熱界面材料は結合剤中に、整合性のある大きな熱伝導粒子と、小さなセラミック熱伝導粒子とを含む。結合剤は熱可塑性（及び選択的には熱硬化性）粒子と、不安定性の液体とを含んでもよく、実質的に互いに不溶性である。結合剤は更に液状エポキシを含んでもよい。大きな熱伝導粒子の各々自体は結合性かつ整合性のある扁平粒子の凝集である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れ、ワイヤーボンディングの熱履歴後の充分な流動性を保持する粘接着シートを提供する。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）熱硬化性成分、（ｃ）放射線照射によって塩基とラジカルを発生する化合物、（ｄ）放射線重合化合物を含む粘接着成分からなる粘接着層を有する粘接着シートであって、（ｄ）成分が複素環を含まない場合は、（ｄ）成分の単独のＤＳＣ（示差走査熱量計）の反応開始温度が２３０℃以上で、かつピーク温度が２５０℃以上であって、（ｄ）成分が複素環を含む場合は反応開始温度が２２０℃以上で、かつピーク温度が２４０〜２５０℃である、粘接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージが高温度高湿度に曝された場合であっても、また電圧印加下で高温度高湿度に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を実現すること。
【解決手段】アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、および2個以上のフェノール
性水酸基を有しフェノール性水酸基当量が103g/eq以下である化合物（Ｃ）、およびイオ
ン捕捉剤（Ｄ）を含有し、該イオン捕捉剤の含量が全樹脂成分の合計１００重量部に対して１〜２０重量部である粘接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な硬化性、熱伝導率を示しながら塗布作業性に優れ、かつ塗布後の広がり性の悪化が少ない熱伝導性樹脂組成物を提供し、該熱伝導性樹脂組成物を使用することで安定した接着剤層厚みかつボイドの少ない半導体装置を提供することである。
【解決手段】熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導性充填材（Ａ）、炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）、及びスルフィド結合と水酸基を有する化合物（Ｃ）を含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物並びに該熱伝導性樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 発泡が少なく、耐吸湿性や耐熱性に優れる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ、接着シート、ダイシングテープの順に貼り合わせる工程、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シートとダイシングテープ間で剥離して接着シート付き半導体チップを得る工程、前記接着シート付き半導体チップの接着シートの揮発性成分を除去した後、基板又は半導体チップに接着する工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス間の隙間を通して接着フィルムにレーザー光線を照射し、デブリを飛散させることなく接着フィルムをデバイスの外周縁に沿って破断することができるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法を提供する。
【解決手段】複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成され、該デバイスが個々に分割されているウエーハ１０の裏面に装着された接着フィルム１１を、環状フレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態で個々のデバイスの外周縁に沿って破断する方法であって、個々に分割されているデバイス間の隙間を通して接着フィルムにパルス幅が１００ピコ秒以下のレーザー光線を照射し、接着フィルムに個々のデバイスの外周縁に沿って変質層を形成するレーザー加工工程と、変質層が形成された接着フィルムに外力を付与し、接着フィルムを変質層に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコーン系熱硬化接着剤を介して半導体素子搭載基板をリードフレームのアイランド部上に接着する半導体装置の製造方法であって、シリコーン系熱硬化接着剤のアウトガス成分のリード部への付着を低コストで安定的に抑制することができ、後のワイヤボンディング工程で高い信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系熱硬化接着剤３を介して、半導体素子搭載基板２をリードフレーム１のアイランド部１ｉ上に接着するに際して、リードフレーム１におけるリード部１ａ，１ｂの設定温度Ｔ２ａ，Ｔ２ｂを、アイランド部１ｉの設定温度Ｔ２ｉに較べて高くする。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導率を示しながら塗布作業性に優れ、かつ塗布後の広がり性の悪化が少ない熱伝導性樹脂組成物を提供し、該熱伝導性樹脂組成物を使用することで安定した接着剤層厚みを有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】熱伝導性充填材（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、及びスルフィド結合と水酸基を有する化合物（Ｃ）を含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物並びに該熱伝導性樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の常温での超音波によるワイヤボンディング方式による接続を可能とする接着剤組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子支持部材上に、常温で超音波によるワイヤボンディング方式により電気的接続がなされる電極を有する半導体素子を接着するために使用される接着剤組成物であって、数平均粒径５〜４０μｍ、圧縮弾性率１〜４ＧＰａの（メタ）アクリル樹脂からなる樹脂ビーズを０．０１〜１質量％含有する接着剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】基板又はウエハー上に施与するのに適し、且つ、柔軟性、耐熱衝撃性に優れる硬化物を与える接着剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００の、フェノール性水酸基又はグリシジル基を有するビスフェノール化合物が２価の炭化水素基で接続した繰り返し単位と、ジアルコキシシランの縮合物が窒素原子及び／又は酸素原子を含んでいてよい２価の炭化水素基で接続した繰り返し単位とを含む共重合体（Ｂ）前記（Ａ）共重合体のフェノール性水酸基またはグリシジル基と反応性の基を、分子当たり少なくとも２つ有する硬化剤を、（Ａ）共重合体１００重量部に対して１０〜１０００重量部となる量で、及び（Ｃ）硬化促進剤を成分（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部で、含む接着剤組成物。 （もっと読む）

導電性粉末、熱硬化性シリコーン樹脂、および溶媒を含む導電性接着剤を開示する。
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【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、前記半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子３が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハから切断された個片の側周面が露出してチッピングが発生する虞のある半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面側に複数の回路が形成されたウェハを、前記回路ごとに切断加工して複数の個片１６とし、前記複数の個片１６の回路形成面としての一面側１６ａを、切断加工による切断溝１７の幅ｔを保持した状態で第1保持フィルム１２上に貼着した後、接着性樹脂を個片１６の他面側１６ｂに塗布する共に、切断溝１７内を充填して接着性樹脂層２２を形成し、次いで、複数の個片１６の他面側１６ａを第２保持フィルム上に貼着した後、個片１６間の切断溝１７の幅ｔを拡大するように、第２保持フィルムを伸張し、その後、他面側１６ｂ及び側周面が接着性樹脂層２２で覆われた個片１６を第２保持フィルム上から取り出して、個片１６の他面側１６ｂを半導体装置用基板の所定箇所に当接し接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の更なる薄型化を可能にするとともに、半導体装置製造の工程数を減らすこと。
【解決手段】本発明は、露光及び現像によってパターニングされた後に絶縁性及び被着体に対する接着性（再接着性）を有しアルカリ現像が可能な感光性接着剤を使用し、半導体素子８ａと、半導体素子８ａが搭載される支持部材６とを備える半導体装置を製造する方法に関する。すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージが高温度高湿度に曝された場合であっても、また電圧印加下で高温度高湿度に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を実現すること。
【解決手段】アクリル重合体、不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化剤、およびイオン捕捉剤を含有し、該イオン捕捉剤の含量が全樹脂成分の合計１００重量部に対して１〜１５重量部である粘接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】作業性に優れた粘度を有し、接着性と熱伝導性に優れた接着剤組成物を提供する。
【解決手段】バインダー（Ａ）、フィラー（Ｂ）及び添加剤（Ｃ）を含む接着剤組成物であって、前記添加剤（Ｃ）と、フィラー（Ｂ）との混合物からなる加熱成型物の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法による熱拡散率と、示差走査熱量測定装置による比熱容量と、アルキメデス法よる比重との積により算出し、その熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＣＯＢ構造を有する回路モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】所定の領域に配線パターン、及び、レジスト膜が積層されている基板上に、ベアチップを含む電子部品が実装され、前記電子部品が封止剤で封止されているＣＯＢ構造を有する回路モジュールであって、前記ベアチップは、前記基板上の前記レジスト膜が形成されている領域に、固定剤で固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発熱や発光による変色が無く耐熱性及び耐光性に優れるとともに、ハウジング材への密着性に優れ、長期に亙って高輝度を維持することができる硬化物を得ることが可能な光半導体素子用樹脂組成物、光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材及びそれらを用いた光半導体素子を提供する。
【解決手段】分子内に１個以上のエポキシ含有基を有するシリコーン樹脂（Ａ）と、前記エポキシ含有基と反応可能な酸無水物熱硬化剤（Ｂ）と、分子内に下記一般式（１）で表される構造単位を有する化合物（Ｃ）とを含有する光半導体素子用樹脂組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｒはハロゲン基、アリール基若しくはビニル基を有してもよい炭素数１〜１２の環状若しくは分岐状のアルキル鎖、炭素数５〜８のシクロアルキル鎖、アルキル鎖を有し、ハロゲン基、アリール基若しくはビニル基を有してもよい炭素数１〜１２の環状若しくは分岐状のアルコキシル鎖、又は、アルキル置換基若しくはハロゲン基を有してもよい炭素数１〜６のアリール基を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを、Ａｇペーストよりなるダイマウント材を介してアイランドに接着してなる半導体装置において、ダイマウント材を介したチップ−アイランド間の熱伝導性の向上および当該間の剥離抑制を実現する。
【解決手段】半導体チップ２０の一面２０ａおよびアイランド１１の一面１１ａに、凹凸１４を設け、Ａｇフィラーを、凹凸１４の凹部のサイズよりも平均粒径が小さく全体が凹部に入り込んでいる第１のフィラー１３ａと、凹部のサイズよりも平均粒径が大きく凹部の外側に位置しつつ第１のフィラー１３ａと接触している第２のフィラー１３ｂとを備えるものとし、さらに、第２のフィラー１３ｂの平均粒径を、チップ−アイランド間におけるダイマウント材１３の厚さよりも小さいものとした。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れた光半導体用シリコーン接着剤組成物及びそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）（Ａ１）ケイ素原子に結合する水酸基量が５０〜３０００ｐｐｍであり、ＳｉＯ_４／２単位を有し、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均１個以上有するポリオルガノシロキサン、を含むアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、（Ｃ）白金系触媒及び（Ｄ）接着性付与剤を含有する。 （もっと読む）