【課題】ＣＳＰ及びＢＧＡに搭載されている鉛フリーはんだボールに許容値内で高低差があった場合でも、未はんだやブリッジを防止することができるパッケージ、電子機器、パッケージ接続方法及びパッケージ修理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１が配置されたトップパッケージと配線６が配置されたボトムパッケージとを電気接続したパッケージ接続方法であって、少なくとも１以上の半導体デバイス１が配置され、少なくとも１以上の接続パット３に導電性のはんだボール２を搭載したトップパッケージの全てのはんだボール２の高さを揃える高さ揃え工程と、配線６が配置され、少なくとも１以上の接続パット５が配置されたボトムパッケージの少なくとも１以上の接続パット５の上にはんだボール２より融点の低いはんだ４が溶融され、前記トップパッケージと前記ボトムパッケージとを電気接続する接続工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤に酸化膜除去能力の高い活性成分を配合することなく、良好な半田接合性を確保することができる電子部品実装方法を提供する。
【解決手段】リジッド基板１とフレキシブル基板などの電子部品とを接着剤によって接合する電子部品実装において、接着剤による電子部品のリジッド基板１への接着に先立って、酸化膜に対して活性作用を示し水素を含有するアミノ基（−ＮＨ２）、メルカプト基（−ＳＨ）などの官能基を有するシラン化合物５ａ、５ｂより成る液状のシランカップリング剤を、接続用の端子２を含むリジッド基板１の表面に塗布した後、官能基による還元作用が促進される温度以上に加熱する。これにより、接続用の端子２の表面に生成された酸化膜３を予め除去することができ、接着剤に酸化膜除去能力の高い活性成分を配合することなく、良好な半田接合性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが基板にフリップチップ実装されて構成された半導体装置において、搭載された素子の特性の変動量を均一にすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】上面３１と、底面の中央部である第１の底面３２と、底面の外周端部である第２の底面３３とを有する半導体チップ３と、第１の底面３２に形成された外部接続電極４とを備え、上面３１から第２の底面３３までの距離は、上面３１から第１の底面３２までの距離よりも短く、上面３１から半導体チップ３の外周の一辺の中央における第２の底面３３までの距離は、上面３１から半導体チップ３の外周の一辺の端における第２の底面３３までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの形成に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体チップ１を配線基板２の実装面に、半導体チップと実装面との間に間隙５が形成されるように実装し、樹脂供給手段６によって間隙の近傍に樹脂７を供給し、供給された樹脂を毛細管力によって少なくとも間隙に充填する。樹脂供給手段は液溜部６ａと管部６ｂとを備えている。樹脂供給手段の液溜部に、少なくとも間隙を充填するのに必要な全量の樹脂を一度に供給し、間隙の近傍に管部の開口６ｃを位置させ、管部の開口から樹脂を吐出させ、吐出した樹脂を毛細管力によって間隙に充填する。単位時間当たりに毛細管力によって間隙５に充填される樹脂の量をＱ１，単位時間当たりに重力作用によって樹脂供給手段から供給される樹脂の量をＱ２としたときに、Ｑ１≧Ｑ２の関係が成立するように、樹脂が連続的に吐出させられる。 （もっと読む）

【課題】導電部材のバリを有さない半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２と、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、この機能面３ａを配線基板２の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップ３と、配線基板２の一方表面上に形成され、配線基板２の端面２ｅとほぼ面一の端面を有する導電膜６と、配線基板２と半導体チップ３との間および導電膜６上に形成された封止樹脂層７とを含み、半導体チップ３において、機能面３ａと反対側の面は露出している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤用の絶縁被覆導電粒子に、優れた耐溶剤性と導通信頼性とを同時に付与する。
【解決手段】導電粒子の表面が官能基を有する絶縁性樹脂からなる絶縁性樹脂層で被覆されてなる絶縁被覆導電粒子の当該絶縁性樹脂層を、絶縁性樹脂の官能基と反応しうる他の官能基を有する多官能性化合物で表面処理する。絶縁性樹脂の官能基がカルボキシル基である場合には、多官能性化合物として多官能性アジリジン化合物を使用することが好ましく、例えば、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート又はＮ，Ｎ−ヘキサメチレン−１，６−ビス−１−アジリジンカルボキシアミドが挙げられる。絶縁性樹脂層は、アクリル酸モノマー単位又はメタクリル酸モノマー単位を有する絶縁性樹脂、好ましくは、アクリル酸・スチレン共重合体から構成される。 （もっと読む）

【課題】 加圧力を高めず、しかも、多様な基板に安定的にチップを実装することが可能なチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 プリント基板１の実装面に接着剤２を塗布し、プリント基板１の実装面にチップ３を配置して、第１の押圧力でスタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２が硬化する硬化温度よりも低い予熱温度まで、接着剤２を加熱する。その後、第１の押圧力よりも大きい第２の押圧力で、スタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２を硬化温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】モジュールの小型化のため、ＳＭＤ部品と半導体チップの部品間隔を狭くし、両部品を効率よく混載実装することができる小面積の実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１０１の第一の電極部１０３に、ＳＭＤ部品１１３の電極部１１４と接続させるための電極接合材１０５を形成する工程と、ＩＣチップ１０７が搭載される領域に絶縁性樹脂１１０を供給する工程と、ＩＣチップ１０７を絶縁性樹脂１１０が供給された領域に搭載すると共に、絶縁性樹脂１１０を外周囲に選択的に流し広げる工程と、ＳＭＤ部品１１３を電極接合材１０５上に搭載する工程と、電極接合材１０５と絶縁性樹脂１１０とを一括して加熱する工程とを有する製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】保存安定性及び低温速硬化性に優れ、硬化物は室温で強靭でかつリペア性、リワーク性を有するアンダーフィル材として有用で、小型電子機器の耐落下性を向上させる半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にエポキシ基を２個以上有する液状エポキシ樹脂 １００質量部、
（Ｂ）アルケニル基含有液状フェノール樹脂、
（Ｃ）マイクロカプセル化硬化促進剤 有効成分として１．５〜５０質量部、
（Ｄ）１分子中にエポキシ基を１個有するエポキシ化合物からなる反応性希釈剤、及び
（Ｅ）無機充填材 ０質量部以上、１００質量部未満
を含有してなり、
［本組成物中に全エポキシ基／（Ｂ）成分中のフェノール性水酸基］のモル比が１．３〜３．０である、
無溶剤型組成物からなる、基板と該基板上に搭載された素子とを有する半導体装置の実装用封止材。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、基板３１と、基板３１上に設けられたアンダーフィル樹脂層３９と、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有し、アンダーフィル樹脂層３９を介して基板３１上に主面３２ａを対向させてフリップチップ実装された半導体チップ３２と、を備えている。ここで、半導体チップ３２が、主面３２ａおよび主面３２ａから裏面３２ｂの縁部３２ｃにかけて、アンダーフィル樹脂層３９で覆われている。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有する半導体チップ３２と、半導体チップ３２が実装された基板３１と、基板３１に積み重ねられた基板５１と、を備えている。基板３１の基板５１側に設けられた外部接続パッド３５に、基板５１の基板３１側に設けられた外部接続バンプ５３が接続されて、基板３１と基板５３との間にギャップＧが形成されている。ギャップＧには、主面３２ａを対向させて基板３１に実装した半導体チップ３２と、半導体チップ３２の裏面３２ｂに貼り付けられた絶縁性フィルム３２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、回路基板の反りを矯正すること。
【解決手段】一方の主面１ａに第１の電極２を備えた回路基板１と、主面１ａに対向して設けられ、第１の端子５を介して第１の電極２に接続された半導体素子６と、主面１ａと半導体素子６との間に充填され、半導体素子６の外周側面６ａを覆う封止樹脂２３とを有し、封止樹脂２３の外周側面２３ｘが、回路基板１の主面１ａに対して垂直である半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールなどの半導体装置に使用される鉛フリーの接続材料において、常用する温度領域よりも高温に晒された場合に応力緩衝機能が劣化する場合があった。
【解決手段】
最表層を含む領域をZn系層とし、その内部に複数の浮島状のAl系相３を有する接続材料とし、その接続材料によって二つの部材１，２を接続することで、Al酸化物による濡れ性低下と耐熱性低下を抑制し、Al系相３により接続時の応力緩衝を行うとともに、使用時にAl系相３の硬化してもZn-Al合金層４で柔軟性を確保して接続材料の応力緩衝機能の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板上の特定の半導体素子をその周辺部に悪影響を及ぼすことなく取り外す。
【解決手段】酸無水硬化剤を使用したエポキシ樹脂でアンダーフィルされた実装半導体素子のリワーク方法であって、実装基板上の特定の半導体素子の周囲に前記エポキシ樹脂の溶解剤を塗布して前記エポキシ樹脂を軟化並びに接着力の低下による界面剥離をさせる第１ステップと、前記特定の半導体素子の上面を加熱して該半導体素子の端子部と前記実装基板の電極パッドとを接続する半田バンプを溶融させる第２ステップと、前記特定の半導体素子を取り外す第３ステップと、を実行する。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上し、高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハをダイシングする際の加工性を良好にするウエハのダイシング方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０の一方の面１０ａに、接着層２２と透過性を有する保護フィルム２４とが順次積層されてなる接着フィルム付きウエハ３９の他方の面３９ｂをダイシングテープ１８に貼着する貼着工程Ｓ１と、接着フィルム付きウエハ３９におけるウエハの一方の面１０ａの画像を撮像する撮像工程Ｓ２と、撮像した画像に基づいて、接着フィルム付きウエハ３９を分割する位置を決定する分割位置決定工程Ｓ３と、接着フィルム付きウエハ３９に、接着フィルム付きウエハ３９の一方の面３９ａ側から他方の面３９ｂまで達しない深さの切削溝を形成する切削溝形成工程Ｓ４と、接着フィルム付きウエハ３９の保護フィルム２４の表面に保護部材６２を配設する保護部材配設工程Ｓ５と、複数の接着フィルム付きチップ６０を形成する分割工程Ｓ６と、接着層付きチップ６４をピックアップするピックアップ工程Ｓ７とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の一面上に搭載された電子部品を封止樹脂で封止してなる電子装置を製造するにあたって、電子部品の搭載と、封止樹脂による電子部品および電子部品と基板電極との接続部封止とを一括して行えるようにする。
【解決手段】Ｂステージ状態の熱硬化性樹脂よりなる樹脂シート１１０の内部に電子部品３０〜３４を埋め込むとともに、電子部品３０〜３４の接続面を樹脂シート１１０の一方の板面１１１にて露出させてなるシート部材１００と、基板１０とを用意し、電子部品３０〜３４の接続面と、これに接続される基板電極２０とを位置合わせし、シート部材１００を基板１０側へ押し付けることにより、電子部品３０〜３４の接続面と基板電極２０とを電気的に接続するとともに、、当該接続面と基板電極２０との接続部を樹脂シート１１０で封止し、その後、樹脂シート１１０を完全に硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを加工した後の保護フィルムの剥離性を良好とするウエハのダイシング方法を提供する。
【解決手段】 ウエハ１０の一方の面１０ａに接着層２２と保護フィルム２４とが順次積層されてなる接着フィルム付きウエハ３９の保護フィルム２４の面をダイシングテープ１８に貼着する貼着工程Ｓ１と、接着フィルム付きウエハ３９の他方の面３９ｂ側から、接着フィルム付きウエハにおけるウエハの一方の面１０ａの画像を撮像する撮像工程Ｓ２と、撮像工程Ｓ２で撮像した画像に基づいて、接着フィルム付きウエハ３９を分割する位置を決定する分割位置決定工程Ｓ３と、分割位置決定工程Ｓ３で決定した位置に基づいて、接着層付きチップ６４と保護フィルム２４とを備える複数の接着フィルム付きチップ６０を形成する切削溝形成工程Ｓ４と、接着フィルム付きチップ６０から、接着層付きチップ６４をピックアップするピックアップ工程Ｓ５とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の品質や信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板の電極パッド２ｃ上に形成されたＵＢＭ２ｇにおいて、上層のＡｕ膜２ｈの縁部（端部）の位置を下層のＴｉＷ膜２ｉの縁部（端部）の位置より内方にするか、もしくは同じ位置にすることで、Ａｕ膜２ｈの浮遊部を無くすことができる。これにより、前記浮遊部による隣接パッド間での電気的なショートの発生を防止できるとともに、前記浮遊部が異物となって前記半導体基板に付着することを防止でき、半導体装置（半導体チップ２）の品質や信頼性を向上できる。 （もっと読む）