【課題】液状の原料を確実に気化させることができ、配管や処理チャンバ内の汚染を防止して良好な表面処理を可能とする表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｓが配置される処理チャンバ２と、この処理チャンバに接続された気化器６とを備え、この気化器にその表面処理を行う表面処理装置において、前記気化器６から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体５０を設け、加熱体は、所定の角度で傾斜させて処理チャンバ内に配置した反射板５１と、この反射板を所定の温度に加熱する加熱手段５２を有する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 平面導体を大型にしても、そのインピーダンスの増大を抑えて当該平面導体に大きな電位差が発生するのを抑え、それによって均一性の良いプラズマ生成を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、ホルダ側の面３２が真空容器４内に位置しかつホルダ１０の基板保持面に対向するように設けられた平面導体３０を備えている。平面導体３０は、そのホルダ側の面３２に、高周波電流の流れ方向と交差する方向に伸びている溝４０であってその深さが、平面導体３０中を流れる高周波電流の表皮厚さよりも大きい溝４０を、高周波電流の流れ方向に１以上有していて、溝４０によってホルダ側の面３２は複数領域に分割されている。平面導体３０の各溝４０内にコンデンサ４２をそれぞれ設けて、平面導体３０の前記各領域と各コンデンサ４２とを互いに電気的に直列接続している。 （もっと読む）

【課題】結晶質半導体薄膜を大面積基板上に均一に高速で形成すること。
【解決手段】真空容器１０と、基板１００に対向して設けられる電極１２と、真空容器１０に水素を主成分に含むガスを一定量で連続的に供給するガス供給手段２２ａ、２２ｂ、２２ｃと、基板１００と電極１２との間を基板１００の面内において複数に分割した分割領域に対して半導体材料ガスを分割領域毎に個別に且つ周期的に供給するガス供給手段２２ｄ、２２ｅ、２２ｆと、半導体材料ガスの供給と同期して電極１２における半導体材料ガスが供給された分割領域に対応する領域に個別に高周波電圧を印加する高周波電源４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、分割領域への半導体材料ガスの供給のオン／オフを制御するとともに半導体材料ガスの供給に同期させて電極１２に印加する高周波電圧に振幅変調を加える制御手段６０と、真空容器１０内のガスを排気する排気手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法を提供する。
【解決手段】種基板１４を固定するポケット部１２と、サセプター１１と種基板１４との間に、種基板１４と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、種基板１４とサブサセプター１３との間に間隙を有してなる、サセプター１１を用いる。なお、間隙の大きさと、窒化ガリウム自立基板の厚みは、それぞれ、０ｍｍ超過２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ドーパント濃度の制御性に優れ、高品質なｐ型ＺｎＯ系結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、分子構造中に酸素原子を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用いてＺｎＯ系結晶層を成長する単結晶成長工程を有し、上記単結晶成長工程は、ＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を供給する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を維持するとともに、成膜速度を向上させることができるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に原料ガスを供給する原料ガス供給口１１２と、前記原料ガスを排気する排気口１１４と、を備える成膜容器１１０と、前記成膜容器内に設けられ、基板Ｓを支持する基板支持部１２０と、前記成膜容器内に設けられ、前記原料ガスに曝され、複数の第１開口部１３５を備える第１電極１３０と、前記成膜容器内に設けられ、誘電体で覆われ、複数の第２開口部１４５を備える第２電極１４０と、プラズマを発生させるため、第１電極と第２電極とに高周波電力を印加する高周波電源１５０と、を備え、第２電極は第１電極に対して、前記原料ガス供給口から供給される原料ガスの下流側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３の放電面３ａから厚さ方向途中まで形成された第１穴部１１ａと、放電面３ａとは反対面３ｂから第１穴部１１ａの軸芯ｃ１と平行な軸芯ｃ２に沿って厚さ方向途中まで形成された第２穴部１１ｂとが、互いに連通して形成される複数の通気孔１１を有するとともに、第１穴部１１ａと第２穴部１１ｂとの間に第１穴部１１ａの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】手作業での環状隔壁部材の位置の変更や交換、あるいは処理ガス吐出部自体の交換をせずに、処理ガスの吐出位置を変更することが可能な処理ガス吐出部を有する処理装置を提供する。
【解決手段】載置台に対向して処理室内に設けられ、内部の隔壁１４を介して互いに区画される処理ガス吐出孔１６を有する処理ガス吐出部５と、被処理体面内のうちセンター部分に対応する第１の空間１５ａ、被処理体面内のうちエッジ部分に対応する第２の空間１５ｉ、及び第１の空間１５ａと第２の空間１５ｉとの間に設けられた少なくとも１つの第３の空間１５ｂ〜１５ｈ、に連通された処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉ、さらに、隣接する処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉどうしの間を開閉するバルブ１９ａ〜１９ｈを含む処理ガス分配ユニット１２と、を具備する処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】負荷を低減させて加熱部を昇温させることが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
処理室内に基板を搬入する工程と、加熱部に電力を供給して加熱部を発熱させることにより、基板を加熱して処理する工程と、処理が完了した基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有し、基板を加熱して処理する工程では、加熱部の温度を検出し、検出した加熱部の温度が所定温度未満であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であると判定した場合には、加熱部の昇温速度が、あらかじめ設定した加熱部の昇温速度の基準となる目標昇温速度以上であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であり、かつ昇温速度が目標昇温速度以上であり、かつ昇温速度が目標昇温速度と異なる場合には、加熱部への電力供給量を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）