【課題】半導体チップをフリップチップ実装する回路基板において、半田バンプの高さを高くできる構造を有する回路基板を提供する。
【解決手段】半導体チップがフリップチップ実装される回路基板１は、基板本体２の表面に形成される電極パッド３と、基板本体２の表面を覆うソルダレジスト層４と、を備える。ソルダレジスト層４には、電極パッド３を露出させる開口部４ａが形成される。また、基板本体２には、電極パッド３が配置される領域の外周に沿って溝部２ａが設けられており、この溝部２ａも開口部４ａによって露出されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品の端子に高い信頼性を持って接続できる電子部品用コンタクタの製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト電極５６Ｕとなる導電部材を電極パッド１２Ａ上に搬送する搬送工程と、導電部材を電極パッド１２Ａ上に接合する接合工程と、キャビティ部６４Ｐが形成された加圧ツール６３Ｉにて導電部材に対し成形処理を行うことによりコンタクト電極５６Ｕを形成する成形工程と、加圧ツール６３Ｉとコンタクト電極５６Ｕとの間に電圧を印加し放電を発生させることによりコンタクト電極の表面に硬化処理を行う表面硬化工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】実装時の位置ズレを無くし、３０μｍピッチ程度の微細接続が安定してできるような製造方法を提供する。これにより、ＩＣの小型化に伴うコストダウンにより安価な装置を実現する。
【解決手段】フィルム１基板に金属薄膜を形成し、フィルム基板に含まれる水分の量を０．１Ｗｔ％以下にして絶乾させた後、金属薄膜をパターニングして配線を形成し、配線が形成されたフィルム基板を一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置した後、ＩＣチップ３に設けられたバンプを配線にフェイスダウンで接合する。又は、フィルム基板に金属薄膜を形成し、フィルムを一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置して調湿した後、金属薄膜をパターニングして配線を形成し、配線が形成されたフィルム基板を一定の温湿度の環境下に一定時間以上放置した後、ＩＣチップに設けられたバンプを前記配線にフェイスダウンで接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイの電極と回路基板の電極との接合を行うボンディング装置において、接合荷重を低減すると共に簡便な方法で効率的に各電極の接合を行う。
【解決手段】金属ナノペーストを用いて半導体ダイ１２の電極と回路基板１９の電極とを接合するボンディング装置１０において、金属ナノペーストの微液滴を電極上に射出してバンプを形成するバンプ形成機構２０と、半導体ダイ１２のバンプを回路基板１９のバンプに押し付けて各電極を非導通状態で１次接合する１次接合機構５０と、１次接合された各バンプを接合方向に向かって加圧及び加熱して各バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて各電極が導通するよう２次接合する２次接合機構８０とを有する。 （もっと読む）

【課題】超音波の印加、加熱などを行わなくても、小さい圧力のみで基板同士を接続できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の第１の電極を備えた第１の基板と、複数の第２の電極を備えた第２の基板とを準備し、前記第１の電極に第１のバンプをワイヤボンディング法で形成し、前記第２の電極に第２のバンプをめっき法で形成し、前記第１のバンプの弾性率と前記第２のバンプの弾性率との差が、５００ｋｇｆ／ｍｍ²以下となるように弾性率の調整を行い、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが対向して接するように配置し、前記第１のバンプと前記第２のバンプとが電気的に接続されるように、加圧を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超音波ボンディングによる突起電極の接合強度を高めた半導体素子実装用基板およびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板11の上面に、下面に複数の電極端子22が形成されて電極端子22に突起電極23を備えた半導体素子21を実装するための、電極パッド12が形成された実装部11を有して成り、電極パッド12に突起電極23を当接させて半導体素子21の上面から超音波を印加して突起電極23を電極パッド12に接合する半導体素子実装用基板19であって、電極パッド12は、突起電極23が当接する領域の中央部12ａが外周部12ｂよりも低く、かつ中央部12ａと外周部12ｂとの間に環状に隙間12ｃが設けられている。電極パッド12の中央部12ａと外周部12ｂとが突起電極23と噛み合うとともに隙間12ｃにより接合時の応力を緩和できるので、接合強度および実装信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減でき、しかもボイドの発生を防止できる部品付き配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】はんだバンプ成形工程では、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化する。フラックス供給工程では、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５における複数の接続端子４７を、フラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置し、この状態で複数のはんだバンプ２２を加熱溶融する。これにより、はんだバンプ２２に含まれているフラックス２８は、加熱溶融工程において加熱溶融される際に気化して確実に頂部２７から外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたＡｕバンプとを接合した半導体装置の製造方法に関し、はんだに含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、半導体チップの電極パッドに拡散することを防止できると共に、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２の電極パッド３１に形成されたＡｕバンプ１３と対向する配線基板１１の接続パッド２１の接続面２１Ａ及び側面２１Ｂに、めっき法により、はんだ１４を形成し、次いで、このはんだ１４を溶融させて、接続パッド２１の接続面２１Ａに凸形状とされたはんだ溜り１５を形成し、その後、はんだ溜りが形成された接続パッド２１の接続面２１ＡにＡｕバンプ１３を載置して、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３とを接合させた。 （もっと読む）

【課題】 半田接合後の残存フラックスの洗浄除去、そして、アンダーフィルの充填などが必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とした半導体パッケージの製造方法及びその製造方法により得られる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 感光性フラックスを、半導体パッケージの半田ボールが搭載される面の回路パターン上の全面に塗布、乾燥し、感光性フラックス膜を形成後、所定のパターンを載置し、露光、現像して、半導体パッケージの半田ボール搭載用のランド部にフラックスパターンを形成する工程、前記フラックスパターン上に半田ボールを載せて、半田リフローによって半田ボールを半導体パッケージの半田ボール搭載用のランドと半田接合させる工程と、前記半田ボール搭載半導体パッケージを熱処理して感光性フラックスを硬化させる工程とからなることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】チップキャリアの配線層とバンプ形成面を分離することによりＩＣチップ実装後の高い接合信頼性が得られるチップキャリア及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１３の片面に電極パッド１６と接合ろう１５からなるバンプ２１が、もう一方の面に配線層１７及び配線層１９からなる多層配線を形成してチップキャリア１０を得る。さらに、ＩＣチップのパッドとチップキャリア基板のバンプ２１とを接合し半田フリップチップ実装して半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】クラックを生じにくい半田接合部、該半田接続部を備える回路基板などの電子部品、半導体装置、及び電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】平坦な基準表面ｐ１を有しているランド１１２であり、かつ半田を接合するための半田接合部ｐ３が設けられているランド１１２を備える電子部品であって、半田接合部ｐ３は、ランド１１２の基準表面に対して陥没した凹部１１３を形成しており、凹部１１３の表面にニッケルめっき層１１４が積層されており、ニッケルめっき層１１４が半田接合されるときにニッケルめっき層１１４の半田接合部ｐ３に形成される錫含有合金層１１６とニッケルめっき層１１４とがなす界面の位置が、基準表面ｐ１を含む平面からずれている。 （もっと読む）

【課題】基板に電気メッキでバンプを形成するための、リング状のレジストパターンを形成する装置を提供する。
【解決手段】この装置は、少なくとも一部がレジストＲでコーティングされた基板Ｗを保持するように構成された基板ホルダと、レジストの領域を加熱するように構成された加熱装置とを備える。基板ホルダと加熱装置ＨＤとの間で相対移動をすることが可能であり、このリングシール形成装置を使用して、加熱装置ＨＤにより加熱されるレジストの領域がリング形状となるように移動をすることにより、リング状のレジストパターンが形成できる。 （もっと読む）

【課題】 接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路板の製造を可能とする接着剤を提供する。
【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路部材接続用接着剤であって、ＩＣチップとプリント基板との接続用の接着剤であり、前記接着剤に３官能以上の多官能エポキシ樹脂及び／又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が含有され、前記接着剤の硬化後の１２０〜１４０℃での平均熱膨張係数が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】柔軟性を有する狭ピッチで微細な突起電極を介して、低い加圧力での接続を可能とし、圧接時の応力による電子部品などの破損を防止した信頼性に優れる電子部品実装構造体とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極端子１０ａを設けた電子部品１０と、電極端子１０ａに対向する位置に接続端子１２ａを設けた実装基板１２と、電極端子１０ａ上または接続端子１２ａ上に設けた突起電極１３を介して電極端子１０ａと接続端子１２ａとを接続する電子部品実装構造体１であって、突起電極１３は、少なくとも導電性フィラー１３ａと感光性樹脂１３ｂとを含み、感光性樹脂１３ｂの樹脂成分架橋密度が突起電極１３の高さ方向に異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板側電極と部品側電極との間の導通抵抗が従来構成よりも小さい電子装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置は、実装基板１に形成された基板側電極２と電子部品３に形成された部品側電極４とを接続する形で実装基板１に電子部品３をフリップチップ実装して構成される。部品側電極４上にははんだ層６が形成されており、基板側電極２上にはＡｕのスタッドバンプからなり、はんだ層６を貫通して部品側電極４に当接し基板側電極２と部品側電極とを接続する金属バンプ５が設けられている。部品側電極４は、Ａｌ層からなる部品側下地電極層４ａ上に、はんだ層６よりも導電性に優れ且つ金属バンプ５よりも硬度の高いＮｉ層が変形防止層４ｂとして形成された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】溶融した鉛フリー半田によって浸食され難い耐浸食性の高い溶融金属吐出装置用のノズルプレートを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の溶融金属吐出装置用のノズルプレートは、ステンレス鋼を基材として溶融半田に接する側の表面に鉄と錫からなる金属間化合物の層を有する構成としている。この構成により、半田によるステンレス鋼の浸食を金属間化合物によって抑制できるため、消耗部品であるノズルプレートの寿命を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】ソルダバンプが絶縁層部分に流れないようにすることができ、かつ、バンプ間のピッチを減らすことができるフリップチップ接続用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バンプパッドを備える基板を製造する方法において、回路パターンが陷沒された絶縁層を提供する段階と、バンプパッドが形成される部位の回路パターンをエッチングしてバンプパッドを形成する段階とを含むフリップチップ接続用基板の製造方法は、絶縁層に陷沒されている回路パターンの一部を溝形状で除去してバンプパッドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の同一表面上に半田プリコート層および金属めっき層を混在させて形成し、半導体素子およびチップ部品の接合性を容易にすることができる電子回路モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子回路モジュール１の製造方法は、接続端子３、４の形成工程Ａ、第１の接続端子３への半田プリコート層１１の形成工程Ｂ、めっき用レジスト膜２０による第１の接続端子３の被覆および第２の接続端子４の露出工程Ｃ、第２の接続端子４への金属めっき層１０の形成工程Ｄ、加熱したバンプ６をめっき用レジスト膜２０に埋没させて第１の接続端子３に当接させる工程Ｅ、バンプ６と第１の接続端子３との接合工程Ｆ、および、第２の接続端子４とチップ部品８との接合工程Ｇを備える。 （もっと読む）

【課題】弾力性に優れ、アスペクト比が高く、狭ピッチ化に対応し得るバンプが設けられた回路基板材の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の上面の電極２，３の少なくとも一部を含む領域に感光性樹脂組成物を塗布し、感光性樹脂組成物層４を形成した後に、電極２，３の外周縁よりも露光部の外周縁が内側に位置するように感光性樹脂組成物層４を選択的に露光し、電極２，３上に位置している感光性樹脂組成物の内、露光部において、酸または塩基を発生しつつ、周囲の未露光部の感光性樹脂組成物を露光部側に移動させ、該露光部において硬化を進行させて、樹脂コア６，７を形成し、樹脂コア６，７の外表面を被覆するように導電性被膜８，９を形成してバンプ１０，１１を形成する、各工程を備える回路基板材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一つの電極を複数の端子又は電極に電気的に接続した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体チップ１をフレーム４の上にフリップチップにより接続した半導体装置であって、前記フレームの上又は上方に形成された端子３ａ及び端子と、前記端子３ａと前記端子が電気的に接続され、前記端子３ａに第１ボンディング点が形成され、前記端子に第２ボンディング点が形成されたボンディングワイヤ５と、前記半導体チップ１の能動面に形成されたバンプ２と、を具備し、前記第１ボンディング点には前記ボンディングワイヤ５の一部からなる凸部５ａが形成されており、前記バンプ２は前記凸部５ａに接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）