【課題】半導体素子と配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置に関し、半導体素子の４隅のコーナー部において半導体素子と配線基板の間隙の封止樹脂充填性が悪いため、半導体素子の４隅のコーナー部において封止樹脂が不足し、半導体装置の接続信頼性低下が懸念される。
【解決手段】半導体素子と配線基板をフィルム状の封止樹脂を介して接続するフリップチップ実装の半導体装置の構造で、半導体素子の４隅のコーナー部にのみ樹脂保護膜を形成し、フリップチップ実装することで半導体素子搭載領域の中央部に比べ、コーナー部の半導体素子と配線基板の間隙が狭くなり、コーナー部の樹脂充填を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電子機器や電子部品に搭載される電子デバイスを実装した実装基板であって、薄厚化を実現するとともにフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い実装基板を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板１０ＦＤは、一面側がパッド７を具備した端子形成面２ａとされた半導体チップ２をフレキシブル基板１上に実装してなる実装基板であって、前記パッド７が、前記フレキシブル基板１上に形成された金属配線４に対して電気的に接続されており、前記半導体チップ２の端子形成面２ａが、当該実装基板１０ＦＤの厚さ方向における中立面ｎｐに略一致して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 低温かつ短時間の硬化条件においても優れた接着強度を得ることができる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）同一分子内にウレタン結合及びエステル結合を有し、ジイソシアネート化合物由来の構造単位を１５〜２５ｍｏｌ％含有する熱可塑性樹脂と、（ｂ）ラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、を含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップとインターポーザ基板との位置決めを効率よく実行できるＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージ１は、インターポーザ基板４ａを介してフィルム基材２と液晶ドライバ３とが接続している。液晶ドライバ３は、インターポーザ基板４ａとの対向面に第１アライメントマーク１１を有し、インターポーザ基板４ａは、液晶ドライバ３との対向面に第２アライメントマーク１２を有している。第１アライメントマーク１１と第２アライメントマーク１２とを、インターポーザ基板４ａの上記対向面に対して垂直方向からみると、互いが、液晶ドライバ３とインターポーザ基板４ａを貼り合せる際の貼り合わせ位置として許容できる範囲の距離ほど離間されている。 （もっと読む）

【課題】蓋体部を備えた貫通孔を有するベアチップをフリップチップ接続によって実装する際に、ベアチップ内部の貫通孔にアンダーフィルを容易に充填することができる実装構造を提供する。
【解決手段】回路基板６上に半導体回路を形成したベアチップ１をはんだバンプ５を介して搭載し、前記回路基板とベアチップ間にアンダーフィル７を充填してなるフリップチップ実装構造において、前記ベアチップは、半導体基板の表面に形成した半導体回路と前記半導体基板の裏面に形成した電極パッド間をその内面に形成した導電層を介して接続する貫通孔２と、該貫通孔の前記基板表面側開口部に形成した導電層からなる蓋体部３と、前記基板の裏面に形成した電極パッド上に形成したはんだバンプを備え、前記蓋体部には前記アンダーフィル充填時におけるガスを排出するガス排出用の貫通孔８を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の主面に形成された回路素子間の電気抵抗を小さくするために半導体基板の他方の主面に導電層を形成した半導体素子を、超音波振動を印加してフリップチップ実装する場合に、超音波振動を印加するボンディングツールによって導電層が削られることを防止し、削られた削り屑がボンディングツールに付着することが原因となって発生する半導体素子の実装状態のばらつきを防止する。
【解決手段】半導体素子の製造方法において、一方の主面に回路素子が形成された半導体ウエハの他方の主面に導電層を形成する工程と、導電層の上の少なくとも一部を覆う領域にこの導電層より難削性を有する保護層を形成する工程と、半導体ウエハを半導体素子毎に切断する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面に金属電極１２を備える半導体デバイスと、ベース樹脂（有機樹脂）１０に貴金属を含むＡｇ粒子（金属粒子）９を混合した導電性樹脂７を介して、金属電極１２に電気的に接続されるダイパッド（金属部材）１３とを有し、金属電極１２またはダイパッド１３の互いに対向する面の少なくとも一方の面に、金属面にＡｇ（貴金属）のナノ粒子を焼結したポーラスなナノ粒子コート膜（貴金属層）５が形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフェイスダウン実装された半導体装置において、半導体チップやバンプ周辺部分の損傷を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＢＧＡ基板１１０、半導体チップ１０１、バンプ１０６およびバンプ１０６の周囲に充填されたアンダーフィル１０８とを備えている。半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。バンプ１０６は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル１０８は、弾性率が１５０ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下の樹脂材料により構成され、ＢＧＡ基板１１０の基板面内方向の線膨張率は１４ｐｐｍ／℃未満となっている。 （もっと読む）

【課題】電子部品同士を接合して得られた電子部品実装構造体におけるクラックや剥離の発生を防止することができる電子部品実装用接着剤及びこのような電子部品実装用接着剤により電子部品同士を接合して得られる電子部品実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品実装構造体１において、第１の回路基板１１と第２の回路基板１３を電子部品実装用接着剤２０によって接合する。ここで、電子部品実装用接着剤２０は、熱硬化性樹脂２１に、その熱硬化性樹脂２１の硬化物のガラス転移温度Ｔｇよりも低い融点Ｍｐを有する金属粒子２２を分散させたものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に関し、格子状に配置されたはんだバンプの領域における絶縁材料の流速をできるだけ均一化して微小なボイドの発生を低減することが可能な構造を提供し、且つ、その構造を採り入れることで信頼性を向上した半導体装置を提供しようとする。
【解決手段】格子状に並ぶはんだバンプを介して実装した半導体素子と回路基板との間に生成される空間に絶縁材料が充填されてなる半導体装置に於いて、格子状に並ぶはんだバンプの各列の間に在って、且つ、はんだバンプを介して対向した半導体素子及び回路基板の少なくとも何れか一方の面にはんだバンプと重ならない位置に形成された突起の列を備える。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を発生させることなく画質を安定に向上させることができるようにした半導体実装構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子である固体撮像素子３の端子４がガラス基板１に設けられた端子２に電気的に接続され、かつ、ガラス基板１とフレキシブル基板８の間に固体撮像素子３を介在させた状態にて、ガラス基板１とフレキシブル基板８がハンダボール１２を介して電気的に接続される半導体実装構造において、ハンダボール１２を溶融した際に、固体撮像素子３に接触させないようにするために、フレキシブル基板８のハンダボール１２が対応する箇所に、楕円状乃至は長円状のランド１３を形成して、その中心を外方にシフトした位置に設定した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと回路チップとの間に樹脂フィルムを設けて半導体チップおよび回路チップを一体化する際、軟化・膨張した樹脂フィルムが半導体チップのセンシング部に付着することを防止する。
【解決手段】半導体チップ１０に形成される保護膜１６の表面に撥水処理を施すことにより、樹脂フィルム３０（特に、第１樹脂フィルム）の濡れ性が低くなるようにし、樹脂フィルム３０が軟化・膨張したときの濡れ広がりが抑制できるようにする。これにより、バンプ１５、２３を介して半導体チップ１０および回路チップ２０を接合することでフリップチップ実装を行うセンサ装置１００において、半導体チップ１０と回路チップ２０との間に樹脂フィルム３０を設けて半導体チップ１０および回路チップ２０を一体化する際、軟化・膨張した樹脂フィルム３０が半導体チップ１０の振動体１２に付着することを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数個の電極を有する電子部品を基板上に搭載し、フラックスを使用しないはんだダイボンダ技術を用いて、電子部品におけるそれぞれの電極を基板の電極にはんだ付けしてなる実装構造において、スクラブによるはんだブリッジの発生を抑制する。
【解決手段】電子部品１０の一面１０ａと基板２０の一面２０ａとを対向させ、それぞれの部品電極１２と基板電極２１との間にはんだ３０を介在させた状態では、電子部品１０の一面１０ａのうち隣り合うはんだ３０同士の間に位置する部位に、当該一面１０ａから突出し当該両はんだ３０同士を遮断する壁１３が設けられた状態とし、この状態でスクラブを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体（フリップチップ）実装の部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性のバンプをダイ上に形成させた後、非導電接着剤の使用を合わせることで半導体（フリップチップ）実装の部品を製造する。本発明の半導体（フリップチップ）実装の部品は少なくとも一つの弾性バンプが設置されるダイと、前記ダイの表面に設置され、前記ダイの表面が前記弾性バンプと同様の表面である接着剤を含む。本発明の半導体部品は低製造コスト、適当な隙間の獲得、従来使用されていたテープ式の異方性導電フィルムによる外寸サイズの制限を乗り越える等の利点がある。 （もっと読む）

【課題】面積が例えば２×２ｍｍ²程度以下の微小な半導体チップであってもスタッドバンプを容易に形成できる半導体装の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１４を支持し、半導体チップ１４より大きな面積をもち、かつ全体にわたって平坦な支持体１０ｚの上の中央部を避けた端側に、半導体チップ１４の背面が接合材１２によって固着された構造を形成する工程と、半導体チップ１４が支持体１０ｚに支持された状態で、半導体チップ１４の表面にワイヤバンプ法によりスタッドバンプ２６を形成する工程と含む。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置は、フリップチップ実装する際に半導体装置と実装基板とが接触し、実装信頼性を低下させる問題があった。半導体装置と実装基板との間にスペーサーを形成し半導体装置と実装基板との接触を防ぐ方法が提案さているが、スペーサーの材質、形状に伴う新たな実装信頼性の低下が発生するといった課題がある。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子未形成領域に段差部，傾斜部，階段部のいずれか１つまたはそれらの組み合わせを形成することにより、本発明の半導体装置をフリップチップ実装する際に実装基板と接触することがない。さらに、スペーサーを用いないことから実装信頼性を低下させない。 （もっと読む）

【課題】SiPを形成するためのマルチチップ実装において、安価でしかも生産効率のよい方法で性能を劣化させることなく半導体チップ同士を接続できる半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法を提供すること。
【解決手段】側面パッド形成のために凹部１３をダイシングライン１１上に形成する。その後、半導体集積回路の素子特性に影響がないように拡散防止層１４を形成する。そして凹部１３を導電体材料１５で埋める。ダイシング工程によってチップとして切り離されると同時に、チップ側面にパッドが形成される。このようにして形成された半導体集積回路チップ同士を隣接させ、側面パッドの導電体材料１５を加熱、溶解させて接合する。 （もっと読む）

【課題】上層再配線を有する半導体装置の製造方法に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。
【解決手段】ベース板１の上面中央部にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２を接着層３を介して接着する。ベース板１の上面には樹脂からなる矩形枠状の絶縁層１４をその上面が半導体構成体２の上面とほぼ面一となるように形成する。半導体構成体２および絶縁層１４の上面にはプリプレグ材からなる絶縁膜１５をその上面を平坦として形成する。絶縁膜１５の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線１６を形成する。この場合、上層再配線１６の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極１７は、絶縁膜１５に食い込むように柱状電極１２の上面中央部に接続する。 （もっと読む）

【課題】 中空領域の気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層１２によって中空領域１７を封止する。樹脂層１２は紫外線硬化特性及び熱硬化特性を有している。このため、ベース基板１１を実装基板１４上に装着する前に樹脂層１２を紫外線効果によって部分硬化させておき、ベース基板１１を実装基板１４上に配置した後熱硬化させることが可能になる。これによって、ベース基板１１の実装基板１４配置前の取扱いが容易になり、不用な樹脂の付着を防止することができる。また、一度紫外線硬化させた後さらに熱硬化させるので、樹脂層１２における欠陥穴の発生を低減することができ、樹脂層１２の気密性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子をフリップチップ接続によって基板に実装する際に、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを抑制し、半導体素子の電極パッドが腐蝕したりすることを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板１０にアンダーフィル樹脂１８を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子２０Ａをフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、ボンディングツール３０に、チップ本体に設けられた電極パッド２１と該電極パッドに接合されたバンプ２２との接合部に露出する前記電極パッド２１の露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材１８ａによって被覆された半導体素子２０Ａを支持し、前記ボンディングツール３０により前記半導体素子２０Ａを加熱した状態で前記基板１０に前記半導体素子２０Ａを加圧し、前記接続電極１２とバンプ２２とを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂１８を熱硬化させて前記半導体素子２０Ａを前記基板１０に実装する。 （もっと読む）