【課題】電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導電信頼性を高めることができる導電性粒子を提供する。
【解決手段】導電性粒子１は、重合体粒子２と、該重合体粒子２の表面２ａを被覆しており、かつ複数の突起３ｂを表面３ａに有する導電層３とを備えている。重合体粒子２は、少なくとも２つの環構造を有する脂環式化合物であるモノマーを重合させることにより得られた重合体粒子である。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、安価に接着剤接続構造を実現しうる接続方法および電子機器を提供する。
【解決手段】母基板２０は、リジッド基板２１と、リジッド基板２１上に設けられた接着剤接続用電極２２および半田接続用電極２６とを有している。各電極２２、２６の表面は、いずれも、ＯＳＰ処理によって形成された酸化防止膜である有機膜２５によって被覆されている。先に接着剤３０による接続を行って、接着剤接続構造Ｃを形成し、次に、半田リフロー処理を行って、半田接続構造Ｄを形成する。その際、半田リフロー処理の前後における、電極１２、２２間の接続抵抗の増大が所定範囲内に収まるように接続を行う。各電極２２、２６の導通を確保しつつ、半田リフロー処理の後における接続抵抗の増大を抑制することができ、半田接続構造と接着剤接続構造とを円滑に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂による高い接続信頼性を有し、かつ、低温短時間硬化性と貯蔵安定性を両立でき、更には、基板への貼付性の良好なフィルム接着剤を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂と、マイクロカプセル型硬化剤と、フィルム形成性高分子とを含有する熱硬化性接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散させた塗工液を製造する工程、剥離性基材上に該塗工液を塗布する工程、該塗工液が塗布された剥離性基材を、該剥離性基材の弾性領域内で延伸しながら加熱して溶剤を揮散させる製膜工程を含むフィルム接着剤の製造法。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂による高い接続信頼性を有し、かつ、低温短時間硬化性と貯蔵安定性を両立でき、更には、基板への貼付性の良好な回路接続用フィルム接着剤を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂と、マイクロカプセル型硬化剤と、フィルム形成性高分子と導電粒子を含有する熱硬化性接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散させた塗工液を製造する工程、剥離性基材上に該塗工液を塗布する工程、塗工液が塗布された剥離性基材を、該剥離性基材の弾性領域内で延伸しながら加熱して溶剤を揮散させる製膜工程を含む回路接続用フィルム接着剤の製造法。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、半導体素子、チップ部品またはディスクリート部品を、マイグレーションを発生させないで印刷配線基板に接着できる導電性接着剤を提供する。
【解決手段】導電粒子および樹脂を含む導電性接着剤において、該導電粒子の３０重量％以上が銀と錫から実質的になり、該導電接着剤の金属成分の銀：錫のモル比が７７．５：２２．５〜０：１００の範囲にあることを特徴とする導電性接着剤；およびそれを用いて接合させた回路。 （もっと読む）

【課題】金属膜の上に保護用導電膜を積層する構造としているコンタクトは、保護用導電
膜の硬度が高いため、FPC圧着前の検査において、検査装置の電極の接触によるコンタク
トの表面の損傷を防止することができる。しかし、保護用導電膜は金属膜と比較して抵抗
値が高いため、FPCとの接触抵抗が高く、表示装置の使用状態での消費電力が大きくなる
。
【解決手段】本発明は金属膜と保護用導電膜の積層膜でなるFPCコンタクトの構造であっ
て、異方性導電膜に含まれる導電性粒子が前記金属膜と電気的な接続に必要な幅よりも広
く、検査装置の電極の幅よりも狭い間隔を有するスリット状の保護用導電膜で構成され、
前記透明電極膜と前記金属膜の双方で前記FPCと電気的に接続できることを特徴とするコ
ンタクト構造と前記コンタクト構造を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】導電性接着フィルムを用いた端子間の電気的な接続において、コストダウンを図って容易に端子間の接続信頼性を向上させた導電性接着フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性接着材料２中に複数の導電性粒子３が分散された導電性接着フィルム１であって、各導電性粒子３は、設定間隔Ｐを有して絶縁性接着材料２中に配列されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続特性と隣接電極間の高い絶縁性が両立でき、かつ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反りが十分に防止でき、さらに回路部材に対して回路接続部材を転写させる工程において転写不良を十分に防止することのできる接着剤組成物、この接着剤組成物を用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法を提供する。
【解決手段】 回路部材に対してセパレータ側から所定の条件で圧着することで導電性接着層を粘着させ、かつセパレータを除去することで接着剤組成物を転写させる工程における回路部材と導電性接着層間の引っ張り剥離試験による密着力が、試験温度２３℃、剥離角度９０°及び剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎで２０〜２００Ｎ／ｍである回路接続用接着剤組成物、この接着剤組成物を用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板の接続に用いられ、回路接続界面でのストレスを緩和でき、信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路用接続部材及び接続信頼性に優れる回路板を提供する。
【解決手段】ＩＣチップとプリント基板の接続、又は、ＩＣチップとフレキシブル配線板の接続に用いられ、かつ、相対峙する回路電極を加熱、加圧によって、加圧方向の電極間を電気的に接続する回路用接続部材であって、その回路用接続部材が（Ａ）０．０２〜１ミクロンの直径を有するゴム粒子が分散したエポキシ樹脂（Ｂ）エポキシ樹脂の潜在性硬化剤を必須成分とする接着剤組成物を含有することを特徴とする回路用接続部材。 （もっと読む）

【課題】 比較的低温で硬化し、硬化後において、比較的低い内部抵抗値を示すことができる導電性ペーストの提供。還元剤を使用することに伴う貯蔵安定性の低下、硬化後の腐食およびマイグレーション発生等を防止することができる導電性ペーストの提供。
【解決手段】 この導電性ペーストは、硬化性樹脂、硬化剤成分、金属粒子、カーボンナノチューブおよび粘度調整剤を所定の割合で含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接続端子同士を良好に接続する。
【解決手段】 他の基板との接続用の帯状の接続端子３４ａ、３４ｂを有する配線基板３１ａ、３１ｂ同士を接続する配線基板の接続方法であって、接続端子同士が、流動体１４を間に挟んだ状態で対向するように、配線基板同士を位置合わせする工程と、流動体１４を加熱し、その後冷却して、接続端子同士を固着する工程とを備え、流動体１４は、加熱により気泡を生ずる材料であり、接続端子３４ａ、３４ｂは、それぞれの配線基板１ａ、３１ｂに複数併設されており、少なくとも一方の配線基板のそれぞれの少なくとも１つの接続端子には、帯状の接続端子を横断する溝２０ａが形成されている、配線基板の接続方法。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等において、２つの回路基板同士の電極間に形成し、両電極を接続するのに良好なフィルム状接着剤に関するもので、従来のエポキシ樹脂系よりも低温速硬化性に優れ、かつ長時間の保存性を有する電気・電子用の回路接続材料を提供する。
【解決手段】 下記（１）〜（３）の成分を必須とする回路接続材料。
（１）半減期１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下である加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤（２）ラジカル重合性物質（３）遷移金属粒子の表面を表面層が金、銀および白金族の金属から選ばれる少なくとも１種で被覆するように構成され、表面層の金属の厚みが３００オングストロ−ム以上ある導電性粒子 （もっと読む）

【課題】耐湿性および耐熱性の接続信頼性が高く、ボイド発生不良や樹脂硬化による接続不良の発生が抑制されたフリップチップ接続用熱圧接着剤を提供すること。
【解決手段】金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させるフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）下記一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有することを特徴とするフリップチップ接続用熱圧接着剤。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６は独立して水素またはフッ素元素を示し、少なくとも１つはフッ素元素である。また、ｎは０または１の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】複数の基材の各々に形成された電極間を接続する際に、電極間の接続信頼性を向上することができる電極接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基材５に形成された第１の電極２に微細な凹部７が形成されるとともに、第２の基材６に形成された第２の電極４に凹部７に嵌合される微細な凸部８が形成されている。そして、凹部７と凸部８が嵌合することにより、第１の電極２の上面２ａが、第２の電極４の上面４ａと略面一となるように、第１、第２の電極２、４が接続される。また、凹部７と凸部８には、凹部７と凸部８が嵌合することにより接続された第１、第２の電極２、４が、第１、第２の電極２、４の長手方向Ｘに移動するのを規制する移動防止部９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板上に電子素子を搭載する際に、可撓性基板上の配線と、電子素子との導通を確保することができる配線基板の製造方法、および当該配線基板を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、可撓性基板１１の一方の面上に配線１３を形成する工程と、突起部３１を備える支持基板３０上に、可撓性基板１１の一方の面の裏面を支持基板３０に向け、かつ、突起部３１と配線１３の一部が重なるように、可撓性基板１１を搭載する工程と、可撓性基板１１の配線１３の一部を含む領域上に、導電接着剤１４を介して、電子素子１５を押圧する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一面と半導体チップの一面よりも平坦度が劣るパッケージの接合面とを対向させ、これら両部材を、複数個の接合部材を介して接合する部品の実装方法において、パッケージの接合面の高さばらつきが大きいものであっても、複数個の接合部材を一括して適切に配置できるようする。
【解決手段】シート部材３１と、複数個の開口部５１を有する第１の型５０と、第１の型５０への組み付け時に各開口部５１を貫通する複数個の突出部６１を有する第２の型６０とを用意し、第１の型５０の上にシート部材３１を載せ、第２の型６０を第１の型５０に組み付けて突出部６１を開口部５１に貫通させることにより開口部５１の部分にてシート部材３１を打ち抜き、突出部６１の先端部によって、打ち抜かれた部分３０を接合部材３０としてパッケージ２０の接合面２１に押し付けて貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等の素子を含む素子群を基板に貼り合わせて設ける場合に、基板と素子群との接続が不完全でなく且つ加圧により発生する素子の破損を防止する圧着装置および圧着方法、並びに半導体装置の作製方法の提供を目的とする。
【解決手段】圧力検出フィルム上に基板を配置し、基板上に素子群を、基板上に設けられたアンテナとして機能する導電膜と素子群に設けられたバンプとして機能する導電膜とが重なるように選択的に配置し、基板と素子群とに圧力を加えることにより圧着させて基板上に形成された導電膜と素子群に設けられたバンプとして機能する導電膜とが電気的に接続されるように設け、圧着時に、素子群に加わる圧力値および圧力分布を圧力検出フィルムにより検出し、検出された圧力値および圧力分布に基づいて圧着時に加える圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる電子部品の半田付け方法および電子部品の半田付け構造を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品の半田付けに際してバンプと電極との間に介在させて用いるフラックスに、リフロー時において溶融半田を導く効果を目的として混入される金属粉８を、半田バンプを構成する半田の液相温度よりも高い温度で溶融する金属からなるコア部８ａと溶融した半田に対する濡れ性が良く且つ溶融したコア部８ａに固溶する金属からなる表面部８ｂとを有する薄片状もしくは樹枝状とし、リフローによる加熱において、半田部に取り込まれずにフラックス中に残留した金属粉を溶融固化させて略球状の金属粒子１８にする。これにより、リフロー後に金属粉がマイグレーションを起こしやすい状態でフラックス残渣中に残留することがなく、半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は圧着ツールとＴＣＰとの間に介在するシートをＴＣＰを基板に圧着する毎に一定の長さで繰り出すことができる実装装置を提供することにある。
【解決手段】装置本体１に設けられ基板を保持するＸＹテーブル２と、ＸＹテーブルに対向する位置に上下方向に駆動可能に設けられた圧着ツール７と、シート１５が装着される繰り出し軸１６及び繰り出し軸に装着されたシートを巻き取る巻き取り体１８を有し、装置本体に着脱可能に装着されるカセットと、圧着ツールがシートを介してＴＣＰを基板に圧着した後、巻き取り体を回転させてシートを送る巻き取りモータと、繰り出し体又は巻き取り軸に巻かれたシートに接触し、巻き取りモータによって巻き取り体を回転させてシートが送られるときに繰り出し体又は巻き取り軸に連動して回転する回転体４１と、回転体の回転によってシートの送り長さを検出し、その送り長さに基いて上記巻き取りモータによる巻き取り体の回転を制御する制御装置５２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを可撓性回路基板へ熱硬化樹脂を用いてフエイスダウンボンディングして製造される半導体装置の反りを小さくする。
【解決手段】半導体チップ１の中央部に位置する半導体基板の一部を、半導体チップ１と反対側に撓ませた状態で接着用樹脂４を硬化する。回路基板３は凹部６を有するボンディングステージ５上に吸着させて、排気された凹部６内に回路基板３を引き込むことで、撓ませる。硬化及び冷却時の接着用樹脂の収縮にともない回路基板３の撓みは減少して、収縮により生ずる回路基板３等への曲げ応力を相殺するので、半導体装置の反りが小さい。 （もっと読む）