【課題】接続信頼性の高い実装体を製造する。
【解決手段】基板の電極および電子部品の電極の少なくとも一方の表面に半田が設けられており、基板、絶縁性接着層、および電子部品をこの順で積層させる積層段階と、基板に対して電子部品を押圧することにより、絶縁性接着層を貫通させて電子部品の電極と基板の電極とを接触させる押圧段階と、絶縁性接着層を第１の温度に加熱することにより、絶縁性接着層を熱硬化させる熱硬化段階と、半田を第２の温度に加熱することにより、基板の電極と電子部品の電極との間に、半田を含む金属結合層を形成する金属結合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのケーブル要素、少なくとも１つのはんだ接合部、少なくとも１つのホットメルト要素および少なくとも１つの基材要素を有して成る電気要素に関する。ケーブル要素は、はんだ接合部によって基材要素と接続される場合にデータ伝送速度を向上させる。
【解決手段】少なくとも１つのはんだ接合部１２は、ホットメルト要素２２に埋設されずに、ホットメルト要素が存在しないように、ホットメルト要素の流れを、はんだ接合部に到達する前に止めることを特徴とする。また、電気要素１を製造するための治具を提供する。ここで、ホットメルト材料からホットメルト要素を形成するためのホットメルトキャビティは、基材要素８を受容するように構成した基材キャビティから、圧縮可能なはんだ封止部によって隔てられる。 （もっと読む）

【課題】実装時の電極間の接触不良を解消して良好な導電接続状態を確保するとともに、生産効率の向上及び低コスト化が可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する電子部品１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装してなる電子部品１２１の実装構造体であって、バンプ電極１２は、絶縁性を有する樹脂からなるコア１３と、コア１３の表面に設けられた導電膜１４とを有するとともに、弾性変形して端子１１に導電膜１４が直接導電接触しており、基板１１１と電子部品１２１との間には、コア１３と同一の材料で形成されるとともに、バンプ電極１２が弾性変形して端子１１に導電接触している状態を保持する保持部材２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、を含有し、上記（Ａ）熱可塑性樹脂がビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを可撓性回路基板へ熱硬化樹脂を用いてフエイスダウンボンディングして製造される半導体装置の反りを小さくする。
【解決手段】半導体チップ１の中央部に位置する半導体基板の一部を、半導体チップ１と反対側に撓ませた状態で接着用樹脂４を硬化する。回路基板３は凹部６を有するボンディングステージ５上に吸着させて、排気された凹部６内に回路基板３を引き込むことで、撓ませる。硬化及び冷却時の接着用樹脂の収縮にともない回路基板３の撓みは減少して、収縮により生ずる回路基板３等への曲げ応力を相殺するので、半導体装置の反りが小さい。 （もっと読む）

【課題】電子部品搭載後の工程数を増やすことなく、高い接合強度が得られる上、はんだ付け性の低下を防止できるはんだ接合補強剤組成物、及びこれを用いた実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のはんだ接合補強剤組成物(5)は、その雰囲気温度を昇温開始温度である４０℃から鉛フリーはんだ粉末のはんだ融点まで０．１〜０．２℃／秒の昇温速度で昇温し、続けて前記はんだ融点で１０分間保持した際に、昇温開始直後から５〜７秒毎に粘弾性測定装置によりはんだ接合補強剤組成物(5)の粘度を測定した結果、昇温開始直後における粘度Ｖ_１（Ｐａ・ｓ）と、昇温開始直後からはんだ融点までの昇温時における最低粘度Ｖ_２（Ｐａ・ｓ）と、昇温後に前記はんだ融点で１０分間保持した直後の粘度Ｖ_３（Ｐａ・ｓ）とが、Ｖ_２＜Ｖ_１／１０かつＶ_３＞１０Ｖ_２の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】ベースフィルム１に複数の配線９が配置されたフレキシブル配線基板１１と、上記フレキシブル配線基板１１に搭載された半導体チップ５と、フレキシブル配線基板１１と半導体チップ５との間に、少なくとも一部が配線９に接するように配置された封止樹脂６を有し、封止樹脂６に金属イオン結合剤が混合されている。 （もっと読む）

【課題】
低温短時間で接着可能であり、接続信頼性に優れ、且つ保存安定性に優れる接着剤組成物、並びに該接着剤組成物の製造に有用な熱重合系開始剤システムを提供すること。
【解決手段】
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表されるヨードニウム塩化合物と、（Ｂ）ラジカル重合開始剤と、を含有してなる熱重合系開始剤システム。
【化１】


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に置換又は未置換のアリール基を示し、Ｙ⁻はアニオン残基を示す。］ （もっと読む）

【課題】ウエハ切断線の視認性を確保し、かつ接着剤層を各チップに簡易に貼着する。
【解決手段】ダイシングシート２１上にウエハ２０を載置する載置工程と、ウエハ２０を複数のチップ３０にダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程の後に、ウエハ２０の表面に接着剤層３１を形成する接着剤層形成工程と、ウエハ２０が載置されたダイシングシート２１を伸張させることによりウエハ２０及び接着剤層３１を個片化するエクスパンド工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッケージを含む装置であって、パッケージと基板または別のパッケージとの間の領域の一部分にアンダーフィル材料を含む装置を提供する。
【解決手段】基板または第１のパッケージと、該基板または該第１のパッケージに結合されている第２のパッケージとを備えている装置であって、該第２のパッケージは、少なくとも１つのダイと、該パッケージと該基板または該第１のパッケージとの間の領域の全体ではないが一部分におけるアンダーフィル材料１０４とを含む、装置。 （もっと読む）

【課題】短時間で回路部材への転写が可能で、かつ可使時間が十分長い接着剤組成物、この接着剤組成物を用いた回路接続構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるピペラジン骨格を有する樹脂を含有する接着剤成分５と導電性粒子７よりなる接着剤組成物４０、回路接続構造体及び半導体装置。


［式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して２価の有機基を示し、Ｒ３は炭素数が１〜１０である１価の有機基、又は、結合手の一方に水素原子若しくは炭素数が１〜１０である有機基が結合したエーテル基、エステル基、カルボニル基、スルホニル基若しくはスルホネート基を示し、ｎは０〜４の整数を示す。ただし、ｎが２〜４のとき、複数存在するＲ３は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性が高い半導体装置、前記の半導体装置が実装され、信頼性が高い電子部品、電気的接続の信頼性が高い半導体装置の製造方法および信頼性が高い電子部品の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の少なくとも一部とオーバーラップする開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた樹脂突起と、前記電極と電気的に接続された第１の導電層であって、少なくとも一部が前記樹脂突起の上に位置する第１の部分と、前記第１の部分以外の第２の部分を有する前記第１の導電層と、前記第１の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記樹脂突起の上に位置する第２の導電層と、前記第２の部分の上に設けられた酸化膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド時のダイ圧着荷重が小さくても、または圧着時間が従来よりも短くてもボイドのない半導体装置を簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、硬化した接着剤層を介してチップが積層された基板からなる半導体装置を製造する方法であって、未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて硬化した接着剤層とする加熱硬化工程；および前記加熱硬化工程によって、前記未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板が、８０℃以上であって接着剤層の反応率が１０％となる温度以下である加圧開始温度まで加熱されてから、前記基板を、常圧に対し０．０５ＭＰａ大きい圧力以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ベアチップがフリップ実装された回路基板であるフリップ実装体の製造方法において、その生産性を向上すること。
【解決手段】ベアチップがフリップ実装されるべき実装領域が複数用意された配線基板の実装領域のそれぞれにペースト状のアンダーフィル材を塗布する工程と、アンダーフィル材を介して配線基板上にベアチップを位置合わせして圧接するとともに加熱してアンダーフィル材を半硬化させるベアチップ仮固定を実装領域のそれぞれについて行う工程と、配線基板上の複数のベアチップを一括して該配線基板の側に押し付けるように、配線基板を上下からプレス手段で押圧するとともに、加熱してアンダーフィル材を半硬化の状態から硬化の状態に移行させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】実装された半導体チップのはんだバンプが破断し難いプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板の一種であるコアレス基板２０は、主面を有する絶縁層２６ａと、絶縁層２６ａ内に埋設される接続パッド２４とを備える。接続パッド２４は縁のある帽子状である。すなわち、接続パッド２４は、直径φ１が約９５μｍのプレート部３６と、直径φｃが７５μｍのコンタクト部３８とからなる。コンタクト部３８の主面３９は、絶縁層２６ａの主面７で露出する。コンタクト部３８の直径φｃが半導体チップ８側のバンプ下地金属１１の直径φ２とほぼ同じであるため、半導体チップ８をコアレス基板２０から引き剥がす方向に機械的な応力が加わっても、その応力は接続パッド２４及びバンプ下地金属１１の両側に均等に分散し、破断が起こりにくい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、前記半導体装置が実装された、信頼性の高い電子部品、信頼性の高い半導体装置の製造方法、および信頼性の高い電子部品の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の少なくとも一部とオーバーラップする開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた樹脂突起と、前記電極と電気的に接続され、一部が前記樹脂突起の上に設けられた配線層と、を有し、前記配線層は、前記電極および前記樹脂突起の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成される第２の導電層とを有し、前記第１の導電層は、前記半導体基板側の第１の面と、前記第２の導電層側の第２の面と、を有し、前記第１の導電層の前記第２の面に、前記第１の導電層の酸化膜または窒化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】外部端子のレイアウトの自由度が高い、半導体装置の製造方法並びに、信頼性の高い電子モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、前記第１の面１３の第１領域１７に設けられた第１の樹脂突起２３と、一部が前記第１の樹脂突起２３の上に設けられた第１の配線層２５と、を有する複数の第１の外部端子２０と、前記第１の面１３の第２領域１８に設けられた第２の樹脂突起３３と、一部が前記第２の樹脂突起３３の上に設けられた第２の配線層３５と、を有する複数の第２の外部端子３０と、を有し、前記第１の外部端子２０は、前記第２の外部端子３０よりも多く設けられ、前記第１の樹脂突起２３の前記第１の面１３からの高さは、前記第２の樹脂突起３３の前記第１の面１３からの高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】チップ部品をフリップチップ実装するための、脂環式エポキシ化合物と酸無水物とを含有する接着剤組成物にアクリル樹脂を配合した場合に、接着力の低下、硬化物の白濁や着色、及び回路基板の配線の腐食という問題を同時に解決する。
【解決手段】回路基板にチップ部品をフリップチップ実装するための接着剤組成物は、脂環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とアクリル樹脂とを含有している。脂環式酸無水物系硬化剤の含有量は、脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し８０〜１２０質量部であり、アクリル樹脂の含有量は、脂肪環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とアクリル樹脂との合計１００質量部中に５〜５０質量部である。アクリル樹脂は、アルキル（メタ）アクリレートと、アルキル（メタ）アクリレート１００質量部に対し２〜１００質量部のグリシジルメタクリレートとを共重合させた吸水率１．２％以下の樹脂である。 （もっと読む）

【課題】硬化性及び保存安定性に優れ、かつボイドの発生がなく充填性に優れるとともに、低反りを維持し、熱衝撃性に優れた封止用液状エポキシ樹脂組成物、アンダーフィル材、及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】ナフタレン型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂（Ａ）と、潜在性硬化剤を含むエポキシ樹脂（Ｂ）と、応力緩和剤（Ｃ）と、を含む封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ボイドが発生せず充填性に優れ、かつ硬化性及び保存安定性に優れた封止用液状エポキシ樹脂組成物、それを含むアンダーフィル材、及びそれらを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】ナフタレン型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂（Ａ）と、潜在性硬化剤を含むエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）と、を含む封止用液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）