【課題】複雑な構成の回路基板に対する球状体の搭載を実現する。
【解決手段】球状体を挿通させる挿通孔が形成された複数の搭載用プレート１１ａ，１１ｂと、搭載用プレート１１ａ，１１ｂの下面と基板４００の被搭載面とが互いに近接または接触して対向する対向状態となるように搭載用プレート１１ａ，１１ｂを基板４００に向けて移動させる移動処理を実行すると共に対向状態において直径が挿通孔の口径に対応する球状体を搭載用プレート１１ａ，１１ｂの上面に供給する供給処理を実行して挿通孔に挿通させた球状体を基板４００に搭載する搭載機構２とを備え、各搭載用プレート１１ａ，１１ｂには、口径が各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に互いに異なる挿通孔が形成され、搭載機構２は、移動処理および供給処理を各搭載用プレート１１ａ，１１ｂ毎に実行して口径に対応して直径が互いに異なる複数種類の球状体を１つの基板４００に対して搭載する。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の剥がれを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第１の枠部と第２の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、搭載部の主面に設けられている２個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、０．６〜１．５μｍであり、中間金属層の厚みが、０．５〜１．７μｍであり、メッキバンプ層の厚みが、５〜３０μｍであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装のための回路基板の銅配線をセミアディティブ法で形成した場合、その接続パッド部にすずなどの溶融金属を付着形成する工程で、特にシード膜が溶食し、接続パッドが細って断線障害などを生じるケースがある。
【解決手段】絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。その露出部に無電解置換めっき法ですずめっきパターンを付着形成する。次いで、そのめっきパターンをマスクに再度ウエットブラスト法で残りの感光性樹脂膜を除去する。この工程で溶融金属はシード膜に触れず溶食されない。また本工程の結果、実装工程でも両者は接触しないため構造のため、シード膜の溶食が発生せず、実装時でのパターンの細りも抑制される。 （もっと読む）

【課題】微細狭ピッチ電子回路のはんだバンプ形成を可能にし、バンプ形状とバンプ高さの均一化を図る技術を提供する。
【解決手段】電極パッドに該当する部分が開口したマスク４の開口部を電子回路基板１の電極パッドの位置に合わせて貼り付けたワークを、高温の有機脂肪酸溶液１０中に浸漬して静置しパッド部表面の酸化層を除去・清浄化するとともに有機脂肪酸の保護皮膜を形成せしめる第１のプロセスと、上部からはんだ粒子６を下方に向けて散布することにより、有機脂肪酸溶液１０中で溶融状態のはんだ粒子をマスクの開口部から電極パッドに落下到達せしめはんだ粒子６を融着凝集融合させて、マスク開口部をはんだで満たす第２のプロセスと、スキージーによりマスク開口部最上面まで溶融はんだを充填する第３のプロセスと、はんだ皮膜を凝固させる第４のプロセスを行うことによりはんだバンプまたははんだ皮膜を形成させる方法。 （もっと読む）

【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接合して安定的な接続状態を形成する導電性接合構造を提供する。
【解決手段】 ランド状接続端子３ａと、ランド状接続端子３ａに付勢力を施してランド状接続端子３ａと電気的に接触するバネ状接触子２とを備え、ランド状接続端子３ａは、スパイラル状接触子２、板バネ形状接触子、コイルバネ形状接触子などのバネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ３ａｃが施され、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせることによって、接触面に金属間接合部９が生成され、電子部品３などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―Ａｇメッキ３ａｃとＡｕメッキ７ｂとの間に金属間接合部９を生成させ安定的に接合することができる。 （もっと読む）

本発明は、第１の銅素子を第２の銅素子に接着させる方法であって、その方法によってこれらの素子が接触されるであろう、第１および第２のそれぞれの素子の表面のそれぞれの上に、酸素に富む銅の結晶性層を形成させる段階であり、それら２層の合計厚さが６ｎｍ未満である段階を含む方法であり、前記段階が、ａ）１ｎｍ ＲＭＳ未満の粗さおよび親水性表面が得られるように、これらの表面を研磨する少なくとも１つの段階； ｂ）研磨工程からの何らかの粒子および大部分の腐食抑制剤を除去するために、前記表面を洗浄する少なくとも１つの段階；およびｃ）その２つの、酸素に富む銅の結晶性層を接触させる段階を含む方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 半導体素子と回路基板との隙間を広いまま維持できる、半導体素子と回路基板とのバンプを介して接合された半導体装置およびその接合方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置（１０１）において、半導体素子（１０１）は電極部（１０２）とバンプ（１０５）を有し、回路基板（１０３）は電極部（１０４）とバンプ（１０６）とを有し、バンプ（１０５、１０６）の融点よりも低い融点を有する導電性フィラー（１０８）はバンプ（１０５、１０６）同士を電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】銅板と半導体素子との電気的接続の向上を図った半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１は、銅板をエッチングして突起電極１１０と凹部を形成し、その凹部に、突起電極１１５の高さよりも低い位置まで絶縁樹脂層１２０を形成した後に、半導体素子２１０と、突起電極１１０と一体的に形成されている配線層１３５を備えた銅板とを圧着し、配線層１３５を半導体素子２１０側に凸になるように反ることで、突起電極１１０と素子電極２１１との電気的接続を確実にする。 （もっと読む）

【課題】精密なめっき部材を容易に得ることができる光硬化性樹脂組成物を提供することができる。また、該光硬化性樹脂組成物を用いためっき部材の製造方法及び樹脂コア金属バンプの製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、光架橋性モノマー、光重合開始剤、及び、還元性高分子微粒子を含有する光硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】回路基板と電子部品との接合あるいは、電極の上へのバンプ形成を接合材料の供給量ばらつきに関わらず、半田オープン、ショート不良のない、安定した品質で量産が行える接合装置および方法を提供する。
【解決手段】回路基板１の上に流動体４を供給した後、供給された流動体４に含まれている導電性粒子３の量をカメラ２２の撮影データを画像処理して測定し、測定した数値に基づき、接合工程における第１電極２と第２電極６との隙間の値を適正値に制御して、生産条件に反映させる。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子が搭載された電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に形成され突起状端子を介して基板３０に電気的に接続された基板１０とを有し、突起状端子は、基板３０側の端部に導電性の被膜２２を有する炭素元素の線状構造体の束２０と、基板１０側の端部に導電性の被膜を有する炭素元素の線状構造体の束３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの出来栄えに影響されることなくボンディングを行なうことができ、フリップチップ接続時の接続不良等を回避することができる、スタッドバンプのボンディング形成方法を提供する。
【解決手段】基板の電極上にバンプをボンディングにより形成する方法であり、予め設定されたボンディング位置座標と、そのボンディング位置座標における想定バンプ接合領域を、データ記憶部に記憶させる工程と、電極の画像を撮影し処理して電極のボンディング可能領域を識別する工程と、識別されたボンディング可能領域と、データ記憶部に記憶された想定バンプ接合領域との重複率を算出する工程と、算出された重複率が設定された値以上であるか否かを判定する工程と、前記重複率が設定値以上であると判定された場合に前記ボンディング位置座標にボンディングを行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】実装基板の反りや電子部品のコプラナリティ不全によるはんだ未融合を防止できるようにする。
【解決手段】実装基板１の電極パッド１２と電子部品４の電極パッド４１とは、はんだフィレット３を介して接続されている。はんだフィレット３には、はんだ濡れ性に優れた金属の細線により構成された立体構造繊維体３が含有されている。はんだフィレット３の立体構造繊維体３の含有は、電極パッド１２と電極パッド４１との距離が大きい箇所のみであってもよい。はんだリフロー工程において、実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３を介して融合し合うため、はんだ未融合を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 接続信頼性の高いパッドを備えるプリント配線板の製造方法を提案する。
【解決手段】 パッド６１が、第１の電解銅めっき膜５６ａと２〜１０μｍの第２の電解銅めっき膜５９とから成り、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。このため、実装の際に、加圧し易く、接続信頼性を高めることができる。また、第１の電解銅めっき膜上に第２の電解銅めっき膜を形成して厚みを高めるので、パッド及び導体回路にサイドエッチングが発生せず、パッド及び導体回路の信頼性を低下させることが無い。 （もっと読む）

【課題】 裏面がＣＭＰ処理による鏡面状平面にされたウエハ上に、ＷＬＰＴＳＶ技術を活用したコネクタを作り込んで個片に切断することで大量生産されるスルーシリコンビア構造を有するウエハーレベルコネクタ。
【解決手段】 ウエハ上に直接コネクタを作り込み、各コネクタ間をダイシングして切断し、接続端子となるウエハ裏面をウエハレベルでＣＭＰ処理による鏡面状平面に仕上げることによって、大量生産を可能とし画期的な生産性を有するとともに、コネクタは、１０ＭＰａ程度の付勢力を発生するスパイラル状接触子と接続端子との間に１００℃程度の低温加熱をすることで金属接合が起きる。このようなＷＬＰＴＳＶ技術を活用した実装に係り、特に液晶パネルやカメラモジュール、ＩＣ、ＬＳＩ等の実装用や実装基板同士の接合を仲介する、ＴＳＶ構造を有するウエハーレベルコネクタ。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成するはんだバンプの形成方法を限定することなく、はんだバンプによる複数の接続部の面積をいずれも同程度に保ったままで、接続信頼性が高い実装を可能とする半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも１つの素子が形成された素子形成面と該素子形成面に形成された複数の電極パッド２とを有する半導体チップ１と、主面が半導体チップ１の素子形成面と対向し、且つそれぞれが主面の各電極パッド２と対向する位置に形成された複数の接続パッド１５を有する配線基板１０と、各電極パッド２と各接続パッド１５との間にそれぞれ設けられ、それらを電気的に接続する複数のはんだバンプ４とを備えている。各はんだバンプ４における、電極パッド２側の組成と接続パッド１５側の組成とは同一である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装構造体の信頼性を向上させる要求に応える実装構造体、基材及びバンプの形成方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２の上面に実装された電子部品３と、配線基板２及び電子部品３の間にて、配線基板２及び電子部品３に接着された接着部材４と、を備え、接着部材４は、樹脂部１２と、長手方向の線膨張係数が、樹脂部１２の線膨張係数よりも小さく、且つ、前記長手方向に垂直な断面方向の線膨張係数より小さい単繊維１３ａと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】矯正力を解除する際にボールの移動を抑えることができる基板矯正装置を提供すること。
【解決手段】ボールが搭載される基板の反りを矯正する基板矯正装置９は、基板Ｐ１を支持部としての外枠支持部３２、内枠支持部３３、島状支持部３４に対して当接するように吸引することで、基板Ｐ１に対して反りを矯正する矯正力を作用させる複数の吸引保持部３０を有し、基板Ｐ１を複数の吸引保持部３０により複数の部分において矯正することとする。 （もっと読む）

【課題】金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板の電極同士を接合する半導体装置の組立において、接合部の信頼性を向上させる
【解決手段】ウェーハと基板の各電極上に金属ナノインクの微液滴を射出した後、金属ナノ粒子を焼結させて金属バンプを形成するバンプ形成機構２０と、金属バンプの形成されたウェーハを半導体ダイに切り離すダイシング機構３０と、各金属バンプの表面にマイクロプラズマを照射するとともに金属ナノインクを塗布する照射塗布機構４０と、半導体ダイをピックアップして反転させ基板に重ね合わせる重ね合わせ機構５０と、金属ナノインクを加熱して金属ナノインク中の金属ナノ粒子を焼結させ、導体ダイと基板とを接合する接合機構８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の傾きによる悪影響をなくした圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 励振電極２１１，２２１が形成された振動部２３と接続電極２１２，２２２が形成された保持部２４とを有する矩形状の圧電振動片２と、ベース３と、ベースの封止部で接合する蓋とが設けられ、前記ベースの搭載部に前記圧電振動片の保持部が導電性バンプＢにより超音波接合された圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の一端部の両端部に接続電極を形成しており、当該接続電極で導電性バンプを介して前記ベース上に圧電振動片の一端部の両端部の二つの保持部領域で電気的機械的に接合され、前記圧電振動片の一対の接続電極と当該一対の接続電極間の領域以外で圧電振動片の素地が露出した一つの保持部領域で導電性バンプが当接した状態で前記ベース上に圧電振動片を片保持した。 （もっと読む）