【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体２１５が誘電体窓２０７の下のエンクロージャ２００内に配置される。ＲＦ電力アプリケータ２４０が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にＲＦ電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置２３０、２３５が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル２７０が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマを安定して維持することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板を収容する真空容器と、電磁波の入射窓を有する誘導結合型のプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置により、基板に絶縁膜を成膜するプラズマ処理方法において、Ａｒプラズマ中のイオンにより基板の表面をＡｒスパッタ処理し（Ｓ３）、Ａｒスパッタした基板に絶縁膜を成膜し（Ｓ４）、基板を真空容器から搬出し（Ｓ５）、Ａｒスパッタにより入射窓の内壁に付着した原子を、酸素プラズマ処理により酸化する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハと半導体製造装置のホルダとをシリコン酸化膜を介して接触させた場合に、半導体ウエハとホルダとの貼り付きが抑制された半導体装置およびこの半導体装置を製造可能とする半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】
この半導体製造装置は、反応容器となるチャンバー１２０と、半導体ウエハにＤＣＳガスを提供するシャワーヘッド１３０と、半導体ウエハに熱を加えるヒーター１５０と、載置面１３に半導体ウエハ２００が接触して支持される載置部１１と、この載置部１１を囲む周縁部１２と、載置面１３に部分的に設けられ、シリコン樹脂を主成分とする支持部材１４と、を有するウエハホルダ１１０を少なくとも備える。この支持部材１４は、ＳｉとＯとを主成分とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板へのダスト付着を抑制または防止して、高歩留まりで高品質な化合物半導体デバイスを製造する。
【解決手段】グローブボックス室内部にリアクタ３が内蔵された開閉自在なチャンバ５が設けられ、チャンバ５内のリアクタ３で基板４の表面に所定の材料膜を成膜する気相成長装置１において、グローブボックス室上部よりパージガスを導入してグローブボックス室下部のダストトラップ部８を介してその下部よりパージガスが排気されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１のチャンバー６内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーＷが搬入され、保持プレート７によって保持される。フィルタ機構２は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ２０をチャンバー６のチャンバー窓６１とフラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬとの間に挿入する。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光がフィルタ２０を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】強度を確保できる形状の面状発熱体を有するヒータおよびそれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】ヒータの発熱体１は、断面がコの字形状となるリボン状の発熱体部材２を基本構造とし強度を確保できる形状を有する。発熱体１は、発熱体部材２が長手方向に曲げられた構造を有して環状または円盤状をなし、面状発熱体を構成する。発熱体１を有するヒータは、成膜装置に適用され、発熱体１の上部面Ｓがウェハの裏面と対向するようにウェハの下方に配置される。発熱体１では撓みの発生が低減され、変形の発生を抑えることができる。成膜装置では、発熱体１を有するヒータによって、所望条件でのウェハの加熱を実現するとともに、ウェハ裏面からの均一な加熱を可能とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタへのウェハ固着を防止する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体製造装置は、サセプタ、回転部、及び振動発生部が設けられる。サセプタは、チャンバ内に設けられ、ウェハを支持してウェハの成膜中に回転する。回転部は、サセプタに連結し、チャンバの内部及び外部に設けられ、サセプタを回転する。振動発生部は、成膜中にサセプタに振動を与える。 （もっと読む）

【課題】現状を超えて成膜基板を高速に回転しても、原料ガスの流れに乱流が発生することを抑制することが可能な回転式成膜装置を提供する。
【解決手段】回転式成膜装置１は、上面２０Ｔに、成膜基板Ｗが載置される基板載置部２１Ｗを含む、成膜基板Ｗよりも径の大きいサセプタ２１を有する回転体２０を備えた反応容器１０と、回転体２０に回転動力を供給する回転動力供給機構２３と、
サセプタ２１の上方からサセプタ２１に載置された成膜基板Ｗに対して原料ガスＧを供給する原料ガス供給機構とを備えている。サセプタ２１において基板載置部２１Ｗの外部領域の少なくとも一部はカバー部材３０で覆われている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光アクセス窓のエッチングおよび堆積を低減させ、診断終点において所望のＳＮＲを維持できるガス注入器を提供する。
【解決手段】注入器は、プロセスチャンバの外側の診断終点Ｓ−ＯＵＴから光アクセス窓７０を通ってプロセスチャンバ内Ｓ−ＩＮへと、軸路に沿った光アクセスを提供する。中空のケースボディ９０は、第１および第２のプロセスガスを受け取り、軸路を取り囲む。ボディ内のスリーブ９２は、粒子の生成を最小限に抑えるために、ケースボディに対して促され、プロセスチャンバ内に第１のプロセスガスを注入する第１のガス穴１０６を画定する。スリーブの第２のガス穴１２４は、プロセスチャンバ内に第２のプロセスガスを注入するために、軸路を取り囲み、光信号が終点において所望の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を有することを可能にする。第２の穴内にセプタム１２６を提供することによって、第２の穴を、アパーチャ１３６に分割する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１を成膜する第１の工程（プリミックス）と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜Ｆ２を成膜する第２の工程（ポストミックス）とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板Ｓ上にプリミックスによりシリコン膜Ｆ１を成膜しそのシリコン膜Ｆ１上にポストミックスによりシリコン膜Ｆ２を成膜する方法、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１及びＦ２を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去する際、エッチング終点を正確に検出し、反応室内のダメージを抑え、歩留り、生産性を向上させることが可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、ウェーハが所定温度となるようにヒータの出力を制御し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、反応室よりウェーハを搬出し、反応室内にエッチングガスを供給して、反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、ヒータの出力が所定量に制御されるときの支持部上の温度である第１の温度の変動、又は第１の温度が所定温度となるように制御されるヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出する。 （もっと読む）