相互接続構造を含むマイクロフィーチャ組立品およびそのような相互接続構造を形成するための方法が、ここで開示される。マイクロフィーチャ組立品の特定の一実施形態は、集積回路とその集積回路に電気的に結合された複数の端子と個々の端子上に存在する導電バンプとを有するマイクロ電子ダイを含む。導電バンプは、第１の係合フィーチャを含む。組立品は、また、基板とその基板上に存在する複数のパッドを有するマイクロフィーチャ加工部品を含む。パッドは、対応する導電バンプ上に存在する第１の係合フィーチャと係合する非平面の第２の係合フィーチャを含む。 （もっと読む）

【課題】 実装性の高い半導体装置及び信頼性の高い電子モジュール、並びに、電子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の電極１４が形成された面に形成された複数の樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、いずれかの前記樹脂突起上に形成された配線３０とを含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０の電極１４が形成された面の中央から離れて配置されたものほど高さが高くなるように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と当該半導体基板が搭載される支持基板との熱膨張係数の違いに基づく応力が半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との間に於ける導電性部材部分に集中して、半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との電気的接続が破断されてしまうことを防止することができる凸状外部接続端子の配設構造を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の一方の主面に複数個の外部接続端子パッド１０２が配設され、当該外部接続パッド１０２上に複数個の凸状外部接続端子１０３Ａ、１０３Ｂが配設される。凸状外部接続端子を複数個配設することにより、半導体素子の凸状外部接続端子と支持基板上の導電層との間に介在される接続部材との接触面積が増加することから、前記昇温・降温の際に生じるストレスはより広い範囲に分散される。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライメントにより、重量の重い部品が基板に半田接合された半田付け実装構造を実現する。
【解決手段】 本発明のカメラモジュール構造は、プリント基板１に形成された基板電極２と、そのプリント基板１に実装されたカメラモジュール３に形成された実装電極４とが、半田接合部５を介して接合され、基板電極２と実装電極４とが、セルフアライメントにより位置合わせされている。そして、半田接合部５が、特性の異なる第１の半田６と第２の半田７から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップおよび回路基板の電気接続部に回路基板の弾性復元力が加わって電気的接続の信頼性を高められるようにする。
【解決手段】 電極２にバンプ３を形成されたＩＣチップ１と、このＩＣチップ１のバンプ３と自身の電極５とを電気的に接続した回路基板４と、これらＩＣチップ１および回路基板４をそれらの間で熱硬化して前記電気的接続状態に接合した熱硬化性樹脂６とを備え、回路基板４はその電極配列域１１に前記バンプ３側へ復元する弾性変形を残してＩＣチップ１と接合されたものとして、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 実装の信頼性向上、狭ピッチ化対応、アンダーフィルレスの実現等を目的とする。
【解決手段】 半導体装置は、配線１１を有する絶縁性基板１と、絶縁性基板１上に実装され、かつ絶縁性基板１側の面に電極２１を有する半導体素子２とを備える。絶縁性基板１は配線１１に至る円錐台形状のビアホールＢを有する。ビアホールＢは半導体素子２側の径ｄ１が配線１１側の径ｄ２よりも大きく、かつ電極２１の径ｄ３以上の大きさである。電極２１はビアホールＢ内に充填された導電材３を介して配線１１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩと呼ばれる半導体装置の実装構造において、実装面積を小さくする。
【解決手段】 半導体装置１のシリコン基板３の一辺部上面全体、その近傍のアンダーフィル材２４の外面およびその近傍のグランド用配線２３の上面には、銀ペースト等の導電性ペーストからなる接続部材２５が設けられている。この場合、接続部材２５のアンダーフィル材２４の外側に突出する突出長を可及的に小さくすることができるので、半導体装置１の実質的な実装面積を、ボンディングワイヤを用いる場合と比較して、小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気的な導通を確実にする電子デバイス並びにその製造方法及びその設計方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】電子デバイスは、第１及び第２の電子部品１０，２０を有する。第１の電子部品１０の第１のグループの各端子１６は、第１の点Ｐ₁を通る複数の第１の線Ｌ₁のいずれかの上に配置されている。第２の電子部品２０の第２のグループの各端子２６は、第２の点Ｐ₂を通る複数の第２の線Ｌ₂のいずれかの上に配置されている。第１及び第２の点Ｐ₁，Ｐ₂が一致し、第１及び第２の線Ｌ₁，Ｌ₂が一致している。第１及び第２のグループのうち少なくとも一方のグループの端子１６，２６は、第１又は第２の線Ｌ₁，Ｌ₂に沿って延びるように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 薄型にして低剛性化を実現し、且つパッケージの反りが小さく製品単
体としての平坦性を確保することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属配線が形成された有機基板と、前記有機基板の金属配
線とフリップチップ構造で接続された薄型のシリコンチップと、前記シリコンチ
ップの表面保護用に、前記有機基板と前記シリコンチップとの間に封入された封
止部材とを備えたことにある。 （もっと読む）

【課題】 製作の工程数を増やすことなく、導電性ペーストにより電子部品を回路基板に高強度で実装することができる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器１は、複数のランドパターン部２を有する回路基板３と、導電性ペーストＰにより回路基板３に実装されるコイル部品４とを備えている。コイル部品４はドラムコア５を有し、ドラムコア５には、鍔部８Ａ，８Ｂ及び巻線９，１０が設けられている。鍔部８Ａ，８Ｂは鍔本体１１を有し、この鍔本体１１の両側には、巻線９，１０と電気的に接続される電極端子金具１３，１４がそれぞれ設けられている。コイル部品４の実装においては、導電性ペーストＰは、電極端子金具１３，１４の下面１３ａ，１４ａの全体及び鍔部８Ａ，８Ｂの鍔本体１１の下面１１ａにおける電極端子金具１３，１４に隣接した端部領域とランドパターン部２との間に介在される。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光を実装に用いて信頼性の良好な半導体モジュールを作製できる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュールの製造方法は，配線基板１６４の上方に半導体素子１５０を位置させる工程と、第１配線１５３の第１バンプ部１５７と第１電極の第１パッド部２５４とを、第１接合部材１５５を介して接触させ、第２配線１６３の第２バンプ部１６７と第２電極の第２パッド部１５４とを、第２接合部材１６５を介して接触させる工程と、レーザ素子部から出射されたレーザ光１３７を照射することにより第１接合部材１５５、第２接合部材１６５を加熱して接合する工程と、を含み、第１バンプ部１５７と第１パッド部２５４とを接合する工程に用いられるレーザ光１３７の照射条件は，第２バンプ部１６７と第２パッド部１５４とを接合する工程に用いられるレーザ光１３７の照射条件とは異なる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの印刷が可能で、低温での熱処理で高い導電率が発現し、密着性に優れた樹脂金属複合導電材料を提供する。
【解決手段】液状樹脂３内においてミクロンサイズ金属粒子４の表面にはナノサイズ金属粒子１が吸着しており、そしてミクロンサイズ金属粒子４同士はナノサイズ金属粒子１を介して接触している〔(a)図〕。この樹脂金属複合導電材料を300℃以下の比較的低温にて熱処理を行うと樹脂３a中に金属焼結体２が形成される〔(b)図〕。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路基板を、接着剤を介して接続する際に、半導体素子と回路基板との接着力を向上することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体の製造方法は、半導体素子を、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤を介して、ガラス基板に接続することを含む半導体装置の製造方法において、半導体素子をガラス基板に接続するに先立って、予めガラス基板をカップリング剤により表面処理する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、チップを含むモジュールと回路パターンを含む基板との間に接合部を形成して、モジュールの複数の接触区域と回路パターンの複数の接触区域とを接続することによってチップと回路パターンとの間に電気接続部を作るようにしている方法に関するものである。モジュールを実質的に完全に基板へ付着させる。電気接続部を等方導電性接着剤によって、または機械的押圧によって形成し、モジュールの残部を硬化性非導電性接着剤によって基板へ付着させる。
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【課題】転写型を用いて形成した微細な導電体を介して接続する電子部品実装体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２段以上の形状の凹部１１０を備える転写型１００の凹部１１０に導電性材料１４０を充填する工程と、導電性材料１４０の硬化収縮により導電体１６０を形成し、凹部１１０に空間部１７０を形成する工程と、空間部１７０に第１の絶縁性樹脂１８０を充填する工程と、配線基板の接続端子と転写型１００の凹部１１０とを位置合わせし、第１の絶縁性樹脂１８０が半硬化状態にする工程と、転写型１００を剥離し、配線基板の導電体１６０が形成された面に第２の絶縁性樹脂を形成する工程と、導電体１６０と対向して、電子部品の電極端子を位置合わせし、導電体１６０で接続端子と電極端子を接続し、さらに第２の絶縁性樹脂を硬化する工程により電子部品実装体を作製する。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ放熱性が良く、突起電極精度の高い半導体実装体半製品、半導体実装体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップと基板電極が、金属線又は金属テープの側面で対向して接続されていることを特徴とする半導体実装体、その半製品及びこれらの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載する基板の特定箇所に、電子部品の特定部位を正確かつ高速で位置決めする方法を提供する。
【解決手段】電子部品の特定部位に他の部位よりも強い磁性を付与し、この電子部品に所定方向から磁場を印加することにより、特定部位を所定方位に配列させる工程を有する位置決め方法。この方法において、基板の特定箇所もしくはその近傍に仮配置した電子部品に所定方向から磁場を印加する方法、および仮配置用部材の所定箇所に配置した電子部品に所定方向から磁場を印加した後、その配列状態を維持したまま電子部品を基板に移転させる方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子に形成される外部接続用電極の形成寸法精度公差が比較的大きいため、圧電振動子の小型化が進むにつれ、圧電振動子内に搭載する圧電振動板に形成される外部接続用電極と、圧電振動子を構成する容器体に形成される電極パッドとの間に形成位置ズレが生じる場合がある。
【解決手段】電極パッドと外部接続用電極の間に、電極パッド及び外部接続用電極に対向する両主面上に両主面間で電気的に接続している導通用電極が形成された平板状の絶縁基板が配置されており、この導通用電極を介して電極パッドと外部接続用電極が電気的に接続且つ固着されている圧電振動子。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフリップ実装する回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる半導体装置の製造装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造装置であって、半導体素子をフリップ実装する回路実装基板１の配線電極２上に凹部１０を形成する加工手段と、前記凹部に導電性接着剤を塗布する塗布手段を含むことにより、回路実装基板の配線電極と半導体素子の電極パッドに形成した金属バンプとの接続不良を大幅に軽減することができる。 （もっと読む）