【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１層間絶縁膜６及び低誘電率膜からなる第２層間絶縁膜４を有し、第２層間絶縁膜上に形成した第１レジストパターン１ａを用いてビアホール９を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第２層間絶縁膜上に第２レジストパターン１ｂを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第２レジストパターン下層の第２反射防止膜２ｂを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、ＵＶ処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第２レジストパターン１ｂの解像度の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】新規な塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まりを形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。あるいは、基板上に希釈液を滴下して、前記基板の全面を前記希釈剤で覆う工程と、前記希釈剤上に塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の有効利用及び塗布液膜の均一化を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を１：３〜３：１の範囲内に制御して塗布液ＴＡＲＣの吐出量を設定する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の塗布時に発生する気泡を抑制して塗布液膜の均一化及び歩留まりの向上を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷを低速の第１の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水ＤＩＷを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第１の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液ＴＡＲＣを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第１の回転数より高速の第２の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの立上げ期間の短縮を図れる、レジストスタックを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、レジストスタックを設計する工程（Ｓ１）と、レジストスタックのレジストを露光および現像して得られるレジストパターンが所望通りに仕上がるように、前記レジストの露光条件を設計する工程（Ｓ１）と、くびれＣＤ値を取得する工程（Ｓ２）と、前記くびれＣＤ値に基づいて、前記設計した露光条件を採用するか否かを判断する工程（Ｓ３）と、前記設計した露光条件を採用するか否かを判断する工程（Ｓ３）において、前記設計した露光条件を採用しないと判断した場合（Ｓ６）には、前記設計したレジストスタックを変えずに、前記レジストの露光条件を再設計する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】部分液浸露光法を用いた液浸リソグラフィ処理において、基板エッジ部での液浸液のウェハステージの移動に対する追従性を確保することができる液浸露光方法を提供する。
【解決手段】素子が形成される領域である中央部と、中央部の周囲に形成され、端部に向かって厚さが減少する領域であるエッジ部と、を有し、上面に被加工膜が形成された基板の中央部を含む領域上に下層膜を形成する工程と、下層膜を形成した基板上の中央部と、エッジ部の中央部との境界から端部までの範囲であるベベル部に、基板と下層膜よりも疎水性の高い被処理膜を形成する工程と、部分液浸露光方法によって露光を行い、被処理膜に潜像を形成する工程と、被処理膜を現像する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエル近接効果の発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法においては、半導体基板ＳＵＢの主表面上に反射防止膜ＢＫが形成される。その反射防止膜ＢＫ上に、パターン端部において半導体基板ＳＵＢ側に向かって広がるような傾斜を有するレジストパターンＰＲ１が形成される。そのレジストパターンＰＲ１をマスクとして半導体基板ＳＵＢの主表面にイオンが注入される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターンに対して、被加工膜に形成される形状が変動するのを抑制する。
【解決手段】被加工膜２上に、第１、第２のアモルファスカーボン膜３，５を形成する工程と、第１のフォトマスクを用いて第２のアモルファスカーボン膜５のエッチングを行う工程と、エッチングされた部分に充填して第２のアモルファスカーボン膜５を覆うように樹脂膜を形成する工程と、第１のフォトマスクのパターンの遮光部と交差するように遮光部が配置されたパターンを有する第２のフォトマスクを用いて樹脂膜をエッチングする工程と、第２のアモルファスカーボン膜５及び樹脂膜及をマスクとして用いて第１のアモルファスカーボン膜３をエッチングする工程と、第１のアモルファスカーボン膜をマスクとして用いて被加工膜２をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】紫外線スペクトル領域において均一で強い吸収を有する吸収性スピンオングラス反射防止コーティング及びリソグラフィー材料、並びにそのスピンオングラス反射防止コーティングの製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素系化合物及び３７５ｎｍ未満の波長の光を吸収する導入可能な有機吸収性化合物を含む吸収性スピンオングラス組成物であって、ケイ素系化合物又は導入可能な有機吸収性化合物の少なくとも１つがアルキル基、アルコキシ基、ケトン基、又はアゾ基を含む組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハに対して安価にコーティングを行なうコーティング装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０６を支持しかつ回転させる回転可能にされたプラットフォーム２１２と、半導体ウェハの中央部上に予備加湿溶剤、フォトレジストまたはＡＲＣを供給し、かつ半導体ウェハの周辺部上に予備加湿溶剤を追加して供給する第１、第２、第３のノズル２０４、２０８、２１０と、プラットフォーム２１２の回転を制御すると共に、半導体ウェハの中央部上に予備加湿溶剤を供給し、半導体ウェハが回転している期間に予備加湿溶剤が供給されている半導体ウェハの中央部上にフォトレジストまたはＡＲＣを供給し、半導体ウェハが回転し続けている期間に半導体ウェハの周辺部上に予備加湿溶剤を追加して供給するように第１、第２、第３のノズルを制御するコントローラ２２０を具備する。 （もっと読む）

【課題】加工装置による基板の良好な認識と露光工程における露光光の反射の防止とを両立させる。
【解決手段】ウエハプロセス適用基板１０は、第１主面２０ａ及び第２主面を２０ｂを有している石英基板２０と、第１シリコン窒化膜３２、第１シリコン酸化膜３４及び第２シリコン窒化膜３６を含む第１膜構造体３０と、リンドープポリシリコン膜４２、第２シリコン酸化膜４４、第１ポリシリコン膜４６、第３シリコン酸化膜４８及び第２ポリシリコン膜４９を含む第２膜構造体４０とを具えている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を利用した良好なパターニングを行えるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜の上に第１の膜よりもＥＵＶ（Extreme UltraViolet）光に対する光吸収係数が小さく、シリコン膜である第２の膜を形成する工程と、第２の膜の上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜にＥＵＶ光を選択的に照射する工程と、レジスト膜を現像する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の段差部におけるレジストパターン寸法の均一性が高く、段差部の埋込性が良好である、イオン注入工程用の樹脂組成物及び該イオン注入工程用の樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板とフォトレジスト膜（１）の間に設けられる組成物膜（２）を形成する樹脂組成物であって、該組成物膜（２）の露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、該樹脂組成物がアルカリ水性現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とするイオン注入工程用の樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンの疎密に依存することなく解像限界以下のホールパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成した加工対象層１０２に微細なホールパターン５５を形成するホールパターンの形成方法であって、前記加工対象層１０２上に、カーボン膜層１０３、中間マスク層１０４、フォトレジスト層１０５を順次積層して３層構造体を形成する３層構造体形成工程と、前記中間マスク層１０４にホールパターン５０をパターニングする中間マスク層パターニング工程と、サイドウォール用酸化膜形成工程と、前記サイドウォール用酸化膜１０６からなるサイドウォール部１１６を形成するサイドウォール部形成工程と、前記加工対象層１０２に前記微細なホールパターン５５をパターニングする加工対象層パターニング工程とを有することを特徴とするホールパターンの形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

本発明は、ポリマー、強酸を発生できる化合物、任意に及び架橋剤を含む、架橋可能な下層膜用組成物であって、前記ポリマーが少なくとも一つの吸収性発色団と、エポキシ基、脂肪族ヒドロキシ基及びこれらの混合物から選択される少なくとも一つの要素とを含む、前記組成物に関する。
本発明は更に、前記下層膜用組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】液浸液および装置コンポーネントの汚染のリスクを低減するための方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の層が載った基板を検査する方法が開示されている。この方法は、層のエッジ部に向けて鋭角で電磁放射のビームを誘導すること、散乱されたおよび／または反射された電磁放射を検出すること、および第２の層のエッジ部が第１の層のエッジ部に重なっているか否かを検出の結果から確定することを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部におけるレジストカバー膜の剥がれを防止することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜の焼成処理（ステップＳ１２）が終了した後、レジスト膜の塗布処理（ステップＳ１４）を行う前に、基板の周縁部洗浄処理（ステップＳ１３）を実行する。反射防止膜の形成処理時には、昇華物などの微小なゴミが発生して基板周縁部に付着することがある。基板の周縁部を洗浄することによって、そのような微小なゴミを取り除き、周縁部が清浄な基板にレジストカバー膜を形成することができるため、基板周縁部の表面とレジストカバー膜との間に微小なゴミが挟み込まれることはなく、基板の周縁部におけるレジストカバー膜の剥がれを防止することができる。 （もっと読む）