【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、マイクロ波源から供給されたマイクロ波を処理室に輻射するマイクロ波輻射部を有し、前記マイクロ波輻射部は回転するよう構成され、前記基板支持部で支持された基板の処理面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイクロ波供給部と前記基板支持部の間に設けた仕切りと、前記基板支持部に設けた冷却部と、各構成を制御する制御部とを備える基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置を製造する方法であって、前記ブロッキング酸化膜を形成する工程が、前記チャージトラップ膜上に結晶質膜を形成する結晶質膜形成工程と、前記結晶質膜の上層にアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程とを具備し、前記結晶質膜形成工程と、前記アモルファス膜形成工程とを同一の処理容器内で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生させたマイクロ波を前記処理室内に供給する導波口であって、該導波口の中心位置が、前記基板支持部で支持された基板の中心位置から偏心しており、該導波口が前記基板支持部で支持された基板の表面に対向している導波口と、前記導波口に対する前記基板支持部の水平方向における相対的な位置を変動させる制御部と、から基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する薄膜を改質する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、基板にマイクロ波を照射することにより、高誘電体膜を加熱して改質する工程と、基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持プレート７に保持される。半導体ウェハーＷは保持プレート７に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上に下電極を形成する工程（Ｓ１０４）と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む３種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程（Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０）と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程（Ｓ１１２）と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に順次、下地層１２、超格子バッファー層１３、ＧａＮ層１４、被覆層１５が積層形成されている。被覆層１５は、ＩＩＩ族元素の窒化物（例えば、ＡｌＧａＮ）とランタノイドの窒化物（例えば、ＧｄＮ）との混晶としてのＡｌ_0.3Ｇａ_0.6Ｇｄ_0.1Ｎであり、厚さは２０ｎｍである。ソース領域１７とドレイン領域１８の間に位置する絶縁層１６は、ＧａＮ層１４を被覆する被覆層１５を酸化して形成された酸窒化物である。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢ
ＣＮ膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有
するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の絶縁
膜。 （もっと読む）

【課題】 熱のみによって励起したクリーニングガスを用い、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を高速に除去する。
【解決手段】 処理室内に処理ガスを供給して基板上に高誘電率膜を形成する処理を行った後の処理室内にＢＣｌ_３、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、ＳｉＣｌ_４、ＨＢｒ、ＢＢｒ_３、ＳｉＢｒ_４、およびＢｒ_２からなる群から選択される一種以上のガスを含むハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程と、処理室内を真空排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去して処理室内をクリーニングする工程を有し、ハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程では、ハロゲン系ガスおよび酸素系ガスに対する酸素系ガスの濃度を７％未満とする。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させる。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第１の直線が基板の中心付近を通るように構成された処理ガス噴出口から処理室内に処理ガスを供給するとともに、一対の不活性ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第２の直線及び第３の直線が第１の直線をそれぞれ両側から挟むように構成された一対の不活性ガス供給ノズルから処理室内に不活性ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性の高い材料で作製され、真空容器内に配置されるインナーが真空容器内でずれたり破損したりするのを低減することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】容器内に配置され基板が載置される回転テーブルと、回転テーブルに対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、回転テーブルに対して第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを含む成膜空間を画成する、容器を構成する材料よりも耐食性に優れる材料で作製される区画部材が容器内に設けられる成膜装置が開示される。この成膜装置は、成膜空間の圧力を測定する圧力測定部と、成膜空間の外側の空間の圧力を測定する圧力測定部と、を備え、これらの測定を通して、成膜空間の外側の空間の圧力が成膜空間の圧力よりも僅かに高い圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）