【課題】半導体素子に形成されたＭＯＳＦＥＴに所望の応力分布と大きさを発生させることができ、それによりＭＯＳＦＥＴのキャリア移動度、電流駆動力を増大させることができるパッケージング構造を実現する。
【解決手段】電界効果トランジスタ５とその回路面側の表面に形成された突起電極７とを有した半導体素子１と、突起電極７に接続される導体部２を有し半導体素子１を実装した基台３と、半導体素子１およびその周囲の基台３上を封止した封止樹脂４とを備えた半導体装置において、半導体素子１は薄く形成され回路面を外側にして円柱状あるいは円筒状の支持体であるガイドポール１１に巻き付けられて、望ましくは半導体素子１の外周面に沿う湾曲面を持つように基台３に形成された凹部１２に実装される。 （もっと読む）

【課題】先にアンダーフィル用樹脂の塗布を行うフリップチップボンディングにおいて、導電性ペーストの導電粒子を節約すると共に電気的接続の信頼性を得る。
【解決手段】配線並びに所定の位置にパッド２が形成された配線基板１上に、パッド２を露出させたソルダーレジスト３を形成する。パッド２を囲んでソルダーレジストの形状がすり鉢状となるようにする。配線基板のパッド２上に、樹脂４に導電粒子５添加してなる導電性ペースト６を供給する。導電粒子５は重力により沈降する〔(ａ)〕。配線基板１を水平方向に振動させる〔(ｂ)〕と、導電粒子５はソルダーレジスト平坦部からすり鉢状形状の底の方へ滑落する〔(ｃ)〕。電極８上にバンプ９が形成された半導体チップ７を配線基板１上に搭載する。半導体チップ７に荷重を加えつつ、加熱して樹脂４を硬化させる〔(ｄ)〕。 （もっと読む）

【課題】面積が例えば２×２ｍｍ²程度以下の微小な半導体チップであってもスタッドバンプを容易に形成できる半導体装の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１４を支持し、半導体チップ１４より大きな面積をもち、かつ全体にわたって平坦な支持体１０ｚの上の中央部を避けた端側に、半導体チップ１４の背面が接合材１２によって固着された構造を形成する工程と、半導体チップ１４が支持体１０ｚに支持された状態で、半導体チップ１４の表面にワイヤバンプ法によりスタッドバンプ２６を形成する工程と含む。 （もっと読む）

【課題】一対の基体（例えば、半導体チップと回路基板、半導体チップと半導体チップとの組合せ等）における電極同士を短時間に接続し、低コストで効率的に半導体装置を得る半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、互いに対応する電極同士（例えば、電極１５及び電極４１同士）で接合される一対の基体１０Ａ及び４０のうち、少なくとも一方の基体１０Ａ上に磁性バンプ３４を形成するバンプ形成工程と、前記一方の基体１０Ａ上に形成された前記磁性バンプ３４の磁力により、前記一方の基体１０Ａにおける電極１５の位置を、該電極１５に対応した他方の基体４０における電極４１との接合位置に合わせる位置決め工程と、前記一方の基体１０Ａにおける前記電極１５と、前記他方の基体４０における前記電極４１とを接合する電極接合工程とを少なくとも含み、前記位置決め工程が、前記一方の基体１０Ａの複数個に対して一括して行われる。 （もっと読む）

【課題】卑金属製端子電極や卑金属製電極部に適用した場合でも、高温高湿の雰囲気下において経時的に接続抵抗が殆ど増大しない導電性接着剤および高温高湿の雰囲気下において経時的に接続抵抗が殆ど増大しない電子装置を提供する。
【解決手段】(A)導電性金属粒子（例、銀粒子）、(B)熱硬化性・接着性樹脂（例、エポキシ樹脂）系バインダーからなる導電性接着剤組成物において、成分(A)を72.5重量％〜91.0重量％、成分(B)を27.5重量％〜9.0重量％含有し、さらに(C)水不溶性であり常温で固形であり融点が熱硬化性・接着性樹脂の硬化温度より低い芳香族β-ジケトン（例、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン）を0.08重量％〜1.5重量％含有する導電性接着剤。電子部品の端子電極が、上記導電性接着剤の硬化物により回路基板の電極ランドに電気的に接続され、電子部品が回路基板に実装された電子装置、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面実装部品（ＳＭＤ）のリユースを行いやすくする表面実装部品の基板実装構造を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の表面実装部品の基板実装構造においては、電子部品１が、所定の長さ及び幅を持つ平面又は板状の電極１ａを配線基板２への実装面側に有し、配線基板２が、電子部品１の実装位置における該電子部品１の直下に、各電極１ａ毎に対応するランド部２ａを有し、各ランド部２ａの面積が、対応する各電極１ａの配線基板２側表面面積よりも小さく、各電極１ａが、対応する各ランド部２ａに予め印刷されたペーストハンダによって、リフローソルダリングにより配線基板２上に半田付けされていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。
【解決手段】ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂と、その熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含み、前記ラジカル重合性モノマーと前記熱硬化性樹脂と前記硬化剤の全量に対する前記ラジカル重合性モノマーの割合が、５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に電子部品実装用の樹脂テープを貼付する樹脂テープ貼付方法において、ベーステープ幅がある程度大きくても小さくてもその許容範囲の寸法誤差を吸収し、つねに所望の走行抵抗でテープを間欠運動にて供給できる、テープ貼付方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板保持部と、テープ供給機構と、樹脂テープをベーステープ側から基板に押圧する押圧部と、ガイド部を少なくとも一方の端部に有する複数のガイドローラと、一方の前記ガイドローラのガイド部と、もう一方の前記ガイドローラのガイド部との距離をベーステープ幅以下とするテープ貼付装置により安定しテープを供給する。 （もっと読む）

【課題】感光性樹脂と低融点金属からなる導電性フィラーとを含む感光性液状樹脂に対して光照射を行い硬化させた後、感光性樹脂の軟化温度まで加熱して感光性樹脂を収縮させるとともに導電性フィラー相互間の接合を生じさせることで低抵抗を実現できる導電性材料と、接続信頼性の高い電子部品実装構造体および低コストの配線基板ならびにこれらの製造方法とを提供する。
【解決手段】低融点金属からなる導電性フィラー１６と硬化済樹脂１７とからなる材料であって、導電性フィラー１６が分散された液状の感光性樹脂２２に光照射を行うことで硬化させ、さらに加熱または加熱と加圧を行うことで硬化した感光性樹脂２５を収縮させて、導電性フィラー１６相互間の接合を生じさせる構成からなる。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとの接触を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０は、集積回路２２が形成された面に、電極２４及び電極２４上に設けられたバンプ２６並びに無機材料からなるパッシベーション膜２８を有する。基板１０は、配線パターン１２を有し、半導体チップ２０が、バンプ２６と配線パターン１２が対向して電気的に接続されるように搭載され、半導体チップ２０よりも大きくて半導体チップ２０とオーバーラップする領域に開口が形成されない。第１の樹脂成形体３０は、パッシベーション膜２８と基板１０との間であって、電極２４よりも半導体チップ２０の外縁近くに配置されている。第２の樹脂成形体４０は、半導体チップ２０及び基板１０に密着して設けられた、第１の樹脂成形体３０とは硬さが異なる。 （もっと読む）

【課題】熱硬化型接着剤の反応性にかかわりなく、接続信頼性を損なうことなく、基板の反りを防止する実装方法を提供する。
【解決手段】相対向する電極を有する、基板１と実装部品３を熱硬化型接着剤２を介在させ、相対向する基板１と実装部品３をステージ４とヘッド５との間で、加熱加圧して加圧方向の電極間を電気的に接続する回路の実装方法であって、硬化後の熱硬化性接着剤のガラス転移温度が１００〜２００℃であり、実装部品の熱圧着開始より遅れて基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１及び第２の面１４，１６を有するベース基板１２と、複数の電気的接続部２２を有する、第１の面１４に形成された配線パターン２０と、第１の開口３２を有する、第１の面１４及び配線パターン２０を部分的に覆う第１のレジスト層３０と、第２の開口３６を有する、第２の面１６を部分的に覆う第２のレジスト層３４と、を含む配線基板１０を用意する工程と、複数の電極４２を有する半導体チップ４０を用意する工程と、加熱機構を備える、先端面５２が第２の開口３６よりも小さいボンディングツール５０によって半導体チップ４０を保持して加熱し、ボンディングツール５０を、先端面５２が第２の開口３６の内側のみとオーバーラップするように配置して、電気的接続部２２と電極４２とを対向させて電気的に接続するボンディング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部１４を有する配線基板１０を用意する工程と、集積回路２４が形成された半導体基板２２と、半導体基板２２の集積回路２４が形成された面（能動面２５）に形成された複数のバンプ電極２６と、半導体基板２２の能動面２５に形成された、ポリイミド樹脂からなる保護膜２８と、を有する半導体チップ２０を用意する工程と、Ａｒ及びＡｒよりも少量のＯ_２を含む混合ガス１００を用いてプラズマ処理を行って、保護膜２８の表面を改質するプラズマ処理工程と、プラズマ処理工程後に、配線基板１０に半導体チップ２０を搭載して、電気的接続部１４とバンプ電極２６とを対向させて電気的に接続する工程と、配線基板１０と半導体チップ２０との間に樹脂部３０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低い接合温度でも充分に接合できるようにしたり、または接合温度が高くなっても問題が生じないようにしたりする。
【解決手段】 電極２上に電線１を置き、接合材４を盛る。接合材４を第一の温度まで加熱し、絶縁被覆１２を分解溶出させる。さらに加熱して第一の温度より高い第二の温度とすると、接合材４中の接合用金属が融解し、親和性の違いから、接合用金属の層４１と絶縁材料の層４２に層分離する。さらに加熱を続けると、熱硬化樹脂が硬化し、金属層４１を覆うようにして硬化した樹脂層（硬化層）４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂内に気泡を発生させない。
【解決手段】配線の一部で形成される接続パッドを第１の面に複数有する配線基板と、前記接続パッドに導電性の接合材によって電極が接続される半導体チップと、前記配線基板と前記半導体チップとの間の隙間を埋める絶縁性の樹脂（アンダーフィル樹脂）とを有し、前記配線を覆うように前記配線基板の前記第１の面に設けられるソルダーレジスト膜を部分的に開口して形成される開口の底に前記接続パッドは形成され、前記開口の縁を形成する前記ソルダーレジスト膜部分は前記開口の内側に向かって徐々に薄くなり、前記開口の周壁は開口の内側に向かって徐々に低くなる傾斜面になっている。アンダーフィル樹脂は前記開口の内外を覆い、かつ開口の周縁部分では前記傾斜面上にアンダーフィル樹脂が密着している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の端子と基板の電極との間に低温で焼結する金属ナノ粒子を介在させることにより、低荷重下においても、端子と電極との間での良好な接合が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩチップ１（半導体素子）の金バンプ２（端子）に、Ａｇナノ粒子またはＳｎナノ粒子からなるナノ粒径の金属粒子１１をエポキシ樹脂１２に分散させてなる接合材料３を転写する（ａ）。このような構成の半導体素子１と基板４とを、接合材料３と電極５とが対向するように位置決めして、２００℃で加熱しながら低荷重下で接合させる（ｂ）。金属粒子１１はセラミックのように焼結して、粒子同士が結合して低温焼結による金属間結合が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱圧着ツールの吸着面を効率的に冷却することにより冷却時間の短縮を可能にする熱圧着装置及び熱圧着ツール、熱圧着方法を提供する。
【解決手段】吸着ツール２の冷却時には、送気源２３から送気される気体Ａが多孔質部材２１に接する側（上面側）から吸着ツール２を冷却するとともに、送気源２３から送気される気体Ｂが直接吸着面２ａを冷却する。冷却後、送気源２３の稼動を停止させると、送気ノズル３７からの送気が停止して導気板３３を下方に押す力Ｆ１が解消するので、ばね３６の付勢力により導気板３３の一端３３ａが吸着ツール２の吸着面２ａのレベルＬ１より上方に移動する。そのため、熱圧着時には、吸着面２ａに保持したチップ３を基板４に熱圧着する際に導気板３３の一端３３ａが基板４に接触することがない。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に設けられた半導体素子内の位置における電気抵抗率の相違を低減する半導体装置を提供する。
【解決手段】 周辺部Ｒと中央部Ｃを有する半導体素子１０と、半導体素子１０の実装基板２０と、半導体素子１０を実装基板２０に接合している接合層３０を備え、実装基板２０と接合層３０のうち少なくとも一方は、半導体素子１０の周辺部Ｒに対応している領域と、半導体素子１０の中央部Ｃに対応している領域とで不均一に構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品と補強板の搭載を同一位置で行なうことにより、基板の移動を不要とし、電子部品と補強板との相対的な位置精度を良好に維持する。
【解決手段】基板１上及びＬＳＩ１５上への接着剤１７，１９の塗布を所定位置で行なう塗布機構１１と、ＬＳＩ１５及び補強板１８の搭載を所定位置で行なう単一の搭載機構８と、この搭載機構８によってＬＳＩ１５及び補強板１８が搭載された基板１を加熱位置に搬送する搬送機構３２と、この搬送機構３２によって加熱位置に搬送された基板１上のＬＳＩ１５、及び補強板１８を加熱して接着する加熱ユニット１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂にて接着された基板と電子部品の実装構造体若しくはこれを備えた電気
光学装置において、絶縁樹脂の接着力の低下に起因する導電接続不良の発生を抑制するこ
とにより、実装構造の電気的信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、電気光学物質が配置されてなる基板１１１
を有し、前記基板上に電子部品１２０が実装されてなり、前記基板上に設けられた導電体
１１７ａ、１１８ａと前記電子部品に設けられた電極１２４とが直接若しくは間接的に導
電接続され、前記基板と前記電子部品とが絶縁樹脂１１９Ａにより接着されてなり、前記
絶縁樹脂中には、前記基板又は前記電子部品の前記絶縁樹脂が接着される部分の熱膨張係
数に対して前記絶縁樹脂を構成する樹脂基材１１９ａよりも近い熱膨張係数を備えた素材
で構成されるフィラー１１９ｆが混入されている。 （もっと読む）