【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１上方に形成された化合物半導体積層構造７と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極１１ｇ、ソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、が設けられている。化合物半導体積層構造７には、電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層５を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のＩｎ組成は、平面視でゲート電極１１ｇとソース電極１１ｓとの間に位置する領域及びゲート電極１１ｇとドレイン電極１１ｄとの間に位置する領域において、ゲート電極１１ｇの下方よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第１溶液を用いた処理を行って半導体積層５３ｂに第１処理面６５ｆを処理装置１０ｄで形成する。第１溶液による処理温度は、摂氏５０度以上摂氏１００度以下である。第１溶液の濃度は５パーセント以上であり、５０パーセント以下である。第１処理工程に引き続き第２処理工程を行う。第２処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第２溶液を用いた処理を半導体積層５３ｂに行って半導体積層５３ｂに第２処理面６５ｇを処理装置１０ｅで形成する。第２処理工程の後において、半導体積層５３ｂの処理面６５ｇのドナー性不純物の濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ドレイン−ソース間のリーク電流が少なく、かつ、ノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の上に形成された不純物元素を含む第１の半導体層１３と、第１の半導体層１３の上に形成された第２の半導体層１６と、第２の半導体層１６の上に形成された第３の半導体層１７と、第３の半導体層１７の上に形成されたゲート電極２１、ソース電極２２及びドレイン電極２３と、を有し、第２の半導体層１６において、ゲート電極２１の直下には、第１の半導体層１３と接し、第１の半導体層１３に含まれる不純物元素が拡散している不純物拡散領域１５が形成されており、不純物元素は、不純物拡散領域がｐ型となる元素であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】成長時間を短縮してスループットを向上することが可能なトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、電子供給層６，１０及びチャネル層８を有する高電子移動度トランジスタ構造層３を形成する工程と、高電子移動度トランジスタ構造層３上に、コレクタ層１４、ベース層１５、エミッタ層１６及びノンアロイ層１８を有するヘテロバイポーラトランジスタ構造層４を形成する工程と、を有するトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法において、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層４を、気相成長法により成長温度４００℃以上６００℃以下で、かつ、一定の成長温度で成長するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板、接着層、バッファ層および活性層がこの順に位置し、前記ベース基板の前記接着層と接する領域にＳｉが存在し、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層が、窒化物半導体からなる半導体基板の製造方法であって、前記ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後に、前記ベース基板の温度を１０００℃以上に維持しつつ前記ベース基板の表面をアンモニアガスとキャリアガスとの混合ガスに暴露するアンモニアガス暴露工程と、前記アンモニアガス暴露工程の後に、前記ベース基板の上に、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程と、を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板、接着層、バッファ層および活性層を有し、前記ベース基板、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層がこの順に位置し、前記ベース基板の前記接着層と接する領域にＳｉが存在し、前記接着層、前記バッファ層および前記活性層が、窒化物半導体からなる半導体基板であって、前記バッファ層が、第１結晶層と第２結晶層が交互に複数積層された積層構造体であり、前記第１結晶層が、Ａｌ_ｍＧａ_１−ｍＮ、（但し０≦ｍ≦１）で表される結晶からなり、前記第２結晶層が、Ａｌ_ｎＧａ_１−ｎＮ、（但し０≦ｎ≦１、ｍ＞ｎ）で表される結晶からなり、前記第１結晶層の格子緩和度が、前記第２結晶層の格子緩和度より大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流の変動を抑制し、かつピンチオフ特性を確保することが可能な半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣからなる基板１０と、基板１０上に設けられ、ＡｌＮからなるバッファ層１２と、バッファ層１２上に設けられ、ＧａＮからなるチャネル層１４と、チャネル層１４上に設けられ、ＡｌＧａＮからなる電子供給層１６と、電子供給層１６上に設けられたソース電極２０、ドレイン電極２２及びゲート電極２４と、を具備し、チャネル層１４の電子供給層１６側の領域１４ｂにおけるＣの濃度は、チャネル層１４のバッファ層１２側の領域１４ａにおけるＣの濃度より高いＨＥＭＴ１００、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン化された窒化ガリウムのテンプレートの上に酸化亜鉛の半導体エピ層を製作する方法を提供する。
【解決手段】この方法は以下の工程を含む：（1）サファイア基板１０１ａを含む基板１０１上に窒化ガリウム層１０３を少なくとも１０００℃の温度で成長させ；（2）SiO₂マスク１０５を窒化ガリウム１０３上で配向した開口１０７にパターン化し；（3）成長温度と反応器を選択することによって結晶面を制御して（ELO）窒化ガリウム層のエピタキシャル横方向異常成長を行い、窒化ガリウム層１０３から開口１０７の配列を通して成長した窒化ガリウム層１０９（テンプレート）が形成され；（4）この窒化ガリウムテンプレート上に単結晶酸化亜鉛半導体層１１１を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】様々な基板の上にシリコン以外の半導体の高品質なチャネル層によるＣＭＯＳ構造が、複雑な工程を必要とせずに形成できるようにする。
【解決手段】半導体積層基板は、シリコン基板１０１の上に形成された酸化シリコン層１０２と、酸化シリコン層１０２の上に形成されたＩｎＡｌＡｓ層１０３と、ＩｎＡｌＡｓ層１０３の上に形成されたＧａＡｓＳｂ層１０４と、ＧａＡｓＳｂ層１０４の上に形成されたＩｎＧａＡｓ層１０５と、ＩｎＧａＡｓ層１０５の上に形成されたｐ型のＩｎＡｌＡｓ層１０６と、ｐ型のＩｎＡｌＡｓ層１０６の上に形成されたｎ型のＩｎＧａＡｓ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の外周部においてクラックの発生が抑制される半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶基板１１０と、基板１１０の表面に窒化物により形成された保護層１２０と、を有し、保護層１２０は、基板１１０の外周部となる周辺領域１２０ａはアモルファス状態であり、基板１１０の周辺領域よりも内側の内部領域１２０ｂは結晶化している。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Ｓを収容する処理容器２と、処理容器２内で複数の基板を保持する基板保持部材３と、処理容器２内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５に高周波電力を印加する高周波電源１６と処理容器２内に処理ガスを供給するガス供給手段８，９，１０と、処理容器２内を排気する排気手段１１，１２，１４と、処理容器２内で基板保持部材３を囲うように誘導加熱コイル１５と基板保持部材３との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材３に保持された基板Ｓを加熱する誘導発熱体７とを具備し、誘導発熱体７により、基板Ｓへ誘導電流が流れることが阻止される。 （もっと読む）

【課題】導電性が高くＩＩＩ族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体１００は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１０とＩＩＩ族窒化物結晶１１０上に配置された酸化物膜１２０とを含み、酸化物膜１２０はドーパントの濃度が互いに異なる第１領域１２１と第２領域１２２とを含み、第２領域１２２は第１領域１２１に比べてドーパントの濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】転位密度の低減を図ることができる半導体発光素子、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の第１の主面の側に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。そして、前記基板の第１の主面には、頂部に凹部を有する突起部が複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を高くすることが可能なシャワーヘッド装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを導入するシャワーヘッド装置４６において、内部にガスを拡散させるガス拡散室４８が形成されたシャワーヘッド本体５０と、シャワーヘッド本体のガス噴射板５２に設けられた複数のガス噴射孔５４とを有し、複数のガス噴射孔は、ガス噴射板の中心部を中心として仮想的に形成される複数の螺旋状の曲線８４に沿うように配置されている。これにより、ガスを平面方向へ均一に分散させて、膜厚の面内均一性を高くする。 （もっと読む）