【課題】気密封止性を高めた封止構造を適用した上で、パッケージサイズを縮小することを可能にした樹脂封止型電子部品装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型電子部品装置は、金属バンプ５の内側に金属ダム８を設け、この金属ダム８で素子機能部１を取り囲むようにして気密封止する空隙９を形成している。このような封止構造によって、素子機能部１の動作に必要な所定の空間を形成した上で気密封止性を高め、さらにはパッケージを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの壁面に露出させた構成の半導体装置の実装構造に関し、半導体装置と実装基板との熱線膨張率差により発生する応力を緩和することにより、実装性及び信頼性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】リード１４の一端側が半導体チップ１１と電気的に接続されると共に他端側がパッケージ１７の壁面に露出して外部端子１６を形成し、かつ外部端子１６を除く他の部分はパッケージ１７に封止された構成の半導体装置１０Ｃをはんだ２０（軟質接合材）を用いて実装基板１８Ａに実装する半導体装置の実装構造であって、前記実装基板１８Ａに半導体装置１０Ｃを実装基板表面に対し離間した状態で支持するスペーサ部２１を形成し、半導体装置１０Ｃと実装基板１８Ａとの間に形成された離間部分にはんだ２０が配設される構造とする。 （もっと読む）

【課題】 小型化と薄型化、コスト低減と信頼性の向上を図る。
【解決手段】 各入出力電極３２と各素子実装用ランド６との接続部位及び可動子封装空間部２１を構成する絶縁樹脂層３４の形成部位とを同一箇所に設ける。犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染物質を含まず、装置に熱負荷が加わってもSAWチップの周波数特性がずれない高精度で且つ高信頼性な電子装置を開発すること。
【解決手段】 セラミック基板４の上面中央部に入出力電極５を形成するとともに上面外周部に全周にわたって環状金属層７を形成し、入出力電極５に電子回路素子１の下面中央部に形成した素子入出力電極２を接合材８を介してフリップチップ接合するとともに環状金属層７に電子回路素子１の下面外周部に形成した素子環状金属層３を封着材９を介して全周にわたって接合した電子装置であって、接合材８および封着材９を錫−銀合金を主成分とする半田もしくは錫−銀−銅を主成分とする半田に金、ニッケルおよびコバルトを含有させたもので構成した。 （もっと読む）

【課題】 圧力の付与状態を圧力の付与後に目視判別することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】 端子３が設けられている端子形成面ＦＦの背面ＲＦに、圧力の付与状態を目視判別するための加圧状態判別手段４を設ける。 （もっと読む）

【課題】はんだ付けリフロー時の封止樹脂の吸湿水分の急激な体積膨張による実装部の破壊や接合部の品質低下を防止する。
【解決手段】半導体素子１と回路基板３とを、半導体素子１の電極上に形成したバンプ２と、前記回路基板３上に設けた配線４とを介して電気的に接合し、半導体素子１と回路基板３の間に封止樹脂５を介在させた半導体装置において、半導体素子１の隣接する２辺から０．６ｍｍ以内の隅部に形成した貫通穴１１により、封止樹脂５に含まれる吸湿水を脱湿可能とした。 （もっと読む）

【課題】 放熱特性を確保しながら、実装信頼性を向上できる半導体素子用の電気回路基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１上に、半導体素子６のリード端子に応じて設けられた信号端子２を設ける。絶縁基板１上に、半導体素子６の放熱部８に面する位置に、はんだ付着が可能な複数のはんだ付着部３を設ける。各はんだ付着部３間に、はんだ非付着部５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 大掛かりな超音波実装装置が不要となる半導体チップの接合方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体チップの接合方法は、半導体チップ１０の電極端子１４と基板１２の電極端子とを当接させ、超音波振動を印加することで、半導体チップ１０と基板１２との電極端子同士を接合する半導体チップの接合方法において、半導体チップ１０あるいは基板１２の少なくとも一方に超音波振動子１６を組み込み、該超音波振動子１６を発振させることによって発生する超音波振動によって半導体チップ１０を基板１２に実装することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、半導体装置の厚さを薄くできる、半導体の実装基板にチップを実装する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】先ず、実装基板２２０の半導体チップが実装される表面２３０に金属配線２４０が形成された当該実装基板を用意する。さらに、半導体チップ１１０の実装基板と対向する面１１１に形成された凹部８５内に導電端子９０が備えられる当該半導体チップを用意する。次に、金属配線と導電端子とを導電性接着剤２４０を介して接着する。 （もっと読む）

本発明は、熱分配器を組み込んだ電子デバイスに関するものであり、特に、１つ以上の素子のレベルを有するプラスチックパッケージ型式のデバイスに適用される。本発明によれば、例えばパッケージ型式の電子デバイスに、接続表面（２２）上に分布されるパッド（１１）が外部接続用として装備される。この電子デバイスは、該接続表面に平行に配置される不均等構造の熱伝導プレート（２３）を含み、これによって、デバイスが所定の外部温度に曝露された時に、各外部接続パッドに、接続表面上のその位置に応じて、制御された熱量を供給することが可能になる。デバイスがプリント回路型式の支持体（２０）を含むパッケージである場合は、伝導プレートが、該支持体の内部の層を有利に構成するであろう。 （もっと読む）

【課題】 配線接続の精度を向上させながら、その配線接続の近傍について折り曲げることができる配線基板、配線基板の製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の一部を接続部材に接続する接続工程と、前記接続部材に接続されたシリコン基板１１の一方面には樹脂膜１２及び配線パターン１３が形成されてなり、樹脂膜１２及び配線パターン１３によってシリコン基板１１を保持した状態で前記シリコン基板１１を割る割断工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】中央部１ａの厚さと周辺部１ｂの厚さとを比較すると、周辺部１ｂの厚さの方が小さい。そのため、相対的に厚さの小さい周辺部１ｂのチップは、肉厚が小さいので撓みやすくなっている。したがって、たとえば温度降下により、実装基板２が収縮し、ＬＳＩチップ１と実装基板２とを接続する半田バンプ３において歪が生じても、周辺部１ｂは実装基板２の収縮に追随して収縮するため、周辺部１ｂにかかる応力は低減される。 （もっと読む）

【課題】 短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ（ＷＢＣＳＰ）を提供する。
【解決手段】 本発明のＷＢＣＳＰは、パッド３３上に再配線パターン４７ａが、絶縁層４３上に再配線パターン４７ｂがそれぞれ形成され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ上にバンプ電極３６ａ、３６ｂが形成され、再配線パターン４７ｂとパッド３２とはボンディングワイヤ３８により接続され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ及びボンディングワイヤ３８は絶縁層３９により封止され、ボンディングワイヤ３８の最上部は、再配線パターン４７ａ、４７ｂより上方かつバンプ電極３６ａ、３６ｂの下端部より下方に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超音波併用熱圧着にて安定した良好な接合を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。 （もっと読む）

【課題】金等のバンプ電極を用いた狭ピッチな微細フリップチップ接続を低コストかつ高信頼に達成すること。
【解決手段】配線が形成された基板と、前記基板上に配置され、半導体回路、及び前記半導体回路に電気的に連絡する複数の外部端子が形成された第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子は、前記外部端子を介して前記配線に電気的に連絡され、前記第一の半導体素子と前記基板との間に形成され、前記外部端子の周囲に充填された接着材と、を備え、前記基板表面から前記半導体素子の前記外部端子が形成され主面の反対側の主面までの厚さは、前記外部端子の位置する領域の方がその周囲より厚くなるよう形成されている領域を有する。
【効果】バンプ電極の塑性変形を抑制し，温度変化や外力に対して高信頼性接続を低コストなプロセスで達成できる。 （もっと読む）

【課題】 温度変化の大きい環境下に置かれても、異方導電性フィルムと半導体素子及び／または回路基板との接続界面に破壊が生じることなく、良好な導通特性が維持される半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体素子３０を異方導電性フィルム１０を介して回路基板２０と電気的に接続してなる半導体装置であって、異方導電性フィルムは、絶縁性樹脂からなるフィルム基板１中に複数の導通路２が、互いに絶縁されて、フィルム基板の厚み方向に貫通してなるものであり、当該異方導電性フィルムのフィルム基板の面１ａと回路基板の基板面２１ａとの間に隙間Ｓが形成されている。 （もっと読む）