【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】階段状に積層される半導体チップの強度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域がダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハのチップ領域の第１の面１ｂに接着層１０を形成する。ダイシング領域に沿って半導体ウェーハを分割してチップ領域を有する半導体チップ９を個片化し、接着層を介して半導体チップを階段状に積層する。接着層の形成において、第１の面のうち積層された状態で他の半導体チップに接触しない第１の領域Ｐ１の少なくとも一部には、他の半導体チップに接触する第２の領域Ｐ２よりも接着層が厚く形成された凸部１０ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置（１）を製造するにあたって、部材間の接合作業を比較的低温で行うことを可能とする。
【解決手段】ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）との接合にあたり、まず、ヒートシンク（２）の上面の接合部に対し、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を塗布する塗布工程を実施する。次いで、塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態（残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲）になるまで乾燥させる一次乾燥工程を実施する。次に、半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介してリードフレーム（３）の被接合部（３ａ）をヒートシンク（２）に接着させる熱圧着工程を実施する。この後、樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材をスクリーン印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化、残留した溶剤に起因する組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とするダイボンディング用樹脂ペースト、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、（Ａ）２５℃における粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である光重合性化合物、（Ｂ）熱硬化性化合物、及び（Ｃ）熱可塑性エラストマーを含有し、溶剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体ウエハを用いる場合であっても、半導体ウエハの破損を十分に防止しながら、半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の回路面にバックグラインドテープ４を積層する工程と、裏面を研磨する研磨工程と、研磨された裏面上にＢステージ化された接着剤層５を形成する工程と、接着剤層５上にダイシングテープ６を積層する工程と、バックグラインドテープ４を回路面から剥離する工程と、半導体ウエハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、半導体チップをその裏面上に設けられた前記接着剤層５を介して支持部材又は他の半導体チップに接着する接着工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法。回路面にバックグラインドテープを積層してから、半導体ウエハが半導体チップに切り分けられるまでの間、半導体ウエハが接する環境又は物体の温度が５〜３５℃である。 （もっと読む）

【課題】配線付支持部材と配線付半導体チップとをダイボンディングフィルムで加熱圧着する際、未充填部位を好適に取り除くことを可能とするとともに、良好な吸湿リフロー耐性を有すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０の製造方法は、配線６付き支持部材４と配線３付き半導体チップ２とをダイボンディングフィルム１を介して加熱圧着する加熱圧着工程と、加熱圧着工程後、ダイボンディングフィルム１を加熱する熱硬化工程と、熱硬化工程後、支持部材の配線と半導体チップの配線をボンディングワイヤ８で接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程後、支持部材４と半導体チップ２とを封止する封止工程と、を備え、ダイボンディングフィルム１の接着剤層Ａとして、熱硬化工程におけるフィルム温度１００℃〜１２０℃でのずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である接着剤層を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍ以下の金属酸化物，金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子前駆体と、有機物からなる還元剤とを含み、前記金属粒子前駆体の含有量が接合用材料中における全質量部において５０質量部を超えて９９質量部以下である接合用材料を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸やワイヤの埋め込み性が高く、かつ、安定してワイヤボンディングすることが可能な半導体用フィルム、および信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、支持フィルム４とがこの順で積層されてなり、接着層３の第１粘着層１と反対側の面に半導体ウエハー７を積層させ、この状態で該半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム４からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、接着層３を１３０℃で加熱した際の、接着層３の初期の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した際の、接着層３の溶融粘度が１，０００Ｐａ以上であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した後の、接着層３の１７５℃における弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングフィルムが降伏・破断してしまうことを防止するとともに、ダイボンドフィルムを引張張力により好適に破断することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ステルスダイシング（登録商標）、又は、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）法に使用されるものであり、ダイシングフィルムの接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が８０％以上であり、ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が、１０Ｎ以上７０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が３０％以上であり、［（接触部の引張強度）−（ウェハ貼付部の引張強度）］が、０Ｎ以上６０Ｎ以下であり、ダイボンドフィルムの２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】取付板を厚くせずとも、被接着物と取付板の接着強度を向上させることである。
【解決手段】イメージセンサ取付構造１が、開口部２１を有した取付板２０と、開口部２１内に配置されたイメージセンサ１０と、開口部２１の縁２６とイメージセンサ１０との間に挟まれて、開口部２１の縁２６と前記イメージセンサ１０を接着した接着剤３０と、を備え、開口部２１の縁２６であって取付板２０の裏側の角部に面取り部２７が形成され、接着剤３０の一部３２が面取り部２７に固着していることを特徴とする （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、かつ光の反射率が高く、更に高温に晒されても黄変し難い光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化チタンとを含む。該酸化チタンは、ルチル型酸化チタンである。該酸化チタンの熱伝導率は、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。該酸化チタンは、金属酸化物及び金属水酸化物の内の少なくとも１種により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時の半導体ウェハの保持力とピックアップ時の剥離性のバランス特性に優れる半導体装置製造用接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１３を被着体１１上に接着させる半導体装置製造用接着シート１２をダイシングシート３３と貼り合わせた一体型のダイシング・ダイボンドフィルムであって、半導体装置製造用接着シート１２が少なくとも熱可塑性樹脂及び架橋剤を含み構成され、かつ、１００℃の温水に対する溶解度が１０重量％以下であり、ゲル分率が５０重量％以上であり、熱可塑性樹脂の含有量は、半導体装置製造用接着シート１２を構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、３０〜９０重量部であり、ダイシングシート３３は、支持基材上に粘着剤層が設けられた構成を有しており、粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤により形成されており、且つ、放射線硬化されている。 （もっと読む）

【課題】大面積の接着用途に使用しても十分な低応力性を有し、かつ良好な接着性を示す樹脂組成物及び本発明を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステル化合物と、ポリオキシアルキレンで示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物と、芳香族環を有しない環状ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、主鎖骨格にポリオキシアルキレンで示される構造を含み、かつ少なくとも２つのラジカル重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物、光重合開始剤ではないラジカル重合開始剤、充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 剥離帯電が起こり難く、且つ、接着性、作業性が良好なダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、熱硬化型ダイボンドフィルムは、導電性粒子を含有しており、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、且つ、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整しながら、温度サイクル信頼性の高い半導体チップ実装体を得ることのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせるとともに、前記半導体チップの側面にフィレットを形成する工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）の後の半導体チップ実装体において、前記半導体チップの厚みをＤ、前記半導体チップの底面からの高さ方向のフィレット距離をｄ、半導体チップ接合領域の端部からの横方向のフィレット距離をＬとしたとき、ｄ／Ｄが０．２〜０．８、かつ、Ｌが３００μｍ未満となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】焼結プリフォームを使用する、少なくとも２つの部品を接続するための方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリフォームは、硬化したペーストを含有する少なくとも１つの構造化要素を有する表面を有する担体を含み、この硬化したペーストは、（ａ）少なくとも１つの有機化合物を含有するコーティングを有する金属粒子、ならびに（ｂ）（ｂ１）有機過酸化物、（ｂ２）無機過酸化物、（ｂ３）無機酸、（ｂ４）１〜４個の炭素原子を有する有機酸の塩、（ｂ５）１〜４個の炭素原子を有する有機酸のエステル、および（ｂ６）カルボニル錯体からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含有し、硬化したペーストを有するこの担体の表面は、当該ペーストの構成成分と反応性ではない。 （もっと読む）

【課題】接着剤の充填性に優れ、ボイドの噛み込み及び樹脂引けを抑制することができ、更に、半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、室温下にて、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体チップ、及び、前記基板又は他の半導体チップは、厚さが５０〜３００μｍであり、前記半導体部品用接着剤は、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜４０Ｐａ・ｓ、１０ｒｐｍにおける粘度が１０〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与えるダイボンド剤の提供、および該ダイボンド剤で光半導体素子をダイボンディングした光半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）少なくとも主鎖の両末端に（３，５−ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を備えるオルガノポリシロキサン１００質量部（Ｂ）硬化剤・・（Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し（Ｂ）成分中の反応性を有する基が０．４〜１．５当量となる量（Ｃ）レーザー回折法で測定される累積頻度９９％の粒径２０μｍ以下を持ち、かつ比表面積０．２〜１．５ｍ^２／ｇを持つ導電性粉末・・（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し３５０〜８００質量部（Ｄ）硬化触媒・・（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し０．０５〜３質量部を含有することを特徴とするダイボンド剤。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、当該半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が加わるのを防止し、これにより半導体チップの破損を低減することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをＹ（μｍ）とし、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときの比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下である。 （もっと読む）