【課題】高硬度で、耐熱性、透明性及び低波長領域での光透過性が優れた硬化物を与えることができ、かつ高いダイシェア強度を示す、ＬＥＤ素子等のダイボンディングに有用なシリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表される直鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）式（２）で表され、２３℃で蝋状又は固体の三次元網状オルガノポリシロキサン樹脂、
（Ｃ）式（３）で表され、ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｄ）白金族金属系触媒、
（Ｅ）煙霧質シリカ
を含有するダイボンディング用シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることが可能な半導体チップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布し、半導体チップ２を積層して、半導体部品用接着剤３を均一に濡れ広がらせ、硬化させる。半導体部品用接着剤３を塗布する領域は、半導体チップ２を接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体部品用接着剤３の濡れ広がった領域は、半導体チップ２を接合させる領域の６０％以上１００％未満、半導体部品用接着剤３を均一に濡れ広がらせたときのＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつＢステージにおける十分な熱流動性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性成分と、を含有し、前記（Ｂ）熱硬化性成分として（Ｂ１）分子内に（メタ）アクリル基及びエポキシ基を有する反応性化合物及び／または（Ｂ２）分子内に（メタ）アクリル基及びフェノール性水酸基を有する反応性化合物を含む、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性、ピックアップ特性、汚染防止性および保存安定性が優れている積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルム１は、粘着シート２の粘着剤層２ｂ上にダイ接着層３が積層された構成を有し、粘着シートの粘着剤層が、ベースポリマーと熱架橋剤とを含む粘着剤組成物により形成されており、且つ粘着剤層は、加熱前のゲル分率が９０重量％未満であるとともに、加熱後のゲル分率が９０重量％以上に変化する粘着剤層であることを特徴とする。熱架橋剤としては、架橋反応性の官能基が、加熱前は不活性化されており、且つ加熱によって、１分子中の架橋反応性官能基が少なくとも２個以上活性化することが可能な熱架橋剤を好適に用いることができる。熱架橋剤としては、ブロック化イソシアネートが好適である。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）と前記工程（１）により接着された前記リードフレームと前記半導体素子とが封止用樹脂組成物で封止された樹脂部分の平均厚みが１．０ ｍｍ以上１．８ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と前記工程（２）により封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、２６０℃における弾性率が５０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である熱硬化性接着剤樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０〜２７０℃という高温設定での半田リフロー処理を行ったとしても半導体装置クラック発生等の問題を大幅に低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）により接着された銅からなるリードフレームと半導体素子とを封止用樹脂を用いて、封止用樹脂で封止された部分の平均厚みが１．９ｍｍ以上４．０ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と、封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方法であって、熱硬化性接着剤組成物が所定の評価試験で測定した２６０℃における弾性率が２５０ＭＰａ以上６００ＭＰａ以下である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイ・ボンディングの際の半導体チップの裏面には、接着剤層が設けられているが、ダイ・ボンディング工程（仮圧着）の後に、接着剤層の接着状態を確実なものとするためのラミネーション処理（本圧着）を必要とする。この際、通常は、チップの背面を上方から押圧部材で押し下げながら、熱を加えることで、接着剤の硬化を進行させる。チップの薄膜化に伴い、このような機械的な加圧方式では、積層チップのラミネーション処理においては、種々の問題があることが明らかとなった。すなわち、オーバハング状態の部分でのチップ損傷、湾曲および不均等な加圧に起因するチップの位置ずれ等である。
【解決手段】本願の一つの発明は、基板品のダイ・ボンディング工程において、回路基板上に複数の半導体チップを積層して仮圧着した後に、静的なガス圧により、ラミネーション処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程及びダイボンディング工程に用いられるフィルム状接着剤であって、半導体ウエハのダイシング時におけるフィルム状接着剤からのチップの剥離を防止でき、チップのピックアップにフリップチップボンダーを用いた場合であってもチップを確実にピックアップできる、フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】第一のプラスチック層１０上に、粘着剤層１２、熱硬化性樹脂層３０及び第二のプラスチック層２０が、この順に積層されたフィルム状接着剤１００であって、粘着剤層１２の面積が熱硬化性樹脂層３０の面積より大きく、粘着剤層１２と熱硬化性樹脂層間３０の９０°ピール剥離力が、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ及び５００ｍｍ／ｍｉｎのいずれにおいても、１０〜５０Ｎ／ｍである、フィルム状接着剤１００。 （もっと読む）

【課題】薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成でき、さらには、特に、高温、高湿度の条件に放置し、吸湿させた後にＩＲリフローを行う場合においても高いパッケージ信頼性を達成することもできる接着剤組成物および該接着剤組成物からなる接着剤層を有する接着シートならびこの接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および分子量分布（Ｍｗ/Ｍｎ）が１．７以下であり、かつ重量平均分子量が７７０以上であるフェノール系熱硬化剤（Ｃ）を含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程でチップ飛びの発生を抑制できると共に、ピックアップ工程で隣接チップが一緒に持ち上がるエラーの発生を抑制できるウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂからなる粘着フィルム１２と、粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂが０．０５〜０．６ＭＰa、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａが０．１〜１ＭＰａである。ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が抑制され、接着剤層、粘着剤層等に切り残りが発生するのが抑制される。ダイシング時に、粘着剤層の粘着力の低下が抑制され、粘着剤層と接着剤層の界面での剥離が抑制されると共に、接着剤層の接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップと接着剤層との界面での剥離が抑制される。 （もっと読む）

【課題】塗布作業性に優れかつ十分な低応力性を有する樹脂組成物および該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで、高温リフロー処理、温度サイクル試験でも剥離の生じない高信頼性の半導体装置を提供することである。
【解決手段】充填材（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、および共役ジエン化合物の重合体または共重合体（Ｃ）を含み、前記（共）重合体（Ｃ）の酸価が、１０ｍｅｑＫＯＨ／ｇ以上、１５０ｍｅｑＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とする樹脂組成物並びに該樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０〜２７０℃という高温設定での半田リフロー処理を行ったとしても半導体装置クラック発生等の問題を大幅に低減することができる熱硬化性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）と前記工程（１）により接着された前記銅からなるリードフレームと前記半導体素子とを封止用樹脂を用いて、前記封止用樹脂で封止された部分の平均厚みが１．９ｍｍ以上４．０ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と前記工程（２）により封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、所定の評価試験で測定した２６０℃における弾性率が２５０ＭＰａ以上６００ＭＰａ以下である熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつＢステージにおける十分な熱流動性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】１００℃以下のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と、シアネートエステル基を有するシアネート化合物とマレイミド基を有するマレイミド化合物とを含む熱硬化性成分と、を含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面での剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る接着剤組成物は、エネルギー線硬化型粘着成分と、光重合開始剤と、熱硬化型接着成分とを含み、
該光重合開始剤の重量平均分子量が４００〜１０００００であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１と、支持体であるリードフレーム２とが接着剤３で接着されてなるものであって、接着剤３が、下記の関係を満足する。面積４９［ｍｍ^２］、厚さ３５０［μｍ］、２６０℃での弾性率１３１［ＧＰａ］、２６０℃での熱膨張係数３．０［ｐｐｍ／Ｋ］、ポアソン比０．２８のシリコンチップと、面積９０．２５［ｍｍ^２］、厚さ１５５［μｍ］、２６０℃での弾性率１２７［ＧＰａ］、２６０℃での熱膨張係数１７．０［ｐｐｍ／Ｋ］、ポアソン比０．３４３の銅製リードフレームとを、厚さ２０［μｍ］の前記接着剤で接着して得られた積層体の反り量から換算される前記接着剤の弾性率（Ａ）を用いて、計算される前記リードフレームと前記接着剤との界面での２６０℃の剥離靭性値が０．０２ＭＰａ・ｍ^１／２以上である。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー化を実現した半導体装置において、温度サイクル信頼性を大幅に向上できる実装構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉチップ５と金属リードフレーム１を、３次元の網状構造をもつＡｇを結合材としたポーラスな高導電性金属の接着層４Ａを介して金属結合により接合し、高分子樹脂１２と接する半導体組立体の表面にＺｎやＡｌの酸化物を含む皮膜１０を形成した半導体装置構造とする。これにより、Ａｇ主体のポーラス構造の接着層４Ａで接合することでＳｉチップ５の熱応力負荷を低減でき、かつ接着層４Ａ自体の疲労寿命を向上でき、さらに皮膜１０とのアンカー効果による高分子樹脂１２の高接着化でボンディング部にクラックが発生するのを防ぎ、鉛フリーで高信頼の半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの一面上に、接着剤を介してセラミック基板を接続してなる電子装置において、接着剤の材料に制約を設けたり、接着後の洗浄処理を行ったりすることなく、接着剤の加熱硬化時に接着剤から発生する飛散物がダイパッドやセラミック基板へ付着するのを防止する。
【解決手段】ダイパッド１０とセラミック基板２０との間において接着剤３０の周囲に、接着剤３０と接着剤３０の外側とを区画する障壁層４０を設け、この障壁層４０によって、加熱時における飛散物の接着剤３０の外側への漏れを防止する。 （もっと読む）

【課題】チップを破損することなくピックアップ可能で、半導体パッケージを製造する際に好適に用いられる、接着シートの接着剤層を構成する接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（メタ）アクリロイルモルフォリンに由来する構成単位を有するアクリル共重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】短時間で十分な接着力を発現でき、エキスパンドによる個片化及びモールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層を有する半導体用接着シートであって、
硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】接着剤層を構成する硬化後の接着剤組成物中に含まれるイオン不純物の量が小さいために、高温・多湿条件下においても、良好なパッケージ信頼性（耐ＨＡＳＴ性）を発揮することができる半導体チップ積層体を提供すること。
【解決手段】複数の半導体チップが接着剤層を介して積層されてなる半導体チップ積層体であって、前記接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）および熱硬化促進剤として特定の有機ホスフィン系化合物（Ｄ）を含み、前記有機ホスフィン系化合物（Ｄ）の含有量が、前記エポキシ樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）の合計１００重量部に対して、０．００１〜１５重量部である接着剤組成物からなることを特徴とする半導体チップ積層体。 （もっと読む）