【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、（ａ）基板上方に、ＩＩ族酸化物半導体層を成長させる工程と、（ｂ）ＩＩ族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつＯリッチ条件での成長を行い抵抗率が１０^５Ωｃｍ以上のＩＩ族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】基板の自由度があり、待機時（光非照射時）の電力消費が小さく、また光照射時のＳ／Ｎが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をＦＥＴの電極として用い、また、電子走行領域をＡｌＧａＮとＧａＮとのヘテロ界面等のＧａＮ系膜同士のヘテロ界面とする。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】比較的安価で、かつ高品質なものが市場に提供されている材料を紫外線受光層に利用するとともに、紫外線受光層中に高抵抗層を具備しなくても十分な紫外線受光感度および速度を有する、ショットキー型紫外線センサ素子、およびそれを用いた紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線センサ素子１であって、Ｎｂが０．０１ｗｔ％以上０．１０ｗｔ％以下でドープされたＳｒＴｉＯ_３単結晶からなり、第１面および前記第１面に対向する第２面を有する基板２と、前記第１面上に形成され、紫外線を受光する第１電極３と、前記第２面上に形成される第２電極４とを備えた紫外線センサ素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】 半導体紫外線受光素子の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、−ｃ極性ＺｎＯ系半導体層と＋ｃ極性ＺｎＯ系半導体層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記−ｃ極性ＺｎＯ系半導体層をエッチングにより除去する工程と、前記＋ｃ極性ＺｎＯ系半導体層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層と、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成され、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層のＭｇ組成ｘよりも低いＭｇ組成ｙを有し、一部が前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上から除去されている第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層の一部が除去された部分から露出している前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成されたオーミック電極と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層上に形成されたショットキー電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上にｎ型ＺｎＯ系半導体層２、酸化アルミニウム膜３が順に形成されている。また、酸化アルミニウム膜３上には、金属電極４、パッド電極５が形成される。金属電極４は、Ｐｄ層４ａ上にＡｕ層４ｂが積層された多層膜構造を有している。金属電極４は、半透明電極として機能する。金属電極４上にはパッド電極５が形成されている。基板１の裏面には金属電極４に対向するように、裏面電極６が形成される。ｎ型ＺｎＯ系半導体層２とＰｄ層４ａでショットキーバリア構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層３と、半導体層３上に形成された紫外線透過性の有機物電極５と、半導体層３上に、有機物電極５の外側に形成された絶縁層と、有機物電極上から絶縁層上に延在し、絶縁層上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の半導体紫外線受光素子を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、絶縁性下地の一部上方に、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層の上面と側面を覆い、端部が絶縁性下地上に達するように形成された紫外線透過性の有機物電極と、有機物電極上から絶縁性下地上に延在し、絶縁性下地上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、破壊電圧及び感度を高め、永久光電流を抑制して、ＳＮ比、ｏｎ／ｏｆｆ比及び応答速度を高めた紫外光検出デバイス及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物薄膜からなり、紫外光照射面３５を有する紫外光検出層２２と、前記紫外光検出層２２の一面２２ａに形成された絶縁部２３と、絶縁部２３の一面２３ａに形成された第１及び第２の電極部３１、３２と、を有する紫外光検出デバイス１１であって、絶縁部２３がＩＩ−ＶＩＩ族化合物である紫外光検出デバイスを用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】紫外光を可視光から分離して検出する紫外光センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極層と、第１の電極層上に形成され、ポリシランを含むＰ型半導体材料と、Ｎ型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、光電変換層上に形成された第２の電極層とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射ディテクタ、放射ディテクタの製造方法、および放射ディテクタを含むリソグラフィ装置に関する。
【解決手段】放射ディテクタは放射感応性表面を有する。放射感応性表面は、１０〜２００ｎｍの波長の放射および／または荷電粒子に感応する。放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第１電極、および第２電極を有する。シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第１表面側の表面領域内に設けられる。ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。ドーパント層は、ドーパント材料の第１層と、第２層とを有する。第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。第１電極はドーパント層に接続される。第２電極はシリコン基板に接続される。 （もっと読む）

【課題】個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能であると共に、高Ｓ／Ｎ比を実現可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板２と、その一方側の面上に形成されたバッファ層３と、さらにその上方において、ＡｌＮ層からなる第１の光感受層１１とＧａＮ層からなる第２の光感受層１２とを少なくとも１層づつ交互に積層させることにより形成した第１の光感受層１１と第２の光感受層１２との超格子構造よりなる光感受層１０と、受光面４ａとなる上記光感受層４の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極５と、結晶基板２の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極７とからなる受光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるｎ型半導体層と、酸化ニッケルからなるｐ型半導体層を積層してなり、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層がｐｎ接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記ｎ型半導体層の膜厚が０．５〜１５μｍ、前記ｐ型半導体層の膜厚が１〜３０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏを主成分とするｐ型半導体層１とＺｎＯを主成分としたｎ型半導体層２とを接合させる前に、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のＺｎを溶出させてｐ型半導体層１を作製する。表面処理は外部電極５ａ、５ｂ形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるようなｐＨに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるような所定時間、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】所望の感度を維持しつつ、装置全体を大きくせずに、紫外線の検出と、可視光または赤外線の検出が可能な光センサーを提供する。
【解決手段】
入射光のうち紫外線波長帯域に含まれる所定の波長帯域の光を検出するとともに、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる受光部を有する第一センサー１０Ａと、紫外線よりも長い波長帯域の光であって第一センサー１０Ａを透過した光を検出する受光部を有する第二センサー２０Ａと、を備える光センサー１Ａである。 （もっと読む）