超音波トランスデューサ（１００）は、集積回路（５２）、及び集積回路にフリップチップバンプ（７６、７８）を介して結合された音響素子（９２、９４、９６）のアレイを有する。フリップチップバンプは１：１より大きいアスペクト比を有する高アスペクト比バンプを有する。アスペクト比はバンプ高さ（８２）のバンプ幅（８４）に対する比から成る。
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【課題】 基板のソルダーボールの形成方法及び基板を提供する。
【解決手段】 基板の導電性パッドにエッチングを進めるが、導電性パッドの厚さの５０％よりは大きく、１００％よりは小さい深さで導電性パッドをエッチングし、エッチングが進められた導電性パッドにソルダーボールを形成することを特徴とする基板のソルダーボールの形成方法である。また、導電性パッドは、銅でありうる。 （もっと読む）

【課題】 バンプの高さのばらつきを小さくすることが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】 電解めっき時に電流を複数の導体配線３，３ａ〜３ｃに印加するための複数のめっき用配線５，５ａ〜５ｃが製品領域外Ｆに形成される配線基板１であって、各導体配線３，３ａ〜３ｃに、半導体チップと接続するためのバンプ６が電解めっきにより形成され、各めっき用配線５，５ａ〜５ｃの配線長を各導体配線３，３ａ〜３ｃの配線長に対応して設定することにより、各めっき用配線５，５ａ〜５ｃから各導体配線３，３ａ〜３ｃのバンプ６形成領域までの配線長を同程度にする。これにより、バンプ６形成時のめっき成長速度が均一化される。 （もっと読む）

【課題】 十分に信頼性の高い理想的な接合状態を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半田バンプ２６ａを有する半導体部品２６および半田バンプ４２ａを有する基板４２を加熱し、半田バンプ２６ａ、４２ａの一端部を凹凸を有するステージに押圧して塑性変形させ、十分な面積の新生面を形成する。前記新生面にフラックス塗膜３２を転写して塗布する。半導体部品２６の半田バンプ26ａを基板４２の半田バンプ４２ａの上に載置して、半導体部品２６を基板４２に搭載する。半導体部品２６および基板４２を加熱して半田バンプ２６ａ、４２ａを溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】回路基板にはんだ付けされている低耐熱性表面実装部品を、回路基板や低耐熱表面実装部品の性能に影響を与えることなく、回路基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】低耐熱性表面実装部品１の面の外周寄り２でのはんだバンプ３を、中央寄りのはんだバンプ３よりも、低融点のはんだで形成する。回路基板の低耐熱性表面実装部品１の部分を局所的に加熱し、はんだバンプを溶融して取り外すのであるが、このように局部加熱すると、低耐熱性表面実装部品１の中央寄りに対し、外周寄りでは加熱温度が低い。このため、外周寄りでは、融点の低いはんだによるはんだバンプを用い、このような低い加熱温度でも、はんだバンプが溶融するようにする。これにより、低耐熱性表面実装部品１の面全体のはんだバンプが溶融する。 （もっと読む）

【課題】基板本体の表面に気泡の少ないハンダバンプを介して電子部品を確実且つ強固に実装し得るフリップチップ型の配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体２の表面に導体のパッド６を形成する工程と、パッド６の上に該パッド６を構成する導体の融点よりも低融点の合金粉末を含む導電性ペースト８を形成する工程と、導電性ペースト８を加熱してハンダバンプ９に形成するリフロー工程と、を含み、係るリフロー工程は、パッド６と導電性ペースト８とを、０．５ｄｅｇ℃／秒以下の昇温速度により昇温し且つ低融点合金の融点±１０℃の温度帯で予熱する予熱ステップＳ１，Ｓ２と、かかる予熱ステップの後に、上記導電性ペースト８を溶融させるべく、上記低融点合金の融点よりも１０℃乃至３０℃高い温度に加熱することにより、上記導電性ペースト８をハンダバンプ９に形成する加熱ステップＳ３，Ｓ４と、を有する、配線基板１の製造方法。 （もっと読む）

洗浄チャンバと、該洗浄チャンバ内において減圧下で接合面にエネルギー波を照射する洗浄手段と、洗浄チャンバ内から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段と、少なくとも一方の被接合物に関して先行する被接合物と後続の被接合物とを、実質的に同時に、少なくとも洗浄チャンバ内への搬入方向および洗浄チャンバ内からの搬出方向に搬送する搬送手段とを有する接合装置。洗浄した被接合物を大気中に取り出して接合するに際し、特に洗浄チャンバ周りの被接合物の搬入や搬出、受け渡しを円滑にかつ短時間で行うことができ、高スループットで所定の接合製品を量産することができる。その結果、接合工程全体のタクトタイムの短縮と、接合工程に要するコストの低減が可能となる。
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【課題】半田などの熱融解型接続部材を使用することなく、貫通スルーホールによる層間接続も同時に達成できる信頼性の高い電極接続を達成できる電子部品モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品モジュールは、複数の貫通孔が穿設された絶縁基板と、接続電極を前記貫通孔に挿入又は当接させて前記絶縁基板の一主面に固定された表面実装用電子部品と、前記絶縁基板の他主面に、その一部が前記表面実装用電子部品の接続電極と電気的に接触するよう形成された金属微粒子による回路パターンと、前記金属微粒子による回路パターン上に形成された金属めっき層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の限界を超えてファインピッチ化を可能とするはんだボール接合用パッドを備えた可撓性回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 可撓性絶縁板の一方の面に配線層を有し、該絶縁板を貫通しているビア孔の一端が該配線層で密閉されている可撓性回路基板において、上記ビア孔を充填している導体が、一端は上記配線層に接合されており、他端は上記ビア孔の他端から上記絶縁板の他方の面上に張り出して該ビア孔の他端の口径より広いパッド部を構成していることを特徴とする可撓性回路基板。 （もっと読む）

【課題】 大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、導体パターンを高密度に形成しても、断線を防止することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接続端子４を一体的に有する導体パターン３を備える配線回路基板１において、接続端子４には、接続側の表面に、接続端子４の幅方向の中央部において、その長手方向にわたって凸部５を設ける。接続端子４とバンプ１４とは、圧着（熱圧着）により、凸部５をバンプ１４に減り込ませて接続する。この接続では、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部５のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板にバンプを形成し、接合する半導体チップのフラックス洗浄を不要とし、応力がかかっても部品側や配線基板側には影響が及び難い部品実装配線基板、および配線基板への部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】 配線基板２１には、銅メッキ膜をエッチングした円錐台形状の銅核２６とそれを覆う球殻状の半田２７とからなるバンプを設ける。半導体チップ１１には、接合パッドとその周縁部に、銀の超微粒子が分散されたペーストによる導電性膜を形成し、耐食性付与のメッキ膜を形成して接合パッド１８とし、それを覆って一面にフラックス樹脂膜１９をペースト状として塗布する。半導体チップ１１を配線基板２１に位置合わせして加熱し、半田２７をリフローさせ、フラックス樹脂膜１９を垂れ下がらせ完全硬化させて実装する。 （もっと読む）

隆起した導電性機構を有する部分的にエッチングされた誘電体膜が提供される。誘電体膜中に隆起した導電性機構を形成する方法であって、誘電体膜を部分的にエッチングするステップを含む方法も提供される。
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実装済基板（４０）は、基板電極（２２）が形成された配線基板（２０）と、バンプ（１３）が形成された電子部品（１０）と、配線基板（２０）と電子部品（１０）とを接着する非導電性樹脂（３０）とを備える。バンプ（１３）の先端部（１３１）と基板電極（２２）との間の領域は、先端部（１３１）と基板電極（２２）とが接触している複数の接触領域（５１）と、複数の接触領域（５１）の周囲において非導電性樹脂（３０）が介在する樹脂介在領域（５２）とを有する。複数の接触領域（５１）はバンプ（１３）の先端部（１３１）に形成された複数の突起が押圧により基板電極（２２）に接して潰れた領域であり、これにより、バンプ（１３）と基板電極（２２）との電気的接続の信頼性が高められる。 （もっと読む）

電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法であって、ａ）第一電子基板上に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。

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【課題】 ベアチップへのはんだバンプ形成・インタポ−ザへの実装という製造工程を不要とするＬＳＩパッケージを提供する。
【解決手段】 ベアチップ４に設けられたベアチップＩ／Ｏ（入出力）端子３に接続する配線パタ−ン６を基板１のビルドアップ層２に形成し、ベアチップ４をＬＳＩパッケージに実装する。その際、配線パタ−ン６は基板１の外部Ｉ／Ｏ端子７に接続するように形成される。 （もっと読む）