説明

Fターム[5F047BA33]の内容

ダイボンディング (10,903) | 接合材 (3,801) | 樹脂 (2,337) | 性状 (1,361) | 熱硬化性樹脂 (1,039)

Fターム[5F047BA33]の下位に属するFターム

Fターム[5F047BA33]に分類される特許

281 - 295 / 295


【課題】耐マイグレーション性、接着強度、導電性に優れ、ダイボンド用としてIC、LSI等の半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に接着するのに好適な、銀とカーボンナノチューブを含む導電性樹脂ペースト組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂(A)と導電性フィラー(B)を含む導電性樹脂ペースト組成物において、導電性フィラー(B)は、銀粉(B1)の表面に固定化されたカーボンナノチューブ(B2)を含有することを特徴とする導電性樹脂ペースト組成物;この導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と基板が接着され、ついで封止されてなる半導体装置により提供。 (もっと読む)


【解決課題】 熱伝導率と接着力の両立を目的とした積層体及びそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 金属箔の両面に接着剤層を形成した積層体であり、該積層体の熱伝導率が1W/mK以上であることを特徴とする積層体。 (もっと読む)


【課題】電子部品と支持部材の接着材料として、良好な熱時接着力と実装時の耐高温半田付け性を有し、低応力性、低温接着性にも優れるダイボンディング材を得る。
【解決手段】接着前の250℃以上で弾性率が0.1MPa未満、加熱硬化後の250℃で弾性率が1MPaを超え8MPa以下であるフィルム状のダイボンディング材であって、
1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサンを全ジアミンの3モル%以上含むジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応で得られるTgが200℃以下のポリイミド樹脂と、
該ポリイミド樹脂100重量部に対して1〜100重量部のフェノールのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂と、
シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック及び銅粉から選ばれる前記ポリイミド樹脂100重量部に対して4000重量部以下のフィラーと、硬化剤とを含む。 (もっと読む)


【課題】 高温加熱した場合及び加熱していない場合に接着層が半導体素子搭載用の支持部材から十分剥離し難く、支持部材の表面に形成された凹凸の凹部に対して接着層を十分良好に充填可能な接着シートを提供する。
【解決手段】 接着シート6は、基材2と半導体素子を支持部材上に搭載するための熱硬化型の接着層4とを備える。接着層4は、硬化後の260℃における引張弾性率が0.5〜500MPaとなる接着剤組成物を含有する。接着剤組成物は下記式(1)及び(2)で表される条件を満たす。
1.0×10≦η1≦1.0×10 (1)
1.0×10≦η2≦1.0×10 (2)
[式中、η1は硬化前の接着剤組成物の180℃における溶融粘度(単位:Pa・s)を示し、η2は硬化前の接着剤組成物を170℃で1時間加熱した後の180℃における溶融粘度(単位:Pa・s)を示す。] (もっと読む)


【課題】 従来の製造工程を変更することなく、高信頼性の半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子13を被着体11上に接着シート12を介して仮固着する仮固着工程と、前記半導体素子13にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子13を封止樹脂15により封止する工程とを含み、前記接着シート12の175℃での損失弾性率が2000Pa以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スタックド構造のMCP製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂(A)と、光酸発生剤(B)と、130℃以上の温度で(A)の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物(C)、を含む感光性樹脂組成物の硬化物よりなる樹脂層3を半導体チップ2の回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップ7の裏面が該樹脂層3に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のMCP(マルチチップパッケージ)の樹脂封止型半導体装置。 (もっと読む)


【課題】金属材質のリードフレームとの接着特性およびプラスチック材質の半導体チップ絶縁膜との接着特性を同時に満足させるとともに、低温接着工程を行うことが可能なLOC用両面テープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス転移温度300℃以上、厚さ5〜150μmのポリイミド基材フィルムと、前記ポリイミド基材フィルムの一面に酸末端基含有のポリイミド系接着剤用組成物を塗布して形成された接着剤層と、前記ポリイミド基材フィルムの他面にアミン末端基含有のポリイミド系接着剤用組成物を塗布して形成された接着剤層とから構成され、前記ポリイミド基材フィルムと前記それぞれの接着剤層との接着力が0.8kgf/cm2以上である。 (もっと読む)


【課題】 1液型の接着剤でありながら、室温での安定性を向上させ、かつ100℃以下の低温で硬化が可能で、接着信頼性に優れる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (A)銀粉、(B)1分子内にグリシジル基を2個以上有し室温で液状の化合物および(C)一般式(1)で示される化合物とアクリロイル基を有する化合物の反応物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【化3】


1:−Hまたは炭素数20以下のアルキル基
2:−H、メチル基
3:−H、メチル基 (もっと読む)


【課題】 良好な塗布作業性を与える溶媒希釈が可能で、部品の装着後、バインダー樹脂の加熱硬化を行う際、発生するガスが抑制され、熱伝導性、電気伝導性ともに優れた導電性接合の形成を可能とする導電性接着剤の提供。
【解決手段】 導電性媒体に用いる、例えば、主成分とする、平均粒子径がマイクロメートルサイズの銀粉100質量部あたり、平均粒子径がナノメートルサイズの銀微粒子1〜10質量部を併用し、バインダー樹脂成分として、熱硬化性樹脂5〜15質量部、液粘度調整用の溶剤を10質量部以下、必須成分として配合する導電性接着剤であり、かかる配合比率の選択によって、熱硬化性樹脂の加熱・硬化時における、ガス成分の発生を回避して、ボイド発生を抑制し、同時に、熱伝導性、電気伝導性に優れた導電性接合の作製が達成される。 (もっと読む)


【課題】大面積の接着用途に使用しても十分な低応力性を有し、かつ良好な接着性を示す樹脂組成物及び本発明を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ジイソシアネートと、ジカルボン酸と、水酸基及びラジカル重合性官能基をそれぞれ1つずつ有する化合物と、を反応して得られる化合物(A)、充填材(B)を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と絶縁基板を接着剤を用いて固定する半導体装置において、接着剤の濡れ広がりを制御して、半導体素子と絶縁基板との密着性を向上させる。
【解決手段】 半導体装置は、半導体素子11と、熱硬化性接着剤16を用いて半導体素子が固定される絶縁基板18と、半導体素子11の回路形成面に配設した複数の電極パッドと、電極パッドと絶縁基板上の外部端子とを電気的に接続するワイヤと、絶縁基板上に固定された半導体素子及びワイヤを封止する封止樹脂とを備え、半導体素子の外周端面全周に設けた半硬化状態の接着剤14が熱硬化性接着剤16とともに熱硬化され、絶縁基板18上に固定された半導体素子の外周において熱硬化性接着剤と一体的に形成される。 (もっと読む)


【課題】 リードピンに貼着された場合のワイヤボンディング性に優れ、得られる半導体装置の信頼性を高くできる電子部品用接着テープを提供する。さらには、その電子部品用接着テープを有する電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品用接着テープは、支持フィルムと接着剤層とを有し、支持フィルムのこわさ値が0.06mN以上である。本発明の電子部品は、上述した電子部品用接着テープが貼着されている。 (もっと読む)


【要約書】
【課題】 基板上に適用したときに、樹脂組成物の適用のための位置合わせ精度に優れる上に、フォトリソグラフィ技術におけるパターニング処理の解像度を向上させる。
【解決手段】 半導体部品と、基板とを接合するために用いる接着層を形成する樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂と、を含んでいる。 (もっと読む)


本発明は、フリーラジカル解裂部位を有するある種のポリエステル化合物が、マイクロエレクトロニックパッケージング産業用のb−ステージ化可能な接着剤として有用であるという発見に基づいている。 (もっと読む)


本発明は、ウエハより接着剤付きICチップを作成し、キャリアに固着する電子部材の製造方法及び接着材付きICチップに関し、ボイドの発生を防ぎICチップと接着材間の接着力を確保しつつ、ダイシングフィルムにウエハを接着する熱硬化型の接着材をキャリアへ電子部材を固着する際の接着材としても利用することで、安価でかつ工程の簡略化を図るものである。
ベースフィルム上に設けられた熱硬化型の接着材に対して、ウエハを貼り付ける接着材貼り付け工程と、ベースフィルムをダイシングフィルムに貼り付けるダイシングフィルム貼り付け工程と、ウエハと熱硬化型の接着材を切断しICチップに分離するICチップ分離工程と、熱硬化型の接着材が貼り付いたICチップをキャリアに貼り付けるマウント工程と、を含み、接着材貼り付け工程の貼り付け温度において、熱硬化型の接着材の粘度が20,000Pa・s以下とする。 (もっと読む)


281 - 295 / 295