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Fターム[5F044LL11]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング (4,630) | 絶縁材料でチップと配線を密着させるもの (1,009)

Fターム[5F044LL11]に分類される特許

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【課題】半導体素子と配線基板との間にボイドが発生するのを効果的に防ぎ、フリップチップ実装の信頼性を高める半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板1における半導体素子2の側端部2eの近傍に、アンダーフィル3の塗布位置8がある。配線基板1には、アンダーフィル3が塗布される塗布位置8の近傍であって、半導体素子2のコーナー部2a,2bに対向する位置に、アンダーフィル3の充填の際にアンダーフィル3の進行を減速させる凹部4a,4bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】高い接続の信頼性を確保しうる実装基板や電子部品およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配線11(導体部材)が形成されたセラミック基板10(基材)上に、Agペーストをスクリーン印刷することにより、山状のバンプ本体部15aを形成する。バンプ本体部15aは、配線11およびセラミック基板10に跨っていることが好ましい。バンプ本体部15aの表面に無電解めっきを施して、バンプ皮膜15bを形成する。これにより、実装基板Bを形成する。その後、固着部材を用いて半導体チップなどの被実装部材を実装基板B上に実装して、バンプ15により、配線11と外部導体部材とを電気的に接続する。印刷法を用いて、厚いバンプ15による高い接続の信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体回路基板側と実装基板側との接合部の破壊の可能性を低減し、その保護を図る構造体を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装装置は、実装基板21上に半導体回路基板11をフリップチップ接合させたフリップチップ実装装置であって、半導体回路基板11の側面を含む平面に側面が含まれるような樹脂壁41を備え、実装基板21、半導体回路基板11及び樹脂壁41により空隙が画定されている。これにより、外部からの水分や粉塵等の流入を防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート1は、樹脂組成物層11、13と、この樹脂組成物層11、13に接合される金属層12とを備える積層体により構成されるものであり、第1の樹脂組成物層11は、その粘度が、第2の樹脂組成物層13の粘度より低いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大掛かりな装置を用いることなく、高密度な端子であっても高いパターニング精度で端子の表面に半田層を形成することができる半田層の形成方法、かかる半田層の形成方法により形成された半田層を用いた端子間の接続方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半田層の形成方法は、樹脂組成物層11、13と金属層12とを備える積層体により構成される導電接続シート1を用いて、インターポーザー(基材)30に設けられた端子41の表面に半田層85を形成する方法であり、インターポーザー30の端子41が設けられている面側に、導電接続シート1を配置する第1の工程と、導電接続シート1を加熱して、溶融状態の金属層12を、端子41の表面に選択的に凝集させた後に冷却することにより、端子41の表面に半田層85を形成する第2の工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】既存の製造プロセスを利用しながら製造コストの低減が図れる半導体ウェハ加工用フィルム及びこのフィルムを用いた半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】基材1上に分離層2および接着剤層3がこの順に積層された半導体ウェハ加工用フィルムであって、接着剤層3は、半導体ウェハ加工用フィルム10を貼付すべき半導体ウェハの全体を覆う形状に個別化されて分離層2上に複数存在する、半導体ウェハ加工用フィルム10。 (もっと読む)


【課題】
未硬化状態において、ウェハに付されたアライメントマークの認識性が高く、かつ半導体装置を製造して、該半導体装置について高温高湿試験及び温度サイクル試験を行った場合に、優れた接続信頼性が得られる回路部材接続用接着剤、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
フェノール性水酸基を有するフェノール系化合物、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、及び熱硬化性樹脂用硬化剤を含んでなる回路部材接続用接着剤。 (もっと読む)


【課題】溶融状態の金属材料を選択的に端子上に凝集させることができないことに起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート1は、樹脂組成物層11、13と金属層12とを備える積層体により構成されるものであり、第1の樹脂組成物層11は、その層中における前記フラックス機能を有する化合物の含有量が、第2の樹脂組成物層13中におけるフラックス機能を有する化合物の含有量よりも高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属層の表面における酸化膜の形成および硬化性樹脂成分中におけるボイドの発生に起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電接続シート1は、樹脂組成物層11、13と金属層12とを備える積層体により構成されるものであり、樹脂組成物層11、13の硬化前の吸水率が0.0%超、1.2%以下であり、かつ硬化後の吸水率が0.0%超、2.5%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】端子間の良好な電気的接続と隣接端子間の高い絶縁信頼性を得ることを可能にする対向する端子間の接続方法を提供する。
【解決手段】樹脂組成物120と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔110とから構成される積層構造を有する導電接続材料100を用い、導電接続材料100を対向する端子11,21間に配置する配置工程と、導電接続材料100を金属箔110の融点未満の温度で加熱し、対向する端子11,21間の最短離隔距離xを所定の範囲に調整する調整工程と、最短離隔距離xを前記所定の範囲に保持しながら、金属箔110の融点以上の温度で、樹脂組成物120の硬化が完了しないように導電接続材料100を加熱する加熱工程と、金属箔110の融点未満の温度で樹脂組成物120を硬化させる硬化工程を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図るとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に樹脂封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ22とその上に設けられたはんだボール24とからなる突起電極を有する半導体ウェハ20面上に、粘接着剤層2及び弾性率が450MPa以下であるプラスチックシート1をこの順に備える接着シートを、粘接着剤層2が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、半導体ウェハ20の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ20及び粘接着剤層2を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、熱圧着して配線回路基板と半導体素子とがはんだボール24を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が粘接着剤2により封止された構造の半導体装置を得る工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル剤の漏れ出しによる電気回路モジュールの電気的な接続不良を防止することができ、電気回路モジュールの製造工程の歩留まりを向上することができる電気回路モジュール集合体を提供する。
【解決手段】少なくとも1面にアンダーフィル剤7が塗布され、複数の電気回路モジュール1が形成された電気回路モジュール集合体2において、隣り合う電気回路モジュール1の間に凹部8を有し、凹部8のアンダーフィル剤が塗布された側の切込み面と前記アンダーフィル剤が塗布された面との角度が90度以下であることを特徴とする電気回路モジュール集合体。 (もっと読む)


【課題】硬化性樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を用いて支持体と被着体との接続を行う電子部品の製造方法において、樹脂層の硬化物中に空隙が発生し難い電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体10の第一の端子と、被着体20の第二の端子とを、半田又は錫を用いて接合して該支持体と該被着体とを電気的に接続する電子部品の製造方法であって、接合される該第一の端子と該第二の端子との間に、硬化性樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、加圧流体7により加圧しながら前記硬化性樹脂組成物を硬化させる加圧硬化工程とを順に行う。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足するフィルム状接着剤の形成を可能とする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、(A)重量平均分子量が2万以上10万以下の熱可塑性樹脂と、(B)エポキシ樹脂と、(C)放射線重合性化合物と、(D)光開始剤と、(E)マイクロカプセル型の硬化促進剤と、を含む。 (もっと読む)


【課題】ショートの発生を抑制し、良好な導通状態を実現する。
【解決手段】導電性粒子が含まれない絶縁性の接着剤組成物11Aからなる絶縁性接着剤層11と、絶縁性の接着剤組成物12Aに、少なくとも表面が磁性材料からなる導電性粒子12Bが分散されている導電性粒子含有層12とが積層されてなる異方性導電フィルム10を介してガラス基板13上にICチップ15を仮配置する。そして、熱加圧によってガラス基板13とICチップ15とを異方性導電フィルム10を介して圧着接続する。この接続処理では、異方性導電フィルム10に対して絶縁性接着剤層11側から磁力を作用させる。 (もっと読む)


【課題】基板の昇温を効率的に行なうことで半導体装置をフリップチップ接続する際の位置ずれや接続不良の発生を低減した半導体装置の接合装置を提供する。
【解決手段】上型ブロック10は、基板保持プレート4に支持された基板1にクランプ面10aを近接させて輻射熱により基板1及び半導体装置3を予備加熱し、当該基板1が基板保持プレート4に支持されままクランプ面10aを半導体装置3に押し当てて絶縁性接着剤2を硬化させると共に半導体装置3のバンプ3aを基板端子部1aと接合させる。 (もっと読む)


【課題】回路基板上の複数の回路によって生じる凹凸を良好に埋め込むことができる接着フィルムを提供すること、および、このような接着フィルムを用いた半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の接着フィルムは、半導体チップまた半導体パッケージを、回路が形成された回路基板に実装する際に用いられ、フラックス機能を有する接着フィルムであって、接着フィルムを前記回路基板の前記回路が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をT[℃]、接着フィルムに掛ける圧力をP[Pa]、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度をη[Pa・s]としたとき、1.2×10≦(T×P)/η≦1.5×10の関係を満足し、前記貼り付け温度Tは、60〜150℃、前記圧力Pは、0.2〜1.0MPa、前記貼り付け温度における接着フィルムの溶融粘度ηは、0.1〜10000Pa・sであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の薄厚化を図ることができるとともに、接続信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ22と該バンプ上に設けられたはんだボール24とからなる突起電極を有する半導体ウェハ20の前記突起電極が形成されている面上に、接着剤層3、粘着剤層2及び弾性率が450MPa以下であるプラスチックシート1をこの順に備える接着シートを、接着剤層が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、接着シートが貼り付けられた半導体ウェハ20の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して半導体ウェハ20を薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ20及び接着剤層を切断して接着剤付き半導体素子を得る工程と、配線回路基板と半導体素子とがはんだボール24を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が接着剤により封止された構造を得る工程と、を有する。 (もっと読む)


シリコン貫通ビア(TSV)ウエハを用いてスタックされた電子的部品を形成する方法が、第1ディボンデング温度を有する第1接着性材料(206)を用いてTSVウエハ(202)の上側に第1キャリアウエハ(205)を搭載することを含む。TSVウエハは、その下側から薄くされて薄くされたTSVウエハ(202’)を形成する。第1ディボンデング温度より高い第2ディボンデング温度を有する第2接着性材料(207)を用いて、TSVウエハ(202’)の下側に第2キャリアウエハ(215)が搭載される。薄くされたTSVウエハ(202’)はそれから第1キャリアウエハ(205)を取り除くため、前記第1ディボンデング温度を超える温度まで加熱される。スタックされた電子的部品を形成するため、少なくとも1つの個片化されたICダイが、薄くされたTSVウエハの上面上に形成されたTSVダイに結合される。

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【課題】電極同士の接触部分における電気抵抗値の制御が容易で安定した電気特性を備えつつ電子部品同士を確実に接続する。
【解決手段】電子部品相互の接続構造は、例えばRPCB10及びFPC20相互の接続に適用される。RPCB10は、基板11上に形成された電極12を備え、電極12は、凸部12aを備える。FPC20は、基板21上に形成された電極22を備え、電極22は、凹部22aを備える。凹部22aを含めた電極22上には、凹部22aの形状に沿ってワイヤ23がボンディングされ、RPCB10の電極12形成側の面上には接着材13が形成される。電極12,22を凸部及び凹部12a,22aが嵌合するように位置合わせしてRPCB10及びFPC20を熱圧着により接続する。電極12,22はワイヤ23を介して金属結合されるので、電気抵抗値のばらつきが少ない接続を行うことができる。 (もっと読む)


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