【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型（ＭＩＳ型）のＰ−ＨＥＭＴ構造において、チャネル層のキャリア移動度を向上し、界面準位の影響を低減した、良好なトランジスタ性能を実現できる技術を提供する。
【解決手段】ベース基板と、第１結晶層と、絶縁層とを有し、前記ベース基板、前記第１結晶層および前記絶縁層が、前記ベース基板、前記第１結晶層、前記絶縁層の順に位置し、前記第１結晶層が、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓに擬格子整合できるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．３５≦ｘ≦０．４３）からなる半導体基板を提供する。前記第１結晶層は、電界効果トランジスタのチャネル層に適用できる層であってもよく、前記絶縁層は、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁層に適用できる層であってもよい。前記第１結晶層の７７Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光のピーク波長が、１０７０ｎｍより大きいものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】等価酸化膜厚（ＥＯＴ）が薄く、漏洩電流の小さいＤＲＡＭ用のＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】基板を準備するステップと、前記基板上に第１電気導電性層上を設けるステップと、原子層堆積法によって、前記導電性層上に層のサブスタックを設けるステップであって、前記サブスタックの少なくとも一層はＴｉＯ_２層であり、サブスタックの他層は、ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層であるステップとを含む。前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、結晶化した誘電体層を得る。サブスタックに存在する一連のＴｉＯ_２層として改善した特性を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを得るために、第２導電性層を熱処理の前または後に製造する。特に、本発明に係るＭＩＭｃａｐにおいて、誘電体層のｋ値は５０〜１００であり、ＭＩＭキャパシタのＥＯＴは０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】ウエハボートに棚状に積載された複数の基板の各々に対して側方側から処理ガスを供給して反応管内において熱処理を行うにあたり、処理ガスの有効利用を図ると共に、装置のコストを低減すること。
【解決手段】保持板３１の各々の上面側に基板載置領域３３を周方向に複数箇所に形成して、これら保持板３１を周縁側から周方向に亘って複数箇所において支柱３２によって支持すると共に、保持板３１上に支持されるウエハＷの上面と当該ウエハＷの上方側に対向する保持板３１の下面との間の間隔寸法ｋよりも保持板３１の外縁と内管１２ｂの内壁との間の離間寸法ｔの方が小さくなるように、保持板３１の外縁よりも内側寄りの位置に各々の支柱３２を配置する。そして、ウエハＷの各々の側方側のガス吐出口５２から、各々のウエハＷに対して処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】低温で薄膜を形成した場合であっても、高品質な薄膜が形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００が収容された処理室２０１内に第１の反応物質を供給し、ウエハ２００の表面に第１の反応物質を吸着させる工程と、処理室２０１から余剰な第１の反応物質を除去する工程と、処理室２０１内に第２の反応物質を供給し、ウエハ２００の表面に吸着した第１の反応物質と反応させて少なくとも１原子層の薄膜を形成する工程と、処理室２０１から余剰な第２の反応物質を除去する工程と、から成る薄膜形成工程と、薄膜形成工程後に、処理室２０１内にプラズマ励起された第３の反応物質を供給するプラズマ処理工程と、を所望の厚さの薄膜が形成されるまで所定回数繰り返すように制御手段を構成してなる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の吸湿を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理容器内で高誘電率絶縁膜上に高誘電率絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿性絶縁膜を形成する工程と、処理容器内より低吸湿性絶縁膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】紫外光による基板のダメージを最小限に抑えながら基板の酸化膜の改質を行う。
【解決手段】オゾンと紫外光とを基板１１に供して基板１１上の酸化膜を改質する酸化膜改質装置１は、格納された基板１１に対してオゾンと紫外光が供される処理炉２と、前記改質が開始されてからの基板１１に供された後のオゾンガスのオゾン濃度の上昇を検出しこの検出したオゾン濃度の上昇速度の変化に基づき紫外光の照射を制御する制御部７とを備える。制御部７は前記オゾン濃度の上昇速度の低下を検出した時点で基板１１に対する紫外光の照射を停止させる。 （もっと読む）

【課題】付帯設備や専有面積の過剰な増大を防止しつつスループットを増加し得る成膜装置を提供する。
【解決手段】開示の成膜装置は、直径３００ｍｍの基板が夫々載置される１０個以上の載置領域を含む回転テーブルと、容器内の第１領域に配置され、回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部と、第１領域から回転テーブルの回転方向に離れた第２領域に配置され、回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部と、第１及び第２領域に対応する第１及び第２の排気口と、第１及び第２領域の間に配置され、第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部から供給される分離ガスが流れる空間を回転テーブルとの間に画成する天井面であって、その空間の圧力が第１及び第の領域における圧力よりも高く維持され得る高さを有する天井面とを含む分離領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基材を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う装置において、プラズマによる基材の損傷を防止して、プラズマＣＶＤによる成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜電極を囲むアースシールドの少なくとも上流側を、成膜電極よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の労力を低減するとともに、ダウンタイムを短くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１の洗浄方法は、加熱工程と洗浄工程とを備えている。加熱工程では、反応管２内と排気管１６内との少なくとも一方を所定の温度に加熱する。洗浄工程では、加熱された反応室２内と排気管１６内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させる。そして、活性化した酸素ガス及び水素ガスにより、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。 （もっと読む）