【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

【課題】 上塗りフォトレジストの溶剤に対してレジスト下層膜中の光酸発生剤が溶出することがないこと、レジスト下層膜の感度調節が可能なこと、及びフォトレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 下記式（１）：
【化１】


（ただし、Ｑは２〜６価の有機基であり、Ｒ^１は単結合又は２価の連結基を示し、ｎ１は１〜６の整数であり、ｎ２は２〜６の整数である。）で示される架橋剤を含む感光性レジスト下層膜形成組成物。Ｑがベンゼン環、シクロヘキサン環、又はトリアジントリオン環である。アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、式（１）に記載の架橋剤（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含む。アルカリ可溶性樹脂（Ａ）が、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、カルボン酸エステル基、又はそれらの組み合わせを有する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香環を含む樹脂と、（Ｂ）一般式（ｉ）で表される化合物と、を含む組成物によってレジスト下層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単層レジストプロセス、多層レジストプロセス、サイドウォールスペーサー法用等のレジスト膜の下層のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、現像後のレジストパターンの裾引きが抑制され、また、アンダーカット形状や逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れがないレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、光及び／又は熱によってスルホン酸を発生する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化１】
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【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物及び、このような組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基、ヒドロキシル及び／またはカルボキシル基、及び酸不安定基を含むポリマー、及び末端ビニルエーテル基を有する架橋剤を含み、更に光酸発生剤を含むかまたは含まない、上記組成物及び、このような組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板の段差埋め込み性に優れ、耐溶媒性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないだけでなく、エッチング後のパターンラフネスが良好なレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜形成方法、パターン形成方法。
【解決手段】少なくとも、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物の酸触媒縮合樹脂（Ａ）、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物（Ｂ）、フラーレン化合物（Ｃ）及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】マルチパターニングを用いたパターン形成において、高精度のパターンを形成する。
【解決手段】第１のマスクパターンが形成されたマスクを用いて、基板上のレジストを露光し、前記露光後のレジストを現像することにより、前記レジストに第１のサブパターンを形成し、形成された第１のサブパターンの開口底部に接触させずに前記レジストの表面を覆うように酸性膜または酸を発生させる膜を形成する成膜し、該成膜工程後、第２のマスクパターンが形成されたマスクを用いて、前記レジストを露光し、前記露光後のレジストを現像することにより、前記レジストに第２のサブパターンを形成するパターン形成方法であり、前記第２のサブパターンを形成する際の現像処理を終えるまでに、前記酸性膜または酸を発生させる膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】遠紫外線などの短波長領域で強い吸収度を有する高分子を提供する。
【解決手段】下記化学式１で表わされる繰り返し単位および下記化学式１におけるピレン環に特定の有機基で結合する特定のアリーレン基が複数結合している繰り返し単位の少なくとも一方を有するレジスト下層膜用高分子、これを含むレジスト下層膜用組成物、ならびに素子のパターン形成方法である。
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【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上の被エッチング膜の上に形成されたシリコン膜よりなる第１のライン部が配列したシリコン膜パターンの表面を等方的に被覆するように、カーボン膜を成膜する成膜工程Ｓ１８と、カーボン膜を第１のライン部の上部から除去すると共に、第１のライン部の側壁部として残存するように、カーボン膜をエッチバックするエッチバック工程Ｓ１９と、第１のライン部を除去し、側壁部が配列したマスクパターンを形成するシリコン膜除去工程Ｓ２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン列の表面を等方的に酸化シリコン膜で被覆するステップＳ１４と、レジストパターン列の間をカーボン膜で埋め込むと共に、上部をカーボン膜で被覆するステップＳ１５と、カーボン膜を、レジストパターン列の上部から除去すると共に、レジストパターン列の間に残存するようにエッチバック処理するステップＳ１６と、残存するカーボン膜を除去すると共に、レジストパターン列の上部を被覆する酸化シリコン膜をエッチバック処理するステップＳ１７と、レジストパターン列をアッシング処理し、中央部と、中央部を両側から挟む膜側壁部とを有する、酸化シリコン膜よりなる第１のマスクパターン列を形成するステップＳ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスウェハの製造において下地反射防止コーティング層として使用されうる新規な組成物を提供する。下地反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物が特に望まれる。
【解決手段】一形態においては、ジエン／ジエノフィル反応生成物を含む有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。別の形態においては、ヒドロキシルナフトエ基、例えば、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ基を含む成分を含む、有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。本発明の好ましい組成物は、基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させ、および／または平坦化、共形もしくはビアフィル層として機能させるのに有用である。 （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、この重合体を含むレジスト下層膜組成物、および素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】前記重合体は、下記化学式（１）で表示される繰り返し単位を含む芳香族環含有重合体である。
【化１】


化学式（１）において、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素原子、置換の炭素数１〜１０のアルキル基、また炭素数６〜２０のアリール基であり、Ａはヘテロ原子を含む芳香族化合物またはヘテロ原子を含まない芳香族化合物から誘導された作用基であり、ｎは１〜１００の整数である。 （もっと読む）

【課題】露光光の反射を抑制し良好なパターン形成が可能であり、ケイ素含有反射防止膜の上層であるフォトレジスト膜、下層であるナフタレン骨格を有する有機膜との間で良好なドライエッチング特性を有し、保存安定性の良好なケイ素含有反射防止膜を形成するための、熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、この熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物から形成されるケイ素含有反射防止膜が形成された基板、更にこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ナフタレン骨格を有する下層膜としての有機膜の上に、１９３ｎｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋが以下の式の関係を満たすケイ素含有反射防止膜を形成可能な熱硬化性ケイ素含有反射防止膜形成用組成物。２ｎ−３．０８≦ｋ≦２０ｎ−２９．４であり、０．０１≦ｋ≦０．５ （もっと読む）

【課題】 より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であり、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、（１）基板上に有機下層膜を成膜し、有機下層膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、（２）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質を含むアルカリ性溶液を保持させ、その後過剰なアルカリ性溶液を除去する工程と、（３）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質の作用により架橋可能なシロキサンポリマー溶液を塗布して、フォトレジストパターン近傍で架橋させて架橋部を形成する工程と、（４）未架橋のシロキサンポリマー及びフォトレジストパターンを除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】新規多層フォトレジスト系の提供。
【解決手段】多層フォトレジスト系が提供されている。特別の局面においては、本発明は、オーバーコートされたフォトレジスト用の下層組成物、特に短い露光波長で像形成されるオーバーコートされたケイ素含有フォトレジストに関する。好ましい下層組成物は、耐エッチング性と反射防止性を付与する１つ以上の樹脂と他の構成成分、例えばフェニルあるいは他の耐エッチング性の基を含有する１つ以上の樹脂とアントラセンまたはフォトレジストの露光放射線に有効な反射防止性発色団部分である他の部位を含む。 （もっと読む）

【課題】下塗り反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物の提供。
【解決手段】ジエン／ジエノフィル反応生成物を含む有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物が提供される。好ましい本発明の組成物は、基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させるのに有用であり、および／または平坦化、一体化もしくはビアフィル層として機能する。 （もっと読む）