【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】露光パターン形成用領域を複数回に分けて露光する場合、又は複数の露光パターン形成用領域を同時若しくは連続的に露光する場合に、露光位置の確認が容易な露光方法及び露光位置の確認方法を提供する。
【解決手段】露光対象部材２は、露光パターン形成用領域及びその周囲の少なくとも一部の非パターン形成領域を備えている。この露光対象部材２の非パターン形成領域における露光パターンの延長上にある領域に露光光の照射により変色する光変色材料を塗布するか、又は露光光の照射により変色する光変色部材を貼付し、マスクに透過させた露光光を露光対象部材に照射する際に、露光パターン形成用領域の他に、光変色材料又は光変色部材からなる光変色領域２２にも照射してこれを変色させる。そして、この光変色領域２２の変色により、露光パターン形成領域における露光位置を確認し、露光不良の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができるブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】基板１上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層２を形成する工程（１）と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層３を前記下地剤２からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層３を相分離する工程（２）と、前記ブロックコポリマーを含む層３のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相３ａを選択的に除去する工程（３）と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透明基板に加工を行う場合に、搬送や露光等を問題無く行うことができ、適切に加工を行うことができる透明基板の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１０、１５の加工方法であって、
前記透明基板１０、１５の表面上の全面を覆うように、光を反射する反射層２０を形成する反射層形成工程と、
前記反射層２０上に、レジスト層９０を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層９０を露光によりパターニングし、開口部９１を形成するレジストパターニング工程と、
前記開口部９１にある前記反射層２０をエッチングにより除去する反射層部分エッチング工程と、
前記開口部９１にある前記透明基板１０を加工する透明基板加工工程と、
前記レジスト層９０を除去するレジスト除去工程と、
前記反射層２０の残りの部分を除去する反射層全面除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粗面を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約２σ_ｓから約８σ_ｓの範囲の波長λ_Ａを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、ｐ型コンタクト９０ｐ及びｎ型コンタクト９０ｎをＬＥＤの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工膜上の第１の領域に第１のパターン被覆率である第１のパターンを形成する工程と、第１の領域とは異なる被加工膜上の第２の領域に第２のパターン被覆率である第２のパターンを形成する工程と、を含む。第２のパターンを形成する工程は、ブロックコポリマー含有膜またはポリマー混合膜からなる第２の膜を被加工膜上に形成する工程と、第２の膜を自己組織化する工程と、自己組織化された第２の膜に含有される複数種のポリマーを、少なくとも１種類のポリマーを残すように選択的に除去することにより、第２のパターン被覆率を第１のパターン被覆率に近づけるように第２のパターンを第２の領域に形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ時のフォトマスクの位置合わせを十分な精度で行うことが可能となる位置合わせ用の目合わせパターンを形成することを課題とする。
【解決手段】基板１上に第１絶縁層２を形成する工程と、第１絶縁層２に、１つ以上の接続孔４と、接続孔４よりも幅が広い位置合わせ用の目合わせパターンを形成するための目合わせ孔３と、を形成する工程と、第１絶縁層２の上に、接続孔４が金属で完全に埋まり、かつ、目合わせ孔３が金属で完全に埋まらないよう金属膜５を形成する工程と、金属膜５の上に、少なくとも目合わせ孔３が完全に埋まるように第１フォトレジスト膜６を形成する工程と、第１絶縁層２をストッパーとしてＣＭＰ処理を行うことで、第１フォトレジスト膜６及び金属膜５の一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのエッジ部まで精度よく露光する。
【解決手段】フォーカス測定光ＥＬを照射するショット領域Ｓが、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかからないショット領域Ｓである場合には、所定数のスリット状領域ＳＬおきに露光面の高さを測定し、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかかるショット領域Ｓである場合には、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかからないショット領域Ｓに比べて、多くのスリット状領域ＳＬの露光面の高さを測定する走査型露光装置。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】計測ステーションにおける非稼働時間の発生を防止して露光精度を高める露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１００は、基板Ｐに対してアライメント計測およびフォーカス計測を行う計測ステーション１１０と、計測ステーション１１０で計測された基板Ｐの各ショット領域を走査露光する露光ステーション１２０と、計測ステーション１１０での計測結果に基づいて露光ステーション１２０での露光動作を制御する主制御部１４１と、を有する。主制御部１４１は、計測ステーション１１０でのフォーカス計測の結果に基づいて、露光ステーション１２０での露光における基板Ｐの走査速度を各ショット領域に対して決定し、各ショット領域に対して決定された走査速度に基づいて、露光ステーション１２０での基板Ｐの露光に要する時間を求め、求められた時間に応じて、計測ステーション１１０で計測されるべきショット領域の数を決定する。 （もっと読む）

【課題】表面に段差を有する基板の該段差部に微細樹脂構造体を形成する場合において、高い平坦性を有する樹脂構造体を製造する方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】固体エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂と光重合開始剤を配合することによって得られる、加熱により溶融軟化する固体光硬化性樹脂組成物を用い、（ａ）表面に段差を有する基板を覆うように、固体光硬化性樹脂組成物からなる未硬化樹脂層を形成する工程、（ｂ）未硬化樹脂層を溶融又は軟化する温度に加熱した状態で、その表面に平板を押圧接触させ、未硬化樹脂層が再固形化する温度にまで冷却して平板を除去することにより、平坦面を有する一次成形体を形成する平坦化工程、（ｃ）一次成形体の上面側から、マスクを用いて選択露光することにより所定領域のみを硬化させる工程、（ｄ）選択硬化された一次成形体の未露光部分を現像除去することにより樹脂構造体を形成する工程、を行う。 （もっと読む）

【課題】歪みのあるウエハを受け取り、且つ平面に保持するウエハ保持装置、半導体製造装置およびウエハ吸着方法を提供する。
【解決手段】支柱３４は下部にフランジを備えた略凸状の断面をもち、カバー３８でブロック３６上に保持されている。チップ３０、リング３２、支柱３４は何れもチューブ状の中空構造であり、チップ３０の先端（上端）には吸着穴が開口している。カバー３８は穴４２に支柱３４が挿通されるようにフランジをブロック３６の上に保持している。フランジとカバー３８との間には圧電素子４０が設けられており、チップ３０が引っ張られる方向に外力が作用すると、支柱３４がブロック３６からフランジを離間させるように動き、カバー３８内部でフランジが圧電素子４０をカバー３８に向けて押圧する構成とされている。 （もっと読む）

【課題】より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる位置合わせ方法、ウエハおよびホトマスクを提供する。
【解決手段】窓部２４０および反射部３４０は、移動方向に平行な対角線を有する矩形の形状に形成されている。したがって、ウエハをホトマスクに対して相対的に移動させると、窓部２４０と反射部３４０が重なる部分が二次関数的に変化するため、窓部２４０から観察できる反射光の光量も二次関数的に変化するので、ユーザは、その光量の変化をより敏感に検出することが可能となり、より容易に反射光の光量が最大となる位置にステージ１の位置を調整することができるので、結果として、より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板の主裏面に欠陥がない埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板１の主表面に積層された第１シリコンエピタキシャル層３にアライメントマーク７を形成する第１の工程と、アライメントマーク７が形成された第１のシリコンエピタキシャル層３に不純物拡散層１３ａ，２０ａを形成する第２の工程と、不純物拡散層１３ａ，２０ａが形成された第１のシリコンエピタキシャル層３の上に第２シリコンエピタキシャル層３ａを積層する第３の工程と、第２の工程と第３の工程を所定回数繰り返す第４の工程とを有する。そして、アライメントマーク７の形成終了時にシリコン単結晶基板１の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２をデフォーカス防止用酸化膜として、埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハ１００を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、ウェハ１内に設けられる第１及び第２半導体チップエリア２_１，２_２と、第１及び第２半導体チップエリア２_１，２_２内の各々に設けられ、トランジスタが形成される第１素子領域５_１，５_２と、第１及び第２半導体チップ５_１，５_２間に設けられるダイシングエリア３Ａと、ダイシングエリア３Ａ内に設けられ、アライメントマークが形成されるアライメント領域３５と、第１素子領域５_１，５_２とアライメント領域３５との間に設けられ、ウェハ１表面に対して垂直方向に突出した凸部９_１，９_２を有する凸部形成領域７_１，７_２とを具備し、凸部９_１，９_２の上端は、ウェハ１表面より高い位置にあり、トランジスタのゲート電極１２上端よりも低い位置にある。 （もっと読む）

【課題】作業効率の低下を招くことなく、基板における露光領域の変形に関する情報を容易に計測する。
【解決手段】露光処理が施される複数の露光領域ＳＡと、複数の露光領域のそれぞれに設けられ各露光領域における変形に関する情報を計測する変形計測装置Ｇとを有する。変形計測装置は、露光領域に露光処理によりパターニング形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性が低下することなくリソグラフィー工程におけるフォーカスマージンが確保されており、パターンの形成精度の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１を半導体基板２上の第１の領域３に設けられる第１のデバイスパターン４、第１パターン４に電気的に接続されて第１領域３に隣接する第２の領域１２に設けられる第２のデバイスパターン１３、第２パターン１３と基板２との間に設けられて第１パターン４の高さに対する第２パターン１３の高さの差を補填して第１および第２の各パターン４，１３の上面の高さを揃えるダミーパターン１５、第１領域３と第２領域１２との境界部に設けられる区分けパターン２０、第１パターン４を基礎とする第１の半導体素子５、および第２パターン１３を基礎として第１半導体素子５との構造上の相違に基づく特性の差を補正された第２の半導体素子１４等から構成する。 （もっと読む）