【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中で発生した不要物質を速やかに排気することができ、かつ基板上での処理の均一性が良く、さらに生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、カソード電極ユニットと、基板保持機構とを備え、カソード電極ユニットに電源が接続されたプラズマ処理装置であって、カソード電極ユニットは、カソード板６と、カソード板に隣接する第１の排気室７と、該第１の排気室に隣接する給気室８と、給気室に隣接する第２の排気室９とを備え、給気室は、ガス流入口１３を備え、第２の排気室は、ガス排出口１６を備え、カソード板は、カソード板を貫通する複数の給気孔１１および複数の排気孔１２を備え、複数の給気孔と給気室は、第１の排気室を貫通する複数の給気流路１４により連結され、第１の排気室と第２の排気室は、給気室を貫通する複数の排気流路１５により連結される構成を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】
電極の開口部にプラズマを形成するプラズマ処理において、開口部のプラズマの正確な発光スペクトルが測定可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
内部を減圧に保持する真空排気装置を備えた真空容器内に、カソード電極と、該カソード電極に対向して配置された被成膜基板と、前記基板を保持する基板保持機構とを備え、前記カソード電極は前記被成膜基板側に開口したプラズマ保持部を持ち、該プラズマ保持部は前記被処理基板側の空間から気体を排気する排気機構を有しているプラズマ処理装置であって、前記カソード電極側面から少なくとも1つの前記プラズマ保持部を見通せる覗き孔と、該覗き孔からプラズマ光を集光するためのレンズと、集光した光を取り出す光ファイバと、取り出した光を分光して解析する分光器ユニットを備えたプラズマ処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置などの微細加工装置における異物の発生を抑制して、被加工材料である試料の汚染を抑制する技術を提供する。
【解決手段】処理室１０３内に付着した微粒子１０９と壁の間に吸着用分子を付着させ、吸着用分子の吸着力により前記微粒子１０９の剥離を抑制し、半導体基板１０８に付着する異物としての微粒子１０９を低減する。この吸着用分子として、沸点が−９℃以上の物質、例えばイソプロパノール、ｎ−プロパノール、エタノール、メタノール、四塩化炭素、ハイドロフルオロエーテル、ブタノール、二硫化炭素、塩化ベンゼン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ベンゼン、アセトン、等を用い、該吸着用分子の分圧を、真空室１０３を構成する壁と汚染物質である微粒子１０９との接触部に近接した隙間部に前記吸着用分子が吸着するのに適した圧力に保つ。 （もっと読む）

【課題】表面処理における基板の面内均一性を維持しながら、基板に供給する原料流体の使用量を低減する表面処理装置を提供する。
【解決手段】回転する基板１８面に垂直方向を軸方向とした時の基板１８に対する前記原料流体の軸方向速度分布に基づいて算出された流量で、前記原料流体が基板１８に向かって縦型流として供給され、基板１８の径（ｄ）に対する原料流体供給流路部２８の流入口の径（Ｄ）の割合（Ｄ／ｄ）が、１〜１．１２５の範囲である表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】液体原料６０をキャリアガスにより気化させて原料ガスを形成する気化装置１２において、気化室９４が形成された気化容器９６と、中央に液体原料を噴射する液体原料用ノズル１２２を有し、液体原料用ノズルの外周に同心状にキャリアガスを噴射するキャリアガス用ノズル１２４を有して原料ガスを形成する噴射ノズル部６４と、噴射ノズル部より液体原料の噴射方向に沿ってその開き角度が鋭角で広がって行き気化室に向けて開放されたガス拡散抑制領域１３０を形成するガス拡散抑制ブロック１００と、原料ガス出口８４とを備える。これにより液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及シリコン系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１には，放電電極３に凹部７が設けられ，該放電電極と接地電極１０との間に，アースカバー８が設けられ，このアースカバーには放電電極に設けられている凹部に相対向するように，貫通孔９が設けられている。また、薄膜の製造に当たっては、前述の装置で、真空容器を減圧下に保持し、真空容器内に該放電電極に設けられている該凹部の壁面より少なくとも珪素を含む原料ガスを凹部内に供給し、該放電電極に高周波電力を印加して、該凹部中において該原料ガスをプラズマ化し、該凹部中にプラズマを局在化させ，該プラズマ化した原料ガス中に含まれるＳｉＨ３ラジカルを基板上に到達させ、成膜する事により、前記課題を解決出来る。 （もっと読む）

【課題】光ＣＶＤ法を用いて、基板上に電気絶縁性の高い緻密なシリコン酸化膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを前記処理室内に供給し、前記直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する成膜工程と、前記直鎖状無機シリコンガスの供給を停止し、前記酸素含有ガスを前記処理室内に供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する改質工程と、前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、から半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】
ライン数を抑え簡素な装置構成により界面急峻性の優れた薄膜の形成が可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、反応炉に接続された材料ガス供給ラインと、べントラインと、材料ガス供給ラインに第１バルブを介して接続され且つべントラインに第２バルブを介して接続された配管を有する少なくとも１以上の材料ガス供給源と、材料ガス供給ラインに第３バルブを介して接続され且つべントラインに第４バルブを介して接続された第１流量調整ラインと、材料ガス供給ラインに第５バルブを介して接続され且つべントラインに第６バルブを介して接続された第２流量調整ラインと、第３バルブと第６バルブが開いた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが閉じた状態とし、第３バルブと第６バルブが閉じた状態となる場合は、第４バルブと第５バルブが開いた状態とする制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台３４と、支持台３４の上方側を覆って支持台３４との間に小容積領域Ｓを形成可能な第一の位置および第一の位置と異なる第二の位置に移動可能であって、成膜ガスを供給する第一のガス供給孔６８が一方面側に開口するように設けられている板状のヘッド部６２を有し、成膜ガス等の供給を行うガス供給機構６１と、支持台３４上に支持された被処理基板Ｗの外方側に設けられたガス排気孔７０を有し、ガスの排気を行うガス排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージが加熱されている状態で、半導体ウェハは、ステージ上に載置される（ステップＳ１０）。そして第１の時間が経過した後、制御部は、真空容器内の圧力Ｐ_１を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げる（ステップＳ４０）。半導体ウェハをステージ上に載置したあと、真空容器内の圧力Ｐ_１と、吸着口内の圧力Ｐ_２の差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に設定される。またステップＳ４０においても、差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に維持される。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行うことができるマイクロ波照射装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してマイクロ波を照射して処理をするマイクロ波照射装置２において、真空排気が可能になされた処理容器４と、被処理体を支持する支持台６と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段１０６と、マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段７２と、被処理体を加熱する加熱手段１６と、被処理体を冷却ガスにより冷却するガス冷却手段１０４と、被処理体の温度を測定する放射温度計６４と、放射温度計の測定値に基づいて加熱手段とガス冷却手段とを制御することにより被処理体の温度を調整する温度制御部７０とを備える。これにより、被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】リング状空洞共振器２０４を用いたプラズマ処理装置において、処理室の中心軸と同心に設置されたプラズマ発生用電磁波導入経路を有し、電磁波を複数の出力ポートに分配する分岐回路の出力ポートに接続され、プラズマ発生用電磁波の導入経路と同心に設置されたリング状空洞共振器２０４を備え、プラズマ発生用電磁波導入経路が円形導波管２０１により構成され、分岐回路が、該処理室の中心軸に対して均等な角度で配置された複数の導波路で構成され、円形導波管２０１に円偏波の発生機構６０２を備えて、共振器内部に進行波を励振する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でＳｉＨ_４ガスなどのガスの濃度を測定することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、レーザ光照射窓を備える成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスに希ガスを添加する希ガス添加部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、レーザ光照射窓から成膜容器の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部から照射されたレーザ光による、成膜容器の内部の空間の応答を検出する検出部と、検出部が検出した結果に基づいて、原料ガス供給部が供給する原料ガスの流量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するためのプラズマ処理システムの処理の均一性を改善する。
【解決手段】プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。電極１５２は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜に寄与するガスを効率よく使用することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスを前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方の前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置を構成する。 （もっと読む）