【課題】半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供すること。また、多段スタックの半導体パッケージを製造する際に、製造工程を容易にし、生産性を良好にできる接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性化合物（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）および多孔質シリカ（Ｄ）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
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【課題】サイズの小型化が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子１２および半導体素子１２に電気的に接続される電極１４を有する半導体装置１０において、電極１４上の所定位置には、金属膜２０が設けられ、金属膜２０上の所定位置には、半導体素子１２が嵌め込まれる凹部２２が設けられ、凹部２２の内底面には、半田層３２を介して、半導体素子１２が固定される半導体装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電性発熱体の電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体を接合することにより、熱応力の減少および基板の変形を防止することができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ基板の製造方法は、（Ａ）上部に半田層１２０が形成された接続部１１０を一面に備えたベース基板１００を準備する段階と、（Ｂ）半田層１２０の上部に、電流印加配線３１０の備えられた導電性発熱体３００を配置する段階と、（Ｃ）電流印加配線３１０に電流を印加して半田層１２０を加熱することにより、半導体チップ２００を接続部１１０と接合する段階と、（Ｄ）導電性発熱体３００の電流印加配線３１０を除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を用いた焼結接合剤において安定した分散性と接合性とを両立するとともにイオンマイグレーションを抑制することができる酸化銅ナノ粒子を主材とする焼結接合剤、その製造方法およびそれを用いた接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結接合剤は、酸化第二銅ナノ粒子を用いた焼結接合剤であって、粒径2 nm以上50 nm以下の前記酸化第二銅ナノ粒子を１次粒子として用い、前記１次粒子が凝集して粒径3 nm以上1000 nm以下の２次粒子を構成し、前記２次粒子が溶液中に分散していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材をスクリーン印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化、残留した溶剤に起因する組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とするダイボンディング用樹脂ペースト、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、（Ａ）２５℃における粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である光重合性化合物、（Ｂ）熱硬化性化合物、及び（Ｃ）熱可塑性エラストマーを含有し、溶剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下であるエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる２つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、実装基板１２と、半導体圧力センサ１１と実装基板１２との間に挟まれたレジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとを備え、半導体圧力センサ素子１１と実装基板１２がワイヤボンディングされる、圧力センサ装置であって、レジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、半導体圧力センサ素子１１の取り付け面１１ａ１とダイボンド樹脂１５によって接着される被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１を有し、被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１の総面積が、取り付け面１１ａ１の総面積よりも小さいことを特徴とする、センサ装置。 （もっと読む）

【課題】半田箔の加工や配置に係り設備費をコストアップさせることなく、半田箔を使用して電子部品を基板に好適に接合すること。
【解決手段】基板２に、その板厚方向に貫通する複数の通り孔２ｃと、上面に位置するバンプ７を予め形成しておく。基板２の上面側にて、バンプ７に対し電子部品３をバンプ８により接続し、基板２を治具１にて水平に支持する。水平に支持された基板２の下面に半田箔６を密着させて配置すると共に、半田箔６を伝熱板１２により基板２へ向けて押圧する。そして、押圧された半田箔６に伝熱板１２を介して熱を加えることにより、半田箔６を溶融させ、その溶融した半田を複数の通り孔２ｃを介して基板２の上面側へ押し上げて基板２と電子部品３との間に流動させて拡げる。その後、拡げられた半田を冷やすことにより、電子部品３と基板２を半田により接合する。 （もっと読む）

【課題】接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与えるダイボンド剤の提供、および該ダイボンド剤で光半導体素子をダイボンディングした光半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）少なくとも主鎖の両末端に（３，５−ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を備えるオルガノポリシロキサン１００質量部（Ｂ）硬化剤・・（Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し（Ｂ）成分中の反応性を有する基が０．４〜１．５当量となる量（Ｃ）レーザー回折法で測定される累積頻度９９％の粒径２０μｍ以下を持ち、かつ比表面積０．２〜１．５ｍ^２／ｇを持つ導電性粉末・・（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し３５０〜８００質量部（Ｄ）硬化触媒・・（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し０．０５〜３質量部を含有することを特徴とするダイボンド剤。 （もっと読む）

【課題】被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１をはんだ１２を介して基板１０に接合するダイボンディング方法において、半導体チップ１１が搭載されるチップ搭載領域１０ａの温度が、はんだ１２の融点以上であってチップ搭載領域１２ａの周辺領域１０ｂの温度よりも高くなるように基板１０を加熱して、はんだ１２をチップ搭載領域１０ａで溶融させて半導体チップ１１を基板１１に接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージの構造に係り、半導体チップの防振機能を確保しつつ半導体パッケージとしての部品点数の削減及び組み付け性の向上を図ることにある。
【解決手段】半導体チップ１２を収容する半導体パッケージ１０を、内部に半導体チップ１２を収容するパッケージ本体部１４と、パッケージ本体部１４に一体に形成された、半導体チップ１２をパッケージ本体部１４に対して弾性支持する防振部１６と、から構成する。そして、半導体チップ１２を、防振部１６の一部に接着固定し、或いは、少なくとも２つの防振部１６の弾性力により挟持固定する。 （もっと読む）

【課題】常温・常圧では、糊はみ出しなどがなく、乾燥および架橋により十分な初期粘着力を有し、光照射または熱により容易に硬化し、かつ高い剥離抵抗を有する粘接着剤層を形成することができる電子部品固定用粘接着シートを提供すること。
【解決手段】（メタ）アクリル系ポリマーに、環状エーテル基含有モノマーを含む鎖がグラフト重合されてなるグラフトポリマーに、光カチオン系重合開始剤もしくは熱硬化触媒を含有してなる粘接着剤組成物から形成される粘接着剤層からなる、あるいはそのような粘接着剤層を支持体両面に有する電子部品固定用粘接着シートを調製する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合面の全体に、溶融したはんだを確実に接触させ、半導体素子の端部にてはんだ引けの発生を防止する。
【解決手段】はんだ３０を、ヒートシンク２０側から、Ｐｂフリーはんだよりなる低温はんだ層３１、低温はんだ層３１よりも融点の高いＰｂフリーはんだよりなり且つ半導体素子１０との接合面が平坦面である高温はんだ層３２が積層されてなるものとし、はんだ付けのときには、高温はんだ層３２の接合面の平坦性を維持するように高温はんだ層３２は固体状態としつつ、低温はんだ層３１を、その全体が溶融した状態とする第１の溶融工程を行い、その後、高温はんだ層３２の接合面上に半導体素子２０を搭載し、続いて、低温はんだ層３１とともに高温はんだ層３２も溶融させてはんだ付けを行う第２の溶融工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 封止空間内の真空度の低下しにくい電子部品を提供する。
【解決手段】 上面に凹部１ａを有する絶縁基体１の凹部１ａの底面に金属層３ａが形成されるとともに凹部１ａ内から外面にかけて配線導体５が形成された配線基板と、配線導体５に電気的に接続されているとともに、金属層３ａに低融点ろう合金３ｃで接合されて、凹部１ａ内に搭載された電子部品素子と、外周が配線基板の上面に接合されて電子部品素子を気密封止している平板状の蓋体８とを備えた電子部品であって、金属層３ａは、平面視で電子部品素子の外形より大きく、中央側から外周側に向かって非形成部３ｂを有し、非形成部３ｂの一部が封止空間に露出した電子部品である。低融点ろう合金のボイドが少なく、ボイドから放出される気体の量が少ないので、真空度の低下を低減できる。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合時に空洞の形成あるいはそのサイズを低減した２個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体を提供する。
【解決手段】構成体製造方法は、第１接触面１６を有する第１接合素子１０を用意するステップ、焼結金属の粒子および溶剤から構成される焼結ペーストからなる層を第１接触面１６に施与するステップ、焼結ペーストに温度を加えて、焼結層を形成するように溶剤を追い出すステップ、その焼結層に液体を施与するステップ、第２接合素子５０を配置するステップ、接着剤６２を、焼結層と第２接合素子５０との縁部領域に、第１接合素子１０にも接触する状態で塗着するステップ、接合素子１０、５０間の材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体にさらに温度および圧力を加えるステップであって、焼結層が均質な焼結金属層３４に転化されるステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】はんだの塗布後にはんだを押しつぶす別工程を行うことなく、半導体チップの接合面に一様に濡れる所望形状のはんだを、はんだの塗布と同時に形成できるようにする。
【解決手段】基板２の一面上に、はんだ４を配置し、はんだ４の上に半導体チップ１を搭載し、はんだ４を介して半導体チップ１を基板２に接合するときに、はんだ４を基板２の一面に配置するはんだ供給装置であって、はんだ４を溶融させる溶融部２０と、はんだ４を基板２の一面に配置したときの当該はんだ４の形状に対応する空間形状をなすキャビティ３１を有する型３０と、溶融部２０にて溶融したはんだ４を型３０のキャビティ３１へ充填するノズル４０とを備えており、型３０を基板２の一面に接触させた状態でキャビティ３１に溶融したはんだ４の充填を行うことにより、基板２の一面上にて、はんだ４を、キャビティ３１の空間形状に対応した形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板に接合するために均一に分散されたハンダの層を形成するための軟質ハンダディスペンス装置を提供し、特に大型の反動チップのための接合プロセスの生産性を改善する。
【解決手段】半導体チップを前記基板上に接合するために基板上にハンダをディスペンスする装置は、ディスペンス本体と、このディスペンス本体を通じて延在する第１及び第２のディスペンスチャネルとを備え、ディスペンスチャネルのそれぞれは、別々のハンダワイヤを受け取るように操作されて、基板に面する前記ディスペンス本体の端部に前記ハンダワイヤを供給する。ディスペンスチャネルは、加熱された基板に接触した際に溶融する固体状態のワイヤを前記ディスペンス本体の端部から導入するようにさらに操作される。 （もっと読む）

【課題】塗布対象物に接着剤の塗布膜を所望する膜厚で形成する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物に接着剤を塗布する塗布部と、塗布対象物に塗布された接着剤を熱により乾燥させる乾燥部７とを備え、乾燥部７は、接着剤が塗布された塗布対象物が載置され、載置状態の塗布対象物を加熱する複数のヒータプレート１０１と、複数のヒータプレート１０１を離間させて積層状態に支持する支持部１０２とを具備している。 （もっと読む）

【課題】耐久信頼性及び熱特性を一定以上に確保することが可能な回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】導電層を有する絶縁基板と回路素子とを備え、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子とがはんだにより接合される回路基板の製造方法であって、前記はんだで構成されるはんだシートに、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子との間隔を規制する規制部材を配設する配設工程（ステップＳＴ１）と、前記絶縁基板、前記規制部材が配設された前記はんだシート、及び前記回路素子を、その順番で積層する積層工程（ステップＳＴ２）と、積層されている前記絶縁基板、前記はんだシート及び前記回路素子を、還元雰囲気下において加熱して前記はんだシートを溶融することによって、前記絶縁基板と前記回路素子とを接合する接合工程（ステップＳＴ３）と、を含む回路基板の製造方法である。 （もっと読む）