【課題】本発明は、半導体パッケージの構造に係り、半導体チップの防振機能を確保しつつ半導体パッケージとしての部品点数の削減及び組み付け性の向上を図ることにある。
【解決手段】半導体チップ１２を収容する半導体パッケージ１０を、内部に半導体チップ１２を収容するパッケージ本体部１４と、パッケージ本体部１４に一体に形成された、半導体チップ１２をパッケージ本体部１４に対して弾性支持する防振部１６と、から構成する。そして、半導体チップ１２を、防振部１６の一部に接着固定し、或いは、少なくとも２つの防振部１６の弾性力により挟持固定する。 （もっと読む）

【課題】 光透過性と接着性の耐久性が優れる、比較的高硬度の硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、さらには、信頼性が優れる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 (Ａ)(Ａ−１)平均組成式で表されるオルガノポリシロキサンと(Ａ−２)平均組成式で表されるオルガノポリシロキサンからなるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、(Ｂ)(Ｂ−１)平均分子式で表され、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも０.５重量％含有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ−２)平均組成式で表され、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも０.５重量％含有するオルガノポリシロキサン、および必要に応じて(Ｂ−３)平均分子式で表されるオルガノポリシロキサンからなるケイ素原子結合水素原子含有オルガノポリシロキサン、および(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる、光半導体素子の封止剤または接着剤として有用な硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】 光透過性と接着性の耐久性が優れる、比較的低硬度の硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、さらには、信頼性が優れる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 (Ａ)(Ａ−１)平均組成式で表されるオルガノポリシロキサンと(Ａ−２)平均組成式で表されるオルガノポリシロキサンからなるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、(Ｂ)(Ｂ−１)平均分子式で表され、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも０.５重量％含有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ−２)平均組成式で表され、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも０.５重量％含有するオルガノポリシロキサン、および必要に応じて(Ｂ−３)平均分子式で表されるオルガノポリシロキサンからなるケイ素原子結合水素原子含有オルガノポリシロキサン、および(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる、光半導体素子の封止剤または接着剤として有用な硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】接着層に対する熱履歴が長くなっても、基板表面の凹凸に対する埋め込み性を良好なものとしつつ、基板との密着強度を高めることができる半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と支持フィルム４とが積層されてなり、接着層３は、水酸基を有する第１モノマー単位とカルボキシル基を有する第２モノマー単位とを含む繰り返し単位を有するアクリル系樹脂を含んで構成され、そのアクリル系樹脂は、繰り返し単位中に含まれる第１モノマー単位および第２モノマー単位の含有量は、それぞれ、０．１〜３ｍｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、半導体ウェハを改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法、又は、半導体ウェハの表面に裏面まで達しない溝を形成した後、半導体ウェハの裏面研削を行い、裏面から溝を表出させることにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用される熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 ダイシング工程の際の接着性と、ピックアップ工程の際の剥離性に優れたダイシング・ダイボンドフィルムを、工業規模においても設計変更することなく製造することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法により得られるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記接着剤層は無機充填剤を含み、前記粘着剤層との貼り合わせ前における貼り合わせ面には前記無機充填剤により凹凸が付与されており、かつ前記貼り合わせ面の算術平均粗さＲａが０．０１５〜１μｍであり、前記粘着剤層の算術平均粗さＲａは、前記接着剤層との貼り合わせ前において、０．０１５〜０．５μｍの範囲であり、前記貼り合わせ面の接触面積は、貼り合わせ面積に対し３５〜９０％の範囲であり、前記粘着剤層の粘着力は、前記接着剤層に対して０．０４〜０．２Ｎ／１０ｍｍ幅であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する接着シートの提供。
【解決手段】基材と、該基材上に剥離可能に積層された接着剤層とからなり、該接着剤層が、基材面側から、第１接着剤層、第２接着剤層および第３接着剤層がこの順に積層されてなり、該第１接着剤層および該第３接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含み、該第２接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）およびゲッタリング剤（Ｄ）を含むことを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】
本発明の樹脂組成物は、作業性に優れかつ、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を半導体装置に付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
金属酸化物（Ａ）、水酸基を有する化合物（Ｂ）、および低応力剤（Ｃ）、および熱硬化性樹脂（Ｄ）を含有する樹脂組成物であって、前記金属酸化物（Ａ）がＩＲ粉体拡散反射法における３７２０ｃｍ^−１以上３７７０ｃｍ^−１未満の赤外線波長領域に生じるピーク面積値が０．1（Ａｃｍ^−１）以上２．０（Ａｃｍ^−１）未満であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】剥離基材１、接着剤層２及び粘着フィルム３を有し、接着剤層２及び粘着フィルム３の合計の膜厚以上の膜厚を有する支持層２０が、粘着フィルム３の外方に形成されており、支持層２０は、支持接着剤層２２と、該支持接着剤層２２を覆い且つ一部が剥離基材１と接するように積層された支持粘着フィルム２３とを有している接着シートを用いる半導体装置の製造方法であり、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体１０を剥離基材１から剥離し、積層体１０を、接着剤層２側の面から半導体ウェハ３２に貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）と、加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）と、前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に、前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）とを有し、前記塗布工程（１）において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の４０〜９０％であり、前記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜１００Ｐａ・ｓであり、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４〜２５Ｐａ・ｓ、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である電子部品積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フィルム状接着剤のプリカット加工がされている多層接着シートにおいて、粘着フィルムとフィルム状接着剤とが剥離することなく、フィルム状接着剤と剥離基材とを剥離することのできる多層接着シートを提供すること。
【解決手段】 剥離基材（１）と、剥離基材（１）の表面上に配置されており且つ打ち抜き加工されたフィルム状接着剤（２）と、フィルム状接着剤（２）を覆うように配置された粘着フィルム（３）とを備える多層接着シートであって、
片面のみに粘着層を有する剥離補助フィルム（４）が、フィルム状接着剤（２）及び粘着フィルム（３）と剥離基材（１）との間のフィルム状接着剤（２）の周縁の全部又は一部を含む領域に、前記粘着層がフィルム状接着剤（２）及び粘着フィルム（３）に対向するように配置されていることを特徴とする多層接着シート。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体２と半導体素子３とを熱硬化性接着剤組成物１を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体２と半導体素子３とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物１であって、所定の反り評価試験における反り量１が所定の条件式１を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。［条件式１：−１０（μｍ）≦反り量１≦１０（μｍ）］ （もっと読む）

【課題】粘接着剤層の部分的な欠けが生じ難く、半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】ダイシング−ダイボンディングテープ１は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするために用いられる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の面３ａに積層されており、非粘着部４Ａと、該非粘着部４Ａの外側部分の領域に粘着部４Ｂとを有する基材層４とを備える。粘接着剤層３は、粘接着剤層本体３Ａと、該粘接着剤層本体３Ａの外周から突出した突出部３Ｂとを有する。突出部３Ｂの先端は、基材層４の粘着部４Ｂの内周よりも内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、粘着剤層において、フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であるチップ保持用テープ。 （もっと読む）

【課題】充填材を実質的に含まない構成としてダイボンド時の圧力による半導体チップの破損を防止し、且つ、引張弾性率の低下を防止するとともに、熱硬化時の熱収縮による反りが発生することを防止して、パッケージ信頼性を向上させることが可能な熱硬化型接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型接着フィルム３であって、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０^５〜５×１０^７Ｐａであり、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、厚みが１〜１０μｍである熱硬化型接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド時のダイ圧着荷重が小さくても、または圧着時間が従来よりも短くてもボイドのない半導体装置を簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、硬化した接着剤層を介してチップが積層された基板からなる半導体装置を製造する方法であって、未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて硬化した接着剤層とする加熱硬化工程；および前記加熱硬化工程によって、前記未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板が、８０℃以上であって接着剤層の反応率が１０％となる温度以下である加圧開始温度まで加熱されてから、前記基板を、常圧に対し０．０５ＭＰａ大きい圧力以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化することが可能な、厚さの薄い接着剤層付半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】一方面上に回路を有する半導体ウェハ１０の他方面上に溶媒を含む接着剤組成物４０を塗布する塗布工程と、接着剤組成物１０の前記溶媒を除去して接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層４０を形成した半導体ウェハ１０を切断して接着剤層付半導体チップを得る切断工程と、を備える、接着剤層付半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下の範囲内であり、かつ、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内である。 （もっと読む）