【課題】本発明は、非接触で外部機器との間で情報のやり取りを行うＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ＿Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ＿ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ等に関し、アンテナの材料としてペーストを採用し、ＩＣチップのバンプからの押圧力によるペーストの盛り上がりによる問題を回避する。
【解決手段】パンプ１６付きのＩＣチップがアンテナ１２２に接続される際のバンプ１６から受ける圧力により流動した、アンテナ１２２を形成しているペーストの一部が入り込んだペースト逃げ凹部１３１を有する。 （もっと読む）

【課題】 速硬化性に優れているだけでなく、接合すべき部材間の接合の信頼性を高めることができ、塩素等の不純物による接合の信頼性の低下が生じ難い、エポキシ系硬化性組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ化合物と、該エポキシ化合物の硬化剤と、該硬化剤による硬化を促進する硬化促進剤とを含み、前記硬化促進剤として、マイクロカプセル型硬化促進剤とアミンアダクト型硬化促進剤との少なくとも一方の硬化促進剤と、イミダゾール系硬化促進剤とを含む、並びに電子部品素子２と、電子部品素子２が実装される基板４とを備え、基板４上に上記エポキシ系硬化性組成物からなる硬化物６を用いて該電子部品素子が接合されている、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】
平面の面積を最小面積にまで減少させることができる半導体素子を搭載した小型半導体パッケージを提供することにある。
【解決手段】
この小型半導体パッケージにおけるレジスト膜１４は、基板１２の表面を覆っている。このレジスト膜１４は、基板１２に設けられたスルーホール電極１２ａの基板表面側開口部を塞ぐように形成されている。半導体素子１６は、スルーホール電極１２ａの基板表面側開口部に重なるように配置され、窓部１４ｃから基板１２上の電極パターン１２ｃに接続されている。半導体素子１６とスルーホール電極１２ａとが重なるように配置しているので、基板１２の外形を小さくして、半導体パッケージ全体を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】回路基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と回路基板の間にアンダーフィル樹脂の注入する発振器構造において、アンダーフィル樹脂の流れ込みを疎外することのない回路基板構造を提供する。
【解決手段】回路基板３０の一方主面に半導体部品３が配置されたキャビティー部を有する容器体の、他方主面に水晶振動子を配置し、水晶振動子を気密封止して成る水晶発振器を用い、回路基板３０に半導体部品３をフリップチップ実装し、半導体部品３と回路基板３０の間にアンダーフィル樹脂を注入する回路基板構造において、回路基板３０の一方主面の半導体部品３を搭載する面に形成する半導体部品３との導通パッド３２と水晶振動子２のモニター電極パッド３１のパッド形状を、回路基板３０の端面方向に向かって頂点を持つ略菱形形状にした。 （もっと読む）

【課題】次世代ＬＳＩのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装体を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ２０を、金型１の凹部５に配設した後、回路基板１０上に、半導体チップ２０が配設された金型１を配置する。然る後、回路基板１０と金型１で形成される空間部６に、溶融したはんだ粉を含有した溶融樹脂１３を注入する注入した後、空間部６に充填された溶融樹脂１３を硬化させる。溶融樹脂１３の注入工程において、溶融はんだ粉が、回路基板１０の接続端子１１と半導体チップ２０の電極端子２１との間に自己集合することによって、接続端子１１と電極端子２１とを電気的に接続する接続体２２が形成される。 （もっと読む）

【課題】外部接続を行なうためのパッドを有する半導体装置の実装体および半導体装置実装体の製造方法において、フリップチップ接続の生産性を向上すること。
【解決手段】外部接続のためのパッドを有する半導体チップと、この半導体チップのパッドを有する面に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成され、パッドの面積より大きな面積を有しかつ絶縁層を貫通する導電体によりパッドと電気的に接続されている導電体層とを備えた半導体装置と、この半導体装置が実装された配線板とを具備し、半導体装置の導電体層と配線板の配線パターンとの電気的接続が、導電性粒子と樹脂とを含む導電性組成物を介してなされている。 （もっと読む）

【課題】 接続対象が多数の微細な半導体チップであっても、機械的、電気的な接続信頼性を向上させ、低コストで効率的、かつ精度良く配線接続を行うことができるようする。
【解決手段】 第１および第２の外部接続用電極１１，１２を有する半導体チップ１を、それぞれの接続対象となる第１および第２の配線２１，２２の接続部分２３，２４の近傍に配置し、接着層３を介して仮固定する。次いで、第１および第２の外部接続用電極１１，１２と接続部分２３，２４とに無電解めっき法により金属体４を成長させ、その成長した金属析出構造体を合体、一体化することにより、半導体チップ１を第１および第２の配線２１，２２に接続する。 （もっと読む）

本発明は、面上に一連をなす複数の第１パッド（８）と一連をなす複数の硬質導電性ポイント（１３）とを備えた第１素子（１０）と、他の面上に一連をなす複数の第２パッド（９）と一連をなす複数の軟質導電性バンプ（１４）とを備えた第２素子（１１）と、の間において電気的な接続を形成するための方法に関するものであって、２つの面が、互いに対向して配置されているとともに、それら２つの面が、ポイント（１３）がバンプ（１４）内へと侵入するようにして、互いに引き合わせられる場合に、この方法においては、バンプを、埋設されたものとする。本発明は、また、一連をなす複数の軟質導電性バンプを備えてなる素子に関するものである。
（もっと読む）

【課題】 液滴吐出法を用いて前記半導体チップの接続端子と前記基板の基板側端子とを接続する配線を形成し、基板上に半導体チップを実装する際に、隣り合う配線の接触によるショートを防止し、これによって端子間の狭ピッチ化を可能にした、半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】 基板側端子４が配列された基板１上に、接続端子３が配列された半導体チップ２を実装し、液滴吐出法で接続配線を形成する半導体チップの実装方法である。半導体チップ４を基板１上に実装し、一あるいは複数の接続端子３と対応する基板側端子４とを接続する第１の接続配線７を形成する。第１の接続配線７を覆って第１の絶縁層８を形成し、第１の接続配線７が形成されていない接続端子３の一あるいは複数の接続端子３に対応する基板側端子４とを接続する第２の接続配線９を形成し、第２の接続配線９を覆って第２の絶縁層１０を形成し、全ての接続配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された電極と半導体チップのバンプを、導電性粒子を含有する接着剤を用いて接続する半導体チップの実装方法の信頼性を向上する。
【解決手段】基板６上の電極７に、導電性粒子８を保持する穴（凹部）７１を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された電極と半導体チップのバンプを、導電性粒子を含有する接着剤を用いて接続する半導体チップの実装方法の信頼性を向上する。
【解決手段】パシベーション膜開口部３１内に、無電解メッキ法により金属層１５を、パシベーション膜３と同じ厚さで形成する。これにより、バンプ５のメッキ時の下地を平らにする。 （もっと読む）

【課題】 回路基板上にＳｎ電極を有する電子部品を接続するときに使用される導電性接着剤において、接続抵抗の初期値の低減、高温高湿下における接続抵抗の上昇の抑制、および、高温下における接続強度の確保を実現する。
【解決手段】 回路基板１０上にＳｎ電極２１を有する電子部品２０を接続するときに使用される導電性接着剤３０は、主剤としてのナフタレン骨格を持つエポキシ樹脂と、硬化剤としての酸無水物およびフェノール樹脂と、硬化促進剤としてのイミダゾールと、導電フィラーとを含んでなり、導電フィラー３２は、ＡｇとＡｇよりも卑であってＳｎよりも貴であるＣｕなどの他の金属とからなり、酸無水物とフェノール樹脂とは併用でエポキシ当量比を０．８当量とし、その内訳として９５／５〜５／９５である。 （もっと読む）

【課題】 実装に用いる接着材のはみ出しを防止ないし抑制することができ、その結果、導電部（配線）間のショートを防止ないし抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、第１導電部２１０と、これと対向する第２導電部３１０とが接合されてなる半導体装置の製造方法であって、前記第１導電部２１０上に、金属粒子を含む液状物を配置する液状物配置工程と、配置した液状物を焼成して焼結体を形成する焼成工程と、前記第１導電部２１０と前記第２導電部３１０とを前記焼結体を介在させる形にて接着材により接合させる接合工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で狭ピッチに対応で、絶縁信頼性、接続信頼性の向上した半導体部品実装体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層(1201)と配線パターン(501,502)を含む基板に半導体(101)を電気的に接続する実装方法であって、半導体(101)に略同形状の金属突起物(200)を形成し、半導体(101)を基板に位置決めして搭載し、圧力をかけて金属突起物(200)を押し潰し、金属突起物(200)と基板の表面に形成された配線パターン(501)とを接続し、金属突起物(200)と基板の裏面に形成された配線パターン(502)とを接続する。 （もっと読む）

【課題】 端子間を容易に電気的伝導的接続することができる電子部品を提供する。
【解決手段】 相互に向かい合う端子間又は接続を必要とする部品間をそれぞれ導電粒子及びバインダを含む導電組成物又は熱伝導組成物で接続する電子部品において、該導電組成物又は熱伝導組成物中の相対充填密度が６８〜９０％であり、かつ主として導電粒子中に含まれる銀微粉を介して相互に向かい合う端子間又は接続を必要とする部品間を接続させるようにした電子部品。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、半導体装置の厚さを薄くできる、半導体の実装基板にチップを実装する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】先ず、実装基板２２０の半導体チップが実装される表面２３０に金属配線２４０が形成された当該実装基板を用意する。さらに、半導体チップ１１０の実装基板と対向する面１１１に形成された凹部８５内に導電端子９０が備えられる当該半導体チップを用意する。次に、金属配線と導電端子とを導電性接着剤２４０を介して接着する。 （もっと読む）

【課題】 配線接続の精度を向上させながら、その配線接続の近傍について折り曲げることができる配線基板、配線基板の製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の一部を接続部材に接続する接続工程と、前記接続部材に接続されたシリコン基板１１の一方面には樹脂膜１２及び配線パターン１３が形成されてなり、樹脂膜１２及び配線パターン１３によってシリコン基板１１を保持した状態で前記シリコン基板１１を割る割断工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで高さが均一且つ平滑であり、低荷重で接続される金属端子の形成が可能であり、低ダメージの実装を可能とし、高信頼性を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】電極５及び絶縁膜６を共に常温では固体であり接着性を示さず、これより高温の第１の温度以上で接着性を発現し、これよりも高温の第２の温度以上で硬化する性質を有する材料から形成し、ダイヤモンド等からなる硬質のバイトを用いて、半導体チップ１ａの電極５の表面及び絶縁膜６の表面が連続して平坦となるように切削加工し、平坦化処理する。 （もっと読む）

【課題】 導電性材料中の気体を排出しながらも、高密度配線設計を実現でき、良好な接合部を形成可能なプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 プリント配線基板１に形成されるプリント配線基板電極３上に、電子部品５に設けられる電子部品端子電極６を導電性接合材料７を用いて実装するプリント配線基板であって、プリント配線基板電極３には、導電性接合材料７との接合面に沿った方向に開口部４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された透明電極と電子部品の電極とを簡便・低コスト且つ低接続抵抗で電気的に接合することができる基板および電子部品組立体ならびに電子部品組立体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ膜よりなる透明電極が形成された表示パネルにドライバＩＣを実装する表示パネル組立体の製造方法において、透明電極の表面に平均粒径が３０ｎｍ以下の金属ナノ粒子と分散剤を含んだ金属ナノ粒子ペーストを印刷した後、加熱により金属ナノペーストをキュアして透明電極の表面に金属ナノ粒子が焼結した金属ナノ粒子膜を形成し、この金属ナノ粒子膜にドライバＩＣのバンプを超音波ボンディングにより金属接合する。これにより透明電極とバンプとを簡便・低コスト且つ低接続抵抗で電気的に接合することができる。 （もっと読む）