【課題】好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、化合物（Ｂ）中、一般式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが所定の関係式１を満たすことを特徴とする積層構造体の製造方法。（１）Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｓｉ−（ＣＨ_２）_ｍ−（Ｓ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３、（２）Ｘ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３［関係式１：Ｙ＜−２．７ｘ１０−３Ｘ＋０．８］ （もっと読む）

【課題】
作業性、低応力性および耐湿性に優れ、かつリフロー剥離耐性に優れる半導体用樹脂組成物を提供し、該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
熱硬化性樹脂（Ａ）、および所定の構造式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、 前記化合物（Ｂ）中の所定の構造式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
[関係式１]Ｙ＜−２．７×１０^−３Ｘ＋０．８ （もっと読む）

【課題】好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および所定の化学式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、化合物（Ｂ）中の所定の化学式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下であることを特徴とする積層構造体の製造方法。Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（１）Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（２） （もっと読む）

【課題】 基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓである。 （もっと読む）

【課題】ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、粘着フィルム１２を直角形引裂試験片とした、ＪＩＳ Ｋ７１２８−３「プラスチックーフィルム及びシートの引裂強さ試験方法―第３部：直角形引裂法」に示される直角形引裂試験片の試験方法において、直角形引裂試験片１００の引裂強度をＣとし、直角形引裂試験片１００の直角部の先端を通る中央線上で、該直角部の先端から長さ略１ｍｍの切断部分１１５を入れた場合の直角形引裂試験片１１０の引裂強度をＤとしたとき、強度比（Ｄ／Ｃ）が、０．８以下である。更に、ＪＩＳ Ｋ７１１３の２号形試験片による伸び率の測定において、２号形試験片１２０である接着剤層１３の伸び率が、１５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性の接着シートを介して半導体チップを配線パターンを有する基板に完全に接着する場合に、接着シートと基板との間に気泡が混入しないように接着する。
【解決手段】 基板ＣＢ上に熱硬化性の接着シートＳを介して半導体チップＣが仮着された接着対象物Ｄを加熱して接着する半導体チップ接着装置１において、加熱手段１８を含む加熱炉１４と、前記加熱炉１４内に所定のガスの供給を行って当該加熱炉１４内を加圧する加圧手段２７と、前記加熱炉１４内で少なくとも前記接着対象物Ｄを囲うように配置された導風手段１５と、前記加熱手段１８により加熱された前記加熱炉１４内のガスを前記接着対象物Ｄ方向に導く送風手段２１とを有し、前記導風手段１５の内側が前記加熱されたガスの順風路１６を形成するとともに、前記導風手段１５の外側と加熱炉１４の内壁とで接着対象物Ｄを通過したガスを前記送風手段２１方向に導く逆風路１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】特に耐熱性が高く、成型性に優れるポリシロキサン系組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも以下のＡ成分を１つ以上含みかつＢ成分を１つ以上含む流動性液体または固体のポリシロキサン系組成物であって、
Ｒ^１ＳｉＯ３/２ ［Ａ］
Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ２/２ ［Ｂ］
（ここでＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は炭化水素基または芳香族環を含む炭化水素基でありそれぞれ異なっていても良いし同一でも良い）
該ポリシロキサン系組成物は、加熱により、成型、塗布または前記Ａ、Ｂ以外の固形成分を混合するなどの作業が可能な粘度まで粘性が調整でき、その後高温で熱処理することにより硬化物を得ること。 （もっと読む）

【課題】チップ圧着時の空隙発生を抑制可能な、凹凸差の小さい膜形状を形成できる印刷用接着剤組成物を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂、硬化促進剤、高分子量成分および溶剤を含む接着剤組成物において、２５℃における蒸気圧が４．０×１０^２Ｐａ未満の溶剤と、４．０×１０^２Ｐａ以上、１．３４×１０^３Ｐａ未満の溶剤とを、２種類以上併用する接着剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時にウエハをリングフレームに固定する粘着シートの機能と、チップをリードフレームなどに固定する接着機能を兼ね備えたダイアタッチ一体型の粘着シートにおいて、ダイシング工程における切削屑の発生を防止又は低減可能な多層粘着シートを提供する。
【解決手段】基材フィルム１０６と、該基材フィルムの一方の面に積層してなる粘着剤層１０３と、さらに該粘着剤層に積層されたダイアタッチフィルム１０５とを備え、該基材フィルムをプロピレン系共重合体で形成する。 （もっと読む）

【課題】低温貼付性、熱時流動性、及び加熱硬化後の信頼性のいずれの点でも十分に良好な接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アリル変性ポリイミド樹脂と、（Ｂ）熱硬化性成分と、を含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性およびピックアップ性の向上を図り、半導体素子における不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。そして、この半導体用フィルム１０は、接着層３の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層３の表面に投影した投影像について、粒径５μｍ以上のものが占める面積が、投影像全体の１５％以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】高い割合で充填剤を含有しても弾性率が低く十分な低応力性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂（Ａ）、充填材（Ｂ）を含む樹脂組成物であって、前記熱硬化性樹脂（Ａ）が一般式（１）で示される化合物（Ａ１）と官能基を２個以上有する化合物（Ａ２）を含むことを特徴とする樹脂組成物。


Ｒ^１：水素、炭素数１〜６の炭化水素基、Ｒ^２：環状脂肪族骨格を有する有機基。 （もっと読む）

【課題】ウェハへの密着力に優れ、ダイシング工程で発生する切削屑がウェハ裏面に侵入するのを防ぎ、密着力低下に起因する不具合を防止し半導体装置の信頼性を損なわない接着部材を提供できる接着剤組成物、及びそれを用いたダイボンドフィルム、ダイボンドダイシング一体型フィルム、半導体搭載用支持部材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の混合物（Ａ）１００質量部に対し、２質量％以下の反応性基含有モノマーを含む、重量平均分子量が１０万以上のアクリル共重合体（Ｂ）１００〜１５００質量部、及び、無機フィラー（Ｃ）１００〜６００質量部を含む、接着剤組成物、及びそれを用いたダイボンドフィルム、ダイボンドダイシング一体型フィルム、半導体搭載用支持部材及び半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明はマイクロ電子デバイスのための接着剤組成物に関し、金属基板上に１０．１６mm（４００mil ）×１０．１６mm（４００mil ）以上のダイを有意な離層なしに接着できる接着組成物を得ることを目的とする。
【解決手段】少なくとも１種の有機重合体樹脂、無機充填剤及び消散性液体から調製された接着剤組成物であって、前記液体と有機重合体樹脂は、互いに他に対して不溶である接着剤組成物であって、前記少なくとも１種の有機重合体樹脂が２５μ以下の粒度の粒状形態で存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と放熱性に優れたダイボンドフィルム及び当該ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る放熱性ダイボンドフィルムは、半導体素子を被着体上に接着して固定させる放熱性ダイボンドフィルムであって、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性フィラーを少なくとも含み、前記熱伝導性フィラーの含有量は有機樹脂成分と熱伝導性フィラーの合計に対し５０重量％〜１２０重量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体の製造方法及び半導体装置の提供。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布する工程（１）と、前記塗布した接着剤を介して、半導体チップ２を積層する工程（２）と、前記半導体チップを接合させる領域全体に、前記接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、塗布工程（１）において、前記接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップを接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ積層工程（２）の直後、前記接着剤の濡れ広がった領域は、前記半導体チップを接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において、前記接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓとした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布し、半導体チップ２を積層する半導体チップ積層工程と、基板又は他の半導体チップ１上の半導体チップ２を接合させる領域全体に、半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせ、硬化させる。半導体部品用接着剤３を塗布する領域は、半導体チップ２を接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ２積層の直後、濡れ広がった領域は、半導体チップ２を接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、そのときのＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓである。半導体部品用接着剤１を加温処理と保温処理をすることを特徴とする半導体チップ積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１にスペーサー粒子を含む半導体部品用接着剤３を塗布する工程（１）と、半導体チップ２を積層する工程（２）と、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、半接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、塗布工程（１）において、接着剤を塗布する領域は、半導体チップを接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ積層工程（２）の直後、接着剤の濡れ広がった領域は、半導体チップを接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）において、接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓであり、かつチップ間距離とスペーサー粒子の粒子径の差を１０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】 十分な粘着性を有すると共に、個片化したダイボンディングフィルム付き半導体チップのピックアップが容易にできるダイシングテープ、これを備えるダイボンディングフィルム一体型接着シート、並びにこれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、基材フィルム上に、第１の粘着剤層及び第２の粘着剤層がこの順に積層されたダイシングテープであって、第１の粘着剤層の面積が、第２の粘着剤層の面積より大きく、第１の粘着剤層のタック強度が、第２の粘着剤層のタック強度より大きいダイシングテープに関する。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）と前記工程（１）により接着された前記リードフレームと前記半導体素子とが封止用樹脂組成物で封止された樹脂部分の平均厚みが１．０ｍｍ以上１．８ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と前記工程（２）により封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方であって、前記熱硬化性接着剤組成物の２６０℃における弾性率が５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）