【課題】ボイドの発生に起因する接続不良を抑制することができる回路接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置（回路接続構造体）１００の製造方法は、配線回路基板１１、並びに、配線回路基板１１の主面１１ａ上に配置された接続部１３及び接着剤層１９、を有する回路部材１０と、半導体チップ２１、並びに、半導体チップ２１の主面２１ａ上に配置された接続部２３及び接着剤層２９、を有する回路部材２０と、を準備する準備工程と、配線回路基板１１及び半導体チップ２１の間に接着剤層１９及び接着剤層２９を介在させて回路部材１０及び回路部材２０を圧着する圧着工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体用接着テープの貼付時に既存のインライン装置を転用可能とし、テープ切断時に発生するウエハと切断刃の接触、切断屑の汚染、切断位置のずれを抑制し、かつ粘着剤層を有する基材テープ剥離時のウエハ破損を防ぐ。
【解決手段】粘着剤層を有する基材フィルムと接着フィルムとを有するウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープの接着フィルム側を半導体ウエハの複数の突出電極を有する回路面に向けた状態で貼付けて積層体とし、裏面側から研磨する。回路面側に半導体用接着テープが貼付けられた状態で積層体の裏面側にダイシングテープを貼付け、基材フィルムを剥離した上で接着フィルム側からダイシングし、複数の接着フィルム付半導体チップとした後これを支持体の上に実装する半導体の製造工程のうち、半導体チップを実装する工程において１００〜２５０℃の温度で０．１〜３０秒の間加熱圧着として接着フィルム付半導体チップと支持体との間を接続する。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子２０の表面に形成されている信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側に備えられる爪部６２の先端と、を対向させ、次いで、信号パッド４０と爪部６２の先端とが対向する状態を維持したまま、コンプレッションモールド法によって、半導体素子２０と、メインパッド３０と、信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側と、ボンディングワイヤ７０の一端側とをモールド樹脂で封止する。コンプレッションモールドでは、その成形圧力によって爪部６２の先端を信号パッド４０方向に付勢することで、リードフレーム６０と信号パッド４０とを電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】カメラによる突起状電極及び／又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、６００ｎｍ以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器では、接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続した。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止した。位置決め部は、第一面から突出し、その突出側の端部が第一面と第二面との間に位置され、第二面に封止部が塗布された電子部品が第一面に載せられる際に当該第一面に沿って移動しようとした場合にあっても封止部と接触することにより電子部品が第一導体部と第二導体部とが対向した位置から外れるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ステージ及び圧着ヘッドを有する圧着装置によって半導体チップと基板との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、接着剤層をなす接着剤組成物は、３５０℃における溶融粘度が３５０Ｐａ・ｓ以下であり、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方を提供する。 （もっと読む）

【課題】硬化物の接着力に優れており、更に耐マイグレーション性に優れた積層体及び接続構造体を得ることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、ラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するポリエーテルエステルアミド樹脂と、アミド結合を有さずかつラジカル重合性官能基を少なくとも１つ有するラジカル重合性化合物と、熱ラジカル発生剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装による半導体装置の製造方法、それに用いるフィルム状接着剤及び接着剤シートを提供する。
【解決手段】ハンダバンプが形成された機能面を有する半導体ウェハの機能面に、接着剤層２を設けて接着剤層付き半導体ウェハ２０を得る第１工程と、接着剤層付き半導体ウェハ２０の機能面とは反対側の面を研削して半導体ウェハ２０を薄化する第２工程と、薄化した半導体ウェハ２０を接着剤層２とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る第３工程と、接着剤層付き半導体素子と、電極を有する他の半導体素子又は電極を有する半導体素子搭載用支持部材４とを、ハンダバンプ２２及び電極が対向する方向にハンダバンプ２２が有するハンダの融点より低い温度で加圧する第４工程と、加熱によりハンダバンプ２２が有するハンダを溶融させてハンダバンプ２２と電極とを接合する第５工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性および信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の接合工程では、半導体チップ１０、第一樹脂層１１、半導体チップ１２、第二樹脂層１３、半導体チップ１４を積層することにより得られ、半導体チップ１０，１２同士、半導体チップ１２，１４同士が半田接合されていない状態の積層体２を加熱して、半導体チップ１０，１２間、半導体チップ１２，１４間の半田接合を行う。その後、半田接合した積層体２を基材１８上に設置する。積層体２の基材１８への接続用端子１６２と、基材１８の積層体２への接続用端子１８１とが当接するように、積層体２を基材１８上に設置する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、両面に複数の接続用部材が形成された半導体ウェハを準備する工程と、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングシートと、前記粘着剤層上に積層され、かつ前記半導体ウェハの第１の面における前記接続用部材の高さに相当する厚さ以上の厚さを有する硬化性フィルムとを備える積層フィルムを準備する工程と、前記積層フィルムの硬化性フィルムと前記半導体ウェハの第１の面とを対向させ、前記硬化性フィルムを前記半導体ウェハに、前記接続用部材が前記硬化性フィルムから前記粘着剤層へ露出しないように貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度を確保し、これによって電気的接続の信頼性を向上した実装構造体、及び実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する実装体１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装した実装構造体である。バンプ電極１２は内部樹脂１３上に導電膜１４が覆われてなり、導電膜１４は端子１１に直接導電接触し、基板１１１と実装体１２１とには、内部樹脂１３が弾性変形した状態でバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態を保持する圧着手段が備えられている。内部樹脂１３は、その主断面の形状が底辺１３ａと外辺１３ｂとによって囲まれており、底辺１３ａの両端を第１の点３０とし、主断面の最大幅となる位置での外辺１３ｂ上の点を第２の点３１とすると、第１の点３０と第２の点３１とを結ぶ直線Ｌと、実装体１２１の面Ｓとのなす角θが、鋭角に形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板に半導体チップを実装する際にボイドが生じ難く、半導体チップの側面にフィレットを形成しやすい半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、半導体チップ実装領域を備えた配線基板の前記半導体チップ実装領域の内側に第１の樹脂部を形成する第１工程と、前記配線基板上に、前記第１の樹脂部及びその周辺部を露出する開口部が形成されたマスク材を配置する第２工程と、前記開口部上を含む前記マスク材上に樹脂フィルムを配置し、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記配線基板側に押圧して前記第１の樹脂部と一体化させる第３工程と、前記樹脂フィルムを加熱しながら前記マスク材を剥離して、前記配線基板上の前記開口部に対応する位置に前記樹脂フィルムの一部を残存させ、前記第１の樹脂部と前記樹脂フィルムの一部とを含む第２の樹脂部を形成する第４工程と、を有し、前記第４工程では、中央部に周縁部よりも高さの高い突起部を有する前記第２の樹脂部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品１００の実装構造は、複数の電極１１を有する電子部品１０を、複数の電極１１がそれぞれ接合される複数の電極２１を有する電子部品２０に実装する構造であって、電極１１と電極２１とが接合されたそれぞれの接合面５０は、電極１１あるいは電極２１が配列されている実装面１０ｓ，２０ｓ方向に対して傾斜しており、接合面５０の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品１０を電子部品２０に実装した後に、電子部品１０あるいは電子部品２０のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面１０ｓ，２０ｓの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面５０と第二の方向の接合面５０とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体ウエハは、回路面に設けられた突起電極を有しており、半導体ウエハに対して、突起電極を埋め込むように回路面の全体に絶縁性樹脂層を形成する第１工程と、この半導体ウエハを薄化する第２工程と、この半導体ウエハをウエハリングに固定する第３工程と、この半導体ウエハをダイシングする第４工程と、ダイシングで個片化された半導体チップ１１をピックアップするピックアップ工程と、半導体チップ１１の位置合わせ後、半導体チップ１１と基板１５とを加熱・加圧することによって、半導体チップ１１の突起電極２と基板１５の基板電極１４とを電気的に接続する電気的接続工程と、を備える。第２工程では、半導体ウエハの回路面上の絶縁性樹脂層３と研削装置５１とを直接貼り合わせて固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の４つの立体異性体のうち、エキソ−エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、前記異性体合計量中８０％以上である脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた半導体装置。
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【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】熱処理が施されるワークに対して温度制御を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】上クランパ部２７、下クランパ部２８でクランプされたワークＷに対する温度を制御する。まず、クランプ面２７ａ側から順に冷却部３２、加熱部３３が設けられた上クランパ部２７と、下クランパ部２８とでワークＷをクランプする。次いで、冷却部３２および加熱部３３を有する温度制御機構６１によって加熱し続ける。ここで、温度制御機構６１では、加熱部３３をオン動作させながら、冷却部３２のオン動作およびオフ動作を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】上下の半導体チップ間の隙間を維持しつつ、アンダーフィル樹脂の充填前における半導体チップ間の接続強度を高めることを可能にした積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１は、第１の半導体チップ２と、第１の半導体チップ２上に積層された第２の半導体チップ３とを具備する。第１および第２の半導体チップ２、３は、バンプ接続体６を介して電気的に接続されている。第１および第２の半導体チップ２、３の少なくとも一方には、ストッパ用突起７と接着用突起８とが設けられている。ストッパ用突起７は、第１および第２の半導体チップ２、３の他方に非接着状態で接触している。接着用突起８は、第１および第２の半導体チップ２、３に接着されている。 （もっと読む）