【解決手段】半導体基板の熱処理工程に用いる熱処理炉であって、両側端面に半導体基板の挿入及び取り出し可能な大きさの開口部を有する円筒状の炉心管を具備することを特徴とする熱処理炉。
【効果】本発明によれば、半導体の連続熱処理時の各バッチ間の待機時間を減少させ、生産性を向上することが可能となった。また、炉芯管の構造を単純な円筒状形状としたことで、ガス導入管部分の破損頻度が低下し、熱処理工程のランニングコストを削減することができた。 （もっと読む）

【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムＦの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ３４０と、ステージ３４０保持されたシートフィルムＦの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル３４３と、塗布された薄膜材料をシートフィルムＦの表面に広げるためにステージ３４０を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット３４において、塗布手ノズル３４３より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムＦを保持した状態でステージ３４０を回転することでステージ３４０の中央部３４１ａとシートフィルムＦとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 （もっと読む）

【課題】大型基板上においても光による均一な処理を行うことの可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板３２を載置する基板載置部３３を備える処理室１３と、処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部１１と、処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓１５と、前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部１６と、処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口２３を有するガス配管２１と、処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造に用いる装置の清浄度を、簡便かつ高感度で、局所的に解析出来る評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に膜を形成する際に用いられるＣＶＤ炉の清浄度を評価する方法であって、少なくとも、ＣＶＤ炉にて基板に膜を形成し、該成膜後の基板を非酸化性雰囲気下にてアニールした後、該アニール後の基板上に生成するパーティクル状の異物の数及び分布を観察することによりＣＶＤ炉の清浄度を評価することを特徴とするＣＶＤ炉の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の測定を精度高く行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０の裏面１０ｂに、絶縁体からなり、厚さが１μｍ以下の保護膜２２を形成する工程と、保護膜２２を設ける工程の後に、基板１０の表面１０ａに、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程と、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程の後に、ＧａＮ系半導体層の電気的特性を測定する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】膜応力の制御が可能なシリコン元素を有する薄膜の作製方法を提供することを目的の一とする。さらに、このシリコン元素を有する薄膜の作製方法を用いて、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置内の反応室の内壁を加熱して、反応室内壁に吸着している不純物を放出させる。次いで、反応室の内壁を加熱し続けしながらフッ素化合物ガスを用いたプラズマまたは反応室内の排気によって、反応室内壁に吸着している不純物および反応室内に残留している不純物を除去した後、反応室の内壁を加熱し続けしながらシリコン元素を有する薄膜を形成する。また、前記シリコン元素を有する薄膜を用いてトランジスタを作製する。 （もっと読む）

シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。
【解決手段】ＣＶＤ反応が生じる条件下でそれ単独で固体となる第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、それ単独では固体とならない第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以下の低温成膜において、従来よりも耐ウエットエッチング性が高い酸化シリコン膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器内に被処理体（半導体ウエハ）を搬入し、被処理体の温度を３５０℃以下として、Ｓｉソースガスとしてのアミノシランガスと酸化ガスとを前記処理容器内に供給し、被処理体の表面に酸化シリコン膜を形成するにあたり、酸化ガスとして、Ｏ_２ガスおよびＯ_３ガスの少なくとも一方からなる第１酸化ガスと、Ｈ_２ＯガスおよびＨ_２Ｏ_２ガスの少なくとも一方からなる第２酸化ガスとで構成されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】比較的低電力においてもクリーニング速度を損なわずに堆積チャンバをクリーニングできる、堆積チャンバのリモートクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤチャンバ１０をリモートプラズマ源３０を用いてクリーニングする方法は、リモートプラズマ源３０のプラズマ発生室３１を、プラズマがＣＶＤチャンバ１０内の構成備品や基板に有害な影響を与えない位置に離して配設されたシステムにおいて、クリーニング用ガスとして９０％以上の濃度のフッ素化合物ガスを１００Ｐａ以下の圧力でプラズマ発生室３１に供給するステップと、リモートプラズマ源３０にて高周波電力を供給しプラズマ発生室３１にプラズマを発生させて１００Ｐａ以下の圧力下でフッ素化合物ガスからフッ素活性種を生成するステップと、リモートプラズマ源３０にて生成したフッ素活性種をＣＶＤチャンバ１０内に導入して内部をクリーニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理枚数が多く、また、ウエハへの膜の成膜後のウエハ良否の選別処理機能を有する常圧気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウエハトレー１と、前記ウエハトレー１を水平方向に搬送するウエハトレー駆動装置と、ウエハ３に、原料ガスを吹き付けるガスヘッド６と、前記ウエハトレー１を加熱するヒーター７と、成膜前にウエハ上部を加熱しウエハ３の反りを矯正する機構７１と、成膜後のウエハトレー１を垂直下降方向に移動させるＤＯＷＮリフトと、成膜前のウエハトレー１を、垂直上昇方向に移動させるＵＰリフトとで構成され、前記ＤＯＷＮリフトの下端と、ＵＰリフトの下端との間に、ウエハトレー反転機構４が配置されており、ＤＯＷＮリフトから運搬された成膜後のウエハトレー１を設定した角度内で反転させて、成膜途中にて破損したウエハ３を、ウエハトレー１から脱落させる機能を有する常圧気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】各基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させ、処理速度を増大させ、基板処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数の基板２００を水平姿勢で所定の間隔で多段に積層して収容する処理室２０１と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２２２ａ，２２２ｂと、を有し、処理ガス供給系は、基板の上表面に対してそれぞれ垂直に処理ガスを供給するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗率のエピタキシャル層と従来より更に低抵抗率なシリコンウエーハからなり、素子の電気的特性の向上を実現できる、エピタキシャル成長中のオートドープを従来に比べて容易に抑制できるシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンが１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の濃度でドープされたシリコンエッチドウエーハを準備し、準備したシリコンエッチドウエーハの裏面側にＣＶＤ酸化膜を形成する工程を行い、その後、シリコンエッチドウエーハの表面に対して鏡面研磨を行って、表面側に回り込んだＣＶＤ酸化膜を除去する工程を行い、その後、温度１１００℃以下のウェット酸化によって酸化膜を形成する工程を行い、そして、表面側の酸化膜をエッチングで除去する工程を行い、エッチング工程で酸化膜が除去された側の表面にエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）