【課題】半導体装置の製造において半導体素子裏面へのアンダーフィル材の回り込みを防ぎ、更に半導体素子表面の高い清浄度を保つことができる半導体素子および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層と粘着層とを含むダイシングフィルムの粘着層に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングし半導体素子４を得る工程、とを有する半導体素子の製造方法であって、前記粘着層には撥脂剤が含有されている。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能な接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、（Ｆ）室温で固体であり、最大粒径が２５μｍ以下である粉体化合物とを含み、（Ｆ）成分は、カルボキシル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物及びヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造方法及びこれによって製造された半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、半導体パッケージの製造方法及びこれによって製造された半導体パッケージを開示する。この半導体パッケージの製造方法によると、端子が形成された基板上に高分子樹脂とはんだ粒子を含む混合物を塗布して加熱することによって、はんだ粒子が加熱された高分子樹脂内で前記端子側へ流動（又は、拡散）して、前記端子の露出された表面、即ち前記端子の側面と上部面に付着されてはんだ膜が形成される。このようなはんだ膜は、後続のフリップチップボンディング工程で半導体チップの端子と基板の端子との間の接着力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足するフィルム状接着剤の形成を可能とする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が２万以上１０万以下の熱可塑性樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、（Ｅ）マイクロカプセル型の硬化促進剤と、を含む。 （もっと読む）

【課題】先置き型の封止樹脂システムとして適用可能であり、半導体ウェハへ貼り付けて研削加工を行った後の半導体ウェハの反りを抑制することが可能な半導体加工用接着フィルム積層体を提供する。
【解決手段】基材２と、回路部材接続用接着剤層６と、基材２と回路部材接続用接着剤層６との間に配置されてこれらを接着する粘着剤層４とを備えており、引っ張りモードで測定される２０〜８０℃の線膨張係数が、５０×１０^−６／℃以下となるものである、半導体加工用接着フィルム積層体１０。 （もっと読む）

【課題】 狭ピッチ化に対応しつつ、コストアップに繋がる余分な工程を加えることなく電極間のショートを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子（３）は電極パッド（１）と電極パッド（１）上に設けられたバンプ（２）とを備え、半導体キャリア基板（４）は基板電極（９）を備え、バンプ（２）は空間部（Ｓ）が設けられ、バンプ（２）は半田（６）によって基板電極（９）に物理的かつ電気的に接続されると共に接続に供せられない半田（６）は空間部（Ｓ）に受容される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の電子部品と基板との接続信頼性を向上させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の基板電極２１を有する第１の基板１２と、第１の部品電極３１を有し、第１の基板電極２１と第１の部品電極３１とを対向させて第１の基板１２の上に搭載された第１の電子部品１３と、第１の基板電極２１と第１の部品電極３１とを電気的に接続する第１の接続部材３２と、第１の基板１２上の全面を覆い、フラックス成分を含有する封止フィルム１４とを備えている。第１の電子部品１３は側面全体が封止フィルム１４に覆われている。 （もっと読む）

【課題】下面にバンプが設けられた電子部品を対象として接合強度を確保することができる電子部品実装方法および電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】下面にバンプ７が半田により設けられた電子部品６を基板１に実装してなる電子部品実装において、半田粒子を第１の熱硬化性樹脂に含有させた半田接合材３を基板１に形成された電極２とバンプ７との接合に用いて、半田粒子とバンプ７が溶融固化した半田接合部７＊と半田接合部７＊を補強する第１の樹脂補強部３ａ＊を形成するとともに、半田粒子を含まない第２の熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤４を電子部品６の外縁部６ａと基板１に設定された補強点との固着に用いる。これにより、半田接合材３と接着剤４とが混合した場合にも熱硬化性樹脂の正常な熱硬化が阻害されることがなく、下面にバンプ７が設けられた電子部品６を対象として接合強度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品と絶縁性樹脂の間に発生する気泡を減らすことのできる実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状の絶縁性樹脂１６を回路基板１４上に形成する絶縁性樹脂配置ステップと、電子部品１１の電極１２上に形成されたバンプ１３が、回路基板１４の対向電極１５に相対するように、絶縁性樹脂１６の上から電子部品１１を位置合わせする実装ステップと、加熱加圧を行って、絶縁性樹脂１６を硬化させて電子部品１１と回路基板１４とを接合する接合ステップとを備える。絶縁性樹脂１６の側面の形状は、実装ステップで位置合わせする際または接合ステップで接合する際に電子部品１１を下降させるにしたがって、絶縁性樹脂１６と電子部品１１の下面との当接する部分が広がる形状をしている。 （もっと読む）

【課題】 フィルム状にしたときの埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得る接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）１分子内にフェノール性水酸基を１つ有するメチロール化合物と、（Ｅ）硬化促進剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂をテープ基材の表面に塗布してから半導体素子の突起電極をインナーリード上に接合した場合でも突起電極の表面とインナーリードとの接合面に樹脂残りの影響なく、接合歩留及び接合信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体素子３表面の突起電極７に凹部を形成し、その突起電極７の凹部に配線基板１に形成されたインナーリード２を接合することにより、樹脂８を先塗りして接合する場合においても、樹脂８を突起電極７の凹部内にも逃がすことで突起電極７の凹部の周辺部とインナーリード２とが１箇所以上で接合することができ、凹部周辺での接合を阻害せず、高歩留、高信頼性接合が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのコーナ部に対応する熱硬化性樹脂の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体が筐体内に搭載され、高い信頼性を有する電子機器を提供する。
【解決手段】 筐体と、前記筐体内に収納された回路基板と、前記回路基板に実装された半導体チップと、前記回路基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記回路基板と前記半導体チップとを接合した熱硬化性樹脂と、前記半導体チップのコーナ部に対応する前記熱硬化性樹脂部分にこの部分以外の領域に比べて高い密度で存在する磁性体粉末とを備えることを特徴とする電子機器。 （もっと読む）

【課題】超低誘電率膜の破壊と鉛フリーはんだからなるバンプの破壊をともに防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１１と、配線基板１１上に鉛フリーはんだからなるバンプ１３を介してフリップチップ接合された半導体チップ１２と半導体チップ１２と配線基板１１との間隙を充填するアンダーフィル樹脂１４とを備えている。アンダーフィル樹脂１４は、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填剤を含有し、ガラス転移温度が１２５℃以上であり、２５℃における熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下であり、−５５℃以上ガラス転移温度未満の温度域における貯蔵弾性率が４ＧＰａ以上９ＧＰａ以下、かつ損失弾性率が１００ＭＰａ以上であり、当該損失弾性率は複数のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】配線基板のチップ搭載エリアにアンダーフィル材を配置した後に配線基板に半導体チップをフリップチップ実装しても、アンダーフィル材が半導体チップ裏面へ回り込んでしまうことのない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ６の周囲に沿ってダム部９が配置されており、ダム部９は半導体チップ６を囲むように枠形状に形成されている。またダム部９は半導体チップ６と同等の厚さで構成されている。ダム部９は、半導体チップ６の、おもて面とは反対側の裏面に対して樹脂が這い上がるのを防止する部分（這い上がり防止部１０）を有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディング用ツールの汚染を防ぎ、接続信頼性が高く、接着剤層の厚みを均一にしながら半導体チップを簡便に実装することができる絶縁接着シートを提供する。また、該絶縁接着シートを用いる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップの実装に用いられる絶縁接着シートであって、基材フィルムと接着剤層とからなり、前記接着剤層は、光硬化性化合物、熱硬化性化合物、光重合開始剤及び熱硬化剤を含有する光熱硬化性接着剤組成物からなり、前記接着剤層にエネルギー線を照射して得られる半硬化した接着剤層は、ゲル分率が１０〜６０重量％であり、かつ、加熱接着温度においてキャピラリレオメータ法により２ｍｍφノズルで測定した最低粘度が、３０００Ｐａ・ｓ以上である絶縁接着シート。 （もっと読む）

【課題】加熱工程を削減でき、電気的な接合の品質を安定に維持することができ、必要な強度を得ることが出来る実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板（１）における半導体パッケージ部品（３）の実装予定位置（６）の中に第１の補強用接着剤（５）を塗布し、基板（１）の電極（２）と半導体パッケージ部品（３）の電極が凝固状態の接合金属（４）を介して当接するよう半導体パッケージ部品（３）を基板（１）にマウントし、基板（１）における半導体パッケージ部品（３）がマウントされたエリアの周部（６）と半導体パッケージ部品（３）の外面との間にわたって第２の補強用接着剤（５ａ）を塗布し、その後にリフローして接合金属（４）を溶融させ接合金属（４）が凝固するとともに第１，第２の補強用接着剤（５，５ａ）を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】気泡発生剤等の混入物を用いずに、高い導通性を確保しながら簡便に半導体チップを基板上にフリップチップ実装することができ、作動の信頼性及び品質が向上した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ３を基板２上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する方法であって、チップ電極３ａと基板電極２ａとのうち少なくともいずれか一方の電極の表面に導電性の突起部１０、１１を形成する工程と、両電極が対向するように基板上に半導体チップをセットすると共に、基板と半導体チップとの間に導電性フィラーＦが含有された樹脂４を供給する工程と、両電極の間に電圧を印加して突起部に電界を局所的に集中させ、導電性フィラーを突起部側に引き寄せると共に、電極対向方向に沿わせながら両電極間に局在化させる工程と、樹脂を硬化させて、半導体チップと基板とを一体的に固定する工程と、を備えている半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子に対してアンダーフィルの半導体素子裏面への回り込みを防止する機能を付与することができる半導体ウエハ加工用粘着フィルムを提供する。また、個片化された半導体素子を用いて半導体装置を作製する際、同様の機能を有するものとなる半導体ウエハを提供する。
【解決手段】
少なくとも粘着層と基材層とを有する半導体ウエハ加工用粘着フィルムであって、前記粘着層が撥脂剤を含むものである半導体加工用粘着フィルム。 （もっと読む）

【課題】突起電極の損傷を抑制し、半導体チップを簡便に実装して高い接続信頼性を実現することができる絶縁接着シートを提供する。また、該絶縁接着シートを用いる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】表面に突起電極を有する半導体チップの実装に用いられる、基材フィルムと接着剤層とからなる絶縁接着シートであって、前記基材フィルムは、熱可塑性樹脂からなり、前記接着剤層は、光硬化性化合物、熱硬化性化合物、光重合開始剤及び熱硬化剤を含有する光熱硬化性接着剤組成物からなる絶縁接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極に形成されている溶融性金属が、半導体素子の電極の接合箇所に必要以上に濡れ広がることを抑制する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１Ａに突起電極２Ａを形成する工程と、突起電極の上部表面に溶解液を形成する工程と、回路基板１１に基板電極１２を形成する工程と、基板電極を覆うように樹脂膜１３を形成する工程と、半導体素子を回路基板に押し当てながら、突起電極の上部表面に形成された溶解液と、基板電極を覆うように形成された樹脂膜とを接触させることにより、樹脂膜に開口を形成する工程と、半導体素子に形成された突起電極と、樹脂膜の開口から露出する基板電極とを接合する工程と、を備える。 （もっと読む）