【課題】半導体素子を提供する。
【解決手段】３次元構造の表面形態を持ち、非極性窒化物半導体で形成された第１非平坦非極性窒化物半導体層；第１非平坦非極性窒化物半導体層の表面の少なくとも一部上に形成されたものであって、複数の固体粒子で形成された第１構造物層；第１非平坦非極性窒化物半導体層及び第１構造物層上に形成された第１非極性窒化物半導体層；を含む半導体素子。 （もっと読む）

【課題】チャネル内へのキャリアの閉じ込めを改善すること。
【解決手段】へテロ接合トランジスタは、ＩＩＩ族窒化物を含むチャネル層１４と、チャネル層の上のＩＩＩ族窒化物を含む障壁層１６と、チャネル層１４が障壁層１６とエネルギー障壁３８との間にあるようにした、チャネル層１４の上のインジウムを有するＩＩＩ族窒化物の層を含むエネルギー障壁とを備えることができる。障壁層１６は、チャネル層よりも大きなバンドギャップを有することができ、エネルギー障壁３８のインジウム（Ｉｎ）の濃度はチャネル層１４のインジウム（Ｉｎ）の濃度よりも高い可能性がある。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のベースにおいては、基板及びカーボンナノチューブ層を含む。前記基板は、結晶面を含み、前記カーボンナノチューブ層が、複数のカーボンナノチューブを含み、前記基板の結晶面に配置される。前記カーボンナノチューブ層に、複数の空隙が形成されている。前記基板の結晶面の一部が前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出される。しようとするエピタキシャル層を前記基板の該一部の結晶面から前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙を通じて成長させる。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】耐圧向上を図った電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、基板１０１上に、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層１０３と、第二の窒化物半導体層１０３よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層１０４とを順に積層して形成されている。第三の窒化物半導体層１０４上には中間層１０６を介して形成されたソース電極１０７、ドレイン電極１０８、ゲート電極１０９が設けられている。第一の窒化物半導体層１０２には、ホウ素が不純物としてドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板にエピタキシャル膜を形成する際に生じる裏面が粗くなることを抑制することにより、炭化珪素単結晶ウエハの裏面の研磨によって生じる炭化珪素単結晶ウエハの品質の低下を抑制するとともに、工数を減少させることができる炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶ウエハの製造方法は、炭化珪素からなる主面３０ａを有するプレート３０の主面３０ａ上に基板１０を載置し、基板１０上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であり、信頼性を向上させることができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板１として、単結晶ＳｉＣと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層３を形成する工程および半導体素子の構成要素４〜１０、１４〜１７を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。このような製造方法では、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１とを半導体素子の動作温度以下の温度で接合しているため、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、ＳｉＣ半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、ＳｉＣ半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積により、基板上にＧｅの連続した層を堆積する方法を提供する。
【解決手段】非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。好適には、約２７５℃と約５００℃との間の堆積温度で堆積が行われ、混合物中の前駆体ガスの分圧は、約２７５℃と約２８５℃との間の温度で少なくとも２０ｍＴｏｒｒであり、約２８５℃と約５００℃との間の温度で少なくとも１０ｍＴｏｒｒである。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、ＰＬＤ、ＦＣＶＡ法又はＥＣＲスパッタ法を利用してエピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であるＳｉＣ半導体基板を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１の表面に接合されることにより支持基板１と一体化された単結晶ＳｉＣ層２と、を有するＳｉＣ半導体基板において、支持基板１を、単結晶ＳｉＣより比抵抗が低い材料を用いて構成された基板１ａと、当該基板１ａを被覆するＳｉＣ組成薄膜１ｂとを備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート絶縁膜を備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】８度以下のオフ角度を有する炭化珪素基板（１）と、この基板上に形成された第１導電型の第１炭化珪素領域（２）と、この領域の表面に形成された第２導電型の第２炭化珪素領域（３）と、この領域の表面に形成され、不純物濃度が第２の炭化珪素領域と同程度に調整された第１導電型の第３炭化珪素領域（４）と、この領域の表面に選択的に形成された第１導電型の第４炭化珪素領域（５）と、第２炭化珪素領域の表面に形成された第２導電型の第５炭化珪素領域（６）と、第１炭化珪素領域から第３炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜（７）と、この上に形成されたゲート電極（８）とを具備し、第３炭化珪素領域の表面における、第３と第４炭化珪素領域の境界面は、オフ角度方向と９０°以外の角度で交差するように形成されている。 （もっと読む）