【課題】基板上に成長されるＧａＮ層は歪みを受ける可能性があり、歪みのレベルがある閾値を超えると、ＧａＮ層に亀裂が入る恐れがある。
【解決手段】半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウェハの主面に平行な面内における素子特性のばらつきを抑えて、歩留まりを向上させる。
【解決手段】
本発明の炭化珪素半導体素子の製造方法は、（Ａ）炭化珪素ウェハ１０１と、炭化珪素ウェハ１０１の主面上に配置され、第１導電型の不純物を含む複数の第１導電型不純物領域１０５を有する第１炭化珪素層１１０とを備えた炭化珪素層付ウェハ１を用意する工程と、（Ｂ）第１炭化珪素層１１０の表面に炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって、第２炭化珪素層１１５を形成する工程とを包含し、工程（Ｂ）において、複数の第１導電型不純物領域１０５の表面における第１導電型の不純物の濃度分布に基づいて、炭化珪素ウェハ１０１の主面に平行な面内で、第２炭化珪素層１１５の厚さ、不純物濃度、またはその両方に分布をもたせるように、エピタキシャル成長させる条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チャネル層中のキャリア濃度を増すため、高いアルミニウム含有率を有した厚いＡｌＧａＮ層は、成長中か冷却後にひびが入る傾向があり、これによってデバイスが破壊される。
【解決手段】基板上の第１のＩＩＩ族窒化物層は第１の歪みを有する。ＧａＮ層のような第２のＩＩＩ族窒化物層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられている。第２のＩＩＩ族窒化物層は、第１のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ第１の歪みの大きさよりも大きい第２の歪みを有する。ＡｌＧａＮ層又はＡｌＮ層のような第３のＩＩＩ族窒化物層がＧａＮ層上に設けられている。第３のＩＩＩ族窒化物層は、第２のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ第２の歪みと逆の歪みの型の第３の歪みを有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第３のＩＩＩ族窒化物層上に設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層２０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層に開口部２８を形成する工程と、前記開口部の側面に電子走行層２２および電子供給層２６を形成する工程と、前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極３２を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極３０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極３４を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、この吸着電極の印加電圧を三角パルス状に変化させ、この印加電圧が低くなるときに吸着電極と被処理体とを実質的に縁切りする。 （もっと読む）

【課題】半導体の接合や商品設計の面で優れた自由度を得ることができるナノワイヤデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、結晶をエピタキシャル成長させて複数のナノワイヤ状半導体２を形成する。ナノワイヤ状半導体２の間隙に充填剤５を充填してナノワイヤ状半導体２を埋設し、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を形成する。半導体基板６から、ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離して、ナノワイヤ状半導体アレイ９，１０，１１，１３，１４，１５を形成する。ナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６の剥離は、充填剤５上に支持基板８を形成した後、外力により行う。又は、充填剤５の熱収縮応力によりナノワイヤ状半導体−充填剤複合体６を剥離した後、充填剤５上に支持基板８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法による半導体ダイヤモンド等のエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させて得られた結晶層を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、成長した結晶層と基板とを分離させることを特徴とする、オフ角を有する単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。クリーニング５室は、サセプタＳを４００℃以上の温度で加熱するヒータ２０８と、サセプタＳの上方からエッチングガスを供給してＳｉＣ膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るアモルファスカーボンは、フッ素濃度が５×１０^−５〜３％（ａｔｍ）であり、少量のフッ素原子を導入したフッ素化アモルファスカーボンである。これにより、アモルファスカーボン中の欠陥数を減少させることができ、欠陥密度の低いアモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。好ましくは、前記拡散促進物質はリン、砒素、またはアンチモンである。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）