。図６は、プリント基板１０の貫通孔１１に塗布剤４０を埋める工程を示した図である。この図に示されるように、プリント基板１０に設けられた貫通孔１１に溶融した塗布剤４０をノズル５２から噴射する。プリント基板１０は融点以下にされているので、貫通孔１１に塗布された塗布剤４０は貫通孔１１の内部で凝固する。こうして塗布剤４０で貫通孔１１を埋めることができる。
【０１７６】
上記各実施形態では、制御装置にプリント基板やパターニングするもの（被加工物）のサイズや位置情報をあらかじめデータとして記憶しておくことの他に、プリント基板１０や被加工物をカメラで撮影し、画像処理することによって配線２０や貫通孔１１の位置を正確に検出するようにしても良い。
【０１７７】
上記第１、第２実施形態では、銅箔６０上に塗布剤４０を描画してエッチングすることにより、配線２０を形成する実施例について説明しているが、加工品をパターニングする場合、加工品にドットを形成する場合、加工品に絵を描画する場合等に上記各実施形態の方法を適用することができる。また、加工品として、紙、布、金属箔、金属シート等などを用いることができる。
【０１７８】
第３実施形態では、ブロック状のものにマスクを形成していたが、図７に示されるように、球体の球面に塗布剤４０を形成し、例えばエッチングする等の加工を行うようにしても良い。図７は、球体に塗布剤４０をマスキングして加工する様子を示した図である。この図に示されるように、被加工物として球体９５を用意し（図７（ａ））、球体９５の球面を塗布剤４０でマスキングする（図７（ｂ））。そして、球体９５をエッチング溶液に浸してエッチングし、溝９６を形成する（図７（ｃ））。この後、球体９５にお湯を注ぎ、球体９５の側面に凝固した塗布剤４０を溶融して除去する（図７（ｄ））。このように、球体９５の球面に塗布剤４０をマスクしてパターニングするようにしても良い。
【０１７９】
第８実施形態では、ＰＥＴシート２００に塗布された塗布剤４２のうち端の部分にレーザ光照射を照射しているが、移動装置によって描画シート１１０を移動させることで、塗布剤４２のうちレーザ光が照射されていない場所をはんだバンプ３０の形成予定場所に移動させ、レーザ光を照射して塗布剤４２を仮固定するようにしても構わない。
【０１８０】
第９実施形態では、第８実施形態と同様に、描画シート１１０を移動させることで塗布剤４２を有効利用するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】本発明に係る製造方法によって形成されたプリント基板の断面図である。
【図２】印刷装置を用いて印刷する方法によって上記配線のパターンを形成する製造工程を示した図である。
【図３】図２に続く製造工程を示した図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る製造方法によって銅箔上に塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図５】金属ブロックに塗布剤をマスクして加工する様子を示した図である。
【図６】プリント基板の貫通孔に塗布剤を埋める様子を示した図である。
【図７】球体に塗布剤をマスクして加工する様子を示した図である。
【図８】第４実施形態に係る製造方法によってプリント基板の銅箔上に塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図９】第５実施形態に係る製造方法によってプリント基板の銅箔上にはんだバンプおよび塗布剤の配線パターンを描画する製造工程を示した図である。
【図１０】図９に続く製造工程を示した図である。
【図１１】第６実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１２】第７実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１３】第８実施形態において、配線パターン上にはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【図１４】第９実施形態において、異なる半導体レーザを用いて塗布剤４２を仮固定する様子を示した図であり、（ａ）は微細な配線パターンに対して、（ｂ）はバスバーに対して、（ｃ）はバスバーの広範囲に対して塗布剤のうちはんだバンプとなる部分を仮固定する様子をそれぞれ示した図である。
【図１５】第１０実施形態において、大型の半導体レーザを用いてはんだバンプを形成する製造工程を示した図である。
【符号の説明】
【０１８２】
１０…プリント基板、２０…配線、３０…はんだバンプ、４０、４１…塗布剤、５０…ノズル、６０…銅箔、７０…はんだ剤、８０、８２、８４、８６、８８…半導体レーザ、８１、８３、８５、８７、８９…集光レンズ、１００、１１０…描画シート、２００…ＰＥＴシート。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布剤（４０）を用いて被加工物（１０、６０、９０、９５）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
前記塗布剤の融解開始温度よりも低い温度にされた前記被加工物に、ノズル（５０）から溶融した塗布剤を噴射して塗布すると共にその塗布剤を凝固させ、前記被加工物にマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項２】
粉末状の塗布剤（４０）を用いて被加工物（１０、６０）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
前記被加工物の表面に前記粉末状の塗布剤を敷く工程と、
前記被加工物の表面に敷かれた前記粉末状の塗布剤のうち、前記マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記被加工物上に残された粉末状の塗布剤を除去する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項３】
前記塗布剤として、融解開始温度と融解終了温度との温度差が５℃以下のものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の加工品の製造方法。
【請求項４】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記塗布剤にはんだが添加されたはんだ剤（７０）を用意すると共に、前記パターニングされた被加工物上に溶融したはんだ剤をドット状に塗布して凝固する工程と、
前記被加工物を加熱して前記はんだ剤のうち塗布剤を溶融すると共に、前記はんだ剤に含まれるはんだを前記被加工物上に接合する工程と、を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項５】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記被加工物に貫通孔（１１）が設けられている場合、ノズル（５２）から溶融した塗布剤を前記貫通孔の開口部分に噴射して凝固することにより、前記貫通孔の開口部を塗布剤による蓋部（４１）で塞ぐ工程を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記被加工物に貫通孔（１１）が設けられている場合、ノズル（５２）から溶融した塗布剤を前記貫通孔内に噴射して凝固することにより前記貫通孔を塗布剤で埋める工程を行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項７】
塗布剤（４０）を用いて被加工物（６０）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１００）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記被加工物の表面に設置された前記塗布剤のうち、前記マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項８】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記はんだ材料が含まれた塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記はんだ材料が含まれた塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記被加工物の表面に設置された前記はんだ材料が含まれた塗布剤のうち、前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項９】
前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程では、前記はんだ材料が含まれた塗布剤のうち局所的に加熱されなかった部分を除去する工程が含まれていることを特徴とする請求項８に記載の加工品の製造方法。
【請求項１０】
前記被加工物上に前記はんだバンプを形成した後に、
前記はんだ材料が含まれていない塗布剤（４０）がシート部材（２００）に塗布された描画シート（１００）を用意する工程と、
前記被加工物と前記はんだ材料が含まれていない塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置し、前記描画シートのうち前記シート部材のみを除去する工程と、
前記はんだ材料が含まれていない塗布剤のうちマスクとなる場所を前記はんだバンプが包み込まれるように局所的に直接加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の前記はんだ材料が含まれていない塗布剤を凝固して配線パターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をマスクパターン状にパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする請求項８または９に記載の加工品の製造方法。
【請求項１１】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記シート部材において前記塗布剤の反対側から、前記塗布剤のうち前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項１２】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記塗布剤のうち前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項１３】
前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程では、前記シート部材を移動させることで、前記塗布剤のうち加熱されていない部分を前記はんだバンプの形成予定場所に移動させ、当該はんだバンプの形成予定場所に前記塗布剤を仮固定する工程が含まれていることを特徴とする請求項１２に記載の加工品の製造方法。
【請求項１４】
前記塗布剤を加熱する工程では、半導体レーザ（８０、８２、８４、８６、８８）から照射したレーザ光を集光レンズ（８１、８３、８５、８７、８９）で前記塗布剤に集光することにより当該塗布剤を局所的に加熱することを特徴とする請求項２ないし１３のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項１５】
前記塗布剤の前記融解開始温度と前記融解終了温度は、１８℃〜１００℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項１６】
前記塗布剤として、パラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたものを用いることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項１】
塗布剤（４０）を用いて被加工物（１０、６０、９０、９５）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
前記塗布剤の融解開始温度よりも低い温度にされた前記被加工物に、ノズル（５０）から溶融した塗布剤を噴射して塗布すると共にその塗布剤を凝固させ、前記被加工物にマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項２】
粉末状の塗布剤（４０）を用いて被加工物（１０、６０）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
前記被加工物の表面に前記粉末状の塗布剤を敷く工程と、
前記被加工物の表面に敷かれた前記粉末状の塗布剤のうち、前記マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記被加工物上に残された粉末状の塗布剤を除去する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項３】
前記塗布剤として、融解開始温度と融解終了温度との温度差が５℃以下のものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の加工品の製造方法。
【請求項４】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記塗布剤にはんだが添加されたはんだ剤（７０）を用意すると共に、前記パターニングされた被加工物上に溶融したはんだ剤をドット状に塗布して凝固する工程と、
前記被加工物を加熱して前記はんだ剤のうち塗布剤を溶融すると共に、前記はんだ剤に含まれるはんだを前記被加工物上に接合する工程と、を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項５】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記被加工物に貫通孔（１１）が設けられている場合、ノズル（５２）から溶融した塗布剤を前記貫通孔の開口部分に噴射して凝固することにより、前記貫通孔の開口部を塗布剤による蓋部（４１）で塞ぐ工程を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを除去する工程を終えた後、
前記被加工物に貫通孔（１１）が設けられている場合、ノズル（５２）から溶融した塗布剤を前記貫通孔内に噴射して凝固することにより前記貫通孔を塗布剤で埋める工程を行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項７】
塗布剤（４０）を用いて被加工物（６０）にマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて前記被加工物を加工する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１００）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記被加工物の表面に設置された前記塗布剤のうち、前記マスクとなる場所のものを局所的に加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の塗布剤を凝固してマスクパターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項８】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記はんだ材料が含まれた塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記はんだ材料が含まれた塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記被加工物の表面に設置された前記はんだ材料が含まれた塗布剤のうち、前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項９】
前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程では、前記はんだ材料が含まれた塗布剤のうち局所的に加熱されなかった部分を除去する工程が含まれていることを特徴とする請求項８に記載の加工品の製造方法。
【請求項１０】
前記被加工物上に前記はんだバンプを形成した後に、
前記はんだ材料が含まれていない塗布剤（４０）がシート部材（２００）に塗布された描画シート（１００）を用意する工程と、
前記被加工物と前記はんだ材料が含まれていない塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置し、前記描画シートのうち前記シート部材のみを除去する工程と、
前記はんだ材料が含まれていない塗布剤のうちマスクとなる場所を前記はんだバンプが包み込まれるように局所的に直接加熱して溶融すると共に、局所的に加熱する場所を移動していくことで加熱していた場所の前記はんだ材料が含まれていない塗布剤を凝固して配線パターン状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに基づいて前記被加工物をマスクパターン状にパターニングする工程と、
前記マスクを加熱して溶融させ、前記被加工物から前記マスクを除去する工程と、を含んでいることを特徴とする請求項８または９に記載の加工品の製造方法。
【請求項１１】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記シート部材において前記塗布剤の反対側から、前記塗布剤のうち前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項１２】
はんだ材料が含まれた塗布剤（４２）を用いて被加工物（２０、６０）上にはんだバンプ（３０）を直接描画する加工品の製造方法であって、
シート部材（２００）に前記塗布剤が塗布された描画シート（１１０）を用意する工程と、
前記被加工物と前記塗布剤とが向き合うように前記被加工物上に前記描画シートを設置する工程と、
前記被加工物上に設置された前記描画シートのうち、前記シート部材のみを除去する工程と、
前記塗布剤のうち前記はんだバンプの形成予定場所を局所的に直接加熱して溶融し、前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程と、
前記被加工物上の前記はんだ材料が含まれた塗布剤を熱処理することで、前記塗布剤に含まれたはんだ材料を前記被加工物に固定して前記はんだバンプを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする加工品の製造方法。
【請求項１３】
前記被加工物に前記はんだ材料が含まれた塗布剤を仮固定する工程では、前記シート部材を移動させることで、前記塗布剤のうち加熱されていない部分を前記はんだバンプの形成予定場所に移動させ、当該はんだバンプの形成予定場所に前記塗布剤を仮固定する工程が含まれていることを特徴とする請求項１２に記載の加工品の製造方法。
【請求項１４】
前記塗布剤を加熱する工程では、半導体レーザ（８０、８２、８４、８６、８８）から照射したレーザ光を集光レンズ（８１、８３、８５、８７、８９）で前記塗布剤に集光することにより当該塗布剤を局所的に加熱することを特徴とする請求項２ないし１３のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項１５】
前記塗布剤の前記融解開始温度と前記融解終了温度は、１８℃〜１００℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【請求項１６】
前記塗布剤として、パラフィンもしくはポリエチレングリコールを主成分としたものを用いることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１つに記載の加工品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００７−１８４５３９（Ｐ２００７−１８４５３９Ａ）
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２８２５２９（Ｐ２００６−２８２５２９）
【出願日】平成１８年１０月１７日（２００６．１０．１７）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月１７日（２００６．１０．１７）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
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